磁记录介质基板用玻璃、磁记录介质基板和磁记录介质的制作方法

本发明涉及磁记录介质基板用玻璃、磁记录介质基板和磁记录介质。
背景技术：
：磁记录介质具有基板和磁记录层。近年来，作为新一代的记录方式，研究了能量辅助磁记录方式(例如参见专利文献1)。该记录方式是通过施加能量而使磁记录层的矫顽力降低、并在该状态下施加外部磁场而进行记录的方式，可以在保持热稳定性的同时将磁性粒子微细化。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2013/140469号技术实现要素：发明所要解决的问题在磁记录层的成膜工艺中，有时将基板加热至高温，从而要求耐热性高的玻璃基板。另外，要求玻璃基板的薄板化、高速旋转化，从而要求玻璃基板的颤振(フラッタリング)特性的改善。本发明鉴于上述问题而完成，主要的目的在于提供一种改善了耐热性和颤振特性的磁记录介质基板用玻璃。解决问题的手段为了解决上述问题，根据本发明的一个方式，提供一种磁记录介质基板用玻璃，其中，以氧化物基准的摩尔％表示，所述磁记录介质基板用玻璃含有：60％～75％的SiO2、10％～15％的Al2O3、7％～12％的B2O3、0～15％的MgO、3％～15％的CaO、0～10％的SrO、0～10％的BaO、0～10％的Na2O、0～10％的K2O、0～10％的Li2O、0～3％的TiO2和0～1％的ZrO2，上述12种成分的含量的合计为97％以上，MgO、CaO、SrO和BaO的含量的合计为10％～20％，Na2O、Li2O和K2O的含量的合计为1％～10％，并且共振频率3000Hz下的横向振动内摩擦与比模量的乘积的值为1.2×10-2MNm/kg以上。发明效果根据本发明的一个方式，提供一种改善了耐热性和颤振特性的磁记录介质基板用玻璃。附图说明图1为表示一个实施方式的磁记录介质的立体图。图2为表示一个实施方式的磁记录介质的侧视图。附图标记10磁记录介质11基板12散热层13种子层14磁记录层15保护层具体实施方式以下，参照附图对用于实施本发明的方式进行说明。在各附图中，对相同的或对应的构成标上相同的或对应的符号而省略说明。本说明书中，表示数值范围的“～”是指包含其前后的数值的范围。图1是表示一个实施方式的磁记录介质的立体图。图2是表示一个实施方式的磁记录介质的侧视图。磁记录介质10是热辅助磁记录方式的记录介质。热辅助磁记录方式是通过施加热而使磁记录层14的矫顽力降低、并在该状态下施加外部磁场而进行记录的方式，可以在保持热稳定性的同时将磁性粒子微细化。磁记录介质10除了可以在大气气氛下使用以外，还可以在惰性气氛下使用。作为惰性气氛，除了氮气气氛、氩气气氛以外，还有特别是原子量小的氦气气氛可以减小伴随旋转的气流的影响，因此优选。记录时和再现时的至少一者的磁记录介质10的转速可以为7200～20000rpm。磁记录介质10具有基板11、散热层12、种子层13、磁记录层14和保护层15。需要说明的是，磁记录介质不限于图1的构成。磁记录介质具有基板11和磁记录层14即可，可以不具有例如散热层12、种子层13和保护层15。另外，磁记录介质在基板11与磁记录层14之间还可以具有粘附层、软磁性衬垫层、中间层等。另外，磁记录介质可以在基板11的两侧具有磁记录层14。基板11为玻璃基板，由基板用玻璃形成。通常，作为基板11的颤振特性的指标d，使用基板用玻璃的比模量E/ρ与基板用玻璃的横向振动内摩擦ξ(以下，简称为“内摩擦ξ”)的乘积(d＝E/ρ×ξ)。为了抑制颤振，希望指标d大的玻璃。在此，比模量E/ρ为杨氏模量E与密度ρ之比E/ρ。温度恒定时，杨氏模量E、密度ρ(进而比模量E/ρ)根据基板用玻璃的组成而明确地确定，内摩擦ξ根据基板11的振动状态(振动频率)而变化。本发明人考查基板11的颤振特性，发现：基板11的转速为7200～20000rpm时，特别是转速为10000rpm以上时，在频率2700～3300Hz的频带存在的高阶的振动模式显著影响颤振特性。因此发现：为了抑制颤振，重要的是共振频率为2700～3300Hz时的内摩擦ξ大。在此，共振频率依赖于基板11的材质、形状、尺寸和转速。此外还发现：由于在2700～3300Hz的范围内，内摩擦ξ缓慢发生变化，因此可以将其中心值的3000Hz的内摩擦ξ3作为指标。另外，还发现：为了进一步抑制颤振，需要使对存在于共振频率为1200～1800Hz的频带的振动的衰减大。此时也发现：由于在1200～1800Hz的范围内，内摩擦ξ缓慢发生变化，因此可以将其中心值的1500Hz的内摩擦ξ1作为指标。即发现：重要的是共振频率1500Hz时的内摩擦ξ1大。此外，本发明人也考虑耐热性、耐化学品性等，发现：设定为下述所示的组成适宜作为磁记录介质用玻璃基板。基板用玻璃以氧化物基准的摩尔％表示，含有：60％～75％的SiO2、10％～15％的Al2O3、7％～12％的B2O3、0～15％的MgO、3％～15％的CaO、0～10％的SrO、0～10％的BaO、0～10％的Na2O、0～10％的K2O、0～10％的Li2O、0～3％的TiO2和0～1％的ZrO2。该基板用玻璃的上述12种成分的含量的合计为97％以上(优选98％以上，更优选99％以上)，MgO、CaO、SrO和BaO的含量的合计为10％～20％，Na2O、Li2O和K2O的含量的合计为1％～10％。基板用玻璃优选以氧化物基准的摩尔％表示含有：60％～68％的SiO2、10％～11％的Al2O3、7％～12％的B2O3、0.1％～15％的MgO、4.5％～10％的CaO、0.1％～10％的SrO、0～10％的BaO、0～10％的Na2O、0～10％的K2O、0～10％的Li2O、0～3％的TiO2和0～1％的ZrO2。该基板用玻璃的上述12种成分的含量的合计为97％以上(优选98％以上，更优选99％以上)，MgO、CaO、SrO和BaO的含量的合计为10％～20％，Na2O、Li2O和K2O的含量的合计为1％～10％。接下来，对基板用玻璃的各成分进行说明。各成分的说明中，％指摩尔％。SiO2是形成玻璃的骨架的必需成分。SiO2的含量低于60％时，耐酸性容易显著降低，玻璃化转变温度Tg容易降低，并且容易产生损伤。另外，此时，液相线温度上升，并且温度T2(粘度达到102dPa·s时的温度)和温度T4(粘度达到104dPa·s时的温度)容易降低，并容易发生失透。因此，SiO2的含量为60％以上，优选为61％以上，更优选为63％以上，特别优选为65％以上。另一方面，SiO2的含量超过75％时，温度T2和温度T4容易上升，玻璃的熔化容易变困难，澄清时的脱泡性降低而容易产生缺陷。另外，此时，比模量E/ρ容易降低。此外，此时，玻璃的50～350℃下的平均线膨胀系数α(以下，也简称为“平均线膨胀系数α”)容易变小。因此，SiO2的含量为75％以下，优选为73％以下，更优选为71％以下，特别优选为68％以下。Al2O3是提高杨氏模量、耐碱性的必需成分。Al2O3的含量低于10％时，杨氏模量E容易降低，另外，玻璃化转变温度Tg容易降低。因此，Al2O3的含量为10％以上，优选为10.2％以上，更优选为10.3％以上。另一方面，Al2O3的含量超过15％时，密度ρ容易变大而比模量E/ρ容易变小，颤振特性容易恶化。另外，此时，耐酸性容易降低。此外，此时，存在液相线温度变得过高的倾向，因此成形容易变困难。因此，Al2O3的含量为15％以下，优选为13％以下，更优选为12％以下，进一步优选为11％以下。为了使耐化学品性、耐损伤性、玻璃的熔化性提高，B2O3需要含有7％以上。另一方面，B2O3的含量超过12％时，杨氏模量E进而比模量E/ρ容易降低，玻璃化转变温度Tg也容易降低。因此，B2O3的含量为12％以下，优选为11％以下。MgO不是必需的，但为了熔化性的提高、杨氏模量E进而比模量E/ρ的提高、玻璃化转变温度Tg的上升，可以在15％以下的范围内含有。MgO的含量超过15％时，液相线温度容易上升，制造容易变困难。MgO的含量优选为13％以下，更优选为12％以下。MgO的含量优选为0.1％以上。为了降低熔化温度、降低失透温度，CaO需要含有3％以上。CaO的含量优选为3.5％以上，更优选为4.5％以上。另一方面，CaO的含量超过15％时，杨氏模量E、比模量E/ρ、玻璃化转变温度Tg容易降低。因此，CaO的含量为15％以下，优选为13％以下，更优选为10％以下。SrO和BaO各自都不是必需的，但为了提高熔化性可以在10％以下的范围内含有。SrO和BaO的含量的合计优选为0.1％以上，SrO的含量优选为0.1％以上。为了使比模量E/ρ的值增大，将MgO、CaO、SrO和BaO(以下，统称为“RO”)的含量的合计设定为10％以上，优选设定为10.5％以上。RO的含量的合计超过20％时，液相线温度容易上升而粘性容易降低，另外耐酸性容易变低。RO的含量的合计为20％以下，优选为18％以下，更优选为16％以下。Na2O、K2O和Li2O(以下，统称为“R2O”)具有使内摩擦ξ和指标d增大的效果，因此需要含有1％以上。R2O的含量的合计优选为2％以上，更优选为3％以上。另一方面，R2O的含量的合计超过10％时，杨 氏模量E进而比模量E/ρ容易降低，另外，玻璃化转变温度Tg容易降低，并容易发生由基板11的延迟弹性导致的变形。因此，R2O的含量的合计为10％以下，优选为9％以下，更优选为8％以下，进一步优选为7％以下。为了提高熔化性，TiO2可以在3％以下的范围内含有。TiO2的含量超过3％时，玻璃的失透温度容易上升且成形性容易恶化，除此之外，表面容易受损。TiO2的含量优选为2％以下，更优选为1％以下，进一步优选基本上为0％。ZrO2可以使玻璃的杨氏模量E和比模量E/ρ提高。但是，ZrO2过多时，失透温度上升。因此，ZrO2的含量优选为1％以下，更优选为0.5％以下，进一步优选基本上为0％。基板用玻璃可以含有其他成分，例如选自SnO2、PbO、As2O3、Sb2O3中的至少一种成分。这些成分的含量的合计为3％以下，优选为2％以下，进一步优选为1％以下。为了提高制造玻璃时的脱泡，可以含有SnO2。SnO2的含量为0.01％以下时，脱泡性不提高。另外，SnO2的含量超过0.5％时，容易影响材料特性。因此，SnO2的含量优选为0.02％～0.5％。可以含有PbO、As2O3、Sb2O3，但为了使玻璃的回收利用容易，优选基本上不含有。接下来，对上述基板用玻璃的物性进行说明。基板用玻璃的比模量E/ρ优选为27MNm/kg以上。比模量E/ρ低于27MNm/kg时，在磁记录介质10的旋转中容易发生颤振。比模量E/ρ典型地为35MNm/kg以下。共振频率3000Hz下的基板用玻璃的内摩擦ξ3优选为4.0×10-4以上且低于1.0×10-2。共振频率3000Hz下的基板用玻璃的内摩擦ξ3小于4.0×10-4时，基板11的与高阶的振动模式相关的阻尼能力容易变小，颤振振幅容易变大。因此，容易发生由磁记录介质10与磁头的碰撞导致的读取错误、磁头的破坏。另一方面，共振频率3000Hz下的内摩擦ξ3为1.0×10-2以上时，有可能容易诱发磁记录介质10的共振现象。共振频率1500Hz下的基板用玻璃的内摩擦ξ1优选为6.0×10-4以上且低于1.0×10-2。共振频率1500Hz下的基板用玻璃的内摩擦ξ1小于6.0×10-4时，基板11的与高阶的振动模式相关的阻尼能力容易变小，颤振振幅容易变大。因此，容易发生由磁记录介质10与磁头的碰撞导致的读取错误、磁头的破坏。另一方面，共振频率1500Hz下的内摩擦ξ1为1.0×10-2以上时，有可能容易诱发磁记录介质10的共振现象。作为共振频率3000Hz下的基板用玻璃的内摩擦ξ3与比模量的乘积的值的指标d(以下，也简称为指标d3)优选为1.2×10-2MNm/kg以上。若d3为1.2×10-2MNm/kg以上，可以减小高速旋转中的颤振振幅，从而可以防止由磁记录介质10与磁头的碰撞导致的读取错误、磁头的破坏。作为共振频率1500Hz下的基板用玻璃的内摩擦ξ1与比模量的乘积的值的指标d(以下，也简称为指标d1)优选为1.7×10-2MNm/kg以上。若d3为1.2×10-2MNm/kg以上且d1为1.7×10-2MNm/kg以上，则可以从旋转开始到高速的通常旋转为止抑制颤振现象。基板用玻璃的玻璃化转变温度Tg优选为600℃以上。玻璃化转变温度Tg低于600℃时，在磁记录层14的成膜工艺中，需要将成膜温度抑制得较低，矫顽力高的磁记录层的成膜有可能变得困难。玻璃化转变温度Tg更优选为650℃以上。从成形性的观点考虑，玻璃化转变温 度Tg优选为800℃以下，更优选为750℃以下，进一步优选为730℃以下。基板用玻璃的平均线膨胀系数α优选为40×10-7～70×10-7/℃。若该平均线膨胀系数α为40×10-7/℃以上，则与保持基板11的金属制的主轴卡盘(spindlechuck)的线膨胀系数之差小，可以抑制基板11的破裂等。平均线膨胀系数α更优选为45×10-7/℃以上，进一步优选为50×10-7/℃以上。另一方面，该平均线膨胀系数α超过70×10-7/℃时，耐热冲击性降低，因此在制造工艺中不能提高基板11的冷却速度，从而生产率降低。平均线膨胀系数α优选为70×10-7/℃以下，更优选为65×10-7/℃以下。基板11是通过例如浮法、流孔下引法或熔融法(所谓的溢流下拉法)对成形为板状的玻璃进行加工而得到的。需要说明的是，板状的玻璃可以用钢丝锯将成形为圆柱状的玻璃切割而制作。基板11可以是对基板用玻璃进行化学强化后的基板。作为化学强化法，有例如离子交换法等。离子交换法通过将玻璃浸渍于处理液(例如硝酸钾熔融盐)，将玻璃中所含的离子半径小的离子(例如Na离子)交换为离子半径大的离子(例如K离子)，由此在玻璃表面产生压应力。压应力在玻璃的整个表面上均匀产生，并在玻璃的整个表面上形成均匀深度的压应力层。基板11的板厚通常可以以约0.3mm～约2mm的厚度进行使用，例如为0.6mm以下。基板11的形状为圆盘状，可以以基板11的直径为约1.5英寸～约8英寸进行使用，例如超过2.5英寸。散热层12有效地吸收在热辅助磁记录时产生的磁记录层14的多 余的热。散热层12可以由热导率和比热容高的金属形成。作为散热层12的材料，使用通常的材料。种子层13确保散热层12与磁记录层14之间的粘附性。另外，种子层13控制磁记录层14的磁性晶粒的粒径和晶体取向。此外，种子层13作为热的屏障控制磁记录层14的温度上升和温度分布。作为种子层13的材料，使用通常的材料。磁记录层14是写入信号的层。磁记录层14可以为多层结构，各层具有由磁性晶粒和非磁性部分构成的颗粒结构。作为磁记录层14的材料，使用通常的材料。磁记录层14的面记录密度可以为800千兆比特/英寸2以上。需要说明的是，磁记录层14可以为单层结构。保护层15保护磁记录层14。保护层15可以为单层结构、层叠结构中的任一种。作为保护层15的材料，使用通常的材料。实施例在例1～8中，准备不同的组成的玻璃，并考查了各玻璃的内摩擦ξ的振动频率依赖性等。例1～5为实施例，例6～8为比较例。<玻璃的制造方法>首先，将按规定的配合比混合后的原料投入铂坩埚，在1550～1650℃的温度下熔化的同时进行搅拌。在搅拌中使用了铂搅拌器。接下来，使熔化玻璃从铂坩埚流出，成形为规定的形状，然后慢慢冷却，从而制作了玻璃坯板。之后，加工玻璃坯板(素板)，从而制作了评价用的样品。<玻璃的评价>通过荧光X射线分析(理学ZSX100e)测定了玻璃的组成。需要说明的是，例1～3的玻璃是在例6的玻璃中添加Na2O成分而得到的玻 璃。通过差示热膨胀计(布鲁克AXS，TD5000SA)测定了玻璃化转变温度Tg和平均线膨胀系数α。通过阿基米德法(岛津制作所，AUX320)在25℃测定了玻璃的密度ρ，通过超声波脉冲法(奥林巴斯，DL35)在25℃下测定了杨氏模量E。从这些测定结果算出比模量E/ρ。通过共振法内摩擦测定装置(日本Techno-Plus，JE-HT)在25℃下测定了内摩擦ξ和振动振幅比a。在这些测定中，通过对无旋转状态的玻璃基板施加交流电压，由此恒定且强制地使玻璃基板共振。具体地，通过半带宽法(半価幅法)算出了规定的共振频率(1500Hz、2500Hz、3000Hz)下的内摩擦。以下，也将共振频率1500Hz下的内摩擦ξ称为ξ1，将共振频率2500Hz下的内摩擦ξ称为ξ2，将共振频率3000Hz下的内摩擦ξ称为ξ3。例1～例8都是共振频率越大内摩擦ξ越小。也将共振频率1500Hz下的振动振幅比a称为a1，将共振频率3000Hz下的振动振幅比a称为a3。在此，振动振幅比a是以相同的交流功率测定的、将特定例的振动振幅A1用例6的振动振幅A0标准化而得到的值(A1/A0)。振动振幅比a越小，阻尼特性越好。因此，对于高阶模式阻尼特性而言，将振动振幅比a1、a3的两者低于1.0的情况评价为“○”，将振动振幅比a1、a3的至少一者为1.0以上的情况评价为“×”。指标d由比模量E/ρ和内摩擦ξ算出。如上所述，也将共振频率1500Hz下的指标d称为d1，将共振频率3000Hz下的指标d称为d3。对于耐热性而言，将玻璃化转变温度Tg为600℃以上的情况评价为“○”，将玻璃化转变温度Tg低于600℃的情况评价为“×”。对于热膨胀而言，将平均线膨胀系数α为40×10-7～70×10-7/℃的情况评价为“○”，将平均线膨胀系数α低于40×10-7/℃的情况或超过70×10-7/℃的情况评价为“×”。通过激光多普勒振动计(小野测器，LV-1710)测定了颤振振幅。具体地，以10000rpm的转速使玻璃基板旋转的同时测定玻璃基板表面的最大位移幅度。玻璃基板是通过将例1～3和例6的玻璃坯板以下述的顺序加工而制作的。在第1步中，通过加工玻璃坯板，得到在中央部具有圆孔的圆盘状的玻璃基板。在第2步中，通过用倒角磨石磨削玻璃基板的端面(内周端面和外周端面)，由此进行了倒角。在第3步中，使用氧化铝磨粒对玻璃基板的两主表面进行研磨加工，然后清洗除去磨粒。在第4步中，对玻璃基板的外周端面进行毛刷抛光，除去倒角所致的加工变质层(损伤等)，并进行镜面加工，然后清洗。毛刷抛光中，使用了含有氧化铈磨粒的抛光液。在第5步中，对玻璃基板的内周端面进行毛刷抛光，除去倒角所致的加工变质层(损伤等)，并进行镜面加工，然后清洗。毛刷抛光中， 使用了含有氧化铈磨粒的抛光液。在第6步中，使用含有金刚石磨粒的固定粒工具(固定粒工具)和磨削液，对玻璃基板的两主表面进行研磨加工，并清洗。在第7步中，通过两面抛光装置(SPEEDFAM公司制，制品名：DSM22B-6PV-4MH)对玻璃基板的两主表面进行第1次抛光，并清洗。在第1次抛光中，使用了硬质聚氨酯制的抛光垫和含有氧化铈磨粒的抛光液。在第8步中，通过上述两面抛光装置对玻璃基板的两主表面进行第2次抛光，并清洗。在第2次抛光中，使用了软质聚氨酯制的抛光垫和含有平均粒径比第1次抛光小的氧化铈磨粒的抛光液。在第9步中，通过上述两面抛光装置对玻璃基板的两主表面进行第3次抛光，并清洗。在第3次抛光中，使用了软质聚氨酯制的抛光垫和含有胶态二氧化硅的抛光液。在第10步中，对第3次抛光后的玻璃基板依次进行擦洗、浸渍于洗剂溶液的状态下的超声波清洗、浸渍于纯水的状态下的超声波清洗，并进行了利用异丙醇蒸气的干燥。根据上述的顺序，得到了直径65mm、板厚0.635mm、在中央部具有20mm的圆孔的环形的玻璃基板。对于颤振特性而言，将颤振振幅相对于例6的基板的颤振振幅降低的情况评价为“○”。<玻璃的评价结果>在表1中示出玻璃的组成(摩尔％)、玻璃化转变温度Tg(℃)、平均 线膨胀系数α(×10-7/℃)、密度ρ(×103kg/m3)、杨氏模量E(GPa)、比模量E/ρ(MNm/kg)、内摩擦ξ(×10-4)、振动振幅比a和指标d(×10-2MNm/kg)等。表1中，例4、5、7、8的振动振幅比a是使用其他例1-3、6的振动振幅比a和例1-8的指标d进行回归分析并以其分析结果为基础推测得到的值。需要说明的是，例1-3、6的振动振幅比a为实测值。表1例1例2例3例4例5例6例7例8SiO2(摩尔％)63.962.160.465.363.366.167.465.5Al2O3(摩尔％)10.710.410.110.710.411.211.111.5B2O3(摩尔％)7.37.16.99.79.47.410.00.0MgO(摩尔％)5.55.45.22.12.05.42.20.0CaO(摩尔％)4.84.74.58.58.24.98.80.0SrO(摩尔％)4.74.64.50.60.64.90.60.0BaO(摩尔％)0.00.00.00.00.00.00.00.0Li2O(摩尔％)0.00.00.00.00.00.00.012.3Na2O(摩尔％)2.95.78.33.06.00.00.05.5K2O(摩尔％)0.00.00.00.00.00.00.03.4ZrO2(摩尔％)0.00.00.00.00.00.00.01.8RO(摩尔％)15.114.714.211.210.915.211.50.0R2O(摩尔％)2.95.78.33.06.00.00.021.2Tg(℃)658628604657623710728514α(×10-7/℃)52.160.169.648.460.137.538.991.6ρ(×103kg/m3)2.512.522.542.402.422.502.382.47E(GPa)78.978.277.474.874.379.475.283.5E/ρ(MNm/kg)31.431.030.531.230.731.831.633.8ξ1(×10-4)5.776.426.787.7710.55.235.1527.7ξ2(×10-4)4.956.066.606.908.583.953.9023.3ξ3(×10-4)4.505.706.425.858.503.053.3814.3d1(×10-2MNm/kg)2.32.83.32.43.41.61.69.5d3(×10-2MNm/kg)1.72.22.81.82.60.91.14.7a10.80.60.4(0.7)(0.4)1.0(1.0)(＜0.1)a30.80.50.3(0.7)(0.4)1.0(1.0)(＜0.1)高阶模式阻尼特性○○○○○-×○颤振特性○○○----○耐热性○○○○○○○×热膨胀○○○○○××○如从表1所明示，例1～5的玻璃的平均线膨胀系数α在40×10-7～70×10-7/℃的范围内，且玻璃化转变温度Tg在600～800℃的范围内。与此相对，例6和7的玻璃的平均线膨胀系数α小，与金属制的主轴卡盘的热膨胀差大。另外，例8的玻璃的Tg为600℃以下，耐热性低。另外，将例1～3和例6比较时，可知R2O的含量的合计越多，比模量E/ρ越降低，相反，内摩擦ξ越显著增大，指标d越增大。可知：与比模量E/ρ相比，内摩擦ξ支配指标d。如从表1所明示，例1～5的玻璃的R2O的含量的合计在1％～10％的范围内，指标d3为1.2×10-2MNm/kg以上。另一方面，例6和7的玻璃的R2O的含量的合计低于1％，指标d3低于1.2×10-2MNm/kg。振动振幅比a的实测值与指标d1和d3相关性良好，d值越大则振动振幅比a的值越小。即可知d1和d3作为预测高阶模式的振动振幅的参数有用。另外，确认了在3000Hz下d3为1.2×10-2MNm/kg以上的区域中、在1500Hz下d1为1.7×10-2MNm/kg以上的区域中振动振幅比a的降低。将例1～3和例6、7比较时，可知：不含R2O的例6和7的振动振幅相同，随着R2O的含有率增加，振动振幅比a1和a3的值变好。如从表1所明示，可知：相比于例6的玻璃基板，如果利用例1～3的玻璃基板，则能够抑制颤振。以上，对磁记录介质基板用玻璃的实施方式等进行了说明，但本发明不限于上述实施方式等，在权利要求的范围记载的本发明的要旨的范围内，可以进行各种变形、改良。例如，上述实施方式的磁记录介质的记录方式为热辅助磁记录方 式，但本发明不限于此。磁记录介质的记录方式可以为例如微波辅助磁记录方式等其他的能量辅助磁记录方式，也可以为通常的磁记录方式。当前第1页1 2 3