技术特征：
技术总结
本发明公开了一种二维纳米Ga2In4S9晶体材料的制备方法，采用化学气相沉积法用单质硫和液态镓铟共晶合金为源物质，在衬底上沉积所需厚度的Ga2In4S9晶体；反应区域有上游温区、中心温区以及下游温区，单质硫放置于上游温区，液态镓铟共晶合金，由于其蒸发所需温度较高，将其放置于中心温区，衬底放置于下游温区；利用不同温区的温度差，单质硫蒸汽和镓铟合金蒸汽在中心温区发生反应生成Ga2In4S9，并通过载气带入下游温区，在衬底上沉积成为二维纳米Ga2In4S9晶体材料。利用本发明方法，制备出了厚度均匀形态一致的二维纳米Ga2In4S9晶体材料，在光电子器件的应用中具有广阔前景。
技术研发人员：张骐;高婷;翟天佑
受保护的技术使用者：华中科技大学
技术研发日：2017.06.20
技术公布日：2017.09.22