导电薄膜和包括其的电子器件的制作方法
【专利说明】
[OOCM] 相关申请
[0002] 本申请要求2014年6月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No. 10-2014-0080187的优先权和权益，将其全部内容引入本文作为参考。
技术领域
[0003] 公开了导电薄膜和包括其的电子器件。
【背景技术】
[0004] 例如平板显示器如LCD或LED、触摸屏面板、太阳能电池、透明晶体管等的电子器 件包括导电薄膜或透明导电薄膜。期望地，用于导电薄膜的材料可具有，例如，在可见光区 域中大于或等于约80%的高的光透射率和小于或等于约10 4Q*cm的低的比电阻。目前使 用的氧化物材料可包括氧化铜锡广IT0")、锡氧化物（例如，Sn〇2)、锋氧化物（例如，ZnO) 等。广泛用作透明电极材料的ITO是具有3. 75电子伏特（eV)的宽的带隙的简并半导体并 且可被容易地瓣射W具有大的面积。然而，由于ITO常规地具有就应用于柔性触控面板和 UD-水平高分辨率显示器而言有限的导电性和柔性并且还由于其原材料的有限的储量而具 有高的价格，因此已经进行替代ITO的许多尝试。
[0005] 最近，作为下一代电子器件的柔性电子器件已经引起关注。因此，期望开发不同于 W上透明电极材料的提供柔性W及具有透明性和相对高的导电性的材料。此处，柔性电子 器件包括能弯曲的或能折叠的电子器件。
【发明内容】
[0006] 一种实施方式提供具有高的导电性和优异的光透射率的柔性导电薄膜。
[0007] 另一实施方式提供包括所述导电薄膜的电子器件。
[0008] 在一种实施方式中，导电薄膜包括由化学式1表示并且具有层状晶体结构的化合 物：
[0009] 化学式1
[0010] MeBz
[0011] 其中，Me为 411、41、4邑、]\%、1'曰、佩、￥、胖、￥、]\1〇、5。、化、]\111、〇3、1'。、脚、尸6、2'、或1'1。
[0012] 所述导电薄膜在小于或等于10皿的厚度下对于在约550纳米（nm)波长处的光可 具有大于或等于约80百分比（％)的光透射率。
[001 引 所述薄膜可包括AuBz、AlBz、A浊2、M浊2、TaBz、NbBz、YBz、WBz、VBz、MoBz、ScBz、或其组 合。
[0014] 所述导电薄膜可包括单晶化合物。
[0015] 所述导电薄膜可具有大于或等于约5000西口子/厘米（S/cm)的电导率。
[0016] 所述导电薄膜可具有大于或等于约10,OOOS/cm的电导率。
[0017] 所述化合物可具有小于或等于约35欧姆/平方（ohmpersquare,Q/□)的对 于具有约550nm波长的光的吸收系数广a")与其电阻率值广P")的乘积。
[0018] 所述化合物可具有小于或等于约6 0/ □的对于具有约550皿波长的光的吸收系 数广a")与其电阻率值广P")的乘积。
[0019] 所述导电薄膜可具有对于具有550皿波长的光约90%的透射率和小于或等于约 60 0/ □的薄层电阻。
[0020] 所述层状晶体结构可属于具有P6/mmm(191)空间群的六方晶系。
[0021] 在25°C下暴露于空气60天或更长时间之后，所述导电薄膜可保持所述层状晶体 结构。
[0022] 所述导电薄膜可包括多个包含所述化合物的纳米片，和所述纳米片可彼此接触W 提供电连接。
[0023] 所述导电薄膜可包括包含所述化合物的连续的沉积膜。
[0024] 所述导电薄膜可具有小于或等于约IOOnm的厚度。
[00巧]另一实施方式提供包括所述导电薄膜的电子器件。
[0026] 所述电子器件可为平板显示器、触摸屏面板、太阳能电池、电子视窗、电致变色镜、 热镜、透明晶体管、或者柔性显示器。
【附图说明】
[0027] 通过参照附图更详细地描述本公开内容的示例性实施方式，本公开内容的W上和 其它方面、优点和特征将变得更明晰，其中：
[0028] 图1为显示导电薄膜中包括的棚化物化合物的层状晶体结构的实施方式的示意 图；
[0029] 图2为显示实施例1中合成的NbBz多晶般烧体的X-射线衍射谱的强度（任意单 位，a.U.)对衍射角（两倍0即2 0，度）的图；
[0030] 图3为显示实施例1中合成的MoBz多晶般烧体的X-射线衍射谱的强度（任意单 位，a.U.)对衍射角（两倍0即2 0，度）的图；
[00引]图4为显示实施例1中合成的YBz多晶般烧体的X-射线衍射谱的强度（任意单 位，a.U.)对衍射角（两倍0即2 0，度）的图；
[003引图5为显示实施例1中合成的M浊2多晶般烧体的X-射线衍射谱的强度（任意单 位，a.U.)对衍射角（两倍0即2 0，度）的图；
[003引图6为显示实施例1中合成的ScBz多晶般烧体的X-射线衍射谱的强度（任意单 位，a.U.)对衍射角（两倍0即2 0，度）的图；
[0034] 图7为显示在氧化稳定性实验中2个月之后的MoBz多晶般烧体的X-射线衍射谱 的强度（任意单位，a.U.)对衍射角（两倍0即2 0，度）的图；
[0035] 图8为包括导电薄膜的有机发光二极管器件的一种实施方式的示意性横截面图；
[0036] 图9为显示在氧化稳定性实验中120天之后的MoBz多晶般烧体的X-射线衍射谱 的强度（任意单位，a.U.)对衍射角（两倍0即2 0，度）的图；
[0037] 图10为显示包括导电薄膜的触摸屏面板的结构的一种实施方式的示意性横截面 图。
【具体实施方式】
[003引参照W下示例性实施方式W及附于此的图，本公开内容的优点和特性W及其实现 方法将变得明晰。然而，本公开内容可W许多不同的形式体现并且将不被解释为限于本文 中所阐述的实施方式；相反，提供运些实施方式使得本公开内容是详尽的且完整的。因此， 在一些实施方式中，为了清楚起见，没有对公知的工艺技术进行详细说明。如果未另外定 义，说明书中的所有术语（包括技术和科学术语）可如本领域技术人员通常理解地那样定 义。常用字典中定义的术语不可理想化或者扩大化地解释，除非清楚地定义。此外，除非明 确地相反描述，词"包括"和变型例如"包含"或"含有"将被理解为暗示包含所述要素，但是 不是排除任何其它要素。
[0039] 此外，单数包括复数，除非另外提及。
[0040] 在附图中，为了清楚起见，放大层、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标 记表示相同的元件。
[0041] 将理解，当一个元件例如层、膜、区域、或基底被称作"在"另外的元件"上"时，其 可直接在所述另外的元件上或者还可存在中间元件。相反，当一个元件被称作"直接在"另 外的元件"上"时，不存在中间元件。
[0042] 将理解，尽管术语"第一"、"第二"、"第等可用在本文中描述各种元件、部件（组 分）、区域、层和/或部分（截面），但是运些元件、部件（组分）、区域、层和/或部分（截 面）不应受运些术语限制。运些术语仅用于将一个元件、部件（组分）、区域、层或部分（截 面）与另外的元件、部件（组分）、区域、层或部分（截面）区分开。因此，在不脱离本文中 的教导的情况下，下面讨论的第一元件、部件（组分）、区域、层或部分（截面）可称为第二 元件、部件（组分）、区域、层或部分（截面）。
[0043] 本文中所使用的术语仅用于描述【具体实施方式】的目的，且不意图为限制性的。如 本文中使用的，单数形式"一个（种）（曰，an)"和"该（所述）"意图包括复数形式（包括 "至少一个（种）"），除非上下文清楚地另外指明。"或"意味着"和/或"。如本文中使用 的，术语"和/或"包括相关列举项目的一个或多个的任意和全部组合。将进一步理解，当 用在本说明书中时，术语"包含"和/或"包括"、或者"含有"和/或"含"表明存在所述特 征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或部件（组分），但是不排除存在或增加一个或多个其 它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件（组分）、和/或其集合。
[0044] 此外，在本文中可使用相对术语例如"下部"或"底部"和"上部"或"顶部"来描述 如图中所示的一个元件与另外的元件的关系。将理解，除图中所示的方位W外，相对术语还 意图涵盖器件的不同方位。例如，如果将图之一中的器件翻转，则描述为在其它元件的"下 部"侧上的元件则将定向在其它元件的"上部"侧上。因此，取决于图的具体方位，示例性术 语"下部"可涵盖"下部"和"上部"两种方位。类似地，如果将图之一中的器件翻转，则描述 为"在"其它元件"下面"或"之下"的元件则将定向"在"其它元件"上面"。因此，示例性术 语"在...下面"或"在...之下"可涵盖在...上面和在...下面两种方位。
[0045] 如本文中使用的"约"或"大约"包括所述值并且意味着在如由本领域普通技术人 员考虑到所讨论的测量W及与具体量的测量有关的误差（即，测量系统的限制）而确定的 对于具体值的可接受的偏差范围内。例如，"约"可意味着相对于所述的值的偏差在一种或 多种标准偏差范围内，或者相对于所述的值的偏差在±30%、20%、10%、5%的范围内。
[0046] 在本文中参照作为理想化实施方式的示意图的横截面图描述示例性实施方式。运 样，将预计到由例如制造技术和/或公差导致的与图示的形状的偏差。因此，本文中描述的 实施方式不应解释为局限于如本文中图示的区域的特定形状，而是包含由例如制造导致的 形状上的偏差。例如，图示或描述为平坦的区域可典型地具有粗糖和/或非线性特征。此 夕F，图示的尖锐的角可为圆形的。因而，图中所示的区域在本质上是示意性的，并且它们的 形状不意图图示器件的区域的精确形状，并且不意图限制本权利要求的范围。
[0047] 在一种实施方式中，导电薄膜包括由化学式1表示并且具有层状晶体结构的化合 物。
[004引化学式1
[0049] MeBz
[0050] 在化学式 1 中，Me为Au、Al、Ag、Mg、l'a、Nb、Y、W、V、Mo、Sc、Cr、Mn、Os、Tc、Ru、Fe、 Zr'或Ti。
[0051]所述导电薄膜可包括A11B2、AIB2、A浊2、MgBz、T