的；而当上 部电极40为透明电极时，所述有机发光二极管器件可具有顶发射结构，其中光是朝着基底 10的对立面发射的。此外，当下部电极20和上部电极40两者均为透明电极时，光可朝着基 底10和基底10的对立面发射。
[0140] 所述透明电极由W上导电薄膜制成。所述导电薄膜与W上描述的相同。所述导电 薄膜可具有高的电子密度。通过使用所述导电薄膜，常规的LiF/Al或MgAg合金可被替换 为单一材料。
[0141] 发射层30可由固有地发射作为红色、绿色、蓝色的=原色等中的一种的有机材 料、或者无机材料与所述有机材料的混合物制成，所述有机材料例如聚巧衍生物，聚对亚 苯基亚乙締基衍生物，聚亚苯基衍生物，聚巧衍生物，聚乙締基巧挫，聚嚷吩衍生物，或者通 过将运些聚合物材料用基于二糞嵌苯的颜料、基于香豆素的颜料、基于若丹明的颜料、红巧 締、二糞嵌苯、9, 10-二苯基蔥、四苯基下二締、尼罗红、香豆素、哇叮晚酬等渗杂而制备的化 合物。有机发光器件通过由其中的发射层发射的原色的空间组合显示期望的图像。
[0142] 发射层30可通过将基色（例如红色、绿色和蓝色=原色）组合而发射白光，并且 在此情况下，颜色组合可通过将相邻像素的颜色组合或者通过将在垂直方向上层叠的颜色 组合而发射白光。
[0143] 可在发射层30和上部电极40之间安置辅助层50W改善发射层30的发光效率。 在该图中，仅在发射层30和上部电极40之间显示辅助层50,但是其不限于此。可在发射层 30和下部电极20之间、或者在发射层30和上部电极40之间且在发射层30和下部电极20 之间安置辅助层50。
[0144] 辅助层50可包括用于在电子和空穴之间进行平衡的电子传输层广ETL")和空穴 传输层广HTL")，用于增强电子和空穴的注入的电子注入层广EIL")、空穴注入层化IL)，等 等。它可包括一个或多个从其选择的层。
[0145] 在一个示例性实施方式中，所述电子器件可为触摸屏面板广TSP")。触摸屏面板 的详细结构是公知的。触摸屏面板的示意性结构示于图10中。参照图10,触摸屏面板可 包括在显示器件的面板100 (例如，LCD面板）上的第一透明导电膜110、第一透明粘合剂层 120(例如，光学透明的粘合剂："0CA"膜）、第二透明导电膜130、第二透明粘合剂层140、和 用于显示器件的视窗150。第一透明导电膜和/或第二透明导电膜可为W上导电薄膜。
[0146] 此外，说明了将所述导电薄膜应用于有机发光二极管器件或触摸屏面板（例如， TSP的透明电极）的实例，但是所述导电薄膜可用作用于所有包括透明电极的电子器件的 电极而没有特别限制，例如，用于液晶显示器（"LCD")的像素电极和/或公共电极、用于有 机发光二极管器件的阳极和/或阴极、和用于等离子体显示器件的显示电极。
[0147] 下文中，参照实施例更详细地说明实施方式。然而，运些实施例将决不被解释为限 制本公开内容的范围。
[014引实施例
[0149] 实施例1 :多晶块状材料的制备
[0150] 在手套箱中将侣（Al)粉末、儀（Mg)粉末、钢（Mo)粉末、筑（Sc)粉末、锭（Y)粉末、 鹤（W)粉末、饥（V)粉末、妮（Nb)粉末、或者粗灯a)粉末（纯度：99. 95%，制造商：LT巧和 棚粉末（纯度：99. 9 %，制造商：LTS)W1:2的摩尔比混合W制备3g混合物，并且将所述混 合物在单轴方向上模塑W形成块状制品。将该模塑的制品装载于电弧烙融设备（真空电弧 炉，Yeintech)的化炉膛中，并且通过运行扩散累将所述设备设置成具有小于或等于10 3 托的内部真空度。然后，将氣气注入到该设备中，并且通过使弧尖在样品附近移动和在打开 电弧开关之后将所述弧尖与所述样品之间的距离调节在0. 5-lcm的范围内而产生电弧。此 处，将电流调节成具有范围为200-250安培的强度W使所述样品烙融。将所述样品在烙融 期间上下翻转W保证所述样品的均匀性。在10-20分钟之后将所述样品冷却，获得多晶块 状材料。
[015。 通过使用ULVAC-化koZEM-3设备在室溫/常压的条件下用DC4-点探针技术测 量所述块状材料的电导率，并且结果提供于表5中。
[0152] 通过X-射线衍射对所制造的二棚化妮（Nb)多晶般烧体、二棚化钢（Mo)多晶般烧 体、二棚化锭（Y)多晶般烧体、二棚化儀（Mg)多晶般烧体、和二棚化筑（Sc)多晶般烧体进 行分析，并且结果分别提供在图2-6中。基于图2-6的结果，所合成的金属二棚化物多晶块 状材料证明包括六方P6/mmm(191)层状结构。
[0153]表5
[0154]
[0155] 参照表5的结果，所述实施例的二棚化物化合物具有与常规的口0电极（约 5000S/cm)相比非常高的电导率（例如，大于或等于其两倍或五倍）。
[0156] 实施例2 :薄膜的氧化稳定性
[0157] 使根据实施例1的二棚化钢（Mo)多晶般烧体在室溫下静置60天或120天，然后 通过X-射线衍射进行分析。结果分别提供在图7和9中。
[015引基于图7和9中的结果，即使使所述二棚化钢（Mo)多晶般烧体在室溫下静置长的 时间，所述二棚化钢（Mo)多晶般烧体也保持晶体结构，并且因此证明具有优异的氧化稳定 性。该结果表明，包括W上二棚化物化合物的透明导电膜可应用于电极等而无需用于防止 氧化的纯化。
[0159] 实施例3:各向异性电导率
[0160] 通过使用ViennaAbinitiosimulationpackage广VASP")和玻尔兹曼输运性质 ("BoltzTraP")在如下假设下计算根据实施例1的W上9种金属二棚化物化合物W及AuBz 和A浊2的面内电导率广O/)和面外电导率广:所述化合物为单晶般烧体，并且结果 提供于表6中。
[0161] 表 6
[0162]
阳163] 参照表6的结果，所述金属二棚化物材料不具有高的各向异性电导率。实施例4 : 通过沉积制造连续薄膜
[0164] 通过使用Nd/YAG激光在W下条件下将作为祀的根据实施例1的MgBz般烧体在 Al2〇3基底上进行脉冲激光沉积广PLD")。
[01 巧]PLD设备：PLD5000DepositionSystems,PVDProducts
[0166] 输出：60mJ/cm2
[0167] 时间：20分钟
[0168] 基底溫度：600°C
[0169] 真空度：2*1〇6托
[0170] 所获得的M浊2沉积膜具有约20nm的厚度。
[017。 实施例5 :包括金属二棚化物纳米薄片的薄膜的制造
[0172] 将根据实施例1的M浊2般烧体研磨。将0.Ig所获得的粉末分散到IOOmL其中溶 解有下基裡的己烧溶剂中，并且将该溶液揽拌72小时。于是，在其中发生层间分离，得到包 括M浊2纳米薄片的分散体。
[0173] 将所获得的纳米片离屯、，然后将所获得的沉淀物用水清洁，并且离屯、。
[0174] 将纳米片沉淀物置于小瓶中，向其中加入3mL去离子水，并且对混合物进行超声 处理。然后，向其中加入2-3mL甲苯，然后在摇动该小瓶时在水层和甲苯层之间的界面上形 成包括纳米片的薄膜。当将用氧等离子体处理的玻璃基底轻轻地下沉于该界面中并且将其 取出时，在所述界面上的包括M浊2纳米片（纳米薄片）的薄膜铺展在该玻璃基底上。
[0175] 虽然已经关于目前被认为是实践性的示例性实施方式的内容描述了本公开内容， 但是将理解，本公开内容不限于所公开的实施方式，而是相反，意图涵盖包括在所附权利要 求的精神和范围内的各种修改和等同布置。
【主权项】
1. 导电薄膜，包括： 由化学式1表示并且具有层状晶体结构的化合物： 化学式1MeB2 其中Me为Au、Al、Ag、Mg、Ta、Nb、Y、W、V、Mo、Sc、Cr、Μη、Os、Tc、Ru、Fe、Zr、或Ti。2. 权利要求1的导电薄膜，其中所述导电薄膜在小于或等于10纳米的厚度下对于在 550纳米波长处的光具有大于或等于80%的光透射率。3.权利要求1的导电薄膜，其中所述薄膜包括AuB 2、A1B2、AgB2、MgB2、TaB2、NbB2、YB2、 WB2、VB2、MoB2、ScB2、或其组合。4.权利要求1的导电薄膜，其具有大于或等于10, 000西门子/厘米的电导率。5.权利要求1的导电薄膜，其具有小于或等于35欧姆/平方的对于具有550纳米波长 的光的吸收系数与其电阻率值的乘积。6.权利要求1的导电薄膜，其具有小于或等于6欧姆/平方的对于具有550纳米波长 的光的吸收系数与其电阻率值的乘积。7.权利要求1的导电薄膜，其具有对于具有550纳米波长的光90%的透射率和小于或 等于60欧姆/平方的薄层电阻。8. 权利要求1的导电薄膜，其中所述层状晶体结构属于具有P6/mmm空间群的六方晶 系。9.权利要求8的导电薄膜，其在25°C下暴露于空气60天或更长时间之后保持所述层 状晶体结构。10. 权利要求1的导电薄膜，其包括多个包含所述化合物的纳米片，并且所述纳米片彼 此接触以提供电连接。11. 权利要求1的导电薄膜，其包括包含所述化合物的连续的沉积膜。12. 权利要求1的导电薄膜，其具有小于或等于100纳米的厚度。13.电子器件，包括权利要求1-12中任一项的导电薄膜。14.权利要求13的电子器件，其中所述电子器件为平板显示器、触摸屏面板、太阳能电 池、电子视窗、电致变色镜、热镜、透明晶体管、或者柔性显示器。
【专利摘要】本发明提供导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1表示并且具有层状晶体结构的化合物，其中，Me为Au、Al、Ag、Mg、Ta、Nb、Y、W、V、Mo、Sc、Cr、Mn、Os、Tc、Ru、Fe、Zr、或Ti。化学式1：MeB2。
【IPC分类】C01B35/04
【公开号】CN105271280
【申请号】CN201510137816
【发明人】丁度源, 朴喜正, 孙仑喆, 李宇镇, 金相壹, 崔在荣
【申请人】三星电子株式会社
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年3月27日
【公告号】EP2963653A2, EP2963653A3, US20150376020