专利名称：异氰脲酸三烯丙酯及其制造方法
技术领域：
本发明 涉及异氰脲酸三烯丙酯及其制造方法。以下，将异氰脲酸三烯丙酯(三烯丙基异氰脲酸酯)记作“TAIC”。
背景技术：
作为TAIC的制造方法，有下述方法，即，使丙烯基氯和氰酸钠反应而得到异氰酸烯丙酯，再将其三聚化的氰酸钠法(专利文献1)；在碱催化剂的存在下，使丙烯基氯和异氰脲酸(氰脲酸的互变异构体)反应的异氰脲酸法(专利文献2)。TAIC作为耐热性和耐药品性优异的交联剂是有用的，期待使用于电子材料、液晶、 半导体、太阳能电池等宽领域中。例如，提出在印刷配线基板，即，在表面固定集成电路、 电阻器、电容器等多个电子零件，以配线连接其零件之间而构成电子回路的板状或膜状的零件中，作为用于阻止液体和气体等物质进入零件内部的密封材料而使用TAIC(专利文献 3)。在该方案中，因为TAIC在常温下是粘性液体(熔点26°C)，所以作为液态密封材料被使用。另外，为了提高其润湿性而添加硅烷偶联剂。另外，TAIC也可以作为交联性高分子的交联剂使用(专利文献4)。但是，关于由上述各制造方法得到的TAIC的杂质似乎还没有报告，但必须尽可能除去作为金属腐蚀原因的杂质。现有技术文献专利文献专利文献1 日本专利特公昭58-35515号公报专利文献2 美国专利第3965231号说明书专利文献3 日本专利特开2007-115840号公报专利文献4 日本专利特开2006-036876号公报
发明内容
发明要解决的课题本发明就是鉴于上述实际情况而做出的发明，其目的在于，从TAIC的杂质中确定腐蚀原因物质，并提供该原因物质含量少的TAIC。用于解决课题的方法本发明的发明人为了达到上述目的而进行了深入研究，结果获得如下见解。(1)在以氰酸钠法和异氰脲酸法得到的TAIC中，作为杂质之一，含有化学式(I ) 所示的有机氯化合物，该有机氯化合物在水中慢慢水解而产生氯离子，因此成为腐蚀的原因。
权利要求
1. 一种异氰脲酸三烯丙酯，其特征在于含有以下化学式(I )所示的有机氯化合物，且其含量为500ppm以下，
2.一种异氰脲酸三烯丙酯的制造方法，其特征在于使丙烯基氯与氰酸钠反应而得到异氰酸烯丙酯，再将其三聚化而得到异氰脲酸三烯丙酯，在该制造方法中，作为原料，使用1，3_ 二氯丙烯含量为200ppm以下的烯丙基氯，其中， 该1，3-二氯丙烯含量是作为顺式型或反式型或者顺式型和反式型的任意比例的混合物的含量。
3.一种异氰脲酸三烯丙酯的制造方法，其特征在于在碱催化剂的存在下，使丙烯基氯与异氰脲酸反应而得到异氰脲酸三烯丙酯，在该制造方法中，作为原料，使用1，3- 二氯丙烯含量为200ppm以下的烯丙基氯，其中，该1，3- 二氯丙烯含量是作为顺式型或反式型或者顺式型和反式型的任意比例的混合物的含量。
全文摘要
本发明从异氰脲酸三烯丙酯的杂质中确定腐蚀原因物质，提供该原因物质含量少的异氰脲酸三烯丙酯。一种异氰脲酸三烯丙酯，其含有以下化学式(Ⅰ)所示的有机氯化合物，且其含量为500ppm以下，化学式(Ⅰ)的波状线的键表示顺式型或反式型或者顺式型和反式型的任意比例的混合物。
文档编号C07D251/34GK102448944SQ201080022780
公开日2012年5月9日 申请日期2010年5月20日 优先权日2009年5月25日
发明者山浦真生子 申请人:日本化成株式会社