专利名称：具有受阻胺骨架的化合物以及树脂组合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及具有受阻胺骨架的新颖的化合物以及配合了该化合物的树脂组合物。本发明的化合物作为能够赋予树脂耐热性的稳定剂是有用的，另外，本发明的树脂组合物具有优良的耐热性。
背景技术：
SiC (碳化硅)功率半导体与目前广泛使用的硅功率半导体相比，其通电时的能量损失较小，发热量较少，耐热性也高，所以能够处理更大的电力，目前一直在进行广泛研究。硅功率半导体装置的耐热极限温度为约150°C，而对于SiC功率半导体装置来说，研究了在200 300°C下的使用，SiC功率半导体中使用的树脂以及该树脂中使用的添加剂也要求具有更高的耐热性。作为硅功率半导体装置的密封材料和绝缘材料使用的树脂如果在超过200°C的温度下长期使用，则会发生劣化，存在密封性或电绝缘性下降的问题。以往，为了防止树脂的劣化、维持长时间的性能，一直使用各种添加剂。作为该添加剂之一，有具有2，2，6，6-四甲基哌啶骨架的受阻胺系光稳定剂(HALS)，例如曾报道了在进行熔融挤出成型等较短的工序中的加工成型时有用的具有耐热性优良的结构的HALS以及屋外暴露用途中的长期耐气候性优良的HALS (参照例如专利文献I)。但是，上述的HALS在长时间超过200°C的条件下暴露时，HALS自身会分解，不能长期维持作为稳定剂的性能，因此，结果是树脂的耐热性不充分。另外，作为高分子量的HALS，还知道通过将具有受阻胺骨架的硅氧烷单体聚合而得到的聚硅氧烷结构的HALS(参照例如专利文献2)。对于以往知道的硅氧烷结构的HALS，一般极性较高，与树脂的相容性不充分，因此，长期使用时容易产生渗出，视用途的不同有可能使用困难。现有技术文献专利文献I :日本特开平5-132580号公报专利文献2 :日本特开平11-293050号公报
发明内容
本发明要解决的问题因此，本发明的课题是提供一种耐热性以及与树脂的相容性优良，并能够充分提高树脂的耐热性的化合物。解决问题的手段本发明者等人对上述课题进行了深入研究，结果发现，在聚硅氧烷的末端导入了受阻胺骨架的化合物具有优良的耐热性以及与树脂的相容性，能够提高树脂的耐热性。本发明是根据上述认识而完成的，提供一种化合物，其特征在于，其由下述通式
(I)表示；本发明还提供一种树脂组合物，其特征在于，相对于100质量份的树脂，配合有
O.001 10质量份的上述化合物。
权利要求
1.一种化合物，其特征在于，其由下述通式(I)表示，
2.根据权利要求I所述的化合物，其由下述通式(4)表示，
3.—种树脂组合物，其特征在于，相对于100质量份的树脂，配合有O. 001 10质量份的权利要求I或2所述的化合物。
4.根据权利要求3所述的树脂组合物，其中，相对于100质量份的所述树脂配合有O. 001 20质量份的无机粉体。
5.根据权利要求4所述的树脂组合物，其中，所述无机粉体是二氧化钛、氧化锌或氧化招。
6.根据权利要求3 5中任一项所述的树脂组合物，其中，所述树脂是聚硅氧烷。
7.根据权利要求6所述的树脂组合物，其中，所述聚硅氧烷由下述通式(X)表示，
8.一种固化物，其是通过使所述权利要求3 7中任一项所述的树脂组合物固化而得到的。
9.根据权利要求3 7中任一项所述的树脂组合物，其用于半导体装置的密封剂或半导体装置的粘接剂的用途。
10.一种半导体装置，其使用了通过使所述权利要求8所述的树脂组合物固化而得到的固化物。
全文摘要
本发明提供一种耐热性和与树脂的相容性优良、能够充分提高树脂的耐热性的化合物，具体地，提供一种由下述通式(1)表示的化合物。式(1)中，R1～R4表示C1～12的烷基或C6～12的芳基，y表示1～2000的数，X1表示由式(2)或(3)表示的基团。式(2)中，R5表示氢原子、O·、C1～12的烷基或C1～12的烷氧基，L1表示C1～6的亚烷基或C6～12的亚芳基。式(3)中，R6表示C1～4的烷基或C6～12的芳基，X2表示由式(2)表示的基团或氢原子，s表示2～6的数，L2表示C1～6的亚烷基或C6～12的亚芳基，s个X2中的至少一个是式(2)表示的基团，
文档编号C08L83/08GK102958979SQ201180004920
公开日2013年3月6日 申请日期2011年11月15日 优先权日2011年2月4日
发明者日渡谦一郎, 齐木智秋 申请人:株式会社艾迪科