一种电磁屏蔽体及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及导电技术领域，尤其涉及一种电磁屏蔽体及其制备方法。
【背景技术】
[0002] FIP(Form-in-place，俗称点胶）导电橡胶是一种新型的高性能电磁屏蔽复合材 料，被专门设计成流体状态，以满足自动化生产中，金属或塑料外壳上对导电橡胶的大批 量、高速度增长需求。相比于传统模压或挤出工艺制备的导电橡胶材料，FIP导电橡胶在减 少材料消耗、简化生产工艺、降低制造成本、满足苛刻的装配空间限制、提高生产效率和产 品性价比方面都体现出其独有的特点和优势，非常适合用于具有精细和复杂结构壳体的电 磁屏蔽和环境密封。
[0003] 但目前点胶的生产形式主要有两种：在壳体生产或装配现场，设置专用的点胶设 备进行现场点胶，这种方式设备投入量大，并且有时因为产能的变化造成设备使用率底。另 一种是将被加工壳体运输到专门的点胶厂来生产，然后再回运到客户指定装配地点，这样 虽然点胶厂的产能得到了平衡和利用，但由于壳体较重或者运输要求比较苛刻，造成运输 和储存成本较高。因此，应运而生了一种便于运输的模切组合型的就地成型导电衬垫。
[0004] 将FIP产品固定设置在导电衬垫上方，这样就便于运输了，其固定方式为粘接方 式，其粘接方式一般有以下两种形式：一种是在点胶之前对衬底做预处理，例如涂覆底剂 等，此工艺繁琐且一般底剂会有挥发性对环境有危害且粘接不牢固；还有一种是采用背胶 粘接，此方法背胶导电性差会影响衬垫整体的电磁屏蔽效能。
【发明内容】
[0005] 本发明要解决的技术问题是提供一种电磁屏蔽体及其制备方法，解决现有导电橡 胶存在的危害环境、衬底与导电弹性体粘接不牢固、导电性差的问题。
[0006] 为了解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：一种电磁屏蔽体，包 括衬底和设置于所述衬底上表面的导电弹性体，所述衬底下表面设置有导电背胶和底纸， 所述导电弹性体包括以下组分：100质量份的导电硅胶和3~7质量份的纳米导电粉体，纳 米导电粉体由钛酸酯偶联剂包覆处理。
[0007] 优选的，导电硅胶为双组份高温固化的流体导电硅橡胶。
[0008] 优选的，钛酸酯偶联剂的质量份为0. 2~0. 4。
[0009] 优选的，导电硅胶包括以下组分：碳镀镍、铝镀镍、银镀铜、铝镀银、玻璃镀银或镍 镀银；纳米导电粉体包括以下组分：纳米镍粉、纳米银粉、纳米铜粉或纳米碳粉，制成的导 电硅胶电阻率小，硬度低，耐高温、耐老化、加工工艺性能好，能够达到良好的导电效果。 [0010] 优选的，衬底包括铝箱、铜箱、镀锡铝箱、铜箱或导电布，电磁屏蔽效果好，抗电磁 干扰能力强。
[0011] -种电磁屏蔽体的制备方法，包括以下步骤：
[0012] 步骤1 :通过粉体包覆机将0. 2~0. 4质量份的钛酸酯偶联剂对3~7质量份
[0013] 的纳米导电粉体进行包覆处理，包覆机的工作转速为30~70RPM，包覆温度
[0014] 为10~35°C，包覆时间为15~60min ;
[0015] 步骤2 :将100质量份的导电硅胶和步骤1处理后的纳米导电粉体依次加入
[0016] 搅拌机进行搅拌混合，搅拌时搅拌机为真空状态，搅拌温度为10~35°C，搅
[0017] 拌速度为20~40RPM，搅拌时间为60min ;
[0018] 步骤3 :将步骤2搅拌混合后的物料通过灌装机装入胶管内。
[0019] 优选的，步骤2中的搅拌机为双行星搅拌机，搅拌混合均匀。
[0020] 综上所述，本发明的优点：通过衬底下表面设置有导电背胶和底纸，使用只需将撕 掉底纸，通过导电背胶直接粘接在所需位置即可，简单易操作，导电弹性体包括导电硅胶和 由钛酸酯偶联剂包覆处理的纳米导电粉体，能提高导电弹性体与所述衬底的粘接强度高， 且不影响其屏蔽功能。
[0021] 通过步骤1包覆、步骤2搅拌混合、步骤3罐装制得的电磁屏蔽体具有自身结构粘 接牢固，屏蔽性能好，拆装方便，无环境污染等优点。
【附图说明】
[0022] 下面结合附图对本发明作进一步说明：
[0023] 图1为本发明电磁屏蔽体的结构示意图。
【具体实施方式】
[0024] 实施例一：
[0025] 如图1所示，一种电磁屏蔽体，包括衬底2和设置于所述衬底2上表面的导电弹 性体1，所述衬底2下表面设置有导电背胶3和底纸4,所述导电弹性体包括以下组分：100 质量份的导电硅胶和3质量份的纳米导电粉体，纳米导电粉体由钛酸酯偶联剂包覆处理， 钛酸酯偶联剂的质量份为〇. 2,导电硅胶为双组份高温固化的流体导电硅橡胶，导电硅胶 包括以下组分：碳镀镍、铝镀镍、银镀铜、铝镀银、玻璃镀银或镍镀银制成的导电硅胶电阻率 小，硬度低，耐高温、耐老化、加工工艺性能好，能够达到良好的导电效果，导电硅胶所使用 的材料不限于上述材料，还可包括铜镀银等导体材料。
[0026] 纳米导电粉体包括纳米镍粉、纳米银粉、纳米铜粉或纳米碳粉，且选择纳米导电粉 体的材料种类与导电硅胶的镀层材料种类相一致，导电弹性体1与衬底2的粘接性才会更 好，例如，由镍包碳制成的导电硅胶要采用钛酸酯偶联剂包覆处理的纳米镍粉；由铝镀银和 玻璃镀银制成的导电硅胶要采用钛酸酯偶联剂包覆处理的纳米银粉等。在这里纳米导电粉 体与导电硅胶彼此种类的匹配不限于上述举例，只要是导电硅胶和由钛酸酯偶联剂包覆处 理的纳米导电粉体具有上述高粘性的效果均在本申请请求保护的范围内。
[0027] 衬底2的材料可以包括铝箱、铜箱、镀锡铝箱、铜箱或导电布，电磁屏蔽效果好，抗 电磁干扰能力强，衬底2与导电弹性体1的粘接性能也更加优良，衬底2使得电磁屏蔽体的 电磁屏蔽性能更优良。
[0028] -种电磁屏蔽体的制备方法，包括以下步骤：
[0029] 步骤1 :通过粉体包覆机将0. 2质量份的钛酸酯偶联剂对3质量份的纳米导电粉 体进行包覆处理，包覆机的工作转速为30RPM，包覆温度为20°C，包覆时间为15min ;
[0030] 步骤2 :将100质量份的导电硅胶和步骤1处理后的纳米导电粉体依次加入搅 拌机进行