专利名称：一种低张力ito蚀刻液及其制备方法
技术领域：
本发明涉及一种ITO蚀刻液及其制备方法，尤其涉及一种草酸型低张力ITO蚀刻液及其制备方法。
背景技术：
ITO是hdium Tin Oxides的缩写，作为纳米铟锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性，可以切断对人体有害的电子辐射、紫外线及远红外线。因此，铟锡氧化物通常喷涂在玻璃、塑料及电子显示屏上，用作透明导电薄膜，同时减少对人体有害的电子辐射及紫外、红外。草酸型ITO蚀刻液，本品为无色透明液体，显酸性，该产品主要用于TFT_IXD、LED、 OLED等行业用作面板制程中的ITO层的蚀刻剂。目前ITO蚀刻液主要由草酸晶体和纯水为组成，该产品主要存在以下几点缺点①目前国内厂家使用的草酸型ITO蚀刻液的表面张力在70mN/m左右，对ITO层的浸润性不足，导致蚀刻后存在微晶体残留；②在低于5°C时容易结晶，运输时需要使用保温运输，运输成本高；同时客户在使用时容易致使客户端过滤器堵塞，影响客户设备及使用。因此有必要提供低张力ITO蚀刻液及其制备方法，避免原有技术造成的蚀刻不干净，不能在低温下储存的缺点。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种低张力ITO蚀刻液及其制备方法，表面张力低，结晶温度低，避免了原有技术造成的蚀刻不干净，不能在低温下储存的缺点。本发明为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种低张力ITO蚀刻液，包括以下重量百分比的组合物草酸3. 2% -3. 6% ；
正己酸0. . 2% ；
水96. 2%- 96. 6%上述的低张力ITO蚀刻液，其中，所述蚀刻液中加入的草酸为纯度大于99. 6% (重量百分比)的草酸晶体。上述的低张力ITO蚀刻液，其中，所述蚀刻液中加入的正己酸为浓度大于99% (重量百分比)的正己酸。本发明为解决上述技术问题还提供一种低张力ITO蚀刻液的制备方法，包括如下步骤先加入草酸晶体和一半水到反应釜中，充分搅拌10 30分钟；然后加入正己酸并加满水，其中，草酸的重量百分比为3. 2% 3.6%，正己酸的重量百分比为0. 0. 2%，再搅拌15 30分钟；最后将制得的混合物经0. 5 μ m的过滤器过滤，以去除混合物中粒径大于0. 5 μ m 的有害粒子，制得草酸型低张力ITO蚀刻液。
本发明对比现有技术有如下的有益效果本发明提供的低张力ITO蚀刻液及其制备方法，通过在原有工艺的基础上新加入了添加剂正己酸，能有效降低ITO蚀刻液的表面张力，使其能够产生渗透，浸润的作用，提高草酸的蚀刻效果，使其在不影响产品质量的前提下提高产品的蚀刻效果，并使产品能在较低的环境温度下保存，避免了原有技术造成的蚀刻不干净，不能在低温下储存的缺点，本方法能适用于大规模生产。
具体实施例方式下面通过实施例进一步描述本发明，但不限于所举的实施例。选用纯度为99. 6重量％的草酸晶体，优等品，吴江市黎里东阳助剂厂生产，其指标如表1
权利要求
1. 一种低张力ITO蚀刻液，其特征在于，包括以下重量百分比的组合物草酸3. 2%--3. 6% ；正己酸0. .2%；水96. 2%- 96. 6%
2.如权利要求1所述的低张力ITO蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液中加入的草酸为纯度大于99. 6% (重量百分比)的草酸晶体。
3.如权利要求1所述的低张力ITO蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液中加入的正己酸为浓度大于99% (重量百分比)的正己酸。
4.一种如权利要求1所述的低张力ITO蚀刻液的制备方法，其特征在于，包括如下步骤先加入草酸晶体和一半水到反应釜中，充分搅拌10 30分钟； 然后加入正己酸并加满水，其中，草酸的重量百分比为3. 2% 3.6%，正己酸的重量百分比为0. 0.2%，再搅拌15 30分钟；最后将制得的混合物经0. 5 μ m的过滤器过滤，以去除混合物中粒径大于0. 5 μ m的有害粒子，制得草酸型低张力ITO蚀刻液。
全文摘要
本发明公开了一种低张力ITO蚀刻液及其制备方法，所述ITO蚀刻液包括以下重量百分比的组合物草酸3.2％～3.6％；正己酸0.1％～0.2％；水6.2％～96.6％。本发明提供的低张力ITO蚀刻液及其制备方法，通过在原有工艺的基础上新加入了添加剂正己酸，能有效降低ITO蚀刻液的表面张力，使其能够产生渗透，浸润的作用，提高草酸的蚀刻效果，使其在不影响产品质量的前提下提高产品的蚀刻效果，并使产品能在较低的环境温度下保存，避免了原有技术造成的蚀刻不干净，不能在低温下储存的缺点，本方法能适用于大规模生产。
文档编号C09K13/00GK102585832SQ201110461719
公开日2012年7月18日 申请日期2011年12月30日 优先权日2011年12月30日
发明者季文庆, 朱龙, 栾成, 殷福华, 邵勇 申请人:江阴江化微电子材料股份有限公司