片加工用带。
[0100] (实施例4)
[0101] 除了使用胶粘剂层3B来代替胶粘剂层3AW外，与实施例2同样地，制作了实施例4 的晶片加工用带。
[0102] (实施例5)
[0103] 除了使用胶粘剂层3C来代替胶粘剂层3AW外，与实施例1同样地，制作了实施例5 的晶片加工用带。
[0104] (实施例6)
[0105] 除了使用胶粘剂层3C来代替胶粘剂层3AW外，与实施例2同样地，制作了实施例6 的晶片加工用带。
[0106] (实施例7)
[0107] 除了使用支承构件4C来代替支承构件4AW外，与实施例3同样地，制作了实施例7 的晶片加工用带。
[010引（实施例8)
[0109] 除了使用支承构件4D来代替支承构件4CW外，与实施例7同样地，制作了实施例8 的晶片加工用带。
[0110] (比较例1)
[0111] 使冷藏保管后的形成有胶粘剂层3A的脱模膜2A恢复至常溫，对于胶粘剂层，W向 脱模膜的切入深度为lOwnW下的方式调整而进行了直径220mm的圆形预切割加工。之后，除 去胶粘剂层的不需要部分，W使粘合膜IA的粘合剂层与胶粘剂层接触的方式，在室溫层压 脱模膜2A。然后，对于粘合膜1A，W向脱模膜的切入深度为10皿W下的方式调节而W与胶粘 剂层同屯、圆状进行直径290mm的圆形预切割加工，留下圆形标签部和周边部，除去了其他不 需要部分。接着，在为脱模膜2A的与设置了胶粘剂层和粘合膜的第1面相反的第2面、且在脱 模膜2A的短边方向两端部贴合支承构件4A，制作了现有专利文献1的具有图1所示的结构的 比较例1的晶片加工用带。
[0112] (比较例2)
[0113] 除了使用支承构件4B来代替支承构件4AW外，与比较例1同样地，制作了比较例2 的晶片加工用带。
[0114] (比较例3)
[0115] 除了使用胶粘剂层3B来代替胶粘剂层3AW外，与比较例1同样地，制作了比较例3 的晶片加工用带。
[0116] (比较例4)
[0117] 除了使用支承构件4B来代替支承构件4AW外，与比较例3同样地，制作了比较例4 的晶片加工用带。
[011引（比较例5)
[0119]除了使用胶粘剂层3C来代替胶粘剂层3AW外，与比较例2同样地，制作了比较例5 的晶片加工用带。
[0120] (比较例6)
[0121] 除了不设置支承构件W外，与比较例3同样地，制成了比较例6的晶片加工用带。
[0122] (比较例7)
[0123] 除了不设置支承构件W外，与比较例5同样地，制成了比较例7的晶片加工用带。
[0124] [标签痕迹的抑制性的评价]
[0125] W圆形形状的粘合膜的数目为300张的方式，将实施例和比较例的晶片加工用带 卷绕为卷筒状，制作了晶片加工用带卷筒。在冰箱内（5°C)保管得到的晶片加工用带卷筒1 个月。之后，使晶片加工用带卷筒恢复至室溫后解开卷筒，目视观察标签痕迹的有无，基于 W下的评价基准，WO、A、X的3个等级评价了晶片加工用带的转印痕的抑制性。在表1和 表2中示出结果。
[01 %] O (良品）：从各种角度目视观察也无法确认标签痕迹
[0127] A(容许品）：可W确认标签痕迹但没到对半导体装置的加工工序造成影响的程度
[0128] X (不良品）：可W确认对半导体装置的加工工序带来影响的标签痕迹
[0129] [空气的卷入的抑制性的评价]
[0130] W圆形形状的粘合膜的数目为200张的方式，将实施例和比较例的晶片加工用带 卷绕为卷筒状，制作了晶片加工用带卷筒。将得到的晶片加工用带卷筒放入包装袋，在冰箱 内巧°C)保管1个月后，在带表面成为-50°C的干冰气氛下保管3天。之后，使晶片加工用带卷 筒恢复至常溫后将包装袋开封，解开卷筒，目视观察在胶粘剂层与粘合膜的圆形标签部之 间是否有空气的卷入，将没有空气的卷入的评价为0(良品），将有空气的卷入的评价为X (不良品），进行了晶片加工用带的空气的卷入的抑制性的评价。在表1和表2中示出结果。
[0131] [表 1] rnir^9l
[0135]如表1所示，实施例1~8所设及的晶片加工用带，在脱模膜的与第1面相反的第2面 上、且在包含与胶粘剂层对应的部分、不包含与标签部的在脱模膜的短边方向上的端部对 应的部分的区域内，沿脱模膜的长边方向设置了支承构件，因此成为标签痕迹的抑制性、空 气的卷入的抑制性都优异的结果。
[0136] 与此相对，在脱模膜的两端部设置了支承构件的比较例1~4所设及的晶片加工用 带如表2所示，成为空气的卷入的抑制性差的结果。没有设置支承构件的比较例6、7所设及 的晶片加工用带的空气的卷入的抑制性成为优异的结果，但标签痕迹的抑制性中成为差的 结果。
[0137] 此外，胶粘剂层与支承构件的厚度相同的比较例3所设及的晶片加工用带中，确认 到不会对半导体装置的加工工序造成影响的程度的标签痕迹。与此相对，实施例3所设及的 晶片加工用带中，即使胶粘剂层与支承构件的厚度相同，也不产生标签痕迹。
[013引符号说明
[0139] 10:晶片加工用带
[0140] 11:脱模膜
[0141] 12:胶粘剂层
[0142] 13:粘合膜
[0143] 13a:圆形标签部
[0144] 13b:周边部
[0145] 14、14'、14":支承构件
【主权项】
1. 一种晶片加工用带，其特征在于，具有： 长的脱模膜， 胶粘剂层，设置在所述脱模膜的第1面上、且具有规定的平面形状， 粘合膜，具有标签部和包围所述标签部的外侧的周边部，所述标签部以覆盖所述胶粘 剂层、且在所述胶粘剂层的周围与所述脱模膜接触的方式设置，并且具有规定的平面形状， 以及 支承构件，设置在所述脱模膜的与设置有所述胶粘剂层和粘合膜的第1面相反的第2面 上，并且在包含与所述胶粘剂层对应的部分、且不包含与所述标签部的在所述脱模膜的短 边方向上的端部对应的部分的区域内，沿所述脱模膜的长边方向设置。2. 根据权利要求1所述的晶片加工用带，其特征在于， 所述支承构件设置于所述脱模膜的短边方向的中央部。3. 根据权利要求1或2所述的晶片加工用带，其特征在于， 所述支承构件中，所述脱模膜的短边方向的宽度为10~50mm。
【专利摘要】本发明的课题在于提供一种晶片加工用带，其可以减少标签痕迹的产生，且可以不论胶粘剂层的厚度如何地选择支承构件，同时可以减少在胶粘剂层与粘合膜之间卷入空气。其特征在于，具有：长的脱模膜(11)；胶粘剂层(12)，设置在脱模膜(11)的第1面上、且具有规定的平面形状；粘合膜(13)，具有标签部(13a)和包围标签部(13a)的外侧的周边部(13b)，标签部(13a)以覆盖胶粘剂层(12)、且在胶粘剂层(12)的周围与脱模膜(11)接触的方式设置，并且具有规定的平面形状；以及支承构件(14)，设置在脱模膜(11)的与第1面相反的第2面上，并且在包含与胶粘剂层(12)对应的部分、且不包含与标签部(13a)的在所述脱模膜(11)的短边方向上的端部对应的部分的区域内，沿脱模膜(11)的长边方向设置。
【IPC分类】H01L21/683, C09J7/02
【公开号】CN105694745
【申请号】CN201510870409
【发明人】杉山二朗, 青山真沙美, 佐久间登, 大田乡史, 木村和宽
【申请人】古河电气工业株式会社
【公开日】2016年6月22日
【申请日】2015年12月2日