一种冷冻结晶装置的制造方法

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一种冷冻结晶装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型属于分离提纯技术领域,具体设及一种冷冻结晶装置。
【背景技术】
[0002] 溶液过饱和度是晶体从溶液中结晶出来的推动力,过饱和度的大小直接影响晶核 形成和晶体生长速度的快慢。冷冻结晶器是通过降低溫度来产生过饱和度,冷冻结晶过程 冷冻溫度控制非常重要。传统的冷冻结晶器常常采用带揽拌器的单蓋式结晶器,结晶器设 夹套或内盘管冷却降溫,结晶器内溫度控制在一个数值附近,揽拌装置使晶液不断循环,低 溫溶液中产生的晶核不断长大,达到需要的粒度后排出结晶器。并且,在连续的结晶过程 中,结晶器内晶体的生长速度通常不快,达不到希望的晶体粒度,需要设置单独的老化器, 使晶体在其中停留一段时间继续生长,达到期望的粒径后排出老化器。运种结晶装置存在 W下问题:
[0003] 1)在一个结晶器中,通常只能控制一个结晶溫度,不易有效控制结晶过饱和度,从 而不能有效控制晶核的形成和晶体生长速度的快慢;
[0004] 2)蓋式结晶器通过夹套或内盘管冷却降溫,换热面积小、换热量不大,不适合大规 模装置;
[0005] 3)常常因为冷却速度不均匀,造成产品晶粒大小不均匀,结晶过程形成的细晶影 响后续固液分离,甚至造成系统堵塞;
[0006] 4)带揽拌器的蓋式结晶器通常规格较小,处理能力有限,大规模的冷冻结晶分离 装置,需要采用多个带揽拌器的蓋式结晶器并联的方式,设备数量多,占地面积大;
[0007] 5)在连续的结晶过程中,结晶器内晶体的生长停留时间短,达不到希望的晶体粒 度,需要设置单独的老化器,使晶液在老化器中停留一段时间,让晶体继续生长;
[000引6)由于老化器单独设置,使结晶装置设备数量多,占地面积大。并且,低溫结晶液 从结晶器流向老化器的管线,可能出现流量低、继续结晶、管线拐弯等情况,从而导致管线 堵塞,影响装置的连续运行。
[0009] 7)出料口设在蓋式结晶器下部,析出的晶体沉降到底部后容易造成出料口堵塞。 【实用新型内容】
[0010] 本实用新型的目的是针对上述存在的技术问题提供一种冷冻结晶装置。
[0011] 本实用新型的目的可W通过W下技术方案实现:
[0012] -种冷冻结晶装置,该装置包括两个或两个W上串联的塔式结晶器,所述的塔式 结晶器的上部结晶区和下部生长老化区之间设有导流桶,所述导流桶的中部外周侧设有夹 套或伴管;所述的塔式结晶器配有强制外循环冷却系统,该强制外循环冷却系统包括循环 累、循环液冷却器和管线;所述的塔式结晶器还配有外循环加热系统,该外循环加热系统包 括结晶液累、结晶液加热器和晶体烙融罐,所述的外循环加热系统用于加热烙融塔式结晶 器排出的晶体,加热后的烙融晶液输送至结晶器内导流桶的夹套或伴管中,最后进入生长 老化区底部,烙融细晶,促进粗晶继续生长。
[0013] 本实用新型技术方案中,强制外循环冷却器的换热面积可变,可W设置很大,适合 于大规模的冷却结晶装置。为防止外循环冷却器覆盖冰层结垢,其一是设置大的循环量,晶 体在其中流化悬浮,W避免晶体沉积结垢。同时,大的循环量可W消除结晶区的高度饱和 区,维持均匀的过饱和度,使晶粒大小均匀。而且还可将冷媒切换成热媒,定期清除冰层结 垢。
[0014] 本实用新型技术方案中,晶体烙融罐是为确保晶体完全融化,升溫后的晶液进入 晶体烙融罐,停留一段时间完全烙化。升溫的外循环液,使部分从结晶器出来的晶体烙解成 液体,该液体的溫度和纯度比结晶器内高,密度较轻,循环回生长老化区后,作用1是调整生 长老化区的溫度,烙融细晶,增加生长老化区的过饱和度,使粗晶继续生长,控制晶体粒径 大小。作用2是内导流桶伴热,防止导流桶堵塞,作用3是用于冲洗结晶器的出料口,防止导 流桶堵塞。作用4是用于防止和解决外循环冷却系统堵塞。通过设计外循环加热系统,可有 效保证结晶装置的连续运转和控制晶体粒径大小。
[0015] 本实用新型技术方案中,由于大的外循环冷却流体流量,外循环冷却系统中的流 体处于端流状态,并且,使得结晶器上部为过饱和结晶区流体也处于端流状态,在端流状态 的液体中,形成的晶体处于悬浮状态,并且不断碰撞成核长大;在结晶器下部的晶体生长老 化区,流体静置澄清,晶体继续生长,密度重的晶体长大后沉降到结晶器的底部,为了引导 降到结晶器的底部的晶体流到出料口,结晶器底部结构平稳缩小,并且通过导流桶的出料 冲洗,防止晶体在底部堆积。
[0016] 本实用新型技术方案中,为了防止结晶器内导流桶中的晶体在导流桶壁形成冰 层,而堵塞导流桶,在导流桶外设夹套或伴热管,向其中通入外循环加热系统的烙融晶液, 使导流桶壁溫稍高于其内部物料的溫度。伴热后,从夹套流出的运些烙融晶液进入结晶器 下部的晶体生长老化区,由于烙融晶液的溫度高,可W烙融细晶,促进粗晶生长。并且密度 小,会向上方出口方向流动,与生长老化区结晶沉降的晶体接触,洗涂净化晶体。
[0017] 在一些优选的实施方案中,所述的冷冻结晶装置包括两个串联的塔式结晶器,分 别为一级塔式结晶器和二级塔式结晶器;所述一级塔式结晶器中循环液出料口依次通过一 级循环累和一级循环液冷却器与一级塔式结晶器的循环液进料口相连,一级塔式结晶器的 结晶液出料口依次通过一级结晶液累和一级结晶液加热器与一级晶体烙融罐相连,所述一 级晶体烙融罐的输出端与结晶器的循环晶液入口相连;一级结晶液累和一级结晶液加热器 相连的管路上还设有一支路,该支路与二级塔式结晶器的循环液进料口相连,所述的二级 塔式结晶器的循环液出料口,依次通过二级循环累和二级循环液冷却器,也与该支路相连。 所述二级塔式结晶器的结晶液出料口,依次通过二级结晶液累和二级结晶液加热器,与二 级晶体烙融罐相连。所述二级晶体烙融罐的输出端与结晶器的循环晶液入口相连。
[0018] 本实用新型方案中,所述的循环液冷却器为一级循环液冷却器或二级循环液冷却 器,所述的循环液冷却器包括壳体,该壳体外侧设有夹套,该壳体的内腔中设有至少两个 轴,所述轴的一侧设有冷媒进料口,另一侧设有冷媒出料口,在轴上还设有多个模形中空奖 叶,所述的多个模形中空奖叶沿着轴向螺旋布置;在壳体的两侧分别设有结晶液进料口和 结晶液出料口;
[0019] 优选:所述的模形中空奖叶包括两个扇形侧板,两个扇形侧板所组成的空间的一 侧闭和,另一侧有矩形侧板,两侧扇形侧板所组成的空间的顶端设有Ξ角形圆弧盖板,所述 的矩形侧板还与刮板相连。
[0020] 更为具体的说:浆式冷却器的模形中空奖叶是由两片扇形侧板、一个Ξ角形圆弧 盖板、一个矩形侧板W及其上的刮板共5块薄板焊接而成。奖叶扇形面的左右两端,一端呈 矩形,另一端为尖角,为同轴上螺距相同,旋向相反的两部分螺旋面相交而成,其投影像一 只模子。当设备运行时,奖叶的尖角端插入物料,由于扇形侧板的螺旋面为一倾斜面,在与 晶体接触时产生的撞击力分散,使附着在传热面上的晶体能够自动清除,维持传热面的光 洁,保持高效的热传导性能。而揽拌奖叶交替、分散的压缩(在模形斜面处)和膨胀(在模形 空隙处)揽拌奖叶面上的晶体,因此,在靠近传热面处的晶体揽拌非常剧烈,传热系数很高。
[0021] 由于采用本实用新型的奖式冷却器结构,冷冻形成的晶体和没有结晶的液体在浆 式冷却器中交替受到挤压和松弛,基本呈活塞流形式向前运动,强化了换热过程。晶体的停 留时间通过调节加料速度、揽拌轴转速、物料充满度等参数可调,换热时间从几分钟到几小 时内任意调节。另外,晶体在浆式冷却器内从加料口向出料口移动基本呈活塞运动,停留时 间分布窄,因而使晶体换热均匀。
[0022] 在一些优选的技术方案中:浆式冷却器旋转轴内设置中间隔板,使液态冷媒进入 与离开奖叶时各行其道,互不相混,而轴上只开小孔即可。在大型设备中,由于轴内空间较 大,在轴内设置一同屯、圆筒,该同屯、圆筒中设有两个中间隔板,用两块较窄的隔板与内外筒 相连,液态冷媒走环隙。运种结构既可提高轴内液体流动速度,强化轴表
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