专利名称：对非易失性存储器件进行编程的方法
技术领域：
本发明涉及一种对非易失性存储器件进行编程的方法和一种多级单 元(mlc)编程方法。
背景技术：
近来,对于可电编程和擦除并且不需要以特定间隔重写数据的刷新功 能的非易失性存储器件的需求已不断增长。非易失性存储单元是实现电编程/擦除操作的元件，非易失性存储单 元被配置成通过随着电子迁移而改变其阈值电压来执行编程和擦除操作， 其中电子响应于100埃或更薄的薄氧化物层上所施加的强电场而发生迁 移。非易失性存储器件通常包括存储单元阵列，其中以矩阵形式布置用 于存储数据的单元；以及页面緩冲器，用于将数据写入存储单元阵列的特 定单元中或者读取特定单元中存储的数据。页面緩冲器包括位线对，连 接到特定存储单元；寄存器，用于暂时存储待写入存储单元阵列中的数据， 或者读M储单元阵列的特定单元的数据并暂时存#^取的数据；感测节 点，用于感测特定位线或特定寄存器的电压电平；以及位线选择部件，用 于控制是否将特定位线连接到感测节点。作为一种对该非易失性存储器件进行编程的方法，递增阶i^冲编程 (ispp)方法已为人所知。亦即，通过将编程起始电压恒定地增加阶跃 电压来执行编程操作。然而，随着编程和擦除操作次数的增加，存储单元 的编程速度增大。此外，即使施加低的编程起始脉冲，存储单元的阁值电 压的改变仍增大。如果如上所述那样将编程起始电压固定于特定值，则阈值电压的改变因编程/擦除次数的增加而变大。因此，可能出现阈值电压 分布增宽的问题。发明内容本发明涉及一种对非易失性存储器件进行编程的方法和一种MLC编 程方法，其中可根据编程状态可变地设置编程起始电压而无需将编程起始 电压固定于特定值。根据本发明的 一方面的 一种对非易失性存储器件进行编程的方法包 括输入第一编程操作命令；并且根据编程起始电压存储部件中存储的编 程起始电压来执行编程操作。这里，在当执行编程操作时被编程为高于验 证电压的存储单元第一次出现的时间点所施加的编程电压被更新为编程 起始电压。根据本发明的另 一方面的 一种对非易失性存储器件的编程方法包括 根据编程起始电压存储部件中存储的编程起始电压来执行第n编程操作 命令；将在当执行编程操作时被编程为高于B电压的存储单元第一次出 现的时间点所施加的编程电压更新为编程起始电压；并且根据更新的编程 起始电压来执行第(n+l)编程操作命令。根据本发明的又一方面的一种对非易失性存储器件的MLC编程方法 包括输入第一编程操作命令；根据第一逻辑页面编程起始电压存储部件 中存储的第一逻辑页面编程起始电压来执行第一逻辑页面编程操作；将在 当执行第 一逻辑页面编程操作时被编程为高于最低验证电压的存储单元 第一次出现的时间点所施加的编程电压更新为第一逻辑页面编程起始电 压；完成第一逻辑页面编程操作；根据第二逻辑页面编程起始电压存储部 件中存储的第二逻辑页面编程起始电压来执行第二逻辑页面编程操作；将 在当执行第二逻辑页面编程操作时被编程为高于最低验证电压的存储单 元第一次出现的时间点所施加的编程电压更新为第二逻辑页面编程起始 电压；并且完成第二逻辑页面编程操作，由此完成第一编程操作命令的执 行。才艮据本发明的再一方面的一种对非易失性存储器件的n位MLC编程 方法包括输入第m编程操作命令；并且根据分别存储在第一至第n逻 辑页面编程起始电压存储部件中的第一至第n逻辑页面编程起始电压来 依次执行第一至第n逻辑页面编程操作。这里，在当执行每个逻辑页面的编程操作时被编程为高于最低验证电压的存储单元第 一次出现的时间点 所施加的编程电压被更新为每个逻辑页面编程起始电压。
图1是示出了在对典型非易失性存储器件的ISPP中施加第一脉冲时 的阈值电压分布的改变的图；图2是示出了在对非易失性存储器件的ISPP中设置第一脉冲的电压 电平的方法的图；图3是示出了应用于本发明的非易失性存储器件的配置的框图；图4图示了根据本发明的一个实施例的编程起始电压存储部件的各 种形式；图5是图示了根据本发明的一个实施例的对非易失性存储器件的编 程方法的流程图；以及图6是图示了根据本发明的另一个实施例的对非易失性存储器件的 编程方法的流程图。
具体实施方式
现在将参照附图描述根据本发明的特定实施例。然而，本发明不限于 所公开的实施例，而是可以按各种方式来实施。提供这些实施例来完成本 发明的公开并允许本领域的普通技术人员理解本发明的范围。本发明由权 利要求的范畴来限定。图1是示出了在对典型非易失性存储器件的ISPP中施加第一脉冲时 的阈值电压分布的改变的图。如图1中所示，如果ISPP的第一脉冲被施加于处于擦除状态的单元 11，则单元的阈值电压上升，因此阈值电压分布12右移。然而，在对非 易失性存储器件重复执行编程/擦除操作的情形下，存在编程速度因存储 单元的特性而变快的趋势。亦即，如果在编程/擦除次数增加的情况下施 加第一编程脉冲，则如分布13中那样的阈值电压分布与分布12相比在范 围上增大。概括而言，随着非易失性存储器件的编程/擦除次数的增加，伴随着在ISPP中施加第一脉冲而发生的阈值电压的改变增大。已知存在这样的 方法鉴于如上所述那样才艮据编程/擦除次数的增加而发生的编程速度的 改变，来降低第一脉冲的电压电平并施加降低的电压。图2示出了在对非易失性存储器件的ISPP中设置第一脉冲的电压电 平的方法的图。在企图将处于擦除状态的单元21编程为具有验证电压(Vver)或更 高电压的情形下，亦即，在要形成处于编程状态的单元22的情形下，鉴 于根据编程/擦除次数的增加而发生的施加第 一编程脉冲时阈值电压的改 变，来设置编程起始电压。换言之，编程起始电压设置成使得当施加第一编程电压时阈值电压改 变最快的单元的阈值电压成为第一电压(Vl)。鉴于根据编程/擦除次数 的增加而发生的施加第一编程脉冲时阈值电压的改变，来确定aSi电压 Vver与第一电压(VI)之差Va。例如，假设在执行了一个编程/擦除操作之后，施加第一编程脉冲时 的第一电压(VI)是0.1V，而在执行了 1000个编程/擦除操作之后，施 加第一编程脉冲时的第一电压(VI)是I.IV，则根据第一编程脉冲的施 加而发生的阈值电压的改变是1V。因而，在执行1000个编程/擦除操作 的情形下，鉴于此改变将编程起始电压设置成使得施加第 一编程脉冲时的 第一电压(VI)变成0.1V。然而，在此情形下，鉴于编程/擦除次数的增加来将编程起始电压本 身设置为低，且设置的编程起始电压是固定的。因此，当编程/擦除次数 小时，第一编程脉冲充当不起特别作用的哑编程脉冲。亦即，出现M编 程i!JL降低的问题。因而，本发明提供了一种根据编程/擦除次数的改变来可变地设置编 程起始电压的方法。图3是示出了应用于本发明的非易失性存储器件的配置的框图。非易失性存储器件300包括控制器310、电压供应部件320和存储单 元330。控制器310控制非易失性存储单元的编程操作、擦除操作、读取操作、 ￡操作等。亦即，控制器310根据外部输入的控制信号来控制外部输入 的数据被编程到具有期望地址的存储单元中，并且控制特定地址的存储单 元中存储的数据被读取。此外，控制器310在执行编程操作时根据外部输检查是否已完成编程的l^操作。在执行各种操作 时，控制器310激活特定地址的存储单元并且控制适合于每种操作的电压 被施加。同时，控制器310包括编程起始电压存储部件312。编程起始电压存 储部件312存储成为ISPP操作的第一脉冲的编程起始电压的电平。为此， 编程起始电压存储部件312具有寄存器形式。在本发明中，编程起始电压 根据编程/擦除次数而变化并被施加。为此，编程起始电压存储部件312 存储编程起始电压的初始值，且每当编程操作完成时编程起始电压被重 置。依据操作，重置值可与重置之前存储的值不同，或者可与重置之前存 储的值相同。同时，可根据待更新的存储单元的形式按各种方式配置编程起始电压 存储部件312。图4图示了根据本发明的一个实施例的编程起始电压存储部件的各 种形式。图4(A)图示了其中以页面为基础存储编程起始电压的一个实施例。 因此，编程起始电压存储部件包括负责每个存储单元块的第一至第n页面 编程起始电压存储部件。此外，可以页面为基础施加不同的编程起始电压。同时，随着编程/擦除次数的增加，编程起始电压被更新。在任何一 个包含在页面中的目标编程单元被编程为高于!Hi电压的时间点所施加 的编程起始电压被存储在编程起始电压存储部件中。根据非易失性单元的 编程速度随着编程/擦除次数的增加而增大的趋势，编程起始电压改变如 下。换言之，在编程/擦除次数小的情形下，在施加哑编程脉冲的状态下， 仅当编程脉冲值增大到某一程度时，任何一个目标编程单元才可被编程为 高于4HE电压，且比!HiE电压高的电压可被存储在编程起始电压存储部件 中。然而，在编程/擦除次数大的情形下，虽然施加低电压的编程脉沖， 任何一个目标编程单元也可被编程为高于验证电压，且比已经存储在编程中。图4(B)图示了其中针对每个存储单元块存储编程起始电压的 一个 实施例。因此，编程起始电压存储部件包括第一至第n块编程起始电压存 储部件。此外，可以块为基础施加不同的编程起始电压。然而，向同一块 中包含的不同页面施加同一编程起始电压。在本实施例中，主JH吏用图4(A)中所示的编程起始电压更新方法。 亦即，基于特定页面的在任何一个目标编程单元被编程为高于验汪电压的 时间点所施加的编程起始电压被存储在编程起始电压存储部件中。这里， 依据本实施例的实施者，编程起始电压可基于一个块中包含的仅特定页面 来更新，并且可基于多个页面或全体页面来更新。前一种方法可采用基于特定页面更新编程起始电压的方法并将该方 法同样地应用于对应块中包含的全体页面。因此，仅当对特定页面进行编 程操作时才发生编程起始电压更新。在后一种方法的情形下，每当对多个所选页面执行编程操作时，编程 起始电压存储部件的编程起始电压被更新。因此，发生与^储单元块中 包含的页面中选择的页面的数目 一样多次数的编程起始电压更新。对一个 存储单元块中包含的全体页面同时执行擦除操作。因此，可以看出，依据 编程/擦除次数的改变的特性对于各页面而言几乎相同。因而，可以看出， 虽然每当对多个所选页面执行编程操作时编程起始电压被更新，但是与基 于仅一个页面执行的更新方法相比，更新的编程起始电压几乎不存在差 异。图4(C)图示了其中以芯片为基础存储编程起始电压的一个实施例。 因此，编程起始电压存储部件包括第一至第n芯片编程起始电压存储部 件。此外，可以芯片为^ftfe施加不同的编程起始电压。然而，向同一芯片 中包含的不同块施加同 一编程起始电压。芯片是响应于不同芯片使能信号 而被驱动的存储单元的单位。由于针对每个存储单元块执行擦除操作，所以同 一芯片中包含的存储 单元块的编程/擦除次数可能不同。然而，在本实施例中，应用对编程操 作、擦除操作等集中于特定块并因此使编程/擦除次数增加这一现象进行 防止的磨损均衡(wear-leveling)方法。因而，可以假设，依据一个芯片 中包含的全体块的编程/擦除次数的改变的特性几乎相同。基于此假设，使用基于芯片中包含的一个或多个页面来更新编程起始 电压的方法。亦即，基于特定页面测量编程起始电压，并将测量值相同地 施加于芯片中包含的全体页面。图4 (D)示出了使用MLC编程方法时的编程起始电压存储部件的 配置。根据MLC编程方法，对一个物理页面执行最低有效位(LSB)编程和最高有效位(MSB)编程，因此一个单元具有四个或更多个单元状态。 亦即，当执行n位MLC编程时， 一个单元可具有总共2n个单元状态。在执行2位MLC编程的情形下，在一个物理页面中形成两个逻辑页 面，即，已被执行LSB编程的LSB页面和已被执行MSB编程的MSB 页面。根据3位MLC编程形成三个逻辑页面，而根据n位MLC编程形 成n个逻辑页面。这里，有必要以逻辑页面为基础施加不同的编程起始电 压。因此，当进行MLC编程时，针对逻辑页面的数目适当地配置编程起 始电压存储部件。换言之，在执行n位MLC编程操作的情形下，第一逻辑页面编程起始电压存储部件、第二逻辑页面编程起始电压存储部件.....和第n逻辑页面编程起始电压存储部件被包括在内。同时，每个编程起始电压存储部件被更新的时间点是当已被编程为 高于最低验证电压的任何一个单元出现的时间点处的编程电压被存储为 新的编程起始电压时。例如，在2位MLC编程的情形下，在第一逻辑页 面(LSB页面)编程时，基于一个验证电压执行验证，而在第二逻辑页 面(MSB页面)编程时，基于两个或更多个*汪电压执行^￡。此时， 已被编程为高于最低验证电压的任何一个单元出现的时间点处的编程电 压被存储为新的编程起始电压。同时，第一至第n逻辑页面编程起始电压存储部件被配置成包含在图 4 (A)、 (B)或(C)中所示的相应编程起始电压存储部件中。换言之， 图4 (A)中所示的相应页面编程起始电压存储部件可被配置成包^^在第 一至第n逻辑页面编程起始电压存储部件中，图4 (B)中所示的相应块 编程起始电压存储部件可被配置成包含在第一至第n逻辑页面编程起始 电压存储部件中，或者图4 (C)中所示的相应芯片编程起始电压存储部 件可被配置成包含在第一至第n逻辑页面编程起始电压存储部件中。下面再参照图3描述其余组成元件。电压供应部件320在控制器310的控制下向存储单元330供应各种电 压。特别而言，在编程操作时，电压供应部件320根据编程起始电压存储 部件312中存储的编程起始电压来施加编程脉冲。存储单元330包括存储单元阵列332和页面緩冲部件334。存储单元 阵列332具有以矩阵形式l^的多个存储单元。页面緩冲部件334暂时存 储将存储在每个存储单元中的外部数据，并且存储从存储单元读取的数据。页面緩沖部件334中包含的单个页面緩冲器(未示出)耦合到偶数位 线BLe和奇数位线BLo，而相应位线耦合到一个单元串。连接到单个字 线的存储单元组成一页面。以页面为M执行编程操作。可通过页面緩冲 部件334 J^iE是否已完成对对应页面的编程。现在描述本发明的编程方法。图5是图示了根据本发明的一个实施例的非易失性存储器件的编程 方法的流悉图。首先，在步骤510中接收第n编程操作命令。在n-l的情形下，亦即，第一次输入编程操作命令。随着新输入编 程操作命令，'n，增大。然后，在步骤520中设置编程起始电压。在本发明中，根据ISPP方法执行编程操作，因此必须设置编程起始 电压和阶跃电压。此步骤是设置编程起始电压的一步骤。为此，读M储在编程起始电压存储部件312中的值，并将该值设置 为编程起始电压。编程起始电压存储部件312的详细配置可以参照图3 和图4。然后，在步骤530中，根据设置的编程起始电压来执行编程操作。这 里，通过向所选字线施加编程电压而向其余字线施加忽略电压、根据输入 到页面緩冲器的数据对特定存储单元执行编程操作。然后，在步骤540中，IHE曾企图使用该编程操作来编程的存储单元 是否已4^P被编程为高于验证电压。如果步猓540中的验证结果是存储单元已全部被编程为高于JIHE电 压，则在步骤550中结束第n编程操作。然后，在步骤560中，确定是否 已输入第(n+l)编程操作命令。如果确定结果是已输入第(n+l)编程 操作命令，则该过程返回到设置编程起始电压的步骤(520)。然而，如果發汪结果是存储单元尚未被编程，亦即，如果存在尚未被 编程为高于!HiE电压的任何目标编程存储单元，则在步骤570中确定是否 至少有一个存储单元已被编程为高于發汪电压。如果步骤570中的确定结果是特定存储单元已被编程为高于發江电元并且阻断其中包含对应单元的单元串的电流路径。因 此，已预充电至高电平的位线的电压电平保持原样，并被无改变地传递到 感测节点。由于感测节点的电压电平是高电平，所以寄存器中存储的数据 被改变。如果全体页面緩冲器中存在已被改变数据的任何一个单元，则确 定该单元被编程为高于验证电压。步骤570用于更新编程起始电压。在步骤580中，将在至少一个存储 单元被编程为高于验证电压的时间点所施加的编程电压存储在编程起始 电压存储部件中。通过步骤580，更新前次存储在编程起始电压存储部件 中的编程起始电压。在每次编程操作中，通过设置编程起始电压的步骤 (520)评判在步骤580中存储的编程起始电压。如果步骤570中的确定结果是不存在已被编程为高于验证电压的单 元，或者在步骤580中更新编程起始电压之后不存在已被编程为高于!Hi 电压的单元，则在步驟5卯中将编程电压增加阶跃电压。然后，该过程返 回到步骤(530)，并重复执行后续过程。同时，当应用MLC编程方法时，编程方法变得略有不同。图6是图示了根据本发明的另一个实施例的非易失性存储器件的编 程方法的流程图。在将图5的编程方法应用于MLC编程方法的情形下，对一个物理页 面执行多个逻辑页面编程操作。无需不同地设置相应逻辑页面编程的起始 电压。因此，当执行n位MLC编程时，如图4(D)中那样，第一至笫n 逻辑页面编程起始电压存储部件被包括在内。首先，在步骤610中接收第m个n位MLC编程IMt命令。在m-l 的情形下，亦即，第一次输入编程操作命令。随着新输入编程操作命令， 'm，增大。同时，'j-l，是重置，其中值j是用于区别每个逻辑页面的^t。接着，在步骤620中，设置第j逻辑页面编程起始电压。如前面提到的那样，在n位MLC编程的情形下，形成n个逻辑页面 并且以逻辑页面为基础不同地设置编程起始电压。从第 一逻辑页面开始依 次设置编程起始电压。这里，在完成对特定逻辑页面的编程之后，对第二 高的逻辑页面执行编程。因此，从负责最低有效位的逻辑页面开始依次设 置编程起始电压。为此，读M储在包含在编程起始电压存储部件312中的第一逻辑页 面编程起始电压存储部件中的值，并将该值设置为编程起始电压。编程起始电压存储部件312的详细配置可以参照图3和图4。在步骤630中，根据设置的编程起始电压来执行第j逻辑页面编程操 作。通过向所选字线施加编程电压而向其余字线施加忽略电压、才艮据输入 到页面緩冲器的数据对特定存储单元执行编程操作。然后，在步骤640中，验证曾企图使用该编程操作来编程的存储单元 是否已4^P被编程为高于相应验汪电压。在MLC编程的情形下，1Hit电压的数目增加，因为编程状态的数目 随着编程从LSB编程进行到MSB编程而增加。因此，仅当被设置成在特 定状态下编程的单元4^P被编程为高于相应lHi电压时，才完成对应逻辑 页面的编程。如果步骤640中的验证结果是存储单元已全部被编程为高于相应验 证电压，则在步骤650中检查是否存在待编程的下一逻辑页面。亦即，如 果曾期望执行n位MLC编程，则必须执行总共n个逻辑页面编程。如果 步骤650中的检查结果是存在待编程的下一逻辑页面，则在步骤652中增 大M j，然后该过程返回到i更置待编程的下一逻辑页面的编程起始电压 的步骤(620)。根据参数j从图4 (D)中所示的编程起始电压存储部件 读取对应逻辑页面的编程起始电压，并将该电压设置为编程起始电压。然而，如果步骤650中的检查结果是不存在待编程的逻辑页面(j=n )， 则结束第m编程IMt，然后在步骤660中确定是否已输入第(m+l)编 程操作命令。如果步骤660中的确定结果是已输入第(m+l)编程操作命 令，则该过程返回到设置第j逻辑页面编程起始电压的步骤(620 )。同时，如果步骤640中的验证结果是存储单元尚未被编程为高于相应 發汪电压，亦即，目标编程存储单元中存在尚未被编程为高于IHE电压的 单元，则在步骤670中确定是否至少有一个存储单元已被编程为高于mi 电压。如果步骤670中的确定结果是特定单元已被编程为高于*汪电压， 则接通对应单元并且阻断对应单元所属的单元串的电流路径。因此，已预 充电至高电平的位线的电压电平保持原样，并被无改变地传递到感测节 点。由于感测节点的电压电平是高电平，所以寄存器中存储的数据被改变。 如果全体页面緩冲器中存在已被改变数据的任何一个单元，则确定该单元 被编程为高于IHE电压。步骤670用于更新编程起始电压。在步骤680中，将在至少一个存储 单元被编程为高于验证电压的时间点所施加的编程电压存储在编程起始电压存储部件中。通过步猓680，更新前次存储在编程起始电压存储部件 中的编程起始电压。同时，在MLC编程的情形下，以逻辑页面为基础，！HiE电压的数目 是不同的，且J^iE电压的数目是l或更大。因此，在存在以逻辑页面编程 为^ftfe被编程为高于最低一个验证电压的 一个或多个存储单元的时间点 所施加的编程电压被设置为编程起始电压。此外，由于单独地构造每个逻辑页面编程起始电压存储部件，所以在 对应存储部件中存储并且更新编程起始电压。在每次编程操作中，通过编程起始电压设置步骤620评判在步骤680 中更新的编程起始电压。如果步骤670中的确定结果是不存在被编程为高于验证电压的单元， 或者在步骤680中更新编程起始电压之后不存在被编程为高于验证电压 的单元，则在步骤690中将编程电压增加阶跃电压。该过程返回到步骤 630，并重复执行后续过程。如上所述，可根据每个存储单元的状态可变地设置编程起始电压。亦 即，在编程/擦除次数小的初始操作时，根据前次编程操作的结果来施加 比初始设置的电压略高的编程起始电压。在编程/操作次数大的较迟操作 时，施加略低的编程起始电压，因为编程速度鉴于存储单元特性而变快。根据本发明，在编程操作时，可通过根据编程/擦除次数的增加可变 地设置编程起始电压来执行ISPP操作。因而，当编程/擦除次数小时， 可根据略高的编程起始电压来执行编程操作，而当编程/擦除次数大时， 可根据略低的编程起始电压来执行编程操作。因此，虽然不单独地施加哑 编程脉冲，但是可通辻良映根据编程/擦除次数的增加而发生的编程速度 的改变来执行编程操作。因而，具有可恒定地维持阈值电压分布的优点。已提出了这里公开的诸实施例，以允许本领域的技术人员容易地实施 本发明，并且本领域的技术人员可以通过这些实施例的组合来实施本发 明。因此，本发明的范围不限于上述实施例，而是应解释为仅由所附权利 要求及其等同设置来限定。
权利要求
1.一种对非易失性存储器件进行编程的方法，包括输入第一编程操作命令；并且根据编程起始电压存储部件中存储的编程起始电压来执行编程操作，其中在当执行所述编程操作时被编程为高于验证电压的存储单元第一次出现的时间点所施加的编程电压被更新为编程起始电压。
2. 根据权利要求1所述的编程方法，还包括当在完成所述第一编 程操作命令的执行之后执行第二编程操作命令时，根据更新的所述编程起 始电压来执行编程操作。
3. 根据权利要求2所述的编程方法，其中每个编程操作的执行包括 向所述编程起始电压重复增加阶跃电压直至目标编程单元被编程为高于
4. 根据权利要求1所述的编程方法，其中所述编程电压的更新包括 使用在被编程为高于验证电压的存储单元第 一次出现的时间点所施加的 编程电压代替先前存储的编程起始电压。
5. —种对非易失性存储器件的多级单元(MLC)编程方法，所述方 法包括输入第一编程操作命令；根据第一逻辑页面编程起始电压存储部件中存储的第一逻辑页面编 程起始电压来执行第 一逻辑页面编程操作；将在当执行所述第 一逻辑页面编程操作时被编程为高于最低验证电压的存储单元第一次出现的时间点所施加的编程电压更新为所述第一逻 辑页面编程起始电压；完成所述第 一逻辑页面编程^Nt;根据第二逻辑页面编程起始电压存储部件中存储的第二逻辑页面编 程起始电压来执行第二逻辑页面编程操作；将在当执行所述笫二逻辑页面编程操作时被编程为高于最低验证电 压的存储单元第一次出现的时间点所施加的编程电压更新为所述第二逻辑页面编程起始电压；并且完成所述第二逻辑页面编程操作，由此完成所述第一编程操作命令的 执行。
6. 根据权利要求5所述的MLC编程方法，还包括当执行第二编 程操作命令时，根据更新的所述第一和第二逻辑页面编程起始电压来执行编程操作。
7. —种对非易失性存储器件进行编程的方法，包括根据编程起始电压存储部件中存储的编程起始电压来执行第n编程 操作命令；将在当执行所述编程操作时被编程为高于验证电压的存储单元第一 次出现的时间点所施加的编程电压更新为所述编程起始电压；并且根据更新的所述编程起始电压来执行第(n+l)编程IMt命令。
8. 根据权利要求7所述的编程方法，其中每个编程操作命令的执行 包括向所述编程起始电压重复增加阶跃电压直至目标编程单元被编程为 高于*汪电压。
9. 根据权利要求7所述的编程方法，其中所述编程电压的更新包括 使用在被编程为高于验证电压的存储单元第一次出现的时间点所施加的 编程电压代替先前存储的编程起始电压。
10. 根据权利要求7所述的编程方法，其中所述编程起始电压存储部 件包括用于以页面为基础存储不同编程起始电压的第一至第n页面编程 起始电压存储部件。
11. 根据权利要求7所述的编程方法，其中所述编程起始电压存储部 件包括用于以存储单元块为基础存储不同编程起始电压的第一至第n块 编程起始电压存储部件。
12. 根据权利要求7所述的编程方法，其中所述编程起始电压存储部 件包括用于以芯片为M存储不同编程起始电压的第一至第n芯片编程 起始电压存储部件。
13. —种对非易失性存储器件的n位MLC编程方法，所述方法包括 输入第m编程操作命令；并且根据分别存储在第一至第n逻辑页面编程起始电压存储部件中的第 一至第n逻辑页面编程起始电压来依次执行第一至第n逻辑页面编程操作，其中在当执行每个逻辑页面的编程操作时被编程为高于最低验证电 压的存储单元第一次出现的时间点所施加的编程电压被更新为每个逻辑 页面编程起始电压。
14. 根据权利要求13所述的n位MLC编程方法，还包括当执行 第(m+l)编程操作命令时，根据更新的所述第一至第n逻辑页面编程起 始电压来依次执行所述第一至第n逻辑页面编程操作。
15. 根据权利要求14所述的n位MLC编程方法，其中所^t目应逻 辑页面编程操作的依次执行包括向所述编程起始电压重复增加阶跃电压直至目标编程单元被编程为高于mt电压。
16. 根据权利要求13所述的n位MLC编程方法，其中所述编程电 压的更新包括使用在被编程为高于验证电压的存储单元第 一次出现的时 间点所施加的编程电压代替先前存储的逻辑页面编程起始电压。
17. 根据权利要求13所述的n位MLC编程方法，其中所述第一至 第n逻辑页面编程起始电压存储部件包括用于以页面为基础存储不同编 程起始电压的第一至第n页面编程起始电压存储部件。
18. 根据权利要求13所述的n位MLC编程方法，其中所述第一至 第n逻辑页面编程起始电压存储部件包括用于以存储单元块为基础存储 不同编程起始电压的第一至第n块编程起始电压存储部件。
19. 根据权利要求13所述的n位MLC编程方法，其中所述第一至 第n逻辑页面编程起始电压存储部件包括用于以芯片为基础存储不同编 程起始电压的第一至第n芯片编程起始电压存储部件。
全文摘要
根据一种对非易失性存储器件进行编程的方法的一方面，输入第一编程操作命令，并根据编程起始电压存储部件中存储的编程起始电压来执行编程操作。这里，在当执行编程操作时被编程为高于验证电压的存储单元第一次出现的时间点所施加的编程电压被更新为编程起始电压。
文档编号G11C16/12GK101625899SQ20091000765
公开日2010年1月13日 申请日期2009年2月16日 优先权日2008年7月10日
发明者王钟铉 申请人:海力士半导体有限公司