专利名称：图案化垂直磁记录介质和磁记录盘、以及磁记录盘驱动器的制作方法
技术领域：
本发明总地涉及图案化垂直磁记录介质，诸如用于磁记录硬盘驱动器中的盘，更具体而言，涉及包括具有改善的磁记录属性的数据岛的图案化盘。
背景技术：
已经提出了具有图案化磁记录介质的磁记录硬盘驱动器以增大数据密度。在常规的连续磁记录介质中，磁记录层是在盘的整个表面上连续的层。在图案化介质(也称为位图案化介质(BPM))中，盘上的磁记录层被图案化成布置成同心数据道的小的隔离的数据岛。虽然BPM盘可以是纵向磁记录盘，其中磁化方向平行于记录层或者在记录层的平面内，但是磁化方向垂直于记录层或者离开记录层平面的垂直磁记录盘可能是BPM的选择，因为垂直介质具有更大的数据密度潜能。为了制造图案化数据岛的磁隔离，岛之间的空间的磁矩被破坏或者实质上减小到使这些空间本质上为非磁的。替代地，介质可以制造为使没有 磁材料在岛之间的空间中。已经提出了纳米压印平板印刷(NIL :nanoimprint lithography)来形成BPM盘上的岛的期望图案。NIL是基于通过具有期望的纳米级图案的母模板或模具使压印抗蚀剂层变形。母模板由高分辨率平板印刷设备制造，诸如电子束设备。待图案化的衬底可以是盘坯(disk blank)，具有作为连续层形成在其上的磁记录层和任何需要的衬层。然后，衬底被旋涂以压印抗蚀剂，诸如热塑性聚合物，像聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。聚合物然后被加热到其玻璃转变温度之上。在该温度，热塑性抗蚀剂变得粘滞且纳米级图案通过在较高压力下从模板压印而复制在压印抗蚀剂上。一旦聚合物冷却，模板从压印抗蚀剂移除，在压印抗蚀剂上留下凹陷和间隔的纳米级反转图案。作为热塑性聚合物的热固化的替代，能通过紫外(UV)光固化的聚合物(诸如MonoMat,可从Molecular Imprints, Inc.购买)可以用作压印抗蚀剂。图案化压印抗蚀剂层然后用作蚀刻掩模以在下面的磁记录层中形成期望的岛图案。BPM的开发的一个关键问题在于翻转场分布(SFD)(即岛与岛之间的矫顽场变化)需要足够窄以确保各个岛的准确寻址能力而不覆写相邻的岛。理想地，SFD宽度可以为零，意味着全部的位将在相同的写场强度下翻转。SFD包括外来贡献和本征贡献，外来贡献包括岛的尺寸、形状和间隔的变化以及相邻岛之间的偶极相互作用，本征贡献包括磁材料的成分和晶体取向的变化，其导致岛的磁各向异性的变化。此外，已经发现SFD随着磁岛的尺寸减小而变宽(即位与位之间的矫顽场变化增大)，这限制了 BPM的可实现的位面密度。需要一种图案化垂直磁记录介质，其具有窄的SFD。
发明内容
本发明涉及具有Co合金记录层和窄的SFD的图案化垂直磁记录盘以及包括该盘的盘驱动器。该盘包括衬底、可选的在该衬底上的软磁导磁材料的软磁衬层(SUL)、在该衬底或可选的SUL上的平坦化层、在该平坦化层上的非磁含Ru衬层、优选不含氧化物的Co合金的垂直磁记录层、以及在含Ru层和Co合金磁记录层之间的超薄氧化物膜。该记录层被图案化成以同心道布置的离散的岛。可选的NiW合金籽层可位于该平坦化层上、在该含Ru衬层下面且接触该含Ru衬层。该平坦化层优选是NiTa合金，优选具有大于20nm的厚度，但如果可选的SUL存在于该衬底和该平坦化层之间的话，则该平坦化层可具有约2至IOnm之间的厚度。该氧化物膜可以是选自Ta氧化物、Co氧化物和Ti氧化物的氧化物且具有小于或等于I. 5nm的厚度。在该厚度情况下，该氧化物膜厚度可以视为不连续膜的“平均”厚度，从而该Co合金磁记录层沉积于其上的表面可以是该含Ru层和氧化物膜的团簇或区域。该平坦化层和超薄氧化物膜改善了 Co合金记录层的生长均质性，从而根据本发明的具有数据岛的BPM表现出显著减小的SFD。为了更全面地理解本发明的本质和优点，请参考下面结合附图进行的详细描述。
图I是根据现有技术的具有位图案化介质(BPM)的垂直磁记录盘驱动器的俯视图，示出布置成同心圆形数据道的图案化数据岛。图2是现有技术BPM盘的放大部分的俯视图，示出数据岛的具体布置。图3A、3B和3C是根据现有技术在蚀刻和平坦化盘的各个阶段的BPM盘的剖视图。图4是部分盘衬底的剖视图，示出具有根据本发明的结构的数据岛。图5A和5B示出根据现有技术的数据岛和根据本发明的数据岛的磁翻转的比较。图6是具有Co8tlPticiCrltl记录层的不同数据岛的作为记录层厚度的函数的各向异性(Ku)的曲线图，并示出根据本发明的数据岛的膜生长均质性的改善。图7是用于热辅助记录(TAR)系统中的气垫滑块和具有根据本发明的数据岛的部分TAR盘的剖视图。
具体实施例方式图I是具有图案化介质磁记录盘200的图案化介质磁记录盘驱动器100的俯视图。驱动器100具有外壳或基座112，其支承致动器130和用于旋转磁记录盘200的驱动电机。致动器130可以是音图电机(VCM)旋转致动器，其具有刚性臂131且如箭头133所示地绕枢轴132旋转。头悬臂组件包括悬臂135和诸如气垫滑块120的头载具，悬臂135的一端连接到致动器臂131的末端，头载具连接到悬臂135的另一端。悬臂135允许滑块120维持得非常靠近盘200的表面并使其能在盘200沿箭头20的方向旋转时产生的气垫上“俯仰”和“滚转”。磁致电阻读头(未示出)和感应写头(未示出)一般在滑块120的拖尾端形成为集成读/写头，其被图案化成一系列薄膜和结构，如本领域公知的那样。滑块120通常由复合材料形成，诸如氧化铝/碳化钛(Al203/TiC)的复合物。仅一个与滑块和读/写头相关的盘表面示于图I中，但是通常有多个盘堆叠在被主轴电机旋转的毂(hub)上，单独的滑块和读/写头与每个盘的每个表面关联。图案化介质磁记录盘200包括硬或刚性的盘衬底以及在衬底上的磁材料的离散数据岛30。数据岛30布置成径向间隔开的环形道118，图I中仅示出盘200的外径和内径附近的一些岛30和代表性的道118。岛30绘示为具有圆形形状，但是岛可具有其他形状，例如基本为矩形、卵形或椭圆形。当盘200沿箭头20的方向旋转时，致动器130的移动允许在滑块120的拖尾端的读/写头访问盘200上的不同数据道118。图2是盘200的放大部分的俯视图，示出根据现有技术数据岛30在盘衬底表面上以一类图案的详细布置。岛30包含可磁化记录材料且布置成沿径向或跨道方向间隔开的环形道，如道118a_118e所示。道通常相等地间隔开固定道间距TS。道中的数据岛之间的间距通过道118a中的数据岛30a和30b之间的距离IS示出，相邻的道彼此偏移距离IS/2，如道118a和118b所示。每个岛具有与盘200的平面平行的横向尺寸W，如果岛具有圆形形状的话，则W是直径。岛可以具有其他形状，例如基本为矩形、卵形或椭圆形，在这些情况下尺寸W可以视为非圆形岛的最小尺寸，诸如矩形岛的短边。相邻的岛通过非磁区域或空间分隔开，该空间具有横向尺寸D。D的值可以大于W的值。如图2所示的BPM盘可以是垂直磁记录盘，其中磁化方向垂直于岛中的记录层或者离开记录层的平面。为了制造图案化数据岛30的所需磁隔离，岛30之间的区域或空间的磁矩必须被破坏或者实质上减小到使这些空间本质上是非磁的。术语“非磁”意味着岛30之间的空间由非铁磁材料形成，诸如电介质或没有外加磁场时实质上没有剩磁矩的材料， 或者由磁材料形成于在岛30之下凹陷得足够远的沟槽中从而不负面影响读出或写入。非磁空间也可以没有磁材料，诸如磁记录层或盘衬底中的沟槽或凹陷。图3A是剖视图，示出在平板印刷图案化和蚀刻以形成BPM盘之前的根据现有技术的盘200。盘200是其上通常通过溅射沉积有代表性的层的具有基本平坦的表面202的衬底201。盘200绘示为垂直磁记录盘，具有记录层(RL)和可选的软磁衬层(SUL)，记录层(RL)具有垂直(即基本垂直于衬底表面201)磁各向异性,可选的软磁衬层(SUL)在RL下面。可选的SUL用作用于来自盘驱动器写头的写磁场的磁通返回路径。硬盘衬底201可以是任何商业可得的玻璃衬底，但是也可以是常规的具有NiP表面涂层的铝合金，或者是替代的衬底，诸如硅、硅碱钙石或碳化硅。粘合层或用于SUL的生长的种层(onset layer, 0L)可以是沉积在衬底表面202上的约2_20nm厚的AlTi合金或类似材料。 SUL 可以由导磁材料形成，诸如合金 CoNiFe、FeCoB、CoCuFe、NiFe、FeAlSi、FeTaN,FeN、FeTaC、CoTaZr、CoFeTaZr、CoFe和CoZrNb。SUL也可以是通过非磁膜(诸如导电膜Al或CoCr)分隔开的多个软磁膜形成的叠层或多层SUL。SUL还可以是通过引起反铁磁耦合的层间膜(诸如Ru、Ir、Cr、或者它们的合金)分隔开的多个软磁膜形成的叠层SUL或多层SUL0 SUL可具有约5至50nm范围内的厚度。离散磁岛中的RL可以是钴(Co)合金，如钴钼(CoPt)或钴钼铬(CoPtCr)合金。Co合金RL生长在促生长衬层(UL)上，促生长衬层诱导Co合金的晶体C轴垂直于RL的平面，从而RL具有强的垂直磁晶各向异性。UL可以是Ru或Ru合金层。籽层(SL)如NiW或NiffCr合金层可以沉积在SUL上以促进含Ru的UL的生长。如果存在可选的SUL，则UL和SL还用作交换中断层(EBL)，其中断SUL的导磁膜与RL之间的磁交换耦合。保护外涂层(OC)沉积在RL上。OC可以是溅射沉积的非晶碳，如DLC，其还可以被氢化和/或氮化。可用于OC的其他材料包括碳化物诸如碳化硅和碳化硼；氮化物诸如氮化硅(SiNx)、氮化钛和氮化硼；金属氧化物诸如Ti02、Zr02、Al203、Cr2O3Ja2O5和ZrO2-Y2O3 ;以及这些材料的混合物。图3A的盘被平版印刷图案化，例如通过纳米压印工艺。纳米压印时，例如通过电子束直接写入来将母模板制造得具有数据岛和非磁区域的期望图案。压印抗蚀剂(即热塑性聚合物)的薄膜旋涂到盘上。然后，使具有预定图案的母模板接触压印抗蚀剂膜且模板和盘被压在一起且加热。当压印抗蚀剂聚合物被加热到其玻璃转变温度以上时，模板上的图案压到抗蚀剂膜中。冷却后，母模板与盘分离且图案化的抗蚀剂留在RL上。然后图案化的压印抗蚀剂用作蚀刻掩模。反应离子蚀刻(RIE)或离子研磨可用于将压印抗蚀剂中的图案转移到下面的盘以形成数据岛和非磁区域。图3B是平板印刷构图和蚀刻之后的盘200的剖视图。蚀刻之后，具有RL材料的高企的槽脊30和槽或凹陷32形成在衬底表面202上。凹陷32的一般深度，其也基本是槽脊30的高度，在约4至50nm的范围，凹陷的一般宽度在约4至50nm的范围。如图3B所示，蚀刻优选进行至去除全部RL材料的深度，从而没有RL材料在凹陷32中。蚀刻可以去除小量的EBL材料。通常在凹陷32的下表面下有一层EBL材料。图3C是在凹陷32中和槽脊30的顶上沉积可选的第二保护外涂层34之后及在凹陷32中沉积并化学机械抛光(CMP)填充材料36之后的图3B的蚀刻盘200的剖视图。可选的第二保护外涂层34可由如直接在RL顶上用于OC的材料的一种形成。填充材料36可 以是Si02或聚合物材料，或者非磁金属如Cu。CMP导致基本平坦化的盘表面。常规的液体润滑层(未示出)可以沉积(例如通过旋涂)在盘200的表面上。在本发明的图案化垂直介质中，数据岛具有在衬底上的平坦化层(PL)和在Co合金RL下面的超薄氧化物膜。这导致Co合金RL的生长中实质上改善的均质性以及SFD的显著减小。图4是部分盘的剖视图，示出具有单个数据岛的部分SUL。PL优选是NiTa合金，优选NixTa1QQ_x，其中X在约50至70原子百分比的范围，具有在约5至40nm范围内的厚度。用于含Ru衬层(UL)的籽层(SL)沉积在PL上。SL优选是NiW合金，优选NixW1(l(l_x，其中X在约80至95原子百分比的范围，具有约2至20nm范围内的厚度。UL沉积在SL上。UL优选是Ru，但是可以是Ru合金如RuCr或者掺杂有氧化物(诸如Ta205、SiO2或TiO2)的Ru，具有在约5至30nm范围内的厚度。RL是Co合金，优选CoPtCr合金，具有约4至15nm范围内的厚度。虽然用于常规连续磁记录盘的颗粒Co合金磁层通常包括氧化物如SiO2以减小颗粒尺寸，但是在本发明中，优选地Co合金RL没有氧化物且具有尽可能大的颗粒尺寸。在本发明中，在沉积RL之前，超薄氧化物膜沉积在RL下面的UL上。氧化物膜优选是Ta氧化物，如Ta2O5，但是也可以是Ti氧化物或Co氧化物，具有约0. I至1.5nm范围内的厚度。氧化物膜是超薄的，小于或等于I. 5nm，优选地小于或等于I. Onm。在该厚度情况下，厚度可以视为不连续膜的“平均”厚度，从而Co合金RL沉积于其上的表面可以是UL的Ru或Ru合金材料以及氧化物膜的团簇或区域。Ta氧化物膜可以通过从Ta2O5靶溅射沉积来沉积。如果靶是导电的，则可以容易地采用DC溅射。另一方面，如果靶是绝缘体或者高电阻靶，则RF溅射是优选模式。备选地，Ta2O5可以通过Ta与含适量氧的溅射气体混合物的反应溅射原位生长。图5A-5B示出非图案化全磁膜的成核磁场的改善。图5A示出克尔角滞后回线，圆形区域被放大以示出玻璃衬底上的结构[NiTa-5nm/NiW-8nm/Ru-10nm/Co8(lPt1(lCr1(l-10nm]的全膜成核场。在图5B的放大区域中，示出对于与图5A相同但在Ru UL和CoPtCr RL之间具有0.3nm Ta2O5膜的结构，锐利得多的成核场。图5B中更锐利的转变表明形成膜反转的核所需的外加磁场的范围更窄。换言之，在这些膜中有更少的钉扎位诸如结构缺陷(其通常阻碍反转且因此需要更宽范围的外加磁场)。这是在RL下面采用超薄Ta2O5膜时，CoPtCr合金的结晶度质量方面生长改善的结果。图5B所示的改善意味着由于RL合金中存在的更少的缺陷/钉扎位，RL层在形成为BPM中的独立数据岛时将具有更好的翻转属性。图5B示出与图5A相比具有更锐利的转变的介质。图6是对于具有Co8tlPticiCrltlRL的不同连续薄膜系统，作为RL厚度的函数的磁各向异性(Ku)的曲线图，示出根据本发明的膜生长均质性的改善。曲线A是针对具有结构[Ta-2nm/Niff-9nm/Ru-7nm/Co80Pt10Cr10-10nm]的薄膜，示出在约 2_16nm 的 RL 厚度范围上约20%的Ku变化。曲线B是针对根据本发明的具有结构[NiTa-5nm/NiW-8nm/Ru-10nm/Ta2O5-O. 3nm/Co80Pt10Cr10-IOnm]的薄膜,示出在相同的RL厚度范围上仅约8%的Ku变化。氧化物膜和用NiTa平坦化层(PL)代替Ta层导致CoPtCt层的生长中显著改善的均质性。曲线C是针对根据本发明的与曲线B结构相同的薄膜，但是其中NiTa PL的厚度从5nm增大到30nm。在相同的RL厚度范围上，Ku的变化从约8%减小到约6%。因此，膜生长均质性能用更厚的NiTa PL来改善，对于没有采用SUL的情况，优选地厚度大于20nm。当存在SUL时，该PL的厚度可以显著减小到2至IOnm的范围。 作为改善的翻转质量和膜生长均质性的结果，根据本发明的具有数据岛的BPM显示出显著减小的SFD。对于岛结构类似于图6中的曲线A所对应的结构的BPM，本征SFD测量为在6300e。对于岛具有根据本发明的结构(类似于图6中的曲线B所对应的结构)的BPM,本征SFD测量为在4500e。通过Tagawa等人在“Relationships between high densityrecording performance and particle coercivity distribution，，， IEEE TRANSACTIONS0NMAGNETICS, VOL. 27，NO. 6，NOVEMBER 1991，4975-4977 中描述的方法测量本征 SFD。已经提出了具有BPM的垂直磁记录盘主要用于常规磁记录中，其中感应写头单独写数据到岛中。然而，还提出了垂直BPM盘用于热辅助记录(TAR)中。在TAR系统中，具有近场换能器(NFT)的光学波导引导来自辐射源诸如激光器的热以加热盘上的磁记录层的局部区域。辐射将磁材料局部加热至其居里温度附近或以上以将矫顽力降低到足以通过感应写头产生写入。本发明的改善的BPM也可应用于用于TAR盘驱动器的垂直BPM盘。因此，图I绘示具有垂直BPM盘200和气垫滑块120的常规磁记录系统，气垫滑块120支承写头和读头。图7绘示用于在TAR系统中使用的气垫滑块120'以及部分TAR盘200'的剖视图，不是按比例绘制的，因为难以示出非常小的特征。气垫滑块120'支承写头50 (具有轭54和写极52)、读头60以及屏蔽件SI和S2。在TAR盘200'中，热沉层21位于岛30和非磁区32下面。岛30可以是根据本发明的岛，如图4中的岛。热沉层21由是良好热导体的材料形成，如Cu、Au、Ag或其他合适的金属或金属合金。层19可以是在热沉层21和岛30之间的耐热层诸如MgO或SiO2层以帮助控制热流，使得热不会太快地散到热沉层21中。TAR盘200'还可包括可选的SUL，其如果存在的话则将会位于热沉层21下面。如果没有SUL，则不需要EBL。滑块120'具有面对盘200'的气垫面(ABS)。滑块120'还支承激光器70、反射镜71、光学波导或通道72和NFI74(其输出在ABS处)。当写电流被引导通过线圈56时，写极52引导磁通到数据岛30，如指向数据岛30之一的箭头所表示的那样。具有箭头的虚线17示出回到返回极54的磁通返回路径。当TAR盘200'相对于滑块沿方向20移动时，NFT 74引导如波浪箭头82表示的近场辐射到数据岛30。在数据岛暴露到来自写极52的写场的同时，NFT中的电荷振荡加热数据岛30。这将数据岛中的磁记录材料的温度提升到其居里温度附近或以上从而降低材料的矫顽力并使得数据岛的磁化能被写场翻转。当根据本发明的数据岛用于TAR盘驱动器中时，Co合金的各向异性场可以在约15和IOOkOe之间，这相当地高于来自常规写头的写场。例如，可以使用各向异性场为50k0e的高各向异性Co合金如Co5(lPt5(l。Co合金层的成分可以变化以允许调节居里温度。
虽然已经参照优选实施例具体显示和描述了本发明，但是本领域技术人员将理解，可以进行形式和细节上的各种改变而不偏离本发明的思想和范围。因此，所公开的发明将仅视为示范性的且局限于仅由所附权利要求制定的范围内。
权利要求
1.一种图案化垂直磁记录介质,包括 衬底； 平坦化层，在该衬底上； 非磁含Ru衬层，在该平坦化层上； 包括钴和钼的合金的垂直磁记录层；以及 氧化物膜，在该含Ru层和该磁记录层之间， 其中该磁记录层被图案化成多个离散的岛。
2.如权利要求I所述的介质，其中该氧化物膜包括选自钽氧化物、钴氧化物和钛氧化物的氧化物。
3.如权利要求I所述的介质，其中该氧化物膜具有小于I.5nm的厚度。
4.如权利要求3所述的介质，其中该氧化物膜是该含Ru层上的氧化物团簇的不连续膜，由此该磁记录层接触该含Ru层和该氧化物团簇。
5.如权利要求I所述的介质，其中该平坦化层包括合金，该合金包括Ni和Ta。
6.如权利要求5所述的介质，其中NiTa合金平坦化层具有大于20nm的厚度。
7.如权利要求I所述的介质，还包括在该平坦化层上且在该含Ru衬层下面并接触该含Ru衬层的NiW合金籽层。
8.如权利要求I所述的介质，其中该磁记录层合金是无氧化物的合金。
9.如权利要求I所述的介质，其中该磁记录层合金还包括Cr。
10.如权利要求I所述的介质，还包括在该衬底上、在该平坦化层下面的软磁导磁材料的软磁衬层(SUL)。
11.如权利要求10所述的介质，其中该平坦化层包括具有大于或等于2nm且小于或等于IOnm的厚度的包括Ni和Ta的合金。
12.如权利要求10所述的介质，其中该SUL由选自包括合金CoFe、CoNiFe、NiFe、FeCoB, CoCuFe, FeAlSi, FeTaN, FeN, FeTaC, CoTaZr 和 CoZrNb 的组的材料形成。
13.如权利要求10所述的介质，其中该SUL是通过非磁膜分隔开的多个导磁膜的叠层。
14.如权利要求13所述的介质，其中该叠层中的非磁膜提供该叠层中的导磁膜的反铁磁 >率禹合。
15.如权利要求I所述的介质，其中该介质是磁记录盘，且其中该岛在该衬底上布置成多个基本同心的圆形道。
16.—种磁记录盘驱动器,包括 如权利要求15的盘； 写头，用于磁化所述岛中的垂直磁记录层；以及 读头，用于读取所述岛中被磁化的记录层。
17.一种热辅助记录(TAR)磁记录盘驱动器，包括 如权利要求15的盘，还包括在该衬底和该岛之间的热沉层； 写头，用于施加磁场到所述岛中的垂直磁记录层； 光学数据通道和近场换能器，用于引导辐射到所述岛以加热所述岛中的垂直磁记录层；以及 读头，用于读取所述岛中的被磁化的记录层。
18.一种图案化垂直磁记录盘，包括 衬底； 在该衬底上的平坦化层，包括合金，该合金包括Ni和Ta ； 在该平坦化层上的非磁的含Ru衬层； 包括钴和钼的无氧化物合金的垂直磁记录层；以及 在该含Ru层和该磁记录层之间的氧化物膜，该氧化物膜包括选自Ta氧化物、Co氧化物和Ti氧化物的氧化物且具有小于或等于I. 5nm的厚度， 其中该垂直磁记录层被图案化成以多个同心道布置的多个离散的岛。
19.如权利要求18所述的盘，其中该氧化物膜是在该含Ru层上的氧化物团簇的不连续膜，从而该磁记录层接触该含Ru层和该氧化物团簇。
20.如权利要求18所述的盘，还包括在该平坦化层上、在该含Ru衬层下面且接触该含Ru衬层的NiW合金籽层。
21.如权利要求18所述的盘，其中NiTa合金平坦化层具有大于20nm的厚度。
22.如权利要求18所述的盘，还包括在该衬底上、在该平坦化层下面的软磁导磁材料的软磁衬层(SUL)，且其中NiTa合金平坦化层具有大于或等于2nm且小于或等于IOnm的厚度。
全文摘要
本发明涉及图案化垂直磁记录介质和磁记录盘、以及磁记录盘驱动器。该图案化垂直磁记录盘具有Co合金记录层，该Co合金记录层被图案化成离散的数据岛，该岛布置成同心道，该磁记录盘呈现窄的翻转场分布(SFD)。该盘包括衬底；在该衬底上的NiTa合金平坦化层；在该平坦化层上的非磁含Ru衬层；钨氧化物Co合金磁记录层；以及在该含Ru层和该Co合金磁记录层之间的超薄氧化物膜。该氧化物膜可以是选自Ta氧化物、Co氧化物和Ti氧化物的氧化物，且是超薄的从而其可视为不连续膜。该平坦化层和超薄氧化物膜改善了Co合金记录层的生长均质性，从而具有数据岛的图案化盘表现出显著减小的SFD。
文档编号G11B5/82GK102682790SQ20121007078
公开日2012年9月19日 申请日期2012年3月16日 优先权日2011年3月16日
发明者D.K.韦勒, E.E.马里尼罗, O.赫尔威格 申请人:日立环球储存科技荷兰有限公司