用于制造磁记录介质及其保护膜的方法
【专利摘要】本发明提供用于产生保护膜的方法，该方法可用于制造磁记录介质，该方法包括步骤：(a)提供形成在所述衬底上的磁性层；以及(b)通过使用特定低饱和烃气和特定低不饱和烃气的混合气作为源气体的等离子体CVD方法在该磁性层上形成保护膜，其中步骤(b)包括在该磁性层上形成第一保护膜的步骤(b-1)以及在该第一保护膜上形成第二保护膜的步骤(b-2)，步骤(b-1)是通过使用源气体的等离子体CVD方法执行的，在该源气体中，气体混合比被调节以使在源气体中相对每个碳原子氢原子的平均数变得大于2.5但小于3.0，并且步骤(b-2)是通过使用源气体的等离子体CVD方法执行的，在该源气体中，气体混合比被调节以使在源气体中相对每个碳原子氢原子的平均数变得大于2.0但小于2.5。
【专利说明】用于制造磁记录介质及其保护膜的方法
[0001] 发明背景
[0002] 1.【技术领域】
[0003] 本公开涉及一种用于制造磁记录介质和适于制造磁记录介质的保护膜的方法。
[0004] 2.现有技术描述
[0005] 为了改进硬盘驱动器（HDD)的记录密度，不仅需要改善其磁记录层，而且还需要 减少磁记录层和用于读/写信息的磁头之间的距离（磁间距）。因此，已使用技术以减少形 成在磁记录层上的保护膜的厚度、减少形成在保护膜上的润滑薄膜的厚度、减少磁头的飞 行高度，还有称为按要求飞行（flying on demand) (FOD)技术，它使得磁头的读/写元件部 分突出以减少有效飞行厚度。
[0006] 在所有这些技术中，减少磁记录介质中的保护膜的厚度是相当重要的。日本专利 申请公开No. 2010-205323提出一种用于减小保护膜的厚度的技术。
【发明内容】
[0007] 然而，最近的保护膜要求厚度减少并能够通过与润滑层的结合而进一步适用于 FOD和其它技术。
[0008] 因此，本发明的一个目的是提供磁记录介质，该磁记录介质能进一步实现减少保 护膜的厚度并进一步适用于FOD和其它技术而不损害磁记录介质的可靠性，诸如抗蚀性和 耐久性。
[0009] 为了实现上述目的，本申请的发明提供一种制造保护膜的方法，该方法可用于制 造一磁记录介质，该磁记录介质具有：衬底，形成在该衬底上的磁性层，形成在该磁性层上 的保护膜，以及形成在该保护膜上的润滑层，该方法包括下列步骤：
[0010] (a)提供形成在该衬底上的磁性层；以及
[0011] (b)通过使用低饱和烃气和低不饱和烃气的混合气作为源气体的等离子体CVD方 法在该磁性层上形成保护膜，
[0012] 其中该低饱和烃气选自包括如下项的组：甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、以及它们中的两 项或更多项的混合物，
[0013] 该低不饱和烃气选自包括如下项的组：乙烯、丙烯、丁烯、丁二烯、以及它们中的两 项或更多项，并且
[0014] 步骤（b)包括在该磁性层上形成第一保护膜的步骤（b_l)以及在该第一保护膜上 形成第二保护膜的步骤（b_2)，
[0015] 步骤（b-1)是通过使用源气体的等离子体CVD方法执行，在源气体中，调节低饱和 烃气和低不饱和烃气之间的混合比以使在源气体中相对每个碳原子氢原子的平均数变得 大于2. 5但小于3. 0,以及
[0016] 步骤（b-2)通过使用源气体的等离子体CVD方法执行，在源气体中，调节低饱和烃 气和低不饱和烃气之间的混合比以使在源气体中相对每个碳原子氢原子的平均数变得大 于2. 0但小于2. 5。
【具体实施方式】
[0017] A.用于制造保护膜的方法，该方法可用于制造磁记录介质。
[0018] 根据本申请的发明的用于制造保护膜的方法，它可用来制造磁记录介质，该方法 具有下列步骤：
[0019] (a)提供被形成在衬底上的磁性层；以及
[0020] (b)通过使用低饱和烃气和低不饱和烃气作为源气体的等离子体CVD在该磁性层 上形成保护膜。
[0021] (1)步骤（a)通过步骤（a)提供在其上形成保护膜的磁性层。
[0022] (1-1)
[0023] 磁性层被形成在衬底上。衬底优选地是非磁性的并可由传统地用于制造磁记录层 的任何材料制成。衬底可由例如镀Ni-P的铝合金、玻璃、陶瓷、塑料、或硅制成。
[0024] (1-2)
[0025] 通过在衬底上层叠金属薄膜层而形成磁性层，且该磁性层并包括至少磁记录层。
[0026] 磁记录层可使用诸如包含至少Co和Pt的合金的铁磁材料形成。期望铁磁材料的 易磁化轴被取向在执行磁记录的方向上。例如，当执行垂直磁记录时，磁记录层的材料的易 磁化轴[具有六边形最密堆积（hep)结构的c轴]需要被取向在与记录介质的表面垂直的 方向上（即，垂直于衬底的主平面）。
[0027] 进一步优选的是，磁记录层是由单层或多层构成的垂直磁记录层，它使用具有颗 粒结构的材料形成的，该颗粒结构具有散布在非磁性氧化物基质或非磁性氮化物基质中的 磁性晶粒。此处可使用的晶粒结构的材料的示例包括CoPt-Si0 2、CoCrPtO、CoCrPt-Si02、 CoCrPt-Ti02、CoCrPt-Al 203、CoPt-AIN、和 CoCrPt-Si3N4，但不限于此。在本申请的发明中， 就增进垂直磁记录层中彼此相邻的磁性晶粒之间的磁间隔、降低噪声、和改进介质的特性 (例如其SNR和记录分辨率）这些方面而言，使用具有颗粒结构的材料是优选的。
[0028] 注意，磁记录层可使用技术中已知的任何方法来实现，诸如溅射方法（DC磁控管 溅射方法、RF磁控管溅射方法等）或真空蒸镀方法。
[0029] (1-3)
[0030] 上述（1-2)中提到的磁性层可任选地包括非磁性下层、软磁层、籽晶层、中间层、 以及位于磁记录层和衬底之间的其它层。这些层可以是磁性或非磁性层。
[0031] 非磁性下层
[0032] 非磁性下层可使用包括Cr的非磁性材料形成，诸如Ti或CrTi合金。
[0033] 软磁层
[0034] 可使用诸如FeTaC或山达斯特（Sendust) (FeSiAl)合金之类的结晶材料；诸如 FeTaC、CoFeNi、或CoNiP之类的微晶材料；或包括诸如CoZrNdXoZrNb、或CoTaZr之类的Co 合金的非晶材料形成软磁层。软磁层用于以将由磁头生产的垂直磁场集中到垂直磁记录介 质的磁记录层中。尽管软磁层的薄膜厚度的最佳值取决于用于记录的磁头的结构或特性， 然而优选地软磁层的薄膜厚度约为IOnm至500nm以与生产能力平衡。
[0035] 籽晶层
[0036]可使用诸如 NiFeAl、NiFeSi、NiFeNb、NiFeB、NiFeNbB、NiFeMo、或 NiFeCr 之类的 坡莫合金材料；通过将Co添加至坡莫合金获得的材料，诸如C〇NiFe、C 〇NiFeSi、C〇NiFeB、* CoNiFeNb ;Co ;或诸如CoBXoSi、CoNi、或CoFe之类的基于Co的合金，形成籽晶层。优选的 是，籽晶层足够厚以控制磁记录层的结晶结构并一般具有至少3nm但不大于50nm的薄膜厚 度。
[0037] 中间层
[0038] 中间层可使用Ru或主要含Ru的合金形成。优选的是，中间层一般具有至少0. Inm 但不大于20nm的薄膜厚度。在该范围内的薄膜厚度可提供具有达到高密度记录所需的特 性但不劣化磁记录层的磁性质或磁记录性质的磁记录层。
[0039] 注意，可使用技术中已知的任何方法来形成对于磁记录层、非磁性下层、软磁层、 籽晶层、和中间层，诸如溅射方法（DC磁控管溅射方法、RF磁控管溅射方法等）或真空蒸镀 方法。
[0040] (2)步骤（b)
[0041] 在步骤（b)中，在通过步骤（a)提供的磁性层上形成保护膜。
[0042] (2-1)
[0043] 使用将烃气用作源气体的等离子体化学气相沉积（CVD)方法来形成保护膜。在这 种方法中，源气体被设置在等离子体状态并使其生成活性根或离子，藉此形成非晶碳薄膜 作为保护膜。优选的是，就提供表面光滑度和硬度方面而言，非晶碳是钻石型碳（DLC)。
[0044] 可使用电容耦合方法或电感耦合方法来提供用于生成等离子体的功率。所要提供 的功率可以是DC功率、HF功率（频率：几十kHz至几百kHz)、RF功率（频率：13. 56MHz、 27. 12MHz、40. 68MHz 等）、微波（频率：2. 45GHz)等等。
[0045] 平行板式装置、细丝式装置、ECR等离子体发生器、螺旋波等离子体发生器、或类似 装置可用作生成等离子体的装置。在本申请的发明中，优选使用细丝式等离子体CVD装置。
[0046] (2-2)
[0047] 低饱和烃气和低不饱和烃气的混合气体被用作源气体。一般来说，低饱和烃气的 成膜速度相对低，而低不饱和烃气的成膜速度相对高。可通过使用混合气体并调节低饱和 烃气和低不饱和烃气之间的混合比来控制成膜速度。
[0048] 低饱和烃气选自包括如下项的组：甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、以及它们中的两项或更 多项的混合物。低不饱和烃气选自包括如下项的组：乙烯、丙烯、丁烯、丁二烯、以及它们中 的两项或更多项的混合物。
[0049] 最重要，优选地将乙烷用作低饱和烃气而将乙烯用作低不饱和烃气，这是由于它 们良好的抗腐蚀性。
[0050] 注意，可以小于10摩尔％的量包括诸如乙炔或苯之类的其它烃气，而不损害本发 明的效果。
[0051] (2-3)
[0052] 步骤（b)包括在该磁性层上形成第一保护膜的步骤（b_l)以及在该第一保护膜上 形成第二保护膜的步骤（b_2)。在这些步骤（b_l)和（b_2)中，作为所使用的源气体的混合 气体的混合比（低饱和烃气和低不饱和烃气之间的混合比）被改变。
[0053] 特定地，步骤（b_l)通过使用源气体的等离子体CVD方法执行，在该源气体中，调 节低饱和烃气和低不饱和烃气之间的混合比以使在源气体中相对于每个碳原子氢原子的 平均数变得大于2. 5但小于3. 0。
[0054] 步骤（b-2)通过使用源气体的等离子体CVD方法执行，在该源气体中，调节低饱和 烃气和低不饱和烃气之间的混合比以使在源气体中相对于每个碳原子氢原子的平均数变 得大于2. 0但小于2. 5。
[0055] 可通过使用如下公式来计算在源气体中相对于每个碳原子氢原子N的平均数，其 中N1/代表在每种烃气i的分子中相对于每个碳原子氢原子的数量，且F i代表烃气的流速 (seem)：
[0056] N = (SN11iXFiV(SFi)。
[0057] 在该公式中，2表示每种烃气i之和。
[0058] 在步骤（b_l)中，使用具有其中相对于每个碳原子氢原子的平均数相对高的混合 比的源气体，以使源自C-H键的更多四面体结构被引入到所获得的第一保护膜中，改进磁 记录介质的耐蚀性/持久性。
[0059] 另一方面，在步骤（b_2)中，使用具有其中相对于每个碳原子氢原子的平均数相 对低的混合比的源气体，可降低所获得的第二保护膜中的氢（H)组分的量，该氢（H)组分干 扰润滑层和保护膜之间的结合，改进FOD性能。
[0060] 在步骤（b-1)中，基于引入源自C-H键的更多四面体结构的技术方面，在源气体中 相对于每个碳原子氢原子的平均数被设定为大于2. 5。此外，基于防止源自过量氢的聚合的 技术方面，在源气体中相对于每个碳原子氢原子的平均数被设定为小于3. 0。
[0061] 另一方面，在步骤（b-2)中，基于维持源自C-H键的四面体结构的技术方面，在源 气体中相对于每个碳原子氢原子的平均数被设定为高于2.0。此外，基于减少干扰保护膜和 润滑层之间的结合的氢的量的技术方面，在源气体中相对于每个碳原子氢原子的平均数被 设定为小于2. 5。
[0062] (2-4)
[0063] 可通过进一步调节等离子体CVD方法中离子加速的电势差，来有利地控制上述 (2-3)中描述的第一和第二保护膜的性质。换言之，通过将离子加速的电势差设定为相对低 可将源自C-H键的更多四面体结构引入到保护膜中，并且通过将离子加速的电势差设定为 相对高可减少累积在将形成的保护膜中的氢（H)组分的量。
[0064] 更特定地，就引入源自C-H键的更多四面体结构的方面而言，在步骤（b_l)中通 过等离子体CVD方法调节的离子加速度的电势差的优选上限等于或低于180V，且就维持等 离子体放电方面而言，离子加速的电势差的优选下限等于或高于60V。另一方面，就减少干 扰与润滑层的结合的氢数量的方面而言，步骤（b-2)中通过等离子体CVD方法调节的离子 加速的电位差的优选下限等于或大于180V，并且就维持源自C-H键的四面体结构的方面而 言，离子加速的电势差的优选上限等于或低于300V。
[0065] 这里，通过下列公式（1)计算出离子加速的电势差：
[0066] 离子加速的电势差=阳极电势-偏移电势（1)
[0067] 阳极电势是被施加在等离子体CVD装置中的阳极的电势。偏移电势是施加至形 成在衬底上的磁性层的等离子体CVD装置中的电势，这是通过步骤（a)提供的。例如，当 阳极电势=+60V且偏移电势=-120V时，离子加速的电势差=阳极电势-偏移电势= (+60V)-(-120V) = 180V。
[0068] (2-5)
[0069] 就实现极好的抗腐蚀性方面而言，保护膜的薄膜厚度优选地等于或大于I. 2nm，而 就减少相对于磁头的磁间距损失并实现良好的磁记录性质的方面而言，保护膜的薄膜厚度 优选地等于或低于2. 5nm。
[0070]另外，本发明的保护膜包括第一保护膜和第二保护膜，其中就有效地施加第一保 护膜的良好抗蚀性/耐久性和第二保护膜的良好FOD性能而言，第一保护膜的薄膜厚度与 第二保护膜的薄膜厚度之间的比值优选地为3:7-7:3。
[0071] ⑶步骤（c)
[0072] 步骤（C)可包括进一步氮化步骤（b)中获得的保护膜的表面的步骤。
[0073] 该步骤可引入氮（N)组分以利于保护膜表面和润滑层之间的结合，由此进一步提 高FOD性能。
[0074] 可通过例如将氮气引入等离子体源并使碳层表面经受氮等离子体处理而实现引 入氮（N)组分。
[0075] B.用于制造磁记录介质的方法
[0076] 在前述A.用于制造保护膜的方法之后，可通过在该保护膜上形成润滑层来制造 磁记录介质。所得磁记录介质具有至少衬底、形成在该衬底上的磁性层、形成在该磁性层上 的保护层、以及形成在保护层上的润滑层。
[0077] 该润滑层是提供磁头和磁记录介质之间的润滑的层。可通过使用【技术领域】内已知 的液体润滑剂在衬底上形成润滑层。特定地，优选使用全氟聚醚液体润滑剂（PFPE)。通过 浸涂方法或旋涂方法，液体润滑剂可施加至润滑剂层至约Inm的厚度。液体润滑剂的特定 不例包括 Fomblin-Z-tetroal (由 Solvay Solexis 制造）和 A20H(由 M0RESC0 制造）。 [0078] 优选的是，就实现良好的耐久性方面而言，润滑剂层的层厚度等于或大于0. 7nm， 而就减少相对于磁头的磁间距损失且实现良好的磁记录性质而言，润滑剂层的层厚度等于 或小于I. 8nm〇
[0079] [示例]
[0080] [示例1]
[0081] (1)提供具有磁性层的衬底
[0082] 首先，根据下列步骤使用圆形铝盘制备具有磁性层的衬底，该圆形铝盘具有95mm 的外径、25mm的内径、以及I. 27mm的厚度。
[0083] 即，首先，将铝盘的表面涂覆以Ni-P至12 pm的膜厚度以制备非磁性衬底。所获 得的非磁性衬底被平滑并清洗。
[0084] 接着，使用DC磁控管溅射方法，多个金属薄膜（非磁性下层、软磁层、籽晶层、中间 层、第一磁性层、交换耦合控制层、第二磁性层、和第三磁性层）被顺序地形成在清洗后的 非磁性衬底上。特定地：
[0085] ?将Cr5tlTi5tl薄膜层叠在非磁性衬底上以形成具有膜厚6.Onm的非磁性下层；
[0086] ?将CoZrNb薄膜层叠在非磁性下层上以形成具有膜厚20nm的软磁层；
[0087]?在软磁层上层叠CoNiFe薄膜以形成膜厚8.Onm的籽晶层；
[0088] ?在籽晶层上层叠Ru以形成膜厚IOnm的中间层；
[0089] ?在中间层上层叠CoCrPt-SiO2薄膜以形成具有膜厚IOnm的第一磁性层；
[0090] ?在第一磁性层上层叠Ru薄膜以形成具有膜厚0. 2nm的交换耦合控制层；
[0091] ?在交换耦合控制层上层叠CoCrPt-SiO2薄膜以形成具有膜厚3. Onm的第二磁性 层；以及
[0092] ?在第二磁性层上层叠CoCrPr-B薄膜以形成具有膜厚6.Onm的第三磁性层。
[0093] 注意，衬底上的磁记录层具有第一磁性层、交换耦合控制层、第二磁性层、和第三 磁性层的四层结构。
[0094] (2)形成保护膜
[0095] 接着，通过使用等离子体CVD方法在所得磁性层上形成保护膜。使用细丝式等离 子体CVD装置，将预定电流提供给阴极细丝以发出热电子，且同时将用作源气体的烃气引 入装置以生成烃气等离子体。
[0096] 乙烧（C2H6)气体和乙烯（C 2H4)气体的混合气体被用作源气体。在第一步骤中，乙 烧（C2H 6)气体的流速被设定在45sccm，乙烯（C2H4)气体的流速被设定在15sccm，阳极电势 被设定在+40V，偏移电势被设定在-60V (即离子加速的电势差为100V)，并且衬底的温度 被设定在大约180°C。调节成膜时间，并在磁性层上形成厚度I. Onm的第一保护膜（DLC薄 膜）。换言之，第一步骤中，在源气体中相对于每个碳原子氢原子的平均数是2. 75。
[0097] 接着,在第二步骤中，乙烯（C2H4)气体的流速被设定在45sccm,乙烧（C 2H6)气体的 流速被设定在15sccm,阳极电势被设定在+80V,且偏移电势被设定在-180V (即，离子加速 的电势差为260V)。调节成膜时间，并在第一保护膜上形成厚度I. Onm的第二保护膜（DLC 薄膜）。换言之，在第二步骤，在源气体中相对于每个碳原子氢原子的平均数是2. 25。
[0098] 第一和第二保护膜被组合为具有厚度2. Onm的保护膜（DLC薄膜）。
[0099] 此外，在第三步骤中，氮（N2)气的流速被设定在50sccm，衬底的温度被设定在大约 180°C，而处理时间被设定在I. 0秒，以氮化第二保护膜的表面。
[0100] 这里使用的单位"seem"表示标准条件（1原子/(TC )下每分钟的流速（单位： cm3) 〇
[0101] (3)形成润滑层
[0102] 通过使用浸渍方法，将主要含全氟聚醚（HOCH2CH (OH) CH2-OCH2CF2O- (CF2CF2O) n- (CF2O) m-CF2CH2〇-CH2CH (OH) CH20H、具有分子量为2000-4000)的液体润滑剂施加至以上述 方式获得的保护膜以形成具有厚度I. Onm的润滑层。
[0103] (4)抗腐蚀性的评价
[0104] 0. 5mL量的预定浓度（3. 0% )的硝酸水性溶液被滴入到磁记录介质样本中90°间 隔下的四个扇区（section)，根据上述（1)-(3)制备该磁记录介质样本并被提取从而通过 电感耦合的等离子体质谱仪（ICP-MS)的方式来测量Co洗提。当测量Co洗提时，使用标准 样本的校准曲线。
[0105] Co洗提量低至0? 019ng/cm2,这是一个好的结果。
[0106] 等于或低于0. 040ng/cm2的Co洗提量被评价为"特别"良好并被设定为基准标准。 在该值下，当评价其在HDD中的可靠性时，磁记录介质不造成任何问题。
[0107] (5)耐久性评价
[0108] 具有2mm直径的AlTiC球沿根据上述（1)-(3)制备的磁记录介质样本滑动，其具 有30gf?的负载并在25cm/s的线性速度下，以测量在保护膜断裂为止AlTiC球需要滑动多 少次。要470次来使保护膜断裂，这是好的结果。
[0109] 等于或大于400的AlTiC球滑动次数被评价为"特别"良好的并被设定为基准标 准。在该值下，当评价其在HDD中的可靠性时，磁记录介质不造成任何问题。
[0110] (6) FOD性能的评价
[0111] 当磁头在预定转速下流动（flow)时，嵌入在磁头的读/写元件部分中的加热器被 切换接通以使磁头的读/写元件部分热膨胀并逐渐地突出于读/写元件部分。然后，测量 在该功率下飞行的磁头变得不稳的着陆（touch down) (TD)加热器功率。在7200rpm的转 速下使用声发射（AE)传感器检测TD。TD加热器功率大至50. 7mW，这是一个好的结果。
[0112] 等于或大于50. OmW的TD加热器功率被评价为"特别"良好的并被设定为基准标 准。该值指示在磁记录介质的磁记录性质中可以看到FOD效果的水平。
[0113][示例 2-9]
[0114] 在保护膜的第一成形步骤中使用的乙烷（C2H 6)气体和乙烯（C2H4)气体之间的混合 比以各种方式改变的条件下，使用与示例1相同的方法制备磁记录介质。其它条件与示例 1的相同。换言之，衬底、磁性层、第二保护膜、和润滑层在示例1-9中是相同的。
[0115] 这些磁记录介质的抗腐蚀性和持久性的评价结果连同示例1中获得评价结果示 出于表1中。
【权利要求】
1. 一种用于制造保护膜的方法，所述方法可用于制造磁记录介质，所述磁记录介质具 有衬底，形成在所述衬底上的磁性层，形成在所述磁性层上的保护膜，以及形成在所述保护 膜上的润滑层，所述方法包括下列步骤： (a) 提供形成在所述衬底上的所述磁性层；以及 (b) 通过使用低饱和烃气和低不饱和烃气的混合气作为源气体的等 离子体CVD方法，在所述磁性层上形成所述保护膜； 其中所述低饱和烃气选自包括如下项的组：甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、以及上述中两项或 更多项的混合物， 所述低不饱和烃气选自包括如下项的组：乙烯、丙烯、丁烯、丁二烯、以及上述中两项或 更多项的混合物，并且 所述步骤（b)包括在所述磁性层上形成第一保护膜的步骤（b-Ι)以及在所述第一保护 膜上形成第二保护膜的步骤（b-2)， 所述步骤（b-1)是通过使用源气体的等离子体CVD方法执行的，在所述源气体中，调节 所述低饱和烃气和所述低不饱和烃气之间的混合比以使在所述源气体中相对于每个碳原 子氢原子的平均数变得大于2. 5但小于3. 0,且 所述步骤（b-2)是通过使用源气体的等离子体CVD方法执行的，在所述源气体中，调节 所述低饱和烃气和所述低不饱和烃气之间的混合比以使所述源气体中每碳原子的氢原子 的平均数变得大于2. 0但小于2. 5。
2. 如权利要求1所述的用于制造保护膜的方法，其特征在于，所述低饱和烃气是乙烷 且所述低不饱和烃气是乙烯。
3. 如权利要求1所述的用于制造保护膜的方法，其特征在于，在所述步骤（b-Ι)中由所 述等离子体CVD方法施加的离子加速的电势差等于或低于180V，并且在所述步骤（b-2)中 由所述等离子体CVD方法施加的离子加速的电位差等于或大于180V。
4. 如权利要求1所述的用于制造保护膜的方法，其特征在于，在所述步骤（b)后，还包 括氮化所述保护膜的表面的步骤（c)。
5. -种用于制造磁记录介质的方法，包括如权利要求1-4中任何一项所述的用于制造 保护膜的方法。
【文档编号】G11B5/84GK104246885SQ201280072385
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2012年10月29日 优先权日:2012年10月29日
【发明者】永田德久 申请人:富士电机（马来西亚）有限公司