光罩式只读存储器的制造方法
【专利摘要】一种新颖的光罩式只读存储器，包括二种不同状态的存储单元结构。于光罩式只读存储器制作完成并出厂后，光罩式只读存储器内部可以储存二种状态。二种状态可对应至二种不同的存储单元结构，其中一种存储单元结构记录第一状态(例如逻辑“1”)，而另一种存储单元结构记录第二状态(例如逻辑“0”)。
【专利说明】光罩式只读存储器
【技术领域】
[0001] 本发明是有关于一种非易失性存储器（Non-volatilememory)，且特别是有关于 一种光罩式只读存储器（MaskROM)。
【背景技术】
[0002] 众所周知，非易失性存储器在断电之后仍旧可以保存其数据内容。一般来说，当非 易失性存储器制造完成并出厂后，使用者即可以编程（program)非易失性存储器，进而将 数据记录在非易失性存储器中。而根据编程的次数，非易失性存储器可进一步区分为多次 编程的存储器（multi-timeprogrammingmemory，简称MTP存储器），或者一次编程的存储 器（onetimeprogrammingmemory,简称OTP存储器）。基本上，使用者可以对MTP存储器 进行多次的储存数据修改。相反地，使用者仅可以编程一次OTP存储器。一旦OTP存储器 编程完成之后，其储存数据将无法修改。
[0003] 另一种非易失性存储器，称为光罩式只读存储器（MaskROM)。当光罩式只读存储 器出厂后，所有的储存数据已经记录在其中，使用者仅能够读取光罩式只读存储器中的储 存数据，而无法编程数据。也就是说，使用者必须先将储存数据提供给光罩式只读存储器的 制造商，当存储器制造完成后送到使用者的手中时，所有的储存数据已经记录在其中并且 无法再进行任何编程动作。
[0004] 基本上，光罩式只读存储器具有低成本、高信赖度及大容量的优点。已经被广泛应 用于各类电子产品。
[0005] 请参照图1，其所绘示为美国专利US8, 344, 445所揭露的一种具有二种功能的 非易失性存储器的存储单兀（Non-volatilesemiconductormemorycellwithdual functions)〇
[0006] 此存储单元300具有P型讲区（P-wellregion) 310的基板（substrate)，而在P 型讲区310的表面上有作用区（activeregion)315。在基板的上方形成栅极氧化层（gate oxidelayer)321 及其上方的第一多晶娃栅极（firstpolysilicongate)313-l，以及另一 栅极氧化层320及其上方的第二多晶硅栅极313-2、第三多晶硅栅极313-3、与电荷储存层 (chargestoragelayer)314。
[0007] 作用区 315 还区分为第一N+扩散区（firstN+diffusionregion) 311-1、第二N+ 扩散区311-2、以及第三N+扩散区311-3。其中，第一N+扩散区311-1形成于第一多晶硅 栅极313-1的一侧；第三N+扩散区311-3形成于第一多晶硅栅极313-1与第二多晶硅栅极 313-2之间；第二N+扩散区311-2形成于第二多晶硅栅极313-2的另一侧。再者，二个接 触点（contact) 316-U316-2分别形成于第一N+扩散区311-1与第二N+扩散区311-2上。
[0008] 基本上，图1的存储单元可作为OTP存储器或者MTP存储器。也就是说，使用者拿 到此存储单元所构成的集成电路（IC)时，可以针对其用途将此集成电路（IC)当作OTP存 储器来编程，或者当作MTP存储器来编程。很明显地，图1所示的存储单元并非光罩式只读 存储器的存储单元。
【发明内容】
[0009] 本发明的主要目的在于将已知非易失性存储器的存储单元进行修改，使其成为光 罩式只读存储器，并具备二种不同状态的存储单元结构。
[0010] 本发明是有关于一种光罩式只读存储器，包括：一基板；一第一栅极结构，形成于 该基板的一表面上，用以在一读取周期接收一字线电压；一第二栅极结构，形成于该基板的 该表面上，用以在该读取周期接收一读取电压；一第三栅极结构，形成于该基板的该表面 上；一第一扩散区，形成于该基板的该表面下且相邻于该第一栅极结构的一第一侧，用以在 该读取周期产生一第一位线电压；一第二扩散区，形成于该基板的该表面下方且相邻于该 第一栅极结构的一第二侧、该第二栅极结构的一第一侧、该第三栅极结构的一第一侧；一第 四栅极结构，形成于该基板的该表面上，用以在该读取周期接收该字线电压；一第五栅极结 构，形成于该基板的该表面上，用以在该读取周期接收该读取电压；一第六栅极结构，形成 于该基板的该表面上；一第三扩散区，形成于该基板的该表面下且相邻于该第四栅极结构 的一第一侧，用以在该读取周期产生一第二位线电压；以及一第四扩散区，形成于该基板的 该表面下方且相邻于该第四栅极结构的一第二侧、该第五栅极结构的一第一侧、该第六栅 极结构的一第一侧，用以在该读取周期接收该读取电压；其中，该第一位线电压相异于该第 二位线电压。
[0011] 本发明是有关于一种光罩式只读存储器，包括：一基板；一第一栅极结构，形成于 该基板的一表面上，用以在一读取周期接收一字线电压；一第二栅极结构，形成于该基板的 该表面上；一第三栅极结构，形成于该基板的该表面上；一第一扩散区，形成于该基板的该 表面下且相邻于该第一栅极结构的一第一侧，用以在该读取周期产生一第一位线电压；一 第二扩散区，形成于该基板的该表面下方且相邻于该第一栅极结构的一第二侧、该第二栅 极结构的一第一侧、该第三栅极结构的一第一侧；一第三扩散区，形成于该基板的该表面下 方，用以在该读取周期接收一选择线电压；一第四栅极结构，形成于该基板的该表面上，用 以在该读取周期接收该字线电压；一第五栅极结构，形成于该基板的该表面上；一第六栅 极结构，形成于该基板的该表面上；一第四扩散区，形成于该基板的该表面下且相邻于该第 四栅极结构的一第一侧，用以在该读取周期产生一第二位线电压；以及一第五扩散区，形 成于该基板的该表面下方且相邻于该第四栅极结构的一第二侧、该第五栅极结构的一第一 侦lK该第六栅极结构的一第一侧；一第六扩散区，形成于该基板的该表面下方且接触于该第 五扩散区，用以在该读取周期接收该选择线电压；其中，该第一位线电压相异于该第二位线 电压。
[0012] 为了对本发明的上述及其它方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合所 附图式，作详细说明如下。
【专利附图】
【附图说明】
[0013] 图1所绘示为美国专利US8, 344, 445所揭露的一种具有二种功能的非易失性存储 器的存储单元。
[0014] 图2A至图2C所绘示为第一实施例光罩式只读存储器的第一状态的存储单元结构 立体图、上视图及其等效电路示意图。
[0015] 图3A至图3C所绘示为第一实施例光罩式只读存储器的第二状态的存储单元结构 立体图、上视图及其等效电路示意图。
[0016] 图4所绘示为光罩式只读存储器中同时具有第一状态与第二状态的存储单元的 等效电路不意图。
[0017] 图5A至图5C所绘示为第二实施例光罩式只读存储器的第一状态的存储单元结构 立体图、上视图及其等效电路示意图。
[0018] 图6A至图6C所绘视为第二实施例光罩式只读存储器的第二状态的存储单元结构 立体图、上视图及其等效电路示意图。
[0019] 图7所绘示为光罩式只读存储器中同时具有第一状态与第二状态的存储单元的 等效电路不意图。
[0020] [标号说明]
[0021] 300:存储单元 310: P型阱区 311-1、311-2、311-3:N+扩散区 313-1、313-2、313-3:多晶石圭栅极 314:电荷储存层 315:作用区 316-1、316-2:接触点 320、321:栅极氧化层 500、550:存储单元 510: P型阱区 511-1、511-2、561-1、561-2:N+扩散区 513-1 513-2、513-3、563-1、563-2、563-3:多晶石圭栅极 516-1、516-2、516-3、516-4:接触点 520、521、522、570、571、572:栅极氧化层 566-1、566-2、566-3、566-4、566-5:接触点 600、650:存储单元 610:P型阱区 611-1、611-2、611-3、661-1、661-2:N+才广散区 613-1、613-2、613-3、663-1、663-2、663-3:多晶娃栅极 616-1、616-2、616-3、6丨6-4、616-5:接触点 620、621、622、670、671、672:栅极氧化层 666-1、666-2、666-3、666-4、666-5:接触点
【具体实施方式】
[0022] 由于光罩式只读存储器在制作完成并出厂后，所有的储存数据已经记录在其中。 因此，光罩式只读存储器内部必须包括二种不同的存储单元结构，其中一种存储单元结构 记录第一状态（例如逻辑"1")，而另一种存储单元结构记录第二状态（例如逻辑"〇")。以 下分别介绍二个状态的存储单元结构。
[0023] 请参照图2A至图2C，其所绘示为第一实施例光罩式只读存储器的第一状态的存 储单元结构立体图、上视图及其等效电路示意图。第一状态的存储单元500具有P型阱区 510的基板。在P型阱区510的上方形成第一栅极结构、第二栅极结构、与第三栅极结构。 其中，第一栅极结构包括栅极氧化层521及其上方的第一多晶硅栅极513-1 ;第二栅极结构 包括栅极氧化层520及其上方的第二多晶硅栅极513-2 ;以及第三栅极结构包括栅极氧化 层522及其上方的第三多晶硅栅极513-3。
[0024] 再者，于P型阱区510的基板表面形成第一N+扩散区511-1与第二N+扩散区 511-2。其中，第一N+扩散区511-1相邻于第一栅极结构的一侧；第二N+扩散区511-2相 邻于第一栅极结构的一另一侧且相邻于第二栅极结构与第三栅极结构的一侧。再者，第一 接触点516-1形成于第一多晶娃栅极513-1上；第二接触点516-2形成于第二多晶娃栅极 513-2上；第三接触点516-3形成于第三多晶硅栅极513-3上；且第四接触点516-4形成于 第一N+扩散区511-1上。
[0025] 当图2A的第一状态的存储单元结构完成后，于金属制程步骤时，即如图2B所示将 第四接触点516-4连接至一位线BLn(bitline);第一接触点516-1连接至一字线WLm(word line);第二接触点516-2连接至一读取线Rdn(readline);以及，第三接触点516-3连接 至另一读取线Rdn+1。
[0026] 如图2C所示即为第一状态的存储单元结构的等效电路。第一N+扩散区511-1、第 一栅极结构与第二N+扩散区511-2形成一晶体管Tn;第二栅极结构与第二N+扩散区511-2 形成一电容Cn;且第三栅极结构与第二N+扩散区511-2形成另一电容Cn'。其中，晶体管 Tn的栅极连接至字线WLm,晶体管Tn的一端连接至位线BLn,晶体管Tn的另一端连接电容 Cn与电容Cn'的一端。电容Cn的另一端连接至读取线Rdn，电容Cn'的另一端连接至另一 读取线Rdn+1。
[0027] 请参照图3A至图3C，其所绘示为第一实施例光罩式只读存储器的第二状态的存 储单元结构立体图、上视图及其等效电路示意图。第二状态的存储单元550具有P型阱区 510的基板。在P型阱区510的基板的上方形成第一栅极结构、第二栅极结构、与第三栅极 结构。其中，第一栅极结构包括栅极氧化层571及其上方的第一多晶硅栅极563-1;第二栅 极结构包括栅极氧化层570及其上方的第二多晶硅栅极563-2;以及第三栅极结构包括栅 极氧化层572及其上方的第三多晶硅栅极563-3。
[0028] 再者，于P型阱区510的基板表面形成第一N+扩散区561-1与第二N+扩散区 561-2。其中，第一N+扩散区561-1相邻于第一栅极结构的一侧；第二N+扩散区561-2相 邻于第一栅极结构的一另一侧且相邻于第二栅极结构与第三栅极结构的一侧。再者，第一 接触点566-1形成于第一多晶娃栅极563-1上；第二接触点566-2形成于第二多晶娃栅极 563-2上；第三接触点566-3形成于第三多晶硅栅极563-3上；第四接触点566-4形成于第 一N+扩散区561-1上；且第五接触点566-5形成于第二N+扩散区561-2上。
[0029] 当图3A的第二状态的存储单元结构完成后，于金属制程步骤时，即如图3B所示将 第四接触点566-4连接至一位线BLn+Ι;第一接触点566-1连接至一字线WLm;第二接触点 566-2以及第五接触点566-5同时连接至一读取线Rdn;以及，第三接触点566-3连接至另 一读取线Rdn+1。
[0030] 如图3C所示即为第二状态的存储单元结构的等效电路。第一N+扩散区561-1、第 一栅极结构与第二N+扩散区561-2形成一晶体管Tn+1;第二栅极结构与与第二N+扩散区 561-2短路（shortcircuit);且第三栅极结构与第二N+扩散区561-2形成一电容Cn+1。 其中，晶体管Tn+1的栅极连接至字线WLm，晶体管Tn+1的一端连接至位线BLn+1，晶体管Tn 的另一端连接至读取线Rdn以及电容Cn+Ι的一端。电容Cn+Ι的另一端连接至另一读取线 Rdn+1。
[0031] 由以上的说明可知，第一状态与第二状态的存储单元结构其差异点仅在于第五接 触点566-5的制作与否。也就是说，当存储单元结构中有制作第五接触点566-5并连接于读 取线Rdn时，即形成第二状态的存储单元结构。反之，未制作第五接触点566-5时，即形成 第一状态的存储单元结构。而第五接触点566-5制作与否，可于设计接触点光罩（contact mask)时决定，而制作完成的光罩式只读存储器中即具有二种不同状态的存储单元。
[0032] 请参照图4,其所绘示为光罩式只读存储器中同时具有第一状态与第二状态的 存储单元的等效电路示意图。其中，第一存储单元（Celln)记录第一状态；第二存储单元 (Celln+Ι)记录第二状态。于读取周期（readcycle)读取第一存储单元与第二存储单元 的数据时，字线WLm接收一字线电压（wordlinevoltage),且二条读取线Rdn、Rdn+l接 收一读取电压（readvoltage)。根据本发明的实施例，字线电压与读取电压皆为电源电压 (Vcc)，例如 3. 3V。
[0033] 如图所示，当字线WLm接收3. 3V的字线电压时，晶体管Tn与Tn+1开启。于第一 存储单元（Celln)中，二条读取线Rdn、Rdn+Ι的3. 3V皆无法传递至第一位线BLn,使得第 一位线BLn上的第一位线电压为0V。于第二存储单元（Celln+Ι)中，读取线Rdn的3. 3V可 传递至第二位线BLn+Ι，使得第二位线BLn+Ι上的第二位线电压为3. 3V。换句话说，于读取 周期时，提供字线电压与读取电压后，根据位线上的电压即可得知该存储单元为第一状态 或者第二状态。
[0034] 当然，本发明的第一实施例也可已经过适当地修改，仍能够正常地运作。举例 来说，于读取周期时仅提供读取电压至第一读取线Rdn，而不提供读取电压至第二读取线 Rdn+Ι-样也能够根据位线正确地读取光罩式只读存储器中不同状态的存储单元。
[0035] 请参照图5A至图5C，其所绘示为第二实施例光罩式只读存储器的第一状态的存 储单元结构立体图、上视图及其等效电路示意图。第一状态的存储单元600具有P型阱区 610的基板。在P型阱区610基板的上方形成第一栅极结构、第二栅极结构、与第三栅极结 构。其中，第一栅极结构包括栅极氧化层621及其上方的第一多晶硅栅极613-1 ;第二栅极 结构包括栅极氧化层620及其上方的第二多晶硅栅极613-2 ;以及第三栅极结构包括栅极 氧化层622及其上方的第三多晶硅栅极613-3。
[0036] 再者，于P型阱区610的基板表面形成第一N+扩散区611-1、第二N+扩散区 611-2、与第三N+扩散区611-3。其中，第一N+扩散区611-1相邻于第一栅极结构的一侧； 第二N+扩散区611-2相邻于第一栅极结构的一另一侧且相邻于第二栅极结构与第三栅极 结构的一侧；而第三N+扩散区611-3未接触于第一N+扩散区611-1以及第二N+扩散区 611-2。
[0037] 再者，第一接触点616-1形成于第一多晶娃栅极613-1上；第二接触点616-2形成 于第二多晶硅栅极613-2上；第三接触点616-3形成于第三多晶硅栅极613-3上；第四接触 点616-4形成于第一N+扩散区611-1上；且第五接触点616-5形成于第三N+扩散区611-3 上。
[0038] 当图5A的第一状态的存储单元结构完成后，于金属制程步骤时，即如图5B所示 将第四接触点616-4连接至一位线BLn;第一接触点616-1连接至一字线WLm;第二接触点 616-2连接至一读取线Rdn;第三接触点616-3连接至另一读取线Rdn+Ι;以及，第五接触点 616-5 连接至一选择线SLn(selectline)。
[0039] 如图5C所示即为第一状态的存储单元结构的等效电路。第一N+扩散区611-1、第 一栅极结构与第二N+扩散区611-2形成一晶体管Tn;第二栅极结构与第二N+扩散区611-2 形成一电容Cn;且第三栅极结构与第二N+扩散区611-2形成另一电容Cn'。其中，晶体管 Tn的栅极连接至字线WLm,晶体管Tn的一端连接至位线BLn,晶体管Tn的另一端连接电容 Cn与电容Cn'的一端。电容Cn的另一端连接至读取线Rdn，电容Cn'的另一端连接至另一 读取线Rdn+Ι。再者，晶体管Tn的另一端与选择线SLn之间并未连接。
[0040] 请参照图6A至图6C，其所绘视为第二实施例光罩式只读存储器的第二状态的存 储单元结构立体图、上视图及其等效电路示意图。第二状态的存储单元650具有P型阱区 610的基板。在P型阱区610的基板的上方形成第一栅极结构、第二栅极结构、与第三栅极 结构。其中，第一栅极结构包括栅极氧化层671及其上方的第一多晶硅栅极663-1 ;第二栅 极结构包括栅极氧化层670及其上方的第二多晶硅栅极663-2 ;以及第三栅极结构包括栅 极氧化层672及其上方的第三多晶硅栅极663-3。
[0041] 再者，于P型阱区610的基板表面形成第一N+扩散区661-1、第二N+扩散区661-2 与第三N+扩散区661-3。其中，第一N+扩散区661-1相邻于第一栅极结构的一侧；第二N+ 扩散区661-2相邻于第一栅极结构的一另一侧且相邻于第二栅极结构与第三栅极结构的 一侧；而第三N+扩散区661-3接触于第二N+扩散区661-2。
[0042] 再者，第一接触点666-1形成于第一多晶娃栅极663-1上；第二接触点666-2形成 于第二多晶硅栅极663-2上；第三接触点666-3形成于第三多晶硅栅极663-3上；第四接触 点666-4形成于第一N+扩散区661-1上；且第五接触点666-5形成于第三N+扩散区661-3 上。
[0043] 当图6A的第二状态的存储单元结构完成后，于金属制程步骤时，即如图6B所示将 第四接触点666-4连接至一位线BLn+Ι;第一接触点666-1连接至一字线WLm;第二接触点 666-2连接至一读取线Rdn;第三接触点666-3连接至另一读取线Rdn+Ι;以及,第五接触点 666-5连接至一选择线SLn。
[0044] 如图6C所示即为第二状态的存储单元结构的等效电路。第一N+扩散区661-1、 第一栅极结构与第二N+扩散区661-2形成一晶体管Tn+1 ;第二栅极结构与第二N+扩散区 661-2形成一电容Cn+Ι;第三栅极结构与第二N+扩散区661-2形成另一电容Cn+Γ。其中， 晶体管Tn+1的栅极连接至字线WLm，晶体管Tn+1的一端连接至位线BLn+Ι，晶体管Tn+1的 另一端连接至电容Cn+Ι的一端、电容Cn+Γ的一端以及选择线SLn。电容Cn+Ι的另一端连 接至读取线Rdn，电容Cn+Γ的另一端连接至另一读取线Rdn+1。
[0045] 由以上的说明可知，第一状态与第二状态的存储单元结构其差异点仅在于第二N+ 扩散区与第三N+扩散区之间是否相互接触。也就是说，当存储单元结构中第二N+扩散区 与第三N+扩散区相互接触时，即形成第二状态的存储单元结构。反之，存储单元结构中第 二N+扩散区与第三N+扩散区未相互接触时，即形成第一状态的存储单元结构。而第二N+ 扩散区与第三N+扩散区是否接触，可于设计扩散区光罩（diffusionmask)时决定，而制作 完成的光罩式只读存储器中即可包括二种状态的存储单元。
[0046] 请参照图7,其所绘示为光罩式只读存储器中同时具有第一状态与第二状态的 存储单元的等效电路示意图。其中，第一存储单元（Celln)记录第一状态；第二存储单元 (Celln+Ι)记录第二状态。于读取周期（readcycle)读取第一存储单元与第二存储单元的 数据时，字线WLm接收一字线电压，二条读取线Rdn、Rdn+Ι接收一读取电压，且选择线SLn 接收一选择线电压（selectlinevoltage)。根据本发明的实施例，字线电压、读取电压、与 选择线电压皆为电源电压（Vcc)，例如3. 3V。
[0047] 如图所示，当字线WLm接收3. 3V的字线电压时，晶体管Tn与Tn+1开启。于第一 存储单元（Celln)中，二条读取线Rdn、Rdn+l以及选择线SLn上的3. 3V皆无法传递至第一 位线BLn,使得第一位线BLn上的第一位线电压为0V。于第二存储单元（Celln+Ι)中，选择 线SLn上的3. 3V可传递至第二位线BLn+Ι，使得第二位线BLn+Ι上的第二位线电压为3. 3V。 换句话说，于读取周期时，提供字线电压、读取电压、与选择线电压后，根据位线上的电压即 可得知该存储单元为第一状态或者第二状态。
[0048] 当然，本发明的第二实施例也可已经过适当地修改，仍能够正常地运作。举例来 说，于读取周期时仅提供选择线电压至选择线SLn，而不提供读取电压至第一读取线Rdn以 及第二读取线Rdn+Ι，同样也能够根据位线正确地读取光罩式只读存储器中不同状态的存 储单元。
[0049] 因此，本发明是提出全新的光罩式只读存储器结构，且于光罩式只读存储器在制 作完成并出厂后，光罩式只读存储器内部可以储存二种状态。并且，二种状态可对应至二种 不同的存储单元结构，其中一种存储单元结构记录第一状态（例如逻辑" 1"），而另一种存 储单元结构记录第二状态（例如逻辑"0"）。
[0050] 再者，于读取周期时，由于晶体管Tn的低内阻，3. 3V的读取电压以及3. 3V的选择 线电压可能会导致第二位线BLn+Ι输出的电流太高，造成光罩式只读存储器的功耗过高或 者损毁光罩式只读存储器。为了要有较长的使用寿命或者较低的功耗，于读取周期时，可以 提供较低的读取电压以及选择线电压（例如1.5V)至光罩式只读存储器，让光罩式只读存 储器能够区分出不同的储存状态即可。
[0051] 综上所述，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发 明所属【技术领域】中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动 与润饰。因此，本发明的保护范围当视所附的权利要求范围所界定者为准。
【权利要求】
1. 一种光罩式只读存储器，包括： 一基板； 一第一栅极结构，形成于该基板的一表面上，用W在一读取周期接收一字线电压； 一第二栅极结构，形成于该基板的该表面上，用W在该读取周期接收一读取电压； 一第H栅极结构，形成于该基板的该表面上； 一第一扩散区，形成于该基板的该表面下且相邻于该第一栅极结构的一第一侧，用W 在该读取周期产生一第一位线电压； 一第二扩散区，形成于该基板的该表面下方且相邻于该第一栅极结构的一第二侧、该 第二栅极结构的一第一侧、该第H栅极结构的一第一侧； 一第四栅极结构，形成于该基板的该表面上，用W在该读取周期接收该字线电压； 一第五栅极结构，形成于该基板的该表面上，用W在该读取周期接收该读取电压； 一第六栅极结构，形成于该基板的该表面上； 一第H扩散区，形成于该基板的该表面下且相邻于该第四栅极结构的一第一侧，用W 在该读取周期产生一第二位线电压；W及 一第四扩散区，形成于该基板的该表面下方且相邻于该第四栅极结构的一第二侧、该 第五栅极结构的一第一侧、该第六栅极结构的一第一侧，用W在该读取周期接收该读取电 压； 其中，该第一位线电压相异于该第二位线电压。
2. 根据权利要求1所述的光罩式只读存储器，其中该第一位线电压小于该第二位线电 压。
3. 根据权利要求1所述的光罩式只读存储器，其中该字线电压与该读取电压相同于一 电源电压。
4. 根据权利要求1所述的光罩式只读存储器，其中该基板为一P型阱区的基板，且该第 一扩散区、该第二扩散区、该第H扩散区与该第四扩散区皆为化扩散区。
5. 根据权利要求1所述的光罩式只读存储器，其中该第四扩散区上形成一接触点连接 至一第一读取线用W在该读取周期时接收该读取电压。
6. 根据权利要求1所述的光罩式只读存储器，其中该第一栅极结构与该第四栅极结构 上分别形成一接触点连接至一字线用W在该读取周期时接收该字线电压。
7. 根据权利要求1所述的光罩式只读存储器，其中该第二栅极结构与该第五栅极结构 上分别形成一接触点连接至一第一读取线用W在该读取周期时接收该读取电压。
8. 根据权利要求1所述的光罩式只读存储器，其中该第H栅极结构与该第六栅极结构 上分别形成一接触点连接至一第二读取线用W在该读取周期时接收该读取电压。
9. 一种光罩式只读存储器，包括： 一基板； 一第一栅极结构，形成于该基板的一表面上，用W在一读取周期接收一字线电压； 一第二栅极结构，形成于该基板的该表面上； 一第H栅极结构，形成于该基板的该表面上； 一第一扩散区，形成于该基板的该表面下且相邻于该第一栅极结构的一第一侧，用W 在该读取周期产生一第一位线电压； 一第二扩散区，形成于该基板的该表面下方且相邻于该第一栅极结构的一第二侧、该 第二栅极结构的一第一侧、该第H栅极结构的一第一侧； 一第H扩散区，形成于该基板的该表面下方，用W在该读取周期接收一选择线电压； 一第四栅极结构，形成于该基板的该表面上，用W在该读取周期接收该字线电压； 一第五栅极结构，形成于该基板的该表面上； 一第六栅极结构，形成于该基板的该表面上； 一第四扩散区，形成于该基板的该表面下且相邻于该第四栅极结构的一第一侧，用W 在该读取周期产生一第二位线电压；W及 一第五扩散区，形成于该基板的该表面下方且相邻于该第四栅极结构的一第二侧、该 第五栅极结构的一第一侧、该第六栅极结构的一第一侧； 一第六扩散区，形成于该基板的该表面下方且接触于该第五扩散区，用W在该读取周 期接收该选择线电压； 其中，该第一位线电压相异于该第二位线电压。
10. 根据权利要求9所述的光罩式只读存储器，其中该第一位线电压小于该第二位线 电压。
11. 根据权利要求9所述的光罩式只读存储器，其中该字线电压与该选择线电压相同 于一电源电压。
12. 根据权利要求9所述的光罩式只读存储器，其中该基板为一 P型阱区的基板，且该 第一扩散区、该第二扩散区、该第H扩散区、该第四扩散区、该第五扩散区与该第六扩散区 皆为化扩散区。
13. 根据权利要求9所述的光罩式只读存储器，其中该第H扩散区与该第六扩散区上 分别形成一接触点连接至一选择线用W在该读取周期时接收该选择线电压。
14. 根据权利要求9所述的光罩式只读存储器，其中该第二栅极结构与该第五栅极结 构上分别形成一接触点连接至一第一读取线用W在该读取周期时接收一读取电压。
15. 根据权利要求14所述的光罩式只读存储器，其中该第H栅极结构与该第六栅极结 构上分别形成一接触点连接至一第二读取线用W在该读取周期时接收该读取电压。
16. 根据权利要求15所述的光罩式只读存储器，其中该读取电压相同于一电源电压。
17. 根据权利要求9所述的光罩式只读存储器，其中该第一栅极结构与该第四栅极结 构上分别形成一接触点连接至一字线用W在该读取周期时接收该字线电压。
【文档编号】G11C16/02GK104347633SQ201410049142
【公开日】2015年2月11日 申请日期:2014年2月12日 优先权日:2013年7月31日
【发明者】吴孟益, 黄志豪, 黄冠铭 申请人:力旺电子股份有限公司