技术特征：
技术总结
本发明提供了一种存储器设备(以及制造和使用所述存储器设备的方法)，所述存储器设备包括导电材料的第一电极、导电材料的第二电极和过渡金属氧化物材料层，所述过渡金属氧化物材料层包括在锐角处彼此相交的第一细长部分和第二细长部分。所述第一细长部分和所述第二细长部分中的每一个设置在所述第一电极和所述第二电极之间并与其电接触。
技术研发人员：F·周;X·刘;N·杜;H·V·陈;H·Q·阮
受保护的技术使用者：硅存储技术公司
技术研发日：2015.11.06
技术公布日：2017.10.20