“捕获及保持”方法此外包含存取已定阈值且通过施加存取偏压160于给多个存储器单元定阈值期间选择的列与行之间保持的多个存储器单元。存取操作可为包含存储元件的非晶-到-结晶转变的SET存取操作、包含存储元件的结晶-到-非晶转变的RESET存取操作或不包含相位转变的READ存取操作。只为了说明目的，SET存取操作是由图8A中的选定行电压-时间(V-T)曲线328来说明。图8E中只举例来说，待存取的多个存储器单元包含T1单元370a及T2单元370b。
[0078]如图8A和8E中所说明，SET存取多个存储器单元370a及370b包含在t = tAccEss处将第一选定行366c及第二选定行366b的电压电平(量值的绝对值)增加到Vrot access。参考图8A，增加电压电平(量值的绝对值)是由选定行电压-时间(V-T)曲线328的上升(量值的绝对值)边沿来表示。在一些实施例中，SET存取多个存储器单元370a及370b此外可包含将第一选定列362b及第二选定列362c的电压电平维持在(Vccil皿)130。替代地，第一选定列362b及第二选定列362c的电压电平可增加到Vcql access(未不出)。
[0079]在一些实施例中，SET存取多个存储器单元370a及370b此外可包含以类似于参考图7E讨论的方式抑制非目标单元。例如，在图8E中，在t = tAccEss处，可通过以下项来抑制多个第一受抑制存储器(A’)单元、多个第二受抑制存储器(B’)单元及多个第三受抑制存储器(C’)单元:提供适当阈值后A’单元偏压于选定列与未选定行之间；提供适当阈值后B’单元偏压于选定行与未选定列之间；及提供适当阈值后C’单元偏压于未选定行与未选定列之间。
[0080]因此，如本文中所描述，迅速恢复定阈值事件立即减小跨目标存储器单元的偏压。此行为在“捕获及保持”方法中可用来通过循序地给多个单元定阈值(“捕获”多个单元)且随后将多个单元保持在基本上小于V?的Vh下(例如，量值介于大约10%与50%之间)的保持条件下并行存取多个单元。接着以低于阈值电压的存取电压同时存取多个保持单元。
[0081]此外如本文中所描述，一旦单元迅速恢复定阈值且“被释放”，“已释放的”存储器单元的Vth可需要一段时间来恢复。此行为在“捕获及释放”方法中可用来通过循序地给多个单元定阈值(即，“捕获”多个单元)且随后以低于第一定阈值事件的恢复周期内或继刷新事件之后的恢复周期内的阈值电压的存取电压并行存取多个单元来并行存取多个单元。
[0082]此外，因为未定阈值单元将其高Vth保持在定阈值目标单元与存取目标单元之间且定阈值单元的存取电压基本上低于未定阈值单元的VTH，所以最小化非故意给未定阈值单元定阈值的机会。在循序地定阈值之后并行存取多个单元的上述途径可尤其有利于SET存取操作，其消耗的时间归因于相变存储器技术的较长存取偏压部分(例如，涉及非晶到结晶转变的RESET存取操作)可长于其它存取操作(例如，数百纳秒到毫秒)。通过给多个单元定阈值(可比完整的存取操作更快(例如，几纳秒到几十纳秒))后面接着同时SET存取多个单元，可实现更高的SET带宽。
[0083]虽然已就某些实施例描述了本发明，但是所属领域一般技术人员所明白的包含没有提供本文中陈述的所有特征及优点的实施例的其它实施例也在本发明的范围内。此外，上文描述的各个实施例可经组合以提供其它实施例。此外，一个实施例的上下文中所示的某些特征也可被并入到其它实施例中。因此，本发明的范围是通过参考随附权利要求书来界定。
【主权项】
1.一种并行存取交叉点阵列中的存储器单元的方法，其包括: 并行存取安置在第一选定列与第一选定行之间的第一存储器单元及安置在不同于所述第一选定列的第二选定列与不同于所述第一选定行的第二选定行之间的第二存储器单元，其中并行存取包含同时施加第一存取偏压于所述第一选定列与所述第一选定行之间及施加第二存取偏压于所述第二选定列与所述第二选定行之间。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括: 在存取所述第一存储器单元之前，通过施加第一阈值偏压于所述第一选定列与所述第一选定行之间给所述第一存储器单元定阈值，及 在存取所述第二存储器单元之前，通过施加第二阈值偏压于所述第二选定列与所述第二选定行之间给所述第二存储器单元定阈值。3.根据权利要求2所述的方法，其中并行存取包含施加量值低于第一及第二阈值偏压的所述第一及第二存取偏压。4.根据权利要求2所述的方法，其中并行存取包含施加量值小于所述第一及第二阈值偏压的大约三分之一的所述第一及第二存取偏压。5.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括在给所述第二存储器单元定阈值之前，通过将跨所述第一存储器单元的偏压减小到保持电压以下及/或将跨所述第一存储器单元的电流减小到保持电流以下而从保持状态释放所述第一存储器单元。6.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括在从所述保持状态释放所述第一存储器单元之后，通过将刷新偏压施加于所述第一存储器单元来刷新所述第一存储器单元。7.根据权利要求2所述的方法，其中给所述第二存储器单元定阈值包含在给所述第一存储器单元定阈值之后的恢复周期内给所述第二存储器单元定阈值。8.根据权利要求6所述的方法，其中给所述第二存储器单元定阈值包含在刷新所述第一存储器单元之后的恢复周期内给所述第二存储器单元定阈值。9.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括在给所述第二存储器单元定阈值之前，通过将跨所述第一存储器单元的偏压保持在保持电压或高于保持电压及/或将跨所述第一存储器单元的电流保持在保持电流或高于保持电流而将所述第一存储器单元保持在定阈值状态中。10.根据权利要求9所述的方法，其中给所述第二存储器单元定阈值包含在将所述第一存储器单元保持在定阈值状态中时给所述第二存储器单元定阈值。11.根据权利要求2所述的方法，其中给所述第一存储器单元定阈值包含通过施加第一抑制偏压于所述第一选定列与多个受抑制行之间来抑制多个第一受抑制存储器单元。12.根据权利要求11所述的方法，其中给所述第一存储器单元定阈值进一步包含通过施加第二抑制偏压于所述第一选定行与多个受抑制列之间来抑制多个第二受抑制存储器单元。13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第二抑制偏压不同于所述第一抑制偏压。14.根据权利要求13所述的方法，其中给所述第一存储器单元定阈值包含通过施加第三抑制偏压于所述受抑制列与所述受抑制行之间来抑制多个第三受抑制存储器单元，其中所述第三抑制偏压不同于所述第一抑制偏压及所述第二抑制偏压。15.根据权利要求14所述的方法，其中给所述第二存储器单元定阈值包含给从所述第三受抑制存储器单元中的一者选择的所述第二存储器单元定阈值。16.根据权利要求1所述的方法，其中并行存取包含施加电压小于所述第一抑制偏压且小于所述第二抑制偏压的所述存取偏压。17.根据权利要求1所述的方法，其中并行存取包含以下各项中的一者:同时SET存取所述第一及第二存储器单元、同时RESET存取所述第一及第二存储器单元及同时READ存取所述第一及第二存储器单元。18.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一及第二存储器单元包括选择器元件及包括硫属化物材料的存储器元件中的至少一者。19.根据权利要求18所述的方法，其中所述第一及第二存储器单元各自包含呈双向阈值开关的形式的所述选择器元件。20.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一存取偏压包含阈值后SET存取偏压、阈值后RESET存取偏压及阈值后READ存取偏压中的一者，且其中所述第二存取偏压包含阈值后SET存取偏压、阈值后RESET存取偏压及阈值后READ存取偏压中的不同一者。21.—种经配置以并行存取交叉点阵列中的存储器单元的存储器装置，其包括: 经配置以并行存取第一存储器单元及第二存储器单元的存储器控制器，所述第一存储器单元安置在第一选定列与第一选定行之间，所述第二存储器单元安置在不同于所述第一选定列的第二选定列与不同于所述第一选定行的第二选定行之间，其中所述存储器控制器经配置以同时施加第一存取偏压于所述第一选定列与所述第一选定行之间且施加第二存取偏压于所述第二选定列与所述第二选定行之间。22.根据权利要求21所述的存储器装置，其中所述存储器控制器经配置以: 在存取所述第一存储器单元之前，通过施加第一阈值偏压于所述第一选定列与所述第一选定行之间给所述第一存储器单元定阈值，及 在存取所述第二存储器单元之前，通过施加第二阈值偏压于所述第二选定列与所述第二选定行之间给所述第二存储器单元定阈值。23.根据权利要求22所述的存储器装置，其中所述存储器控制器经进一步配置以在给包括硫属化物材料的所述第一及第二存储器单元定阈值之后且在所述第一及第二存储器单元处于保持状态下并行存取所述第一及第二存储器单元。24.根据权利要求22所述的存储器装置，其中所述存储器控制器经进一步配置以在包括硫属化物材料的所述第一及第二存储器单元处于阈值后恢复周期中时并行存取所述第一及第二存储器单元。25.根据权利要求22所述的存储器装置，其中所述存储器控制器经进一步配置以通过施加第一抑制偏压于所述第一选定列与多个受抑制行之间来抑制多个第一受抑制存储器单元。26.根据权利要求25所述的存储器装置，其中所述存储器控制器经进一步配置以通过施加第二抑制偏压于所述第一选定行与多个受抑制列之间来抑制多个第二受抑制存储器单元。27.根据权利要求26所述的存储器装置，其中所述存储器控制器经进一步配置以施加不同于所述第一抑制偏压的第二抑制偏压。28.根据权利要求27所述的存储器装置，其中所述存储器控制器经进一步配置以通过施加第三抑制偏压于所述受抑制列与所述受抑制行之间来抑制多个第三受抑制存储器单元，其中所述第三抑制偏压不同于所述第一抑制偏压及所述第二抑制偏压。29.—种同时存取存储器单元的阵列中的多个单元的方法，其包括: 选择多个列； 选择多个行； 同时施加相应存取偏压于每一选定列与每一选定行之间。30.根据权利要求29所述的方法，其中同时施加相应存取偏压包括选择安置在唯一选定列与唯一选定行之间的每一单元，其中所述唯一选定列及行并未用来存取其它选定单J L ο31.根据权利要求30所述的方法，其进一步包括: 通过施加相应阈值偏压于选定列与选定行之间循序地给所述选定单元中的每一者定阈值。32.根据权利要求31所述的方法，其中同时存取所述单元包括当所述选定单元中的每一者处于定阈值状态中时同时存取所述选定单元。33.根据权利要求32所述的方法，其中所述选定单元中的所述每一者在继定阈值之后的恢复周期、刷新事件及保持状态中的一者之后处于所述定阈值状态中。34.根据权利要求31所述的方法，其中循序地定阈值包含通过施加第一抑制偏压于第一选定列与多个受抑制行之间来抑制多个第一受抑制存储器单元。35.根据权利要求34所述的方法，其中循序地定阈值进一步包含通过施加第二抑制偏压于所述第一选定行与多个受抑制列之间来抑制多个第二受抑制存储器单元。36.根据权利要求35所述的方法，其中所述第二抑制偏压不同于所述第一抑制偏压。37.根据权利要求36所述的方法，其中循序地定阈值进一步包含通过施加第三抑制偏压于所述受抑制列与所述受抑制行之间来抑制多个第三受抑制存储器单元，其中所述第三抑制偏压不同于所述第一抑制偏压及所述第二抑制偏压。
【专利摘要】用于并行存取交叉点阵列中的存储器单元的方法及结构包含并行存取安置在第一选定列与第一选定行之间的第一存储器单元及安置在不同于所述第一选定列的第二选定列与不同于所述第一选定行的第二选定行之间的第二存储器单元。并行存取包含同时施加存取偏压于所述第一选定列与所述第一选定行之间及所述第二选定列与所述第二选定行之间。在所述单元处于定阈值状态或所述单元处于阈值后恢复周期中时进行所述并行存取。
【IPC分类】G11C11/21, H01L27/115
【公开号】CN105518789
【申请号】CN201480049464
【发明人】埃尔南·卡斯特罗
【申请人】美光科技公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2014年8月26日
【公告号】EP3044795A1, US9312005, US20150074326, WO2015038328A1