专利名称：晶圆型态扩散型封装结构及其制造方法
技术领域：
本发明涉及半导体封装技术，特别是有关于晶圆型态扩散型封装结构及其制造方法早期的封装技术主要以导线架为主的封装技术，利用周边排列方式的引脚作为讯号的输入及输出。而在高密度输入及输出端的需求之下，导线架的封装目前已不符合所述的需求。目前，在所述的需求之下，封装亦需减少体积，以符合目前的趋势，而高密度I/O的封装也伴随球矩阵排列封装技术(ball grid array；BGA封装)技术的发展而有所突破，因此，IC半导体承载的封装趋向于利用球矩阵排列封装技术(BGA)。其特征为I/O的引脚为球状，BGA构装的特点是，负I/O的引脚为球状，较导线架封装组件的细长引脚距离短，且不易受损变形，其封装组件的电性的传输距离短、速度快，可符合目前及未来数位系统速度的需求。例如，于美国专利U.S.PatentNo.5629835，由Mahulikar等提出一种BGA的结构，发明名称为 “METAL BALL GRID ARRAY PACKAGE WITH IMPROVED THERMALCONDUCTIVITY”。又如美国专利U.S.PatentNo.5239198揭露一种封装形式，此封装包含一组装于印刷电路板上的基板，基板利用FR4材质组成，该基板上具有一导电线路形成于基板的表面。
此外，目前已经有许多不同型态的半导体封装，不论是哪一种型态的封装，绝大部分的封装为先行切割成为个体之后，再进行封装以及测试。而美国专利有揭露一种晶圆型态封装，参阅，US5323051，发明名称为”Semiconductor wafer nevel package”。此专利在切割晶粒之前，先行进行封装，利用玻璃当作一粘合材质，使得组件封于一孔中。一遮盖的穿孔做为电性连结的信道。因此，晶圆型态封装为半导体封装的一种趋势。另外所知的技术将多数晶粒形成于半导体晶圆的表面，玻璃利用粘着物质贴附于晶圆的表面上。然后，设有晶粒的那一面将被研磨，以降低其厚度，通常称做背面研磨(back grinding)。接着，晶圆被蚀刻用以分离IC以及暴露部分的粘着物质。
此外，以往的封装技术领域中，I/O铝垫部分是接于晶粒的表面，由于晶粒面积有限，I/O铝垫在该有限面积下，将限制其铝垫数目。再者，I/O铝垫之间距过小，将会造成讯号间的耦合或讯号间的干扰。
本发明的目的是这样实现的一种晶圆型态扩散型封装结构，其特征是；它包含晶粒配置于绝缘基座之上，晶圆包含多数个铝垫形成于其上；BCB层涂布于该晶粒表面，并具有多数第一开口暴露该多数铝垫；焊锡填充于该第一开口；第一环氧树脂涂布于该晶粒、绝缘基座及BCB层之上；铜导线配置于该第一环氧树脂并与该焊锡连接；第二环氧树脂涂布于该铜导线之上，并具有第二开口暴露部分的该铜导线；锡球配置于该第二环氧树脂之上，并填入该第二开口与该铜导线连接。
还包含铜种子层形成于该第一焊锡之上。所述的铜种子层为钛/铜层。所述的铜种子层为镍/铜层。更包含阻障或粘着层形成于该铝垫之上。该阻障或粘着层包含镍/铝层。该锡球与该铜导线的接口包含镍。更包含一电容配置于该晶粒之侧。更包含另一晶粒配置于该晶粒之侧。
本发明还提供一种晶圆型态扩散型封装结构的制造方法，其特征是它包括如下步骤(1)提供具有多数晶粒形成于其上的晶圆；(2)测试该晶圆上的多数晶粒，并标记合格的晶粒；(3)旋涂BCB绝缘层保护该晶粒；(4)去除部分的该BCB层，形成第一开口，以曝露出该晶粒上的金属铝垫；(5)切割该晶圆以分离该多数晶粒；(6)经筛选通过品质管制后的晶粒，通过吸取与放置的动作重新排列配置粘着于一绝缘底座之上；(7)全面性地填充第一环氧树脂于该绝缘底座、晶粒、BCB及第一开口的铝垫上；(8)蚀刻移除该铝垫上方的该第一环氧树脂，形成第二开口；(9)固化该第一环氧树脂；
(10)溅镀阻障层于该铝垫之上；(11)以网印技术，用焊锡在该阻障层上，并填满该第二开口；(12)形成铜种子层于该焊锡及第一环氧树脂之上；(13)利用一光阻电镀一定面积的铜导线于该焊锡及阻障层之上；(14)形成化镍或化金于该铜导线之上；(15)去除光阻层；(16)全面性地涂布第二环氧树脂于该铜导线之上；(17)固化该第二环氧树脂；(18)去除该铜导线上部分该第二环氧树脂，并形成第三开口；(19)植入焊锡球于该第三开口；(20)切割该绝缘基座，用以分离个别封装单体。
在形成所述铜导线之前，更包含溅镀一铜种子层于该焊锡与该第一环氧树脂上面。该粘着晶粒于该底座的过程，更包含在炉内予以固化该粘着剂。该BCB绝缘层的厚度为5-25μ。蚀刻该第一环氧树脂形成该第二开口的过程，是通过光阻型蚀刻或化学药剂进行。形成所述第二开口之后，更包含以RIE电浆清洗晶粒表面。该阻障层的材料包含镍/铜或化镍层。完成上述网印技术后，包含以红外线回流固化该焊锡。该铜种子层为钛/铜。固化该第二环氧树脂的步骤为利用紫外线照射或加热处理。该植入于该第三开口的的焊锡球采用网印技术或植球技术。更包含电容配置于该晶粒之侧，并排于该玻璃底座上。更包含另一晶粒配置于该晶粒之侧并排于该玻璃底座上，形成多晶粒封装结构，该另一晶粒包含但不限于CPU、DRAM或SRAM组件。该绝缘底座为玻璃、陶瓷或硅晶。
下面结合较佳实施例和附图详细说明。
图2为本发明的晶圆级封装具有电容的晶粒摆置于玻璃底座的示意图。
图3为本发明具有金属垫的晶粒的表面上形成一层BCB保护层的示意图。
图4为本发明去除部分BCB保护层的示意图。
图5为本发明晶粒经过吸附与放置后粘置于底座的示意图。
图6为本发明全面性地填充第一环氧树脂的示意图。
图7为本发明移除铝垫上方的第一环氧树脂的示意图。
图8为本发明用焊锡以网印技术填满该第二开口的示意图。
图9为本发明通过校准、曝光与显影电镀一定面积的铜导线的示意图。
图10为本发明全面性地涂布第二环氧树脂的示意图。
图11为本发明去除铜导线上面的部分第二环氧树脂并形成第三开口的示意图。
图12为植入焊锡球的示意图。
图13为切割晶粒与晶粒间切割线与玻璃基座的示意图。
图14为晶粒上各阻障层的相关位置示意图。
图15为单一晶粒的晶圆型态扩散型封装成型的剖面示意图。
图16为电容植入到玻璃基座上与单一晶粒的晶圆型态扩散型封装的成型剖面示意图。
图17为多晶粒的封装过程中晶圆型态扩散型封装的剖面示意图。
首先参阅图1所示，将经过测试以及切割过的晶圆经过筛选通过品质管制后的晶粒，选取测试合格的晶粒(die)1a，通过吸取与放置装置，将其重新排列配置于一新的玻璃底座1，该底座1可以是玻璃、陶瓷或硅晶，并经由粘着剂将各个晶粒1a粘着于底座1上，该粘着剂厚度大约10μ，固化粘着剂的过程是利用旋涂机进行粘着动作。晶粒1a摆上于玻璃底座1，晶粒1a间的距离加大，其目的是希望在后续封装过程中，具有充足的空间能够容纳扩散型圆锡球阵列。此扩散型封装技术可以提升I/O数目，或是在晶粒1a尺寸缩小情形下，仍保持其理想间距，以防止I/O间的讯号干扰。封装的大小面积取决于后续制程完成后扩散型圆锡球阵列之间的间距大小而定。
在另一实施例中，该玻璃基座1上也可以包含电容1b配置于晶粒1a之侧，以提升滤波效果，如图2所示。
以下所述封装过程是从具有金属垫(metal pad)的单一晶粒开始其封装过程如图3所示，将进行封装的晶圆2正面(或第一表面)具有做为输入输出的金属垫，例如铝垫(I/O pad or aluminum pad)4，该金属垫4是做为内连线用，利用光罩经过校准、曝光与显影过程，将金属垫4形成于晶圆2的上面。
接着，在晶圆2上通过旋转涂布机旋涂一层BCB绝缘层8于晶圆2与铝垫4的上面，以保护晶圆2，BCB 8的厚度大约为5-10μ。
接着，如图4所示，经过光罩校准、曝光与显影过程，去除部分的BCB 8，形成第一开口9，以曝露出下方的金属铝垫4，值得注意的是，此切割道上亦被暴露，且大于其切割道的宽度，以利于切割时不损及BCB。之后，以电镀方式形成化镍或化金11于铝垫4之上。
经过切割，如图5表示，将多数个晶粒2a(此处晶圆业经切割形成晶粒)经由筛选与品质检验合格后，经由具有吸附与放置功能的机械将晶粒2a摆置于玻璃底座6上面，并通过粘着剂7粘着于玻璃底座6上向，接着在炉内予以固化。
接着，如图6所示，全面性地在玻璃底座6、晶粒2a、BCB 8与开口的铝垫4的上面全面性地填充一层第一环氧树脂(EPOXY)10。
接着，如图7所示，经过光阻型蚀刻或化学药剂，移除铝垫4上方的第一环氧树脂10，形成第二开口13，并曝露出下方的铝垫4。接着，在炉内予以固化，此第一环氧树脂10的厚度大约为10-25μ之间(这里的厚度指的是晶粒表面上的厚度)。
接着，接着剂剩余的环氧树脂，以RIE电浆清洁晶粒2a表面。至于上述的剩余的环氧树脂则以10’表示。上述的镍/金或化镍层11做为阻障层或是粘着层的功用。
接着，如图8所示，在镍/铜或化镍层11下方的第二开口13内利用焊锡12以网印技术填满该第二开口13。接着，以红外线回流固化此焊锡12，然后，全面性地溅镀一层钛/铜19于剩余的环氧树脂10与焊锡12的上面，以作为铜种子层。
接着，如图9所示，以光阻(未图示)定义铜导线图案，利用电镀方式形成铜导线于钛/铜19的上面，一端对准第二开口焊锡12的内端(晶粒的内侧边)，而另一端以水平方向朝外扩散(晶粒的内侧边)。明确的讲，也就是说铜导线14的位置，一端是与铝垫4切齐，另一端以水平向方向朝外扩散来牵引导线，其与下层环氧树脂10及焊锡12的接触面积较铝垫4的开口大，其目的主要是用来增加I/O的植球区域面积，接着，在铜导线14上面形成一层化镍层或化金层17，以做为后续焊锡植球的粘着层，再移除光阻。并移除暴露于剩余环氧树脂10’的上面部分钛/铜19。
接着，如图10所示，全面性地涂布一层第二环氧树脂16于铜导线14、镍层17与下层环氧树脂10的上面，并以固化的步骤，利用紫外线照射或加热处理，以硬化上述的第二环氧树脂，防止铜导线14被氧化。
接着，如图11所示，去除铜导线14与镍层17上面的部分第二环氧树脂16，并形成第三开口15，该第三开口15的位置是在铜导线14与镍层17的上面，且尽可能位于铜导线14的外侧(远离铝垫4的一边)，以利于制作扩散型(fan out)I/O结构。
如图12所示，接着在第三开口15处，镍(Ni)层17的上面，通过网印技术或植球技术植入焊锡球18，由图中明显可见，焊锡求18经过一封装过程设计后的位置，并不在金属垫4的正上方，而是水平向侧伸到金属球4的侧边上。
接着，如图13所示，再经过红外线回流烘烤环氧树脂，晶圆中传送至晶圆型态测试装置中进行晶圆型态测试，例如最后测试以及切割过程，并切割晶粒与晶粒间切割线20与玻璃基座6，以分离个别的封装体。
本发明的制程较传统技术简单，在未分割前，以晶圆型态进行测试，且在测试后可以沿着切割道切划成个别的晶粒，以吸取放置装置被置于玻璃基板之上，完成晶圆型态扩散型封装(wafer level fan out packaging)。
如图14所示，为镍/金或化镍层11、钛/铜或镍/金19、镍层17各粘着层与阻障层，在内连线的各个位置示意图。
图15所示，为单一晶粒的晶圆型态扩散型封装成型的剖面示意图，本发明也能将晶粒电容2b纳入封装过程。
图16所示，为电容2b植入到玻璃基座上与单一晶粒的晶圆型态扩散型封装的剖面示意图。
在另一实施例中，本发明也能将多晶粒或多种被动组件整合纳人封装过程，图17所示，即为多晶粒的封装过程中，晶圆型态扩散型封装的剖面示意图，图中2a、2c代表不同的晶粒，此种封装方式可将多晶粒与多种被动组件整合封装，形成系统式封装(ysstem in package)。
本发明的主要特征是基于晶圆型态封装，并使用扩散型(fan out)方式将晶粒表面I/O植球的位置侧向延伸，其优点可以增加I/O植球的数目；可以减少由于接触点距过于接近所造成的讯号干扰问题。
本发明的主要优点如下1、如图1所示，本发明的晶圆型态封装的成本较传统技术低，再通过已测试及切割过的晶圆经过筛选，将通过品质管制后的晶粒，选取好的晶粒，通过吸取与放置的动作重新排列于一新的玻璃底座，可以减少制作成本，完成扩散型封装。
2、由于尺寸缩小原则，晶粒亦随之缩小，而为了使得晶粒间的距离仍然保持理想的距离(以不影响到讯号传递耦合为原则)，在本发明中是以晶圆型态扩散型封装，将I/O线向外扩散，并将连线拉到晶粒外的区域，以增加焊锡圆球的数目及维持理想晶粒间的距离。
3、本发明可以应用到8寸与12寸晶圆的封装过程。
4、本发明可以整合晶粒与电容于同一封装单体。
5、本发明能将多晶粒或多种被动组件整合于同一单体，例如中央处理器、DRAM，SRAM等在封装底座的封装过程。
6、本发明能将环氧树脂中的焊锡当作缓冲区，在后续制程中，减少不同层之间由于材质使用的不同所引发的应力不平衡问题，增加其可靠度。
7、本发明的底座是玻璃，其材质与晶粒底材相同，由于材质中均含有硅材质，两者具有同样的热力膨胀系数(TCE)，不会产生应力不平衡现象。
8、本发明的底座可以使用玻璃、灰石与硅晶，以改善其可靠度。
9、本发明的封装机械都是以现有机械设备进行封装，可以省去额外添购的费用。
10、本发明可以增加焊锡圆球的数目，其中有些焊锡圆球当作样本假输出输人端(dummy ball)，此dummy ball虽无讯号传递的功能，却可供作缓冲区，以减弱不同材质间的应力，减少封装时晶粒龟裂的现象发生。
本发明以较佳实施例说明如上，而熟悉此领域技艺者，在不脱离本发明的精神范围内，所作些许更动润饰，都属于本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种晶圆型态扩散型封装结构，其特征是；它包含晶粒配置于绝缘基座之上，晶圆包含多数个铝垫形成于其上；BCB层涂布于该晶粒表面，并具有多数第一开口暴露该多数铝垫；焊锡填充于该第一开口；第一环氧树脂涂布于该晶粒、绝缘基座及BCB层之上；铜导线配置于该第一环氧树脂并与该焊锡连接；第二环氧树脂涂布于该铜导线之上，并具有第二开口暴露部分的该铜导线；锡球配置于该第二环氧树脂之上，并填入该第二开口与该铜导线连接。
2.根据权利要求1所述的晶圆型态扩散型封装结构，其特征是还包含铜种子层形成于该第一焊锡之上。
3.根据权利要求2所述的晶圆型态扩散型封装结构，其特征是所述的铜种子层为钛/铜层。
4.根据权利要求2所述的晶圆型态扩散型封装结构，其特征是所述的铜种子层为镍/铜层。
5.根据权利要求1所述的晶圆型态扩散型封装结构，其特征是更包含阻障或粘着层形成于该铝垫之上。
6.根据权利要求5所述的晶圆型态扩散型封装结构，其特征是该阻障或粘着层包含镍/铝层。
7.根据权利要求1所述的晶圆型态扩散型封装结构，其特征是该锡球与该铜导线的接口包含镍。
8.根据权利要求1所述的晶圆型态扩散型封装结构，其特征是更包含一电容配置于该晶粒之侧。
9.根据权利要求1所述的晶圆型态扩散型封装结构，其特征是更包含另一晶粒配置于该晶粒之侧。
10.一种权利要求1-9其中之一所述的晶圆型态扩散型封装结构的制造方法，其特征是它包括如下步骤(1)提供具有多数晶粒形成于其上的晶圆；(2)测试该晶圆上的多数晶粒，并标记合格的晶粒；(3)旋涂BCB绝缘层保护该晶粒；(4)去除部分的该BCB层，形成第一开口，以曝露出该晶粒上的金属铝垫；(5)切割该晶圆以分离该多数晶粒；(6)经筛选通过品质管制后的晶粒，通过吸取与放置的动作重新排列配置粘着于一绝缘底座之上；(7)全面性地填充第一环氧树脂于该绝缘底座、晶粒、BCB及第一开口的铝垫上；(8)蚀刻移除该铝垫上方的该第一环氧树脂，形成第二开口；(9)固化该第一环氧树脂；(10)溅镀阻障层于该铝垫之上；(11)以网印技术，用焊锡在该阻障层上，并填满该第二开口；(12)形成铜种子层于该焊锡及第一环氧树脂之上；(13)利用一光阻电镀一定面积的铜导线于该焊锡及阻障层之上；(14)形成化镍或化金于该铜导线之上；(15)去除光阻层；(16)全面性地涂布第二环氧树脂于该铜导线之上；(17)固化该第二环氧树脂；(18)去除该铜导线上部分该第二环氧树脂，并形成第三开口；(19)植入焊锡球于该第三开口；(20)切割该绝缘基座，用以分离个别封装单体。
11.根据权利要求10所述的晶圆型态扩散型封装结构的制造方法，其特征是在形成所述铜导线之前，更包含溅镀一铜种子层于该焊锡与该第一环氧树脂上面。
12.根据权利要求10所述的晶圆型态扩散型封装结构的制造方法，其特征是该粘着晶粒于该底座的过程，更包含在炉内予以固化该粘着剂。
13.根据权利要求10所述的晶圆型态扩散型封装结构的制造方法，其特征是该BCB绝缘层的厚度为5-25μ。
14.根据权利要求10所述的晶圆型态扩散型封装结构的制造方法，其特征是蚀刻该第一环氧树脂形成该第二开口的过程，是通过光阻型蚀刻或化学药剂进行。
15.根据权利要求14所述的晶圆型态扩散型封装结构的制造方法，其特征是形成所述第二开口之后，更包含以RIE电浆清洗晶粒表面。
16.根据权利要求10所述的晶圆型态扩散型封装结构的制造方法，其特征是该阻障层的材料为镍/铜或化镍层。
17.根据权利要求10所述的晶圆型态扩散型封装结构的制造方法，其特征是完成上述网印技术后，以红外线回流固化该焊锡。
18.根据权利要求11所述的晶圆型态扩散型封装结构的制造方法，其特征是该铜种子层为钛/铜。
19.根据权利要求10所述的晶圆型态扩散型封装结构的制造方法，其特征是固化该第二环氧树脂的步骤为利用紫外线照射或加热处理。
20.根据权利要求10所述的晶圆型态扩散型封装结构的制造方法，其特征是该植入于该第三开口的的焊锡球采用网印技术或植球技术。
21.根据权利要求10所述的晶圆型态扩散型封装结构的制造方法，其特征是更包含电容配置于该晶粒之侧，并排于该玻璃底座上。
22.根据权利要求10所述的晶圆型态扩散型封装结构的制造方法，其特征是更包含另一晶粒配置于该晶粒之侧并排于该玻璃底座上，形成多晶粒封装结构，该另一晶粒包含CPU、DRAM或SRAM组件。
23.根据权利要求10所述的晶圆型态扩散型封装结构的制造方法，其特征是该绝缘底座为玻璃。
24.根据权利要求11所述的晶圆型态扩散型封装结构的制造方法，其特征是该绝缘底座为陶瓷。
25.根据权利要求10所述的晶圆型态扩散型封装结构的制造方法，其特征是该绝缘底座为硅晶。
全文摘要
一种晶圆型态扩散型封装结构及其制造方法包含切割晶粒后，经过筛选，将晶粒粘着于玻璃底座上，再将粘于晶粒上的金属垫的I/O接头通过特殊材质与方式，将I/O接头植球的位置，以扩散型方式，将接触点往外扩散到晶粒的边缘甚至晶粒的外围，此种接触点往外扩散，由于有较大的范围来植入I/O植球，可以增水I/O植球的数目，增加更多I/O接触点，减少由于接触点距过于接近所造成的讯号干扰及焊锡接头过于接近时造成的焊锡桥接问题。适用于8寸与12寸晶圆的封装过程，可以包含到晶粒与电容以及多晶粒或多种被动元件。
文档编号H01L23/12GK1431708SQ0210098
公开日2003年7月23日 申请日期2002年1月10日 优先权日2002年1月10日
发明者杨文焜, 杨文彬 申请人:裕沛科技股份有限公司