专利名称：印刷晶体管的制造方法
技术领域：
本发明一般涉及电子材料加工，更具体地涉及用于印刷薄膜晶体管阵列的系统和方法。
背景技术：
许多现代的器件，例如视频和计算机LCD(液晶显示器)显示器，包括薄膜晶体管(TFT)的大阵列。这些TFT阵列通常称为有源矩阵背板，并用于控制显示器中的介质。随着更大的器件的需求增加，TFT阵列尺寸和内连复杂性的相应提高可导致常规的室基(chamber-based)半导体加工技术(即在真空室内进行的加工)不可行。
因此，可替换的TFT的制造方法具有更大的重要性。一种有前途的方法包括使用诸如胶印或喷墨打印的方法印刷晶体管。这种集成电路(IC)印刷技术的使用可以大大降低晶体管制造成本，并提高制造灵有源，因为可以消除与室基加工技术相关的基片材料和环境限制。
因此，需要提供无需在晶体管上形成物理容纳结构的用于印刷高质量晶体管的系统和方法。
发明内容
本发明涉及使用半导体印刷液来产生半导体结构的IC印刷系统和技术。通过将改性剂涂层施加到晶体管的源极/漏极触点和/或沟道区，产生有益于在印刷晶体管中形成相对均匀、连续的有源半导体区的半导体印刷区。
通过将改性剂液施加到表面形成改性剂涂层。改性剂液中的改性剂分子经选择对特别的材料具有亲和力，并可以用于选择性地涂覆晶体管结构。因此可以将触点改性剂涂层只施加到源极/漏极触点，而可以将沟道改性剂涂层施加到触点之间的沟道区。
根据本发明的实施方案，可以选择触点和沟道改性剂使其具有基本相似的表面能。所以，分散到沟道区的部分半导体印刷液将原位沉积，而不是像常规印刷晶体管那样从沟道区铺展开。当半导体印刷液干燥时形成的半导体区提供了确保晶体管适当工作的连续、相对均匀的有源区。
根据本发明的另一个实施方案，可以选择触点改性剂使其具有低于沟道改性剂表面能的表面能。所以，分散到沟道区的部分半导体印刷液将从触点区被拉向沟道区，由此提供一定程度的用于半导体印刷工序的自对齐。
根据本发明不同的其它实施方案，可以将改性剂涂层施加到源极/漏极触点或施加到沟道区。在任何一种情况下，选择改性剂以确保触点和沟道区之间的表面能模式，这保证了由分散到沟道区的半导体印刷液形成适当的有源区。
改性剂的选择特性允许使用低成本的浸渍或喷涂工艺产生改性剂涂层。根据本发明的实施方案，辊加工系统包括在准备印刷半导体有源区时用于将改性剂涂层施加到在柔性基片上印刷的电路的源极/漏极触点和/或沟道区的涂覆模块(系统)。使用(非室基)浸渍或喷涂工序进行涂覆工序的能力使整个IC印刷工序位于连续来自辊的柔性基片上(即连续加工)。
参考下面的说明书、附加的权利要求书和附图，本发明的这些和其它特征、方案和优点将变得更好理解，其中图1A、1B和1C是常规TFT印刷工序中各阶段的横截面图；图2A、2B、2C、2D和2E是根据本发明实施方案的TFT印刷工序中各阶段的横截面图；图2F、2G和2H是根据本发明不同的其它实施方案的印刷TFT的横截面图；图2I是根据本发明实施方案的印刷TFT阵列的横截面图；图3是根据本发明实施方案的印刷TFT的顶视图；图4A、4B、4C、4D、4E、4F和4G是根据本发明另一实施方案的TFT印刷工序中各阶段的横截面图；图5是根据本发明实施方案的IC印刷工序的流程图；以及图6是根据本发明实施方案的IC印刷系统的图。
具体实施例方式
通过调整晶体管元件的表面特性，可以提高印刷半导体元件的质量和准确度，由此降低成本并提高印刷晶体管的性能。例如，图2A、2B、2C、2D和2E示出根据本发明实施方案的晶体管形成工艺的横截面图。
图2A示出了印刷晶体管形成中的中间阶段。在基片210上形成栅极230，并由电介质220覆盖。在电介质220上形成源极触点240和漏极触点250(即触点对)，并限定栅极230上的沟道区201。可以使用包括常规的室基加工技术或IC印刷技术的任何方法形成栅极230、电介质220和触点240与250。类似地，基片210可以包括任何基片材料，包括硅晶片或柔性塑料膜。
如上所述，触点240和250的表面240-S和250-S通常将分别具有与电介质220的表面220-S的表面能不同的表面能。例如，触点240和250通常为金属，例如铝、铜或金(或者甚至有时是掺杂的多晶硅)，分别给出润湿的表面240-S和250-S，而电介质220一般为具有比触点240和250更低表面能的无机氧化物或绝缘聚合物。
参考图1A-1C，跨过TFT源极/漏极触点和沟道区的该典型表面能分布对于随后的半导体印刷工序是远不理想的。根据本发明的各个实施方案，一个或多个改性剂涂层(下面参考图2B和2C更具体地描述)可以用于克服这种不利的表面能模式。
改性剂包含与被涂覆的表面反应的化学部分(成分)。通过使用只与需要覆盖的表面反应的改性剂，可以容易地获得对非均匀表面的选择性覆盖。例如，通过施加与电介质220反应但不与触点240和250反应的改性剂液体(即含有改性剂分子或化合物的液体)(例如，如果电介质220是氧化硅且触点240和250是金属，为烷基三氯硅烷或烷基三甲氧基硅烷)，使用简单的浸渍或喷涂工艺可以仅在电介质220的表面220-S上形成改性剂涂层221。然而注意，可以使用多种不同的技术，包括气相沉积或甚至直接印刷来形成改性剂涂层221。
根据本发明的实施方案，改性剂涂层221可以包括单层分子，有时称为自组装单层(SAM)。通过将所需的改性剂分子(例如烷基三氯硅烷)溶解在溶剂(例如十六烷或甲苯)中，然后将基片210(以及上面的结构)浸渍到溶剂中(例如在浴中或喷涂)可以形成SAM。然后改性剂分子组装到电介质220的露出表面上以形成改性剂涂层221。由于改性剂分子与触点240和250不反应，所以在这些结构上不形成涂层。
类似地，在触点240和250各自的表面240-S和250-S上可以分别形成改性剂涂层241和251，如图2C所示。同样，通过选择与触点240和250的材料反应(例如，如果触点240和250是造币金属，如钯或金，则为有机硫醇)而与改性剂涂层221不反应的改性剂材料，可以选择性地涂覆触点240和250的表面240-S和250-S。以这种方式，产生接收表面202(虚线示出其范围)，随后在其上可沉积半导体印刷液。
注意，由于改性剂涂层221、241和251的选择特性，形成这些涂层的顺序可以变化。例如，根据本发明的另一个实施方案，在电介质220的表面220-S上形成改性剂涂层221之前，可以在触点240和250各自的表面240-S和250-S上分别形成改性剂涂层241和251。也要注意，由于电介质220通常由与触点240和250不同的材料形成，所以改性剂涂层221通常也与改性剂涂层241和251(如果触点240和250由不同的材料形成，它们本身也不同)不同。
根据本发明的实施方案，改性剂涂层241和251可以是单层，由此分别使涂层241和251对触点240和250的电性能的影响最小化。因为单层仅为单个分子的厚度，所以电信号可以通过它们而没有明显的变弱或衰减。
改性剂涂层221、241和251的使用允许将在沟道区201及源极触点240和漏极触点250上的接收表面202的表面特性设定成所需值。具体而言，可以调节接收表面202在每个位置的表面能以提供用于印刷半导体区的所需表面能模式。
例如，根据本发明的实施方案，可以选择改性剂涂层221、241和251以具有基本相同的表面能特性。然后，如图2D所示，沉积到接收表面202上的半导体印刷液260’(例如通过喷墨打印)将主要响应它自己的表面张力而铺展开。注意，为了举例说明的目的，虽然半导体印刷液260’被表示为从触点240延伸到触点250(横跨沟道区201)，但是根据本发明各个其它实施方案，也可以只将半导体印刷液260’沉积到沟道区201或沟道区201及触点240和250之一上的接收表面202上(在干燥加工期间半导体印刷液260’延伸到两个触点240和250)。
半导体印刷液260’可以包括载液中的任何半导体材料，并可以是悬浮液、分散液、溶液或任何其它液态形式。半导体印刷液的例子包括，但不限于，溶解在有机溶剂(例如氯苯)中的半导体聚合物，如聚(3-己基噻吩)、P3HT、或聚[5，5’-二(3-十二烷基-2-噻吩基)-2，2’-并噻吩]、PQT-12。半导体印刷液的另一个例子是无机半导电纳米粒子的分散液或胶体。由于电介质220及触点240和250的不同表面能被改性剂涂层221、241和251“隐藏”，所以印刷液260’不会从沟道区201拖离。
因此，如图2E所示，印刷液260’能够原位沉积(响应任何内部表面张力)并干燥成提供半导体材料连续层的半导体有源区260，其中半导体材料连续层沿沟道区201相对均匀(即在沟道区201上的半导体有源区260至少与触点240和250上的一样厚或比其厚)。这使最终的TFT 200提供可靠的晶体管操作。注意，有源半导体区260还分别在改性剂涂层242和252的部分242和252上铺展，由此分别保证与触点240和250的良好电接触。在一些实施方案中，有源半导体区260可以仅分别与在触点240和250上的改性剂涂层242和252的边缘接触。
根据本发明的另一个实施方案，可以选择在触点240和250上分别形成的改性剂涂层241和251，以便具有比在电介质220上形成的改性剂涂层221更低的表面能。结果，在触点240和250上的接收表面202的部分比在沟道区201中的接收表面202的部分更不可润湿。
所以，在沟道区201及触点240和250上沉积的半导体印刷液260’趋向于主要在沟道区201上沉积并干燥，从而形成良好限定的、相对均匀的用于TFT 200-2的有源区260-2，如图2F所示。注意，以此方式形成的半导体区260-2趋向于分别比在相对均匀的表面能分布上形成的半导体区(图2E中的260)覆盖改性剂涂层241和251的更小的部分242-2和252-2。然而，晶体管200-2一般用很小的有源区界面(242-2和252-2)就工作得很好，因为即使这些小的有源区界面也能提供与触点240和250的必要的电接触，只要跨过沟道区201提供真正的有源半导体区260就行(即提供足够的电荷载体)。如果IC印刷系统的最小液滴尺寸大于所需的沟道长度，那么将半导体印刷液(260’)沉积到沟道区201上的行为会自动产生一些在半导体区260和触点240与250之间的接触。
以这种方式，改性剂涂层221、241和251可以用于为半导体印刷工序提供自对齐能力。注意，虽然在电介质220和触点240与250上形成改性剂涂层在限定表面能模式上提供了最大的灵有源，但是根据本发明不同的其它实施方案，改性剂涂层可以只在触点240和250或只在电介质220上形成。
例如，图2G示出了与图2E所示的TFT 200基本相似的TFT200-3，除了在电介质220上没有形成改性剂涂层。通过选择改性剂涂层241和251，以便与电介质220一样不可润湿，由改性剂涂层241、在沟道区201中电介质220的部分以及改性剂涂层251形成的接收表面提供允许半导体有源区260-1被印刷的表面能模式，260-1提供相对厚的跨过沟道区201的半导体层(原因基本上与对于图2E描述的那些相似)。根据本发明的另一个实施方案，改性剂涂层241和251可以选择成比电介质220更不可润湿，由此产生为参考图2F描述的半导体有源区260-1提供自对齐方案的接收表面。
作为选择，图2H示出与图2E所示的TFT 200基本相似的TFT200-4，除了在触点240和250上没有形成改性剂涂层。通过选择改性剂涂层221，以便与触点240和250一样是可润湿的，由源极240、在沟道区201中改性剂涂层221的部分以及漏极250形成的接收表面提供允许半导体有源区260-2被印刷的表面能模式，260-2提供相对均匀、连续的跨过沟道区201的半导体层(原因基本上与对于图2E描述的那些相似)。根据本发明的另一个实施方案，改性剂涂层221可以选择成比触点240和250更可润湿，由此产生为参考图2F描述的半导体有源区260-1提供自对齐方案的接收表面(注意，当在可润湿的改性剂涂层221上沉积时，需要选择用于形成半导体有源区260-1的材料以提供合适的晶体结构)。
根据本发明的另一个实施方案，具有改性剂涂层的印刷晶体管可以用于形成晶体管阵列。图2I示出了晶体管阵列A200的横截面图(例如，适合于显示器背板的TFT阵列)，该阵列包括每一个与图2E所示的晶体管200基本相似的晶体管200-1、200-2和200-3。注意，根据本发明的晶体管阵列可以包括任何数量和布置的晶体管。还要注意，虽然为了举例说明的目的，晶体管200-1、200-2和200-3被描述为与晶体管200基本相似，但根据本发明不同的其它实施方案，晶体管200-1、200-2和200-3可以包括包含用于形成表面能模式的改性剂涂层的任何晶体管结构(例如在图2F、2G和2H中分别示出的晶体管200-2、200-3和200-4)。
图3是根据本发明实施方案的TFT 300的顶视图的显微照片。TFT300与图2F示出的TFT 200-1基本相似，包括在栅极330上形成的涂覆的电介质层320、在涂覆的电介质层320上形成的涂覆的源极触点340和涂覆的漏极触点350，以及在触点340和350之间的栅极330上形成的半导体有源区360。注意，为了举例说明的目的，图3的显微照片示出了所有的TFT结构，包括实际上被涂覆的电介质层320覆盖的栅极330。
涂覆的电介质层320包括电介质材料和第一改性剂涂层(如对图2B所描述的)，而触点340和350是用第二(不同的)改性剂涂层涂覆的金属触点(如对图2C所描述的)。注意，因为在涂覆电介质层320之前形成触点340和350，所以实际上在涂覆的电介质层320的未涂覆部分上形成涂覆的源极触点340和涂覆的漏极触点350。
将涂覆的源极触点340和涂覆的漏极触点350的改性剂涂层选择为比涂覆的电介质层320的改性剂涂层更加不可润湿。所以，沉积在栅极330和触点340与350上的半导体印刷液的液滴将趋向于向触点340和350之间的沟道区流动(因为对图2F描述的原因)，由此使半导体有源区360与栅极330对齐。
注意，虽然出于举例说明的目的，在图2A-2H中描述了具体的TFT结构，但是使用改性剂调整IC印刷工序的表面能模式可以应用到任何晶体管结构，其中对印刷半导体元件的控制是重要的。例如，图4A、4B、4C、4D、4E、4F和4G描述了根据本发明另一实施方案的晶体管形成工艺的横截面图。
图4A示出在基片410上形成源极触点440和漏极触点450的横截面，源极触点440和漏极触点450限定了沟道区401。在图4B中，在基片410的表面410-S上形成改性剂涂层411。改性剂涂层411选择为只与基片410反应，使得触点440和450的表面440-S和450-S分别保持未涂覆。
根据本发明的实施方案，将改性剂涂层411选择为对半导体印刷液是相对不可润湿的(在图4D中示出)，以便确保高质量印刷半导体的形成。
接下来，在图4C中，在触点440和450各自的表面440-S和450-S上分别形成改性剂涂层441和451。将改性剂涂层441和451(可使用相同的改性剂液形成)选择为只与触点440和450反应，因此可以使用浸渍或喷涂工艺施加。正如对图2B和2C所描述的，改性剂涂层411、441和451的选择特性允许以任何顺序形成这些涂层。还要注意，根据本发明的实施方案，改性剂涂层441和451可以包括SAM以使改性剂涂层441和451的电影响最小化。以这种方式，产生接收表面402(其范围用虚线表示)，接下来在其上沉积半导体印刷液。
根据本发明不同的实施方案，也可以选择改性剂涂层411、441和451以便具有基本相似的表面能，或者可以这样选择，即改性剂涂层411具有比涂层441和451更大的表面能(即改性剂涂层441和451比改性剂涂层411更加不可润湿)。因此，如图4D所示，在接收表面402上沉积的半导体印刷液460’将要么原位沉积(均匀的表面能模式)，要么基本上被拉到沟道区401中(改性剂涂层441和451比改性剂涂层411更加不可润湿)。在任何一种情况下，在沟道区401上形成相对厚的有源半导体区460，如图4E所示。
然后，在图4F中，在图4E所示的结构上形成电介质420。最后，在沟道区401上面的电介质420上形成栅极触点430，以完成TFT400，如图4G所示。以这种方式，可以使用半导体印刷液制造高质量的晶体管。注意，根据本发明的实施方案，可以使用IC印刷技术形成全部源极触点440、漏极触点450和栅极触点430，由此允许在没有任何室基的加工步骤的情况下制造TFT 400。
图5示出根据本发明实施方案对图2A-2H和4A-4G所描述的晶体管形成工艺的流程图。如果形成类似于在图2E中示出的晶体管TFT200，在任选的“栅极/电介质形成”方框510中，在基片(210)上面的栅极触点(230)上形成电介质层(220)。然后在“产生源极/漏极触点”的方框520中，在电介质层上形成源极触点(240)和漏极触点(250)，以限定在栅极触点上的沟道区(201)。根据本发明的实施方案，可以使用IC印刷技术形成源极、漏极和栅极触点。
作为选择，如果形成类似于在图4G中所示的TFT 400的晶体管，则不执行任选的方框510，并且在方框520中，在基片(410)上形成源极触点(440)和漏极触点(450)，以限定沟道区(401)。同样，根据本发明的实施方案，可以使用IC印刷技术形成源极和漏极触点。
在任何一种情况下(即执行或不执行方框510)，在方框520中的触点形成之后，用选择的改性剂涂覆沟道区和/或触点，以便为接下来的半导体印刷液沉积提供所需的表面能模式。根据本发明的实施方案，在“沟道区处理”方框530中，将第一改性剂涂层(221或411)施加到沟道区(和电介质或基片的其它露出部分)，并且在“源极/漏极处理”方框540中，将第二改性剂涂层(241/251或441/451)施加到源极和漏极触点。
如上所述，因为改性剂涂层的选择特性，可以以任何顺序(如果选择具有合适的反应能力的改性剂，或者甚至可以同时)执行方框530和540。根据本发明的实施方案，在方框540中，在源极和漏极触点上形成的改性剂涂层可以是单层，以使改性剂涂层对电连接的影响最小化。选择沟道区和源极/漏极触点的改性剂涂层以提供表面能模式，其有益于形成适当的有源区，如上面对图2C-2F和图4C-4E所描述的。因此，在“有源区印刷”方框550中，当在沟道区上沉积半导体印刷液(260’或460’)时，该液不从沟道区拖离并可以干燥，以便在沟道区提供相对厚的、连续的半导体结构(260或460)。
到此处为止，将基本上完成产生类似于图2E中所示的TFT 200的晶体管的工艺。然而，如果形成类似于图4G中所示的TFT 400的晶体管，则执行任选的“电介质/栅极形成”方框560，以便用电介质层覆盖有源半导体结构，并在沟道区上形成栅极触点(430)。
注意，根据本发明的另一个实施方案，可以跳过方框530或方框540，由此只有源极/漏极触点或在其上形成源极/漏极触点的层(例如电介质层或基片)接收改性剂涂层(如对图2G和2H所描述的)。还要注意，因为在图5的流程图中没有方框需要室基加工，所以流程图的方法可以用在连续辊型加工系统。
例如，图6示出根据本发明实施方案的连续辊加工系统600的示意图。系统600包括在其上缠绕一卷柔性基片620的卷轴610、预涂模块630、涂覆模块640、涂后模块650、分隔器660和传送系统670。柔性基片的例子包括但不限于薄玻璃板、聚酯薄膜、聚酰亚胺或聚萘二甲酸乙二酯(PEN)。
在系统600工作期间，柔性基片620从卷轴610展开到预涂模块630，其中在柔性基片620上产生触点对(即源极/漏极触点)和任何下面的晶体管结构。例如，如图2A所示，可以在源极/漏极触点(240和250)下面形成栅极触点(230)和电介质层(220)。作为选择，如图4A所示，可以直接在柔性基片620上形成源极/漏极触点(440和450)。注意，预涂模块630(以及涂覆模块640和涂后模块650)可以包括任何数量的子模块以执行所需的系列加工工序。
柔性基片620继续进入涂覆模块640，在此施加一个或多个改性剂涂层。根据本发明的实施方案，涂覆模块640可以包括两个用于将不同改性剂涂层施加到源极/漏极触点和施加到在其上形成源极/漏极触点的层(例如电介质层或基片)的子模块641和642，如对图2B-2C和图4B-4C所描述的。根据本发明的另一个实施方案，涂覆模块640可以将改性剂涂层施加到源极/漏极触点或下面的层，如对图2G和2H所描述的。
如上所述，改性剂涂层的选择特性允许涂覆模块640用作浸渍或喷涂装置，其非常适合于在连续辊加工系统600中使用。例如，如涂覆子模块641的剖面图中所示，可以将改性剂液641-M简单地喷涂在基片620上，以在与改性剂液641-M反应的柔性基片620上的结构上形成改性剂涂层。根据本发明的实施方案，涂覆模块640可以在柔性基片620上的所需结构上产生SAM。
一旦形成改性剂涂层，柔性基片620经过涂后模块650，在此处印刷半导体区，如对图2D-2E或图4D-4E所描述的。也通过涂后模块650形成任何其它所需的晶体管或互连元件(例如对图4F和图4G所描述的电介质420和栅极触点430)，以便在柔性基片620上形成完整的印刷IC。
任何柔性基片620随后进入分隔器660，它将柔性基片620切成分开的柔性电路680，然后可以通过传送系统670传送到检验、包装、和/或任何其它目的地。柔性电路680可以包括任何类型的可以使用参考图5描述的IC印刷技术制造的电路。例如，根据本发明的实施方案，柔性电路680可以包括形成显示器的大TFT阵列。该显示器可以像电子报纸或杂志一样由(非室基)连续辊加工相对便宜地制造。
权利要求
1.第一晶体管，包括在底层形成的源极触点；在底层形成的漏极触点，源极触点和漏极触点限定其间的沟道区；在源极触点上的第一改性剂涂层、在漏极触点上的第二改性剂涂层和覆盖沟道区中底层的第三改性剂涂层中的至少一个；以及在沟道区上延伸并与源极触点和漏极触点电接触的半导体区，其中半导体区与通过第一改性剂涂层与源极触点之一、第二改性剂涂层与漏极触点之一、第三改性剂涂层与底层之一形成的接收表面接触，以及其中选择第一改性剂涂层、第二改性剂涂层和第三改性剂涂层中的至少一个，使得在沟道区中的接收表面的第一部分的表面能分别大于或基本上等于接收表面分别在源极触点和漏极触点上的第二部分和第三部分的表面能。
2.一种制造晶体管的方法，该方法包括在底层上形成触点对，触点对包括限定其间的沟道区的源极触点和漏极触点；通过形成在沟过区中的底层上的第一改性剂涂层和在触点对上的第二改性剂涂层中的至少一个来产生接收表面；将半导体印刷液沉积到接收表面上，该接收表面通过第一改性剂涂层与底层之一以及第二改性剂涂层与触点对之一形成，其中选择第一改性剂涂层和第二改性剂涂层的至少一个，使得该接收表面具有预定的表面能分布；以及使半导体印刷液干燥，以形成在沟道区、部分源极触点和部分漏极触点上延伸的半导体区。
3.一种产生晶体管阵列的方法，该方法包括在底层上形成多个触点对，多个触点对的每一个包括限定其间的沟道区的源极触点和漏极触点；形成在多个触点对的每一个的沟道区中的底层上的第一改性剂涂层和在多个触点对的每一个上的第二改性剂涂层的至少一个，以在多个触点对的每一个产生接收表面，该接收表面包括第二改性剂涂层和触点对中的一个以及第一改性剂涂层和沟道区的底层中的一个，选择第一改性剂涂层和第二改性剂涂层以便产生横跨接收表面的预定的表面能分布；将半导体印刷液沉积到多个触点对的每一个的接收表面上；以及使半导体印刷液干燥，以形成多个半导体区，多个半导体区的每一个与多个触点对的一个电接触并在由多个触点对的一个限定的沟道区上延伸。
4.一种用于产生集成电路的系统，该系统包括用于储存并供给通过系统的柔性基片的卷轴；用于在柔性基片上产生多个触点对的第一模块，多个触点对的每一个包括限定其间的沟道区的源极触点和漏极触点；用于执行产生第一改性剂涂层和产生第二改性剂涂层中至少一个的第一涂覆模块，其中第一改性剂涂层在多个触点对的每一个上具有第一预定表面能，第二改性剂涂层在由多个触点对的每一个限定的沟道区中的底层上具有第二预定表面能；用于在多个触点对的每一个的接收表面上沉积半导体印刷液以产生在多个触点对的每一个的沟道区上延伸的半导体区的第二模块，每个接收表面包括第一改性剂涂层和第二改性剂涂层中的至少一个。
全文摘要
通过将改性剂涂层施加到源极和漏极触点和/或在这些触点之间的沟道区而形成晶体管。选择改性剂涂层以调整源极/漏极/沟道区中的表面能模式，使得半导体印刷液不从沟道区拖离。例如，可以选择用于触点的改性剂涂层使其具有和用于沟道区的改性剂涂层基本相同的表面能。由此沉积在沟道区的半导体印刷液原位沉积(由于缺少表面能差)并在触点之间形成相对厚的有源半导体区。作为选择，可以选择改性剂涂层使其具有比沟道区中的改性剂涂层更低的表面能，这实际上使半导体印刷液被拖至沟道区。
文档编号H01L21/208GK1707811SQ20051007615
公开日2005年12月14日 申请日期2005年6月7日 优先权日2004年6月8日
发明者M·L·查比尼克, A·C·阿里亚斯 申请人:帕洛阿尔托研究中心公司