专利名称：半导体装置的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体装置的制造方法。
背景技术：
近年来，在移动电话机、笔记本型个人计算机、PDA(Personal dataassistance)等电子机器中，置载了LSI等集成电路，实现了电子机器的小型化、高性能化等。该LSI等集成电路，通过在半导体基板上集成以及层积场效应晶体管(MOSFET)、电容器、电阻等构成。
但是，由于近年来的电子机器的小型化等，要求器件自身的小型化，MOSFET中，栅极氧化膜的薄膜化等的必要性增高。这种情况下，可以预想，由于栅极氧化膜的薄膜化，产生以栅电极为掩膜的杂质掺杂以及栅电极加工时的等离子损害、向沟道区域以及源极·漏极区域的离子注入等，处理中的栅极氧化膜的可靠性恶化(TDDB恶化、泄漏电流的增大、耐压的恶化)问题。
作为解决该问题的方法之一，例如特开2004-241751号公报中，提出了使用虚设栅极图案的MOSFET的形成方法。下面对该虚设栅极图案的形成方法进行简单说明。首先，在硅基板的表面形成薄薄的硅氧化膜作为虚设绝缘膜。接下来，在该虚设绝缘膜上形成虚设栅极图案用多晶硅膜。接下来，通过光刻处理、蚀刻处理将多晶硅膜加工成虚设栅极图案的形状。接下来，将虚设栅极图案作为掩膜，经虚设绝缘膜向硅基板注入离子，形成沟道区域以及源极·漏极区域。接下来，去除虚设栅极图案以及焊盘氧化膜，形成沟部。之后，在该沟部中，埋入形成栅极绝缘膜以及栅电极。
该方法中，在将虚设栅极图案作为掩膜注入离子之后，去除虚设栅极图案以及虚设绝缘膜，之后，形成新的栅极绝缘膜以及栅电极。通过这样，对于新形成的栅极绝缘膜以及栅电极来说，能够避免栅电极加工时的等离子损害，以及向沟道区域以及源极·漏极区域注入离子时的损害等，对栅极绝缘膜的损害。
但是，上述方法中，为了形成虚设栅极图案，经过了虚设栅极图案氧化膜形成→多晶硅成膜→多晶硅膜构图→蚀刻处理→虚设栅极图案形成这些多个工序。另外，用作上述虚设栅极图案的材料的多晶硅，一般价格较高。另外，为了将该多晶硅构图为给定形状，需要高温处理，从而需要较高的能量。
另外，虚设栅极图案，尽管需要如此多的工序、高造价、高能量，但在上述专利文献1中，形成在硅基板上的虚设绝缘膜以及虚设栅极图案，还是在离子注入后，被从基板上去除。
因此，在像这种最终要被去除的图案的情况下，急需要有一种能够低造价形成，另外在低造价形成的情况下，也具有对离子注入工序的高温等条件的耐性的虚设栅极图案的形成方法。
发明内容
本发明为了解决上述以前的问题，目的在于提供一种在虚设栅极图案的形成工序中，造价较低，且简化虚设栅极图案形成工序的半导体装置的制造方法。
本发明为解决上述问题，特征在于具有在基板上形成掩膜材料的掩膜材料形成工序；将上述掩膜材料构图为给定的图案，在上述掩膜材料中形成凹部的凹部形成工序；在上述凹部中配置功能液的配置工序；将配置在上述凹部中的上述功能液干燥的干燥工序；通过上述干燥工序所形成的功能膜的缓冷(烧制)工序；以及将上述掩膜材料去除，形成由上述功能液的构成材料所形成的虚设栅极图案的图案形成工序。
以前的虚设栅极图案形成方法，经过了虚设栅极图案氧化膜形成→多晶硅成膜→保护层构图→蚀刻处理→保护层去除→虚设栅极图案形成这些多个工序才形成。
本发明中，通过与以前的虚设栅极图案形成工序完全不同的新形成工序来形成虚设栅极图案。具体的说，通过虚设栅极氧化膜形成→掩膜材料构图→功能液涂布→功能液干燥→功能膜烧制→掩膜材料去除这些工序，形成虚设栅极图案。与以前的方法相比，本发明中，对掩膜材料进行构图从而形成凹部，在该凹部中直接配置功能液，形成虚设栅极图案。因此，不需要像以前那样，在形成虚设栅极图案时，成膜多晶硅。同时，还能够削减用来将多晶硅构图成给定的形状的蚀刻处理工序。因此，以前对于在离子注入后被去除的虚设栅极图案，需要制造费用、制造时间，但通过采用本发明，由于使用比一般的多晶硅更低价的材料，因此能够降低造价。另外，能够通过与以前一样的加工精度形成给定形状的虚设栅极图案。另外，还能够实现制造工序的简化以及相应制造装置种类的减少，从而能够实现包括设备的工厂设计的简化。
另外，本说明书中，功能液是具有给定功能的液体的总称，相关功能有电气·电子功能(导电性、绝缘性、压电性、热电性、介电性)、光学功能(光选择吸收、反射性、偏光性、光选择透过性、非线性光学性、荧光或磷光等发光、光色性等)、磁功能(硬磁性、软磁性、非磁性、导磁性等)、化学功能(吸附性、脱附性、触媒性、吸水性、离子传导性、氧化还原性、电化学特性、电致彩色发光性等)、机械功能(耐磨性)、热功能(传热性、隔热性、红外线放射性等)、生物功能(生物体适合性、抗血栓性等)等各种功能。
另外，本发明的半导体装置的制造方法，可以让上述功能液含有具有硅氧烷键的化合物或聚硅氨烷。
通过该构成，由于使用含有具有硅氧烷键的化合物或聚硅氨烷的功能液，因此通过对功能液实施热处理等，能够形成作为虚设栅极图案的硅氧化膜。另外，在将一般的虚设栅极图案作为掩膜在基板中注入了离子之后，为了让离子向基板的给定区域(给定深度方向、宽度方向)扩散，而对基板实施热处理。此时的温度例如是1000℃左右，是高温状态下的处理。本发明中，使用添加了具有硅氧烷键的化合物或聚硅氨烷的功能液。因此，该功能液对上述高温的热处理也具有耐性。所以，具有对用于离子扩散的热处理的耐性，能够良好地进行离子注入。
另外，本发明的半导体装置的制造方法，优选至少对上述掩膜材料的上面实施疏液处理。
在形成在掩膜材料中的凹部中配置功能液时，在功能液残留在掩膜材料上的情况下，在之后的掩膜材料去除阶段，由于功能液的残渣，有时候无法去除掩膜材料。通过本发明，由于在掩膜材料上实施了疏液处理，因此掩膜材料上不会残留功能液，能够在掩膜材料的凹部配置功能液，从而能够避免成品率的降低。
另外，本发明的半导体装置的制造方法，可以具有在上述图案形成工序后，在上述基板上形成上述绝缘层，将上述虚设栅极图案覆盖起来的绝缘层形成工序；将上述绝缘层的一部分去除，露出上述虚设栅极图案，将上述绝缘层以及上述虚设栅极图案上面平坦化的平坦化工序；通过蚀刻处理去除被上述绝缘层所包围的上述虚设栅极图案，在上述绝缘层中形成凹部的凹部形成工序；以及在上述凹部的内部经栅极绝缘膜形成栅电极的工序；上述虚设栅极图案的蚀刻速度，优选比上述绝缘层的蚀刻速度快。
例如在通过damascene gate法、置换法，将虚设栅极图案部分去除，形成凹部，并形成栅电极以及布线等的情况下，由于虚设栅极图案的蚀刻速度，比绝缘层的蚀刻速度快，因此能够有选择地只将虚设栅极图案去除。这样，通过在绝缘层中形成用于形成栅电极的凹部，在该凹部中设置金属等，便能够形成栅电极。
另外，本发明的半导体装置的制造方法，可以让上述绝缘层由添加了碳的硅氧化物构成，上述虚设栅极图案由硅氧化物构成。
根据该构成，绝缘层由添加了碳的硅氧化物构成。添加了碳的硅氧化物具有疏液性，抵抗蚀刻处理时的蚀刻液，因此具有对蚀刻液的耐性。通过这样，蚀刻选择比(硅氧化物/添加了碳的硅氧化物)增大，因此可以通过蚀刻处理有选择地只将硅氧化物去除。
图1(a)～(d)为表示虚设栅极图案的形成工序的剖面图。
图2(a)～(e)为表示场效应晶体管的形成工序的剖面图。
具体实施例方式
下面对照附图对本发明的实施方式进行说明。
本实施方式中，对照附图对制造具有LDD构造的MOSFET的工序进行说明。以下，首先对在硅基板中注入给定浓度的杂质时，用作掩膜的虚设栅极图案的形成工序进行详细说明。另外，以下的说明中所使用的各个附图中，采用了能够识别各个部件的大小，因此适当变更了各个部件的比例尺。
(虚设栅极图案的形成方法)图1(a)～(d)为表示本实施方式的虚设栅极图案形成工序的剖面图。
首先，如图1(a)所示，形成将相邻的器件间电绝缘的器件分离膜12。具体的说，通过反应性离子蚀刻(RIE)法等，在硅基板10上形成较浅的沟部。之后，在该沟部中埋入绝缘膜，形成所谓的STI(Shallow TrenchIsolation)构造的器件分离膜12。
接下来，如图1(a)所示，通过CVD法，在硅基板10的全表面上形成给定膜厚的第1硅氧化膜14。
接下来，如图1(a)所示，在保护层涂布工序中，在第1硅氧化膜14的全面上涂布保护层16(掩膜材料)。之后，在凹部形成工序中，使用在对应于虚设栅极图案的区域中具有开口部的光掩膜，对掩膜16实施曝光处理，转印给定的图案。另外，本实施方式中，使用正片型抗蚀剂，但也可以使用负片型抗蚀剂。接下来，根据该曝光图案进行显影处理。这样，如图1(a)所示，形成对应于后述的虚设栅极图案的沟部H1。另外，该虚设栅极图案是作为栅电极的代替物所形成的，将该虚设栅极图案作为掩膜进行离子注入，因此最好将该虚设栅极图案形成为与后述的栅电极的栅极宽度、栅极长度相等。另外，上述凹部形成工序中，有时候在沟部H1内部，特别是硅基板10露出来的底面中，残留有保护层16的残渣。这种情况下，最好对沟部H1的底面进行大气压等离子处理，对保护层16进行灰化处理。
接下来，如图1(b)所示，在疏液处理工序中，对包括沟部H1的保护层16全面进行疏液处理。具体的说，对涂布在硅基板10的全面的包括沟部H1的保护层16的表面，实施采用CF4、SF5、CHF3等含氟气体作为处理气体的等离子处理。通过该等离子处理，在包括沟部H1的保护层16的表面上，如图1(b)所示形成疏液膜18。另外，本实施方式中，对基板表面进行疏液处理，形成疏液膜18，但也可代替保护层16，使用预先具有疏液性的围堰材料，只对保护层16的表面实施疏液处理。另外，对上述保护层16实施疏液处理的方法，也可采用微接触印刷法。另外，上述处理气体并不仅限于四氟代甲烷(四氟化碳)，还可使用其他碳氟化合物类的气体。
另外，疏液处理例如使用氟烷基硅烷(FAS)，通过这样，能够形成各个化合物所取向的自组织化膜，使得氟烷基位于保护层16的表面。这种情况下，也让保护层16的表面具有均匀的疏液性。
这里，作为形成自组织化膜的化合物，可以例示出十七氟-1，1，2，2四氢癸基三乙氧基硅烷、十七氟-1，1，2，2四氢癸基三甲氧基硅烷、十七氟-1，1，2，2四氢癸基三氯甲硅烷、十三氟-1，1，2，2四氢辛基三乙氧基硅烷、十三氟-1，1，2，2四氢辛基三甲氧基硅烷、十三氟-1，1，2，2四氢辛基三氯甲硅烷、三氟丙基三甲氧基硅烷等氟烷基硅烷(以下称作“FAS”)。这些化合物既可以单独使用，也可以将2种以上组合起来使用。由有机分子膜等构成的自组织化膜，通过将上述原料化合物与基板装在同一个密闭容器中，在室温下放置2～3日左右，而形成在基板上。这是由气相的形成法，由液相也可以形成自组织化膜。
例如，通过将基板浸渍在含有原料化合物的溶液中，并进行清洗、干燥，在基板上形成自组织化膜。
接下来，如图1(c)所示，在功能液配置工序中，在图1(b)中所示的沟部H1中配置功能液。下面首先对本实施方式中配置在沟部H1中的功能液进行详细说明。
本实施方式中所使用的功能液，例如可以采用在有机溶剂中利用以硅氧烷键为基本构造的聚合体来分散无机材料所得到的液体。这种情况下，使功能液分散的有机溶剂，最好使用醇等。
另外，作为其他功能液，最好使用在有机溶剂中分散有聚硅氨烷(具有Si-N键的高分子的总称)的液体。聚硅氨烷之一是[SiH2NH]n(n为正的整数)，称作聚全氢化硅氨烷。另外，如果将[SiH2NH]n中的H替换为烷基(例如甲基、乙基等)，便成为有机聚硅氨烷，有时与无机聚硅氨烷相区别。本实施方式中，最好使用无机聚硅氨烷。这种情况下，最好使用二甲苯等作为使功能液分散的有机溶剂。通过让功能液含有聚硅氨烷，能够在后述的缓冷(烧制)工序中具有耐热性。
另外，功能液还可以使用硅氧化膜的前驱体，或将硅氧化膜微粒分散在有机溶剂中所得到的液体。
之后，将上述功能液，例如通过旋涂法涂布在形成在保护层16上的沟部H1中。此时，对保护层16的上面实施了疏液处理。因此，涂布在保护层16上面的功能液被排斥，并且还被作用了离心力，因此功能液不会残留在保护层16上面。另外，沟部H1中，与保护层16的上面一样，也被实施了疏液处理，但涂布在沟部H1中的功能液，由于沟部H1的侧面变成屏障，因此不会从沟部H1中漏到外部。这样，便能够只在形成在保护层16上的沟部H1中残留功能液。另外，作为将功能液设置在沟部H1中的方法，除了旋涂法之外，还可以采用缝涂法、浸涂法、喷涂法、印刷法、喷墨法等各种方法。
接下来，如图1(c)所示，在干燥工序中，将设置在沟部H1中的功能液干燥。具体的说，例如使用加热器等加热装置，去除功能液中的有机溶剂。通过这样，如图1(c)所示，在沟部H1中形成由硅氧化膜所构成的绝缘膜(后述的虚设栅极图案)。另外，保护层16由于具有对100℃～200℃温度的耐性，因此不会发生在干燥工序中保护层16被溶解的问题。
接下来，如图1(c)所示，在缓冷(烧制)工序中，对通过将功能液中的有机溶剂去除所得到的绝缘膜(后述的虚设栅极图案)进行缓冷处理。具体的说，例如将处理温度设置在350℃～450℃的范围内，在氧气、氮气或H2O气氛的大气压下，对上述绝缘膜实施给定时间的热处理。
接下来，如图1(d)所示，去除硅基板10上的保护层16。具体的说，使用HF等蚀刻液，通过光线蚀刻将涂布在n-MOS区域中的保护层16去除。另外，通过实施大气压等离子处理，还能够将残渣保护层16灰化。
通过这样，如图1(d)所示，在硅基板10上的形成后述的栅电极的区域中，形成由硅氧化膜(绝缘膜)所构成的虚设栅极图案20。
本实施方式中，通过与以前的虚设栅极图案形成处理完全不同的新形成工序形成虚设栅极图案20。具体的说，通过虚设栅极氧化膜14形成→保护层16构图→功能液涂布→功能液干燥→功能膜烧制→保护层16去除这些工序，形成虚设栅极图案20。因此，不需要像以前那样，在形成虚设栅极图案20时，使用多晶硅。同时，还能够削减用来将多晶硅构图成给定的形状的蚀刻处理工序。因此，以前对于在离子注入后被去除的虚设栅极图案20，需要制造费用、制造时间，但通过采用本发明，由于使用比一般的多晶硅更低价的材料，因此能够降低造价。另外，能够通过与以前一样的加工精度形成给定形状的虚设栅极图案。另外，还能够实现制造工序的简化以及相应制造装置种类的减少，从而能够实现包括设备的工厂设计的简化。
(MOSFET形成方法)接下来，对照图2(a)～(e)，对使用上述虚设栅极图案形成具有LDD构造的MOSFET的方法进行说明。另外，给与上述图1中所示的虚设栅极图案形成工序相同的构成要素，标注相同的符号，省略其详细说明。
首先，如图2(a)所示，为了形成LDD(Lightly Doped Drain)构造，将虚设栅极图案20作为掩膜，注入低浓度的杂质离子(例如磷)，在n型硅基板10上形成n-型扩散区域。
接下来，在n型硅基板10上的全面中堆积硅氮化膜(Si3N4)或硅氧化膜，将虚设栅极图案20覆盖起来。接下来，通过RIE(Reactive Ion Etching)法进行蚀刻处理。通过该蚀刻处理，在虚设栅极图案20的侧壁部残留硅氮化膜(Si3N4膜)或硅氧化膜，形成如图2(a)所示的锥形侧壁绝缘膜30。
接下来，将虚设栅极图案20以及侧壁绝缘膜30作为掩膜，注入高浓度的杂质离子(例如砷(As+))，形成n+型扩散区域34。之后，在侧壁绝缘膜30的正下方，形成作为低浓度杂质区域的n-型扩散区域36。通过这样，形成所谓的LDD构造。另外，这里采用了LDD构造，但也可以形成只有n-型扩散区域或只有n+型扩散区域的所谓单源极·漏极构造。另外，还优选通过实施热处理，来调整杂质的扩散区域的深度。
接下来，通过CVD法，在n型硅基板10的全面上，堆积添加了碳的硅氧化膜(SiOC)，将虚设栅极图案20覆盖起来。之后，通过CMP(ChemicalMechanical Polishing)对所堆积的添加了碳的硅氧化膜全面进行研磨，直到虚设栅极图案20露出来，让添加了碳的硅氧化膜上面平坦化。通过这样，如图2(b)所示，沿着虚设栅极图案20的侧壁周边，形成由添加了氮的硅氧化膜所构成的第1层间绝缘膜32(绝缘层)。
接下来，如图2(c)所示，通过湿蚀刻处理，将所形成的被第1层间绝缘膜32包围的虚设栅极图案20选择性去除，形成沟部H2。
这里，对本实施方式的湿蚀刻处理工序进行详细说明。
首先，使用稀氟酸作为蚀刻液。该稀氟酸是用水稀释50％浓度的氟酸所得到的，氟酸与水的比率是1∶99。
本实施方式中，通过添加了碳的硅氧化膜形成第1层间绝缘膜32，通过硅氧化膜形成虚设栅极图案20。所以，通过添加了碳的硅氧化膜所形成的第1层间绝缘膜32，具有疏液性，排斥蚀刻液，因此具有对上述稀氟酸所构成的蚀刻液的耐性。所以，在图2(b)所示的工序中，在使用上述蚀刻液进行了湿蚀刻处理的情况下，由于(硅氧化膜/添加了碳的硅氧化膜)的选择比增大，因此可以只选择虚设栅极图案20来进行蚀刻。这样，如图2(c)所示，去除虚设栅极图案20，在第1层间绝缘膜32中形成栅电极用沟部H2。
接下来，如图2(d)所示，在包括沟部H2的第1层间绝缘膜32的全面上，通过CVD法，成膜硅氧化膜、高电介质膜(例如Ta2O5膜)。接下来，通过光刻处理将硅氧化膜等构图为给定的形状，以使其只残留在沟部H2内部的侧面以及底面中。这样，在沟部H2的侧面以及底面中形成由硅氧化膜构成的栅极绝缘膜42。
另外，在栅极绝缘膜42是高电介质膜的情况下，为了使其与硅界面之间的界面能级很难相等，最好在界面上形成薄硅氧化膜，或使用TP(RapidThermal Process)在NH3气氛中在硅表面直接氮化的膜等。
接下来，如图2(d)所示，在第1层间绝缘膜32的全面上，堆积导电材料，例如金属膜(Ru膜、TiN膜、W膜、钨氮化物(WNx)等，或W膜/Ti膜之类的这些膜的层积膜)，将沟部H2掩埋起来。之后，通过CMP对形成在第1层间绝缘膜32的上面的导电材料进行研磨，让导电材料只残留在沟部H2中。通过这样，在沟部H2的栅极绝缘膜42上形成栅电极44。当然，在将包含CVD-SiO2膜、CVD-SiON膜或CVD-Si3N4膜的层积膜作为栅极绝缘膜的情况下，优选使用将掺有杂质的多晶硅膜用作栅电极。
接下来，如图2(e)所示，在第1层间绝缘膜32的全面上成膜由硅氧化膜所构成的第2层间绝缘膜。接下来，形成源电极46、漏电极48用的连接孔40。接下来，将导电材料铝成膜在第2层间绝缘膜的全面上。之后，通过光刻处理将铝层构图为给定的形状，形成源电极46、漏电极48。此时，在连接孔40内填充铝，将源电极46与源极区域34、漏电极48与漏极区域34电连接起来。这样，如图2(e)所示，形成具有LDD构造的MOSFET54。
本实施方式中，通过damascene gate法、置换法，将形成为被第1层间绝缘膜32包围起来的虚设栅极图案20去除，形成沟部H2，并形成栅电极44。根据本实施方式，由于虚设栅极图案20的蚀刻速度，比第1层间绝缘膜32的蚀刻速度快，因此能够有选择地只将虚设栅极图案20去除。这样，通过在沟部H2中设置金属、多晶硅，便能够形成栅电极48。
另外，本实施方式中，在虚设栅极图案20中使用添加了硅氧烷结合或聚硅氨烷的功能液。因此，还具有对例如在将上述虚设栅极图案20作为掩膜注入离子的情况下，或通过CVD法成膜第1层间绝缘膜32的情况下等高温热处理的耐性。因此，能够良好地进行离子注入工序、CVD工序等。
另外，上述场效应晶体管，能够安装在各种电子机器中。
例如，可以用于移动电话、液晶投影仪、对应多媒体的个人计算机(PC)以及工程工作站(EWS)、寻呼机、文字处理器、电视机、寻像器型或监视器直视型录像机、电子笔记本、电子台式计算机、汽车导航装置、POS终端、具有触摸屏的装置等电子机器。
另外，本发明的技术范围并不仅限于上述实施方式，还包括在不脱离本发明的要点的范围内，对上述实施方式进行各种变更后的技术方案。
例如，上述疏液处理工序，可以在保护层16中形成沟部H1之前，在保护层16的全面上进行。另外，本实施方式中，对保护层16的全面实施了疏液处理，但也可以不实施疏液处理，而在沟部H1中配置功能液。另外，也可以只在除了沟部H1的保护层16的表面实施疏液处理。
另外，作为构成虚设栅极图案20以及第1层间绝缘膜32的材料，并不仅限于上述材料，可以使用各种材料，只要是(第1层间绝缘膜32/虚设栅极图案20)的选择比变大的材料就可以。
另外，上述实施方式中，第1层间绝缘膜32是以添加了碳的硅氧化膜(SiOC)的单层形成，但也可以代替该方法，首先形成硅氧化膜，接下来形成添加了碳的硅氧化膜，成为2层构造。通过这样，能够至少让第1层间绝缘膜32的表面具有疏液性，选取与虚设栅极图案的选择比，能够只将虚设栅极图案有选择地去除。
另外，本实施方式中，对将虚设栅极图案20用于MOS型晶体管的情况进行了说明，但当然也能够用于TFT(Thin film transistor)。
权利要求
1.一种半导体装置的制造方法，包括在基板上形成掩膜材料的掩膜材料形成工序；将上述掩膜材料构图为给定的图案，在上述掩膜材料中形成凹部的凹部形成工序；在上述凹部中配置功能液的配置工序；将配置在上述凹部中的上述功能液干燥的干燥工序；通过上述干燥工序所形成的功能膜的缓冷(烧制)工序；以及将上述掩膜材料去除，形成由上述功能液的构成材料所形成的虚设栅极图案的图案形成工序。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于上述功能液含有具有硅氧烷键的化合物或聚硅氨烷。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于至少对上述掩膜材料的上面实施疏液处理。
4.如权利要求1～3中任一个所述的半导体装置的制造方法，包括在上述图案形成工序后，在上述基板上形成上述绝缘层，将上述虚设栅极图案覆盖起来的绝缘层形成工序；将上述绝缘层的一部分去除，露出上述虚设栅极图案，将上述绝缘层以及上述虚设栅极图案的上面平坦化的平坦化工序；通过蚀刻处理去除被上述绝缘层所包围的上述虚设栅极图案，在上述绝缘层中形成凹部的凹部形成工序；以及在上述凹部的内部经栅极绝缘膜形成栅电极的工序；上述虚设栅极图案的蚀刻速度，比上述绝缘层的蚀刻速度快。
5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于上述绝缘层由添加了碳的硅氧化物构成，上述虚设栅极图案由硅氧化物构成。
全文摘要
一种半导体装置的制造方法，包括在基板上形成掩膜材料的掩膜材料形成工序；将上述掩膜材料构图为给定的图案，在上述掩膜材料中形成凹部的凹部形成工序；在上述凹部中配置功能液的配置工序；将配置在上述凹部中的上述功能液干燥的干燥工序；通过上述干燥工序所形成的功能膜的缓冷(烧制)工序；以及将上述掩膜材料去除，形成由上述功能液的构成材料所形成的虚设栅极图案的图案形成工序。
文档编号H01L21/336GK1790622SQ20051012021
公开日2006年6月21日 申请日期2005年11月7日 优先权日2004年11月9日
发明者铃木聪 申请人:精工爱普生株式会社