焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构的制作方法

专利名称：：焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构的制作方法
技术领域：
：本发明为一半导体芯片封装结构，尤指焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，以及提供该半导体芯片封装结构的制造方法。
背景技术：
：目前半导体芯片具有输入/输出的接脚(pads)，该接脚必须连接至外部的电路，以使其实现电子统的一部分功能。该连接的媒介主要是以金属导线阵列(如一个导线架)或为一辅助电路(supportcircuit)(如基板substrate)，虽然该连接的媒介可直接连接至电路操作面板(如主机板)。目前有很多连接技术被广泛地使用，包括有引线接合(wirebonding)、卷带自动接合(tapeautomatedbonding，TAB)及倒装片接合(flip-chipbonding)等技术。在下一层组合期间，半导体芯片封装结构是被连接至其它电路如印刷电路板(PCB)或主机板。不同的半导体芯片封装结构在下一层组装采用不同的方式。例如，球格式阵列组装(ballgridarray，BGA)，包含一锡球阵列，而平面栅格阵列组装(landgridarray，LGA)，包含一金属接脚阵列，该金属接脚阵列和在印刷电路板上的焊锡直接接触。球格式阵列组装主要通过锡球在镍端的金属元素表面熔化，因此锡球成为下一层组合的接触端。当锡球与该金属元素表面分离时，该球格式阵列组装变成无法接触或无效。传统的锡球接触技术，其目的在于允许锡球容易熔合在金属元素表面。例如，连续电镀镍和金的薄层在金属元素表面的一个平滑及偏平的表面允许锡球可以简易的溶合在金属元素表面，但是仍不能避免锡球分离问题。传统的锡球接触技术，也利用在绝缘体上，例如BT树脂(Bismaleimidetriazineepoxy)以增强该锡球的机械接触。然而，该锡球容易由该树脂分离，与前述的金属元素表面有相同的问题。鉴于目前有效的半导体芯片封装结构具有不同的限制及发展阶段，故亟待发展出更具有经济性、可信赖性、可制作性、多样性的半导体芯片封装结构，以及提供优越的机械及电子特性的焊接端，且利用连接接合的技术，使其具有适用在已知应用范围的优点。
发明内容本发明的主要目的在于提供一焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，并提供一低成本、高经济性及高可靠度的组装。本发明的另一目的在于提供一方便性及经济性的制造半导体芯片封装结构的方法。总而言的，本发明提供一种半导体芯片封装结构，包括具有导电接脚的半导体芯片、具有绕线、金属壁及焊接端的导电迹线及可使该绕线及导电接脚间具有电性连接的连接部。该金属壁包含孔洞，该焊接端与该孔洞内的金属壁接触并与该绕线隔离。本发明还提供一种制造该半导体芯片封装结构的方法，包括金属基板、绕线、金属壁及焊接层，其中，该金属壁具有孔洞，使该焊接端与孔洞内的金属壁接触，并使该半导体芯片连接至该绕线，且形成可使该绕线与导电接脚间具有电性连接的连接部。接着，蚀刻该金属基板减少该金属基板与绕线及与金属壁间的接触区域，以及提供具有焊接层的焊接端。依据本发明的内容，该半导体芯片封装结构具有第一垂直方向及相对的第二垂直方向，并与一横向方向正交，该半导体芯片封装结构包括具有相对应的第一平面及第二平面的半导体芯片，其中该半导体芯片的第一平面包含导电接脚，导电迹线包含绕线、金属壁及焊接端，其中该绕线从该金属壁及焊接端横向延伸，该金属壁包含孔洞，并具有一固定厚度，该金属壁为该半导体芯片封装结构中唯一的导电体并与该焊接端接触，该焊接端与该孔洞内的金属壁接触，连接部可使该绕线及导电接脚间具有电性的连接，密封层与该半导体芯片接触，绝缘封胶与该绕线及金属壁接触。该半导体芯片被嵌入该密封层内，该金属壁被嵌入在该绝缘封胶内，并从该焊接端的第一方向垂直延伸及从绕线的第二方向垂直延伸，该孔洞延伸至该绝缘封胶内，该焊接端延伸至绝缘封胶内但不被该半导体芯片封装结构的其它材料覆盖在该焊接端的第二方向上，整体的焊接端延伸至该绝缘封胶内在该孔洞的表面区域内，并不被该金属壁覆盖在该焊接端的第一方向。该半导体芯片为单一芯片被嵌入在该密封层内，或者为多芯片被嵌入在该密封层内。该半导体芯片的第一平面面对第一方向及该半导体芯片的第二平面面对第二方向，或者该半导体芯片的第一平面面对第二方向及该半导体芯片的第二平面面对第一方向。该半导体芯片从该绕线、金属壁、焊接端及绝缘封胶向第一方向垂直延伸。该半导体芯片从该导电迹线向第一方向垂直延伸。另外，半导体芯片被嵌入该密封层内时从该导电迹线向第一方向垂直延伸。该绕线从该金属壁及焊接端横向延伸，并面向该半导体芯片。该绕线从该金属壁及焊接端向第一方向垂直延伸或从该半导体芯片往第二方向垂直延伸。该绕线向该半导体芯片边缘内外延伸，或可被设置在该半导体芯片边缘外。该绕线为平坦并与该半导体芯片的第二平面平行。该绕线与该金属壁接触但不与该金属壁整合为一体，或者该绕线与该金属壁隔离。而且该绕线在该金属壁与被嵌入在密封层的半导体芯片间，及该焊接端与被嵌入在密封层的半导体芯片间具有导电路径。任何被嵌入在密封层的半导体芯片与该金属壁及焊接端间具有电性的连接通过包含绕线的导电路径。该金属壁被嵌入该绝缘封胶内。该金属壁从该焊接端向第一方向垂直延伸，并从该半导体芯片、绕线、连接部及密封层往第二方向垂直延伸，且被设置在该半导体芯片边缘内或其边缘外。该金属壁为该半导体芯片封装结构中唯一的导电体并与该焊接端接触，且横向在延伸至该绝缘封胶的整体焊接端外围旋转360度。该金属壁具有一碗形，在其垂直平面上具有一凹字形并平行在第一方向及第二方向，在其横向平面为一圆形、一矩形或一正方形并与第一方向及第二方向正交，且在该孔洞的开口处。该金属壁的厚度比绕线的厚度薄，并为单一金属如镍，且包括一具有连续单一表面用来定义该孔洞。该金属壁只与该绕线、焊接端及绝缘封胶接触，或者只与一金属柱、该焊接端及绝缘封胶接触。该孔洞延伸经过该金属壁大部分的高度与直径，并被该金属壁覆盖在第一方向及横向方向上，且包括一面向第二方向的开口，该孔洞为一凹形。该焊接端在该孔洞内部及外部延伸，或者被设置在该孔洞内。该焊接端从该半导体芯片、绕线、连接部及密封层往第二方向垂直延伸，并被设置在该半导体芯片边缘内或边缘外。例如该焊接端在该孔洞内部及外部延伸，并从该金属壁及绝缘封胶往第二方向垂直延伸，且被金属壁在第二方向上覆盖。该焊接端填满该孔洞。另外，该焊接端延伸至该绝缘封胶内的部分在该孔洞内，并只与该金属壁接触，且被金属限制在第一方向及横向方向内。而且介于该焊接端与金属壁间所有的接触在该孔洞内。该连接部在该绕线及导电接脚之间延伸并使该绕线及导电接脚之间具有电性的连接。该连接部为电镀金属、无电解电镀金属、锡料、导电黏着剂或焊线。该密封层在第一方向上覆盖该半导体芯片、绕线、金属壁、焊接端、连接部及绝缘封胶，并与该金属壁及焊接端隔离。该绝缘封胶从该金属壁及焊接端向第一方向垂直延伸，从该半导体芯片、绕线、连接部及密封层往第二方向垂直延伸，并在第二方向覆盖在该半导体芯片上，且与该焊接端隔离。该绝缘封胶横向在该金属壁外围可旋转360度。而且该绝缘封胶与该金属壁横向排列在朝向第二方向的平面上，该焊接端被设置在该孔洞内，并横向排列在该朝向第二方向的平面上，或者该焊接端在孔洞内部及外部延伸，并从该朝向第二方向的平面往第二方向垂直延伸。该导电迹线包含一金属柱，该金属柱与该绕线及金属壁接触，并使该绕线与金属壁间具有电性的连接，但不与该绕线及金属壁整合为一体，且使该绕线与该金属壁隔离，并从该金属柱横向延伸。该金属柱从金属壁及焊接端向第一方向垂直延伸，并从该半导体芯片、绕线、连接部及密封层往第二方向垂直延伸，并被设置在该半导体芯片的边缘内或边缘外。该金属柱在第一方向被绕线覆盖及在第二方向被该金属壁及焊接端覆盖。该金属柱的厚度同时地比绕线的厚度厚，并为单一金属如铜。该金属柱可为圆锥形，其直径的大小为当该金属壁往第二方向延伸时持续缩减。而且该金属柱包含朝向第一方向的第一平面及朝向第二方向的第二平面，该金属柱的第二平面的表面积小于该金属壁的第一平面的表面积，该金属柱的第一平面的表面积至少比该金属壁的第二平面的表面积大10％。该半导体芯片封装结构包含与半导体芯片与密封层接触的绝缘封胶，该绝缘封胶从该半导体芯片往第二方向垂直延伸。该半导体芯片封装结构包含在该导电接脚与焊接端间的导电路径，该导电路径需要绕线、金属壁及连接部。而且该绕线在该导电接脚与焊接端间提供水平绕线，但不提供垂直绕线，该金属壁在该焊接端与其它导电体间不提供绕线。该半导体芯片封装结构为第一层次组装，为单芯片或多芯片组装。根据本发明其它方面来看，一种制造半导体芯片封装结构的方法包括(1)提供一金属基板、一绕线、一金属壁及一焊接层，其中该金属基板包含第一平面及相对的第二平面，该金属基板的第一平面朝向第一方向，该金属基板的第二平面朝向第二方向，该金属壁延伸至金属基板内，从该金属基板的第二平面朝该金属基板的第一平面延伸，并包括孔洞，该孔洞从该金属基板的第二平面朝该金属基板的第一平面延伸至该金属基板内，并包括朝向第二方向的开口，该焊接层与该孔洞内的金属壁接触，(2)机械地放置该半导体芯片在金属基板上，其中该半导体芯片包括一导电接脚，(3)接着形成一使该绕线与导电接脚间具有电性连接的连接部，(4)利用一种湿式化学蚀刻方式对该金属基板进行蚀刻，因此减少该金属基板与该绕线间及该金属基板与金属壁间的接触区域，以及(5)提供一焊接端，该焊接端可在该孔洞内的金属壁接触并包含该焊接层。该方法包含通过沉积在金属基板上形成绕线。例如该方法包括在该金属基板上形成一电镀屏蔽，该电镀屏蔽包含一开口使该金属基板有部分暴露，然后经电镀穿过该电镀屏蔽上的开口将该绕线镀在该金属基板暴露的部分。该方法包含在金属基板上通过沉积而形成金属壁。例如该方法包括在金属基板上形成一电镀屏蔽，该电镀屏蔽具有一开口使该金属基板有部分暴露，然后经电镀穿过该电镀屏蔽上的开口将该金属壁镀在该金属基板暴露的部分。该方法包含形成该金属壁通过蚀刻该金属基板形成一孔洞，从该金属基板的第二平面朝该金属基板的第一平面延伸至该金属基板内，然后沉积该金属壁进入该孔洞。例如该孔洞为一穿孔，穿过该金属基板，并使该绕线暴露，该金属壁通过该金属基板，与该绕线接触。蚀刻该金属基板利用湿式化学蚀刻，且能消除该金属基板与绕线间及该金属基板与金属壁间的接触。或者该孔洞具有一凹口，该凹口延伸至该金属基板内但不穿透并与该金属基板的第一平面及绕线隔离，该金属壁延伸至该金属基板内但不穿透并与该金属基板的第一平面及绕线隔离，蚀刻该金属基板利用湿式化学蚀刻，并从该金属基板未蚀刻的部分形成一金属柱，该金属基板未蚀刻的部分由金属壁来定义，该金属柱与该绕线及金属壁接触。该方法包含形成焊接层通过沉积该焊接层在该金属壁上而形成。同样地，形成该焊接层包括该焊接层只与该金属壁接触。该方法包含形成焊接端的方法通过形成该焊接层，或者形成该焊接层然后形成焊接端。例如形成该焊接端包括沉积锡膏在金属壁，然后该锡膏回流形成该焊接层及焊接端，或者沉积锡膏在金属壁，然后该锡膏回流形成该焊接层，接着沉积一焊锡材料在焊接层上，而该焊锡材料及该焊接层回流形成该焊接端。该方法包含形成金属壁及焊接层通过蚀刻该金属基板形成该孔洞，然后在该金属基板上及在该孔洞内沉积该金属壁，接着在该金属壁上沉积该焊接层。例如按顺序地形成该金属壁及焊接层包括，先蚀刻该金属基板形成该孔洞，将该金属壁镀在该金属基板暴露的部分并在该孔洞内，接着使锡膏沉积在该金属壁上，并使该锡膏回流形成该焊接层。而且，按顺序地形成该孔洞及该金属壁包含在该金属基板上形成一具有开口的屏蔽，使该金属基板有部分暴露，接着穿过该具有开口的屏蔽蚀刻该金属基板形成该孔洞，然后穿过该具有开口的屏蔽将该金属壁镀在该金属基板暴露的部分及该孔洞内，且移除该屏蔽，或者在金属基板上形成一具有开口的蚀刻屏蔽，使该金属基板有部分暴露，并穿过该具有开口的蚀刻屏蔽蚀刻该金属基板形成该孔洞，接着移除该蚀刻屏蔽，然后在该金属基板上形成一具有开口的电镀屏蔽，使该金属基板有部分暴露并使该孔洞暴露，接着穿过该具有开口的电镀屏蔽将该金属壁镀在该金属基板暴露的部分及该孔洞内，且移除该电镀屏蔽。此外，按顺序地形成该焊接层包含穿过该具有开口的屏蔽(对该孔洞提供一蚀刻屏蔽及对该金属壁提供一电镀屏蔽)使该锡膏沉积在该金属壁，使该锡膏回流，然后移除该屏蔽，或者移除该屏蔽，使该锡膏沉积在该金属壁上，并使该锡膏回流。同样地，按顺序地形成该焊接层包括穿过该具有开口的电镀屏蔽(对金属壁上的电镀屏蔽在该孔洞的蚀刻屏蔽被移除后)使该锡膏沉积该金属壁上，使该锡膏回流，并移除该电镀屏蔽，或者移除该电镀屏蔽，使该锡膏沉积在该金属柱上，并使该锡膏回流。该方法包含连接该半导体芯片至该绕线，通过在该半导体芯片与金属基板间的黏着剂沉积，然后使该黏着剂硬化。该方法包含在该绕线与导电接脚间通过电镀形成连接部。例如该连接部使用电镀或无电解电镀等方式电镀在该绕线与导电接脚之间。或者形成连接部的方法可为使一非固态材料沉积在该绕线与导电接脚间，然后使该非固态材料硬化。例如该锡膏能被沉积在该绕线与导电接脚间，然后通过回流被硬化，或将导电黏胶沉积在该绕线与导电接脚间，然后被硬化。或通过打线形成该连接部。该方法包含蚀刻金属基板利用湿式化学蚀刻方式，因此使该绕线暴露，并移除导电接脚及半导体芯片边缘内的金属基板。例如利用湿式化学蚀刻方式蚀刻该金属基板移除该金属基板与绕线间及该金属基板与该金属壁的接触区域。而利用湿式化学蚀刻方式蚀刻该金属基板从该金属基板的未蚀刻部分形成一金属柱。该金属基板的未蚀刻部分通过该金属壁定义，该金属柱与该绕线及金属壁接触，并使该绕线及金属壁具有电性的连接。而且利用湿式化学蚀刻方式蚀刻该金属基板因而使该绕线与其它与金属基板接触的绕线隔离，并使该导电接脚与半导体芯片的其它导电接脚隔离。例如形成连接部的方法通过引线接合，然后利用湿式化学蚀刻方式蚀刻该金属基板，因此使该绕线与其它绕线隔离，及使该导电接脚与其它导电接脚隔离。或者形成连接部的方法为电镀并利用该金属基板为一电镀总线，然后利用湿式化学蚀刻方式对该金属基板蚀刻，因此使该绕线与其它绕线隔离，及使该导电接脚与其它导电接脚隔离。或者利用湿式化学蚀刻蚀刻该金属基板，因此使该绕线与其它绕线隔离，然后通过无电解电镀形成该连接部，在此该导电接脚仍能与其它导电接脚隔离。该方法包含形成该金属壁前形成绕线，或者该绕线与金属壁同时地被形成的方法，或者在该金属壁形成后形成该绕线的方法。该方法包含在形成该焊接层前形成该金属壁。该方法包含在该半导体芯片与该金属基板及绕线连接前形成金属壁，或者在该半导体芯片与该金属基板及绕线连接后形成金属壁。该方法包含在该半导体芯片与该金属基板及绕线连接前形成焊接层，或者在该半导体芯片与该金属基板及绕线连接后形成焊接层。该方法包含在形成该焊接端前形成该焊接层，或者形成该焊接层为该焊接端。该方法在利用湿式化学蚀刻方式蚀刻该金属基板前形成该连接部，或者在利用湿式化学蚀刻方式蚀刻该金属基板后形成该连接部。该方法包含在连接该半导体芯片至该金属基板及绕线前形成该焊接端，或者连接该半导体芯片至该金属基板及绕线后形成该焊接端。该方法包含在形成该连接部前形成该焊接端，或者在形成该连接部后形成该焊接端。该方法包含在利用湿式化学蚀刻方式蚀刻该金属基板前形成该焊接端，或者在利用湿式化学蚀刻方式蚀刻该金属基板后形成该焊接端。该方法包含形成该金属壁，然后形成该焊接层，然后连接该半导体芯片至该金属基板、绕线、金属壁及焊接层，以及然后利用湿式化学蚀刻方式蚀刻该金属基板。该方法包含形成该金属壁，然后连接该半导体芯片至该金属基板、绕线及金属壁，接着形成该焊接层，并利用湿式化学蚀刻方式蚀刻该金属基板。该方法包含连接该半导体芯片至该金属基板及绕线，然后形成该金属壁，接着形成该焊接层，并利用湿式化学蚀刻方式蚀刻该金属基板。该方法包含形成密封层，该密封层与该半导体芯片接触，并在第一方向上覆盖该半导体芯片，在连接该半导体芯片至该金属基板及绕线之后。该密封层通过转注成型或硬化被形成。该方法包含在形成该密封层之后，形成绝缘封胶，该绝缘封胶与该绕线、金属壁及焊接层接触，并在第二方向上覆盖该绕线、金属壁及焊接层，然后移除一部分的绝缘封胶，以致该绝缘封胶在第二方向上不再覆盖该焊接层。该方法包含(1)提供一具有第一平面及相对的第二平面的金属基板，其中，该金属基板的第一平面朝向第一方向，该金属基板的第二平面朝向第二方向，(2)然后在该金属基板的第一平面上形成一绕线，其中该绕线与该金属基板的第一平面接触并与该金属基板的第二平面隔离，(3)接着利用第一湿式化学蚀刻方式蚀刻该金属基板，在该金属基板形成一孔洞，该孔洞从该金属基板的第二平面朝该金属基板的第一平面延伸至该金属基板内，(4)接着在该金属基板上形成一金属壁，其中该金属壁与该孔洞内的金属基板接触，并从该金属基板的第二平面向该金属基板的第一平面延伸，直至该金属基板内。该孔洞从该金属基板的第二平面延伸至该金属基板的第一平面继续延伸至该金属基板内，并在第一方向上被金属壁覆盖，且包括一朝向第二方向的开口，(5)形成一焊接层并与该孔洞内的金属壁接触，且与该绕线隔离，(6)机械地置放一半导体芯片至该金属基板及绕线，其中，该半导体芯片包括一导电接脚，(7)形成一连接部，并使该绕线及导电接脚间具有电性的连接，(8)接着利用第二湿式化学蚀刻在连接该半导体芯片至该金属壁及绕线和形成该金属壁及焊接层后对该金属基板蚀刻，因此缩减该金属基板与绕线间及该金属壁与金属基板间的接触区域，以及(9)提供一焊接端，该焊接端与该孔洞内的金属壁接触，并包括该焊接层。该方法包括(1)提供一金属基板，该金属基板包括第一平面及相对的第二平面，其中，该金属基板的第一平面朝向第一方向及该金属基板的第二平面朝第二方向相对于第一方向，然后(2)在该金属基板的第一平面形成一绕线，其中该绕线与该金属基板的第一平面接触及与该金属基板的第二平面隔离，(3)利用第一湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻，因此在该金属基板内形成一孔洞，该孔洞从该金属基板的第二平面朝该金属基板的第一平面延伸至该金属基板内，(4)在该金属基板上形成一金属壁，其中，该金属壁与该孔洞内的金属基板接触，并从该金属基板的第二平面朝该金属基板的第一平面延伸至该金属基板内，且包含一孔洞，该孔洞从该金属基板的第二平面朝该金属基板的第一平面延伸至该金属基板内，并被该金属壁覆盖在第一方向上，且包括一朝向第二方向的开口，(5)形成一焊接层，该焊接层与该孔洞内的金属壁接触，与该绕线隔离，(6)连接该半导体芯片至该金属基板及绕线，其中该半导体芯片包括一导电接脚，(7)形成一连接部，该连接部使该绕线与该导电接脚间具有电性的连接，(8)在连接该半导体芯片至该金属基板及绕线之后形成一密封层，其中，该密封层与该半导体芯片接触，并从该半导体芯片、金属基板及绕线向第一方向垂直延伸，该金属基板从该半导体芯片及绕线往第二方向垂直延伸，(9)在形成该金属壁、焊接层及密封层之后利用第二湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻，因此缩减该金属基板与绕线间及该金属基板与金属壁间的接触区域，(10)在利用该第二湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻之后，形成一绝缘封胶，该绝缘封胶与该绕线、金属壁及焊接层接触，并覆盖该绕线、金属壁及焊接层在第二方向上，(11)移除一部分的绝缘封胶使该绝缘封胶在第二方向上不再覆盖该焊接层，以及(12)提供一焊接端，该焊接端与在孔洞内的金属壁接触并包括该焊接层。该方法包括依序形成该金属壁及焊接层，通过电镀将该金属壁镀在该金属基板并穿过一电镀屏蔽的开口使该金属壁可镀在该孔洞内，且使该锡膏沉积在该金属壁，使该锡膏回流形成该焊接层。该方法包括通过形成该焊接层而形成该焊接端，或者通过使一焊锡材料沉积在该焊接层上再利用第二湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻后，然后使该焊锡材料及该焊接层一起回流而形成该焊接端。该方法包括连接该半导体芯片至该金属壁及绕线(如果该金属壁及焊接层已被形成)通过将黏着剂置在该半导体芯片与金属基板间，然后使该黏着剂硬化。该方法包括利用第一湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻形成该孔洞，该孔洞为一穿孔，延伸穿过该金属基板，并使该绕线暴露，接着利用第二湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻，移除该金属基板与绕线间及该金属基板与金属壁间的接触区域并移除该金属基板，或者利用第一湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻形成该孔洞，该孔洞为一凹口，并延伸至该金属基板并不穿过该金属基板，接着利用第二湿式化学蚀刻对该金属基板蚀刻从该金属基板未蚀刻的部分形成一金属柱，该金属柱使该绕线与金属壁间具有电性的连接并移除大部分的金属基板。该方法包括通过研磨、激光消熔、等离子蚀刻或光蚀刻等方式移除部分的绝缘封胶。另外该方法包括从全部的绝缘封胶移除该部分的绝缘封胶。该绝缘封胶覆盖在金属壁及焊接层在第二方向上，并使该金属壁及焊接层在第二方向暴露，但不使该绕线暴露。例如该方法包括研磨该绝缘封胶但不研磨该金属壁及焊接层，然后研磨该绝缘封胶、金属壁及焊接层，直到该绝缘封胶与该金属壁及焊接层被横向排列在一朝向第二方向的平面上即停止研磨，而该金属壁及焊接层被暴露。而且在停止研磨后，该焊接端由该焊接层构成，并能被横向排列在该平面上，或者该方法包括一焊锡材料沉积在该焊接层，然后使该焊锡材料及焊接层一起回流而形成该焊接端，该焊接端从该金属壁及绝缘封胶往第二方向垂直延伸。该方法包括利用第一湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻形成该孔洞，然后形成该金属壁，接着形成该焊接层，后来连接该半导体芯片至该金属基板、绕线、金属壁及焊接层，接着形成该密封层，然后利用第二湿式化学蚀刻对金属基板进行蚀刻，接着形成绝缘封胶，以及最后移除部分的绝缘封胶。该方法包括利用第一湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻形成该孔洞，然后形成该金属壁，接着连接该半导体芯片至该金属基板、绕线及金属壁，然后形成该密封层，接着形成该焊接层，然后利用第二湿式化学蚀刻对金属基板进行蚀刻，接着形成绝缘封胶，以及最后移除部分的绝缘封胶。该方法包括连接该半导体芯片至该金属基板及绕线金属壁，然后形成该密封层，接着利用第一湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻形成该孔洞，然后形成该金属壁，接着形成该焊接层，然后利用第二湿式化学蚀刻对金属基板进行蚀刻，接着形成绝缘封胶，以及最后移除部分的绝缘封胶。本发明的好处在于该半导体芯片封装结构方便地被制造及具有经济性。本发明另一好处在于通过蚀刻比由电镀或无电解电镀形成该金属柱更能提高一致性及降低制造时间及成本。另一好处在于该焊接端能延伸至该金属壁在该绝缘封胶内，更胜过传统半导体芯片封装结构的横向平面的边界接触，因该横向平面的边界为一朝向第二方向的暴露主要平面，因此可降低锡料分离及提高可靠度。另一好处在于该连接部由各种不同的材料与处理制造形成，因此可利用成熟的连接技术有益于制造及改善制造方法。另一好处在于该半导体芯片封装结构不包括引线接合或卷带自动接合导线，虽然该处理具有弹性的可与其它技术兼容。另一好处在于该半导体芯片封装结构利用低温处理被制造，可降低压力及提升可靠度。除上述之外，本发明具有更多好处，如该半导体芯片封装结构利用良好控制的处理过程被制造，容易地被建置在电路板、导线架及卷带制造。其它好处包括利用兼容的材料，如铜，制造的半导体芯片及无铅环境的必要品。本发明的特征及优点将进一步在实施方式中举较佳实施例来描述，可更具有体地了解本发明。图1a为本发明的半导体芯片结构的剖面示意图。图1b为本发明的半导体芯片结构的俯视示意图。图1c为本发明的半导体芯片结构的仰视示意图。图2a为本发明的金属基板结构的剖面示意图。图2b为本发明的金属基板结构的俯视示意图。图2c为本发明的金属基板结构的仰视示意图。图3a为本发明的光阻层与金属基板结构的剖面示意图。图3b为本发明的光阻层与金属基板结构的俯视示意图。图3c为本发明的光阻层与金属基板结构的仰视示意图。图4a为本发明的具有凹口的金属基板结构的剖面示意图。图4b为本发明的具有凹口的金属基板结构的俯视示意图。图4c为本发明的具有凹口的金属基板结构的仰视示意图。图5a为本发明的金属壁形成在金属基板结构的剖面示意图。图5b为本发明的金属壁形成在金属基板结构的俯视示意图。图5c为本发明的金属壁形成在金属基板结构的仰视示意图。图6a为本发明的模板覆盖在第二光阻层的结构的剖面示意图。图6b为本发明的模板覆盖在第二光阻层的结构的俯视示意图。图6c为本发明的模板覆盖在第二光阻层的结构的仰视示意图。图7a为本发明的锡膏沉积在金属壁的结构的剖面示意图。图7b为本发明的锡膏沉积在金属壁的结构的俯视示意图。图7c为本发明的锡膏沉积在金属壁的结构的仰视示意图。图8a为本发明的移去模板后的结构的剖面示意图。图8b为本发明的移去模板后的结构的俯视示意图。图8c为本发明的移去模板后的结构的仰视示意图。图9a为本发明的锡膏形成焊接层后的结构的剖面示意图。图9b为本发明的锡膏形成焊接层后的结构的俯视示意图。图9c为本发明的锡膏形成焊接层后的结构的仰视示意图。图10a为本发明的第一光阻层及第二光阻层剥落后的结构的剖面示意图。图10b为本发明的第一光阻层及第二光阻层剥落后的结构的俯视示意图。图10c为本发明的第一光阻层及第二光阻层剥落后的结构的仰视示意图。图11a为本发明的第三光阻层及第四光阻层形成在金属基板后的结构的剖面示意图。图11b为本发明的第三光阻层及第四光阻层形成在金属基板后的结构的俯视示意图。图11c为本发明的第三光阻层及第四光阻层形成在金属基板后的结构的仰视示意图。图12a为本发明的绕线附在金属基板时的结构的剖面示意图。图12b为本发明的绕线附在金属基板时的结构的俯视示意图。图12c为本发明的绕线附在金属基板时的结构的仰视示意图。图13a为本发明的第三光阻层及第四光阻层剥落后的结构的剖面示意图。图13b为本发明的第三光阻层及第四光阻层剥落后的结构的俯视示意图。图13c为本发明的第三光阻层及第四光阻层剥落后的结构的仰视示意图。图14a为本发明的焊接屏蔽在金属基板及绕线时的结构的剖面示意图。图14b为本发明的焊接屏蔽在金属基板及绕线时的结构的俯视示意图。图14c为本发明的焊接屏蔽在金属基板及绕线时的结构的仰视示意图。图15a为本发明的第五光阻层及第六光阻层形成后的结构的剖面示意图。图15b为本发明的第五光阻层及第六光阻层形成后的结构的俯视示意图。图15c为本发明的第五光阻层及第六光阻层形成后的结构的仰视示意图。图16a为本发明的电镀接点形成在绕线后的结构的剖面示意图。图16b为本发明的电镀接点形成在绕线后的结构的俯视示意图。图16c为本发明的电镀接点形成在绕线后的结构的仰视示意图。图17a为本发明的第五光阻层及第六光阻层剥落后的结构的剖面示意图。图17b为本发明的第五光阻层及第六光阻层剥落后的结构的俯视示意图。图17c为本发明的第五光阻层及第六光阻层剥落后的结构的仰视示意图。图18a为本发明的黏着剂形成在焊接屏蔽后的结构的剖面示意图。图18b为本发明的黏着剂形成在焊接屏蔽后的结构的俯视示意图。图18c为本发明的黏着剂形成在焊接屏蔽后的结构的仰视示意图。图19a为本发明的具有半导体芯片的结构的剖面示意图。图19b为本发明的具有半导体芯片的结构的俯视示意图。图19c为本发明的具有半导体芯片的结构的仰视示意图。图20a为本发明的连接部附在导电接脚及电镀接点时的结构的剖面示意图。图20b为本发明的连接部附在导电接脚及电镀接点时的结构的俯视示意图。图20c为本发明的连接部附在导电接脚及电镀接点时的结构的仰视示意图。图21a为本发明的具有密封层的结构的剖面示意图。图21b为本发明的具有密封层的结构的俯视示意图。图21c为本发明的具有密封层的结构的仰视示意图。图22a为本发明的金属柱在金属基板上形成后的结构的剖面示意图。图22b为本发明的金属柱在金属基板上形成后的结构的俯视示意图。图22c为本发明的金属柱在金属基板上形成后的结构的仰视示意图。图23a为本发明的绝缘封胶形成后的结构的剖面示意图。图23b为本发明的绝缘封胶形成后的结构的俯视示意图。图23c为本发明的绝缘封胶形成后的结构的仰视示意图。图24a为本发明的绝缘封胶移除后的结构的剖面示意图。图24b为本发明的绝缘封胶移除后的结构的俯视示意图。图24c为本发明的绝缘封胶移除后的结构的仰视示意图。图25a为本发明的锡球形成后的结构的剖面示意图。图25b为本发明的锡球形成后的结构的俯视示意图。图25c为本发明的锡球形成后的结构的仰视示意图。图26a为本发明的焊接端形成后的结构的剖面示意图。图26b为本发明的焊接端形成后的结构的俯视示意图。图26c为本发明的焊接端形成后的结构的仰视示意图。图27a为本发明的半导体芯片封装结构的剖面示意图。图27b为本发明的半导体芯片封装结构的俯视示意图。图27c为本发明的半导体芯片封装结构的仰视示意图。图28a为本发明的半导体芯片结构的剖面示意图。图28b为本发明的半导体芯片结构的俯视示意图。图28c为本发明的半导体芯片结构的仰视示意图。图29a为本发明的金属基板结构的剖面示意图。图29b为本发明的金属基板结构的俯视示意图。图29c为本发明的金属基板结构的仰视示意图。图30a为本发明的光阻层与金属基板结构的剖面示意图。图30b为本发明的光阻层与金属基板结构的俯视示意图。图30c为本发明的光阻层与金属基板结构的仰视示意图。图31a为本发明的具有凹口的金属基板结构的剖面示意图。图31b为本发明的具有凹口的金属基板结构的俯视示意图。图31c为本发明的具有凹口的金属基板结构的仰视示意图。图32a为本发明的具有金属壁的金属基板结构的剖面示意图。图32b为本发明的具有金属壁的金属基板结构的俯视示意图。图32c为本发明的具有金属壁的金属基板结构的仰视示意图。图33a为本发明的第一光阻层及第二光阻层剥落后的结构的剖面示意图。图33b为本发明的第一光阻层及第二光阻层剥落后的结构的俯视示意图。图33c为本发明的第一光阻层及第二光阻层剥落后的结构的仰视示意图。图34a为本发明的第三光阻层及第四光阻层形成在金属基板后的结构的剖面示意图。图34b为本发明的第三光阻层及第四光阻层形成在金属基板后的结构的俯视示意图。图34c为本发明的第三光阻层及第四光阻层形成在金属基板后的结构的仰视示意图。图35a为本发明的绕线附在金属基板时的结构的剖面示意图。图35b为本发明的绕线附在金属基板时的结构的俯视示意图。图35c为本发明的绕线附在金属基板时的结构的仰视示意图。图36a为本发明的第三光阻层及第四光阻层剥落后的结构的剖面示意图。图36b为本发明的第三光阻层及第四光阻层剥落后的结构的俯视示意图。图36c为本发明的第三光阻层及第四光阻层剥落后的结构的仰视示意图。图37a为本发明的焊接屏蔽在金属基板及绕线时的结构的剖面示意图。图37b为本发明的焊接屏蔽在金属基板及绕线时的结构的俯视示意图。图37c为本发明的焊接屏蔽在金属基板及绕线时的结构的仰视示意图。图38a为本发明的第五光阻层及第六光阻层形成后的结构的剖面示意图。图38b为本发明的第五光阻层及第六光阻层形成后的结构的俯视示意图。图38c为本发明的第五光阻层及第六光阻层形成后的结构的仰视示意图。图39a为本发明的电镀接点形成在绕线后的结构的剖面示意图。图39b为本发明的电镀接点形成在绕线后的结构的俯视示意图。图39c为本发明的电镀接点形成在绕线后的结构的仰视示意图。图40a为本发明的第五光阻层及第六光阻层剥落后的结构的剖面示意图。图40b为本发明的第五光阻层及第六光阻层剥落后的结构的俯视示意图。图40c为本发明的第五光阻层及第六光阻层剥落后的结构的仰视示意图。图41a为本发明的黏着剂形成在焊接屏蔽后的结构的剖面示意图。图41b为本发明的黏着剂形成在焊接屏蔽后的结构的俯视示意图。图41c为本发明的黏着剂形成在焊接屏蔽后的结构的仰视示意图。图42a为本发明的具有半导体芯片的结构的剖面示意图。图42b为本发明的具有半导体芯片的结构的俯视示意图。图42c为本发明的具有半导体芯片的结构的仰视示意图。图43a为本发明的连接部附在导电接脚及电镀接点时的结构的剖面示意图。图43b为本发明的连接部附在导电接脚及电镀接点时的结构的俯视示意图。图43c为本发明的连接部附在导电接脚及电镀接点时的结构的仰视示意图。图44a为本发明的具有密封层的结构的剖面示意图。图44b为本发明的具有密封层的结构的俯视示意图。图44c为本发明的具有密封层的结构的仰视示意图。图45a为本发明的模板覆盖在金属基板的结构的剖面示意图。图45b为本发明的模板覆盖在金属基板的结构的俯视示意图。图45c为本发明的模板覆盖在金属基板的结构的仰视示意图。图46a为本发明的锡膏沉积在金属壁的结构的剖面示意图。图46b为本发明的锡膏沉积在金属壁的结构的俯视示意图。图46c为本发明的锡膏沉积在金属壁的结构的仰视示意图。图47a为本发明的移去模板后的结构的剖面示意图。图47b为本发明的移去模板后的结构的俯视示意图。图47c为本发明的移去模板后的结构的仰视示意图。图48a为本发明的锡膏形成焊接层后的结构的剖面示意图。图48b为本发明的锡膏形成焊接层后的结构的俯视示意图。图48c为本发明的锡膏形成焊接层后的结构的仰视示意图。图49a为本发明的金属柱在金属基板上形成后的结构的剖面示意图。图49b为本发明的金属柱在金属基板上形成后的结构的俯视示意图。图49c为本发明的金属柱在金属基板上形成后的结构的仰视示意图。图50a为本发明的绝缘封胶形成后的结构的剖面示意图。图50b为本发明的绝缘封胶形成后的结构的俯视示意图。图50c为本发明的绝缘封胶形成后的结构的仰视示意图。图51a为本发明的部分绝缘封胶移除后的结构的剖面示意图。图51b为本发明的部分绝缘封胶移除后的结构的俯视示意图。图51c为本发明的部分绝缘封胶移除后的结构的仰视示意图。图52a为本发明的锡球形成后的结构的剖面示意图。图52b为本发明的锡球形成后的结构的俯视示意图。图52c为本发明的锡球形成后的结构的仰视示意图。图53a为本发明的焊接端形成后的结构的剖面示意图。图53b为本发明的焊接端形成后的结构的俯视示意图。图53c为本发明的焊接端形成后的结构的仰视示意图。图54a为本发明的半导体芯片封装结构的剖面示意图。图54b为本发明的半导体芯片封装结构的俯视示意图。图54c为本发明的半导体芯片封装结构的仰视示意图。图55a为本发明的半导体芯片结构的剖面示意图。图55b为本发明的半导体芯片结构的俯视示意图。图55c为本发明的半导体芯片结构的仰视示意图。图56a为本发明的金属基板结构的剖面示意图。图56b为本发明的金属基板结构的俯视示意图。图56c为本发明的金属基板结构的仰视示意图。图57a为本发明的光阻层与金属基板结构的剖面示意图。图57b为本发明的光阻层与金属基板结构的俯视示意图。图57c为本发明的光阻层与金属基板结构的仰视示意图。图58a为本发明的绕线附在金属基板时的结构的剖面示意图。图58b为本发明的绕线附在金属基板时的结构的俯视示意图。图58c为本发明的绕线附在金属基板时的结构的仰视示意图。图59a为本发明的第三光阻层及第四光阻层剥落后的结构的剖面示意图。图59b为本发明的第三光阻层及第四光阻层剥落后的结构的俯视示意图。图59c为本发明的第三光阻层及第四光阻层剥落后的结构的仰视示意图。图60a为本发明的焊接屏蔽在金属基板及绕线时的结构的剖面示意图。图60b为本发明的焊接屏蔽在金属基板及绕线时的结构的俯视示意图。图60c为本发明的焊接屏蔽在金属基板及绕线时的结构的仰视示意图。图61a为本发明的第五光阻层及第六光阻层形成后的结构的剖面示意图。图61b为本发明的第五光阻层及第六光阻层形成后的结构的俯视示意图。图61c为本发明的第五光阻层及第六光阻层形成后的结构的仰视示意图。图62a为本发明的电镀接点形成在绕线后的结构的剖面示意图。图62b为本发明的电镀接点形成在绕线后的结构的俯视示意图。图62c为本发明的电镀接点形成在绕线后的结构的仰视示意图。图63a为本发明的第五光阻层及第六光阻层剥落后的结构的剖面示意图。图63b为本发明的第五光阻层及第六光阻层剥落后的结构的俯视示意图。图63c为本发明的第五光阻层及第六光阻层剥落后的结构的仰视示意图。图64a为本发明的黏着剂形成在焊接屏蔽后的结构的剖面示意图。图64b为本发明的黏着剂形成在焊接屏蔽后的结构的俯视示意图。图64c为本发明的黏着剂形成在焊接屏蔽后的结构的仰视示意图。图65a为本发明的具有半导体芯片的结构的剖面示意图。图65b为本发明的具有半导体芯片的结构的俯视示意图。图65c为本发明的具有半导体芯片的结构的仰视示意图。图66a为本发明的连接部附在导电接脚及电镀接点时的结构的剖面示意图。图66b为本发明的连接部附在导电接脚及电镀接点时的结构的俯视示意图。图66c为本发明的连接部附在导电接脚及电镀接点时的结构的仰视示意图。图67a为本发明的具有密封层的结构的剖面示意图。图67b为本发明的具有密封层的结构的俯视示意图。图67c为本发明的具有密封层的结构的仰视示意图。图68a为本发明的第二光阻层形成在金属基板的结构的剖面示意图。图68b为本发明的第二光阻层形成在金属基板的结构的俯视示意图。图68c为本发明的第二光阻层形成在金属基板的结构的仰视示意图。图69a为本发明的具有凹口的结构的剖面示意图。图69b为本发明的具有凹口的结构的俯视示意图。图69c为本发明的具有凹口的结构的仰视示意图。图70a为本发明的具有金属壁的结构的剖面示意图。图70b为本发明的具有金属壁的结构的俯视示意图。图70c为本发明的具有金属壁的结构的仰视示意图。图71a为本发明的模板覆盖在第二光阻层的结构的剖面示意图。图71b为本发明的模板覆盖在第二光阻层的结构的俯视示意图。图71c为本发明的模板覆盖在第二光阻层的结构的仰视示意图。图72a为本发明的锡膏沉积在金属壁的结构的剖面示意图。图72b为本发明的锡膏沉积在金属壁的结构的俯视示意图。图72c为本发明的锡膏沉积在金属壁的结构的仰视示意图。图73a为本发明的移去模板后的结构的剖面示意图。图73b为本发明的移去模板后的结构的俯视示意图。图73c为本发明的移去模板后的结构的仰视示意图。图74a为本发明的锡膏形成焊接层后的结构的剖面示意图。图74b为本发明的锡膏形成焊接层后的结构的俯视示意图。图74c为本发明的锡膏形成焊接层后的结构的仰视示意图。图75a为本发明的第二光阻层剥落后的结构的剖面示意图。图75b为本发明的第二光阻层剥落后的结构的俯视示意图。图75c为本发明的第二光阻层剥落后的结构的仰视示意图。图76a为本发明的金属基板移除后的结构的剖面示意图。图76b为本发明的金属基板移除后的结构的俯视示意图。图76c为本发明的金属基板移除后的结构的仰视示意图。图77a为本发明的绝缘封胶形成后的结构的剖面示意图。图77b为本发明的绝缘封胶形成后的结构的俯视示意图。图77c为本发明的绝缘封胶形成后的结构的仰视示意图。图78a为本发明的部分绝缘封胶移除后的结构的剖面示意图。图78b为本发明的部分绝缘封胶移除后的结构的俯视示意图。图78c为本发明的部分绝缘封胶移除后的结构的仰视示意图。图79a为本发明的锡球形成后的结构的剖面示意图。图79b为本发明的锡球形成后的结构的俯视示意图。图79c为本发明的锡球形成后的结构的仰视示意图。图80a为本发明的焊接端形成后的结构的剖面示意图。图80b为本发明的焊接端形成后的结构的俯视示意图。图80c为本发明的焊接端形成后的结构的仰视示意图。图81a为本发明的半导体芯片封装结构的剖面示意图。图81b为本发明的半导体芯片封装结构的俯视示意图。图81c为本发明的半导体芯片封装结构的仰视示意图。图82a为本发明的第四实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图。图82b为本发明的第四实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图。图82c为本发明的第四实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。图83a为本发明的第五实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图。图83b为本发明的第五实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图。图83c为本发明的第五实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。图84a为本发明的第六实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图。图84b为本发明的第六实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图。图84c为本发明的第六实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。图85a为本发明的第七实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图。图85b为本发明的第七实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图。图85c为本发明的第七实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。图86a为本发明的第八实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图。图86b为本发明的第八实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图。图86c为本发明的第八实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。图87a为本发明的第九实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图。图87b为本发明的第九实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图。图87c为本发明的第九实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。图88a为本发明的第十实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图。图88b为本发明的第十实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图。图88c为本发明的第十实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。图89a为本发明的第十一实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图。图89b为本发明的第十一实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图。图89c为本发明的第十一实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。图90a为本发明的第十二实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图。图90b为本发明的第十二实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图。图90c为本发明的第十二实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。图91a为本发明的第十三实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图。图91b为本发明的第十三实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图。图91c为本发明的第十三实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。图92a为本发明的第十四实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图。图92b为本发明的第十四实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图。图92c为本发明的第十四实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。图93a为本发明的第十五实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图。图93b为本发明的第十五实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图。图93c为本发明的第十五实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。图94为本发明的第十六实施例的金属柱结构示意图。图95为本发明的第十七实施例的金属柱结构示意图。图96为本发明的第十八实施例的金属柱结构示意图。图97为本发明的第十九实施例的金属柱结构示意图。图98为本发明的第二十实施例的金属柱结构示意图。具体实施例方式图1a至图27c为制作半导体芯片封装结构方法的第一实施例，其中图1a至图27a为剖面示意图、图1b至图27b为俯视示意图、图1c至图27c为仰视示意图。如图1a、图1b及图1c所示，为本发明的半导体芯片结构的剖面示意图、本发明的半导体芯片结构的俯视示意图及本发明的半导体芯片结构的仰视示意图。如图所示本发明为一种焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其中该半导体芯片110为一集成电路，并由多个晶体管、电路、连接部及与其它连接所组成(图中未示)。该半导体芯片110包含相对应的第一平面112及第二平面114，该第一平面112与第二平面114间的厚度为150微米，该第一平面112为主动面(activesurface)并包含一导电接脚116及一钝化层118(passivationlayer)。实质上，该导电接脚116与该钝化层118成直线排列，使该第一平面112的表面为平坦。该导电接脚116延伸在钝化层118上，或者被嵌入在该钝化层118内，该导电接脚116提供一接合点(abondingsite)与该半导体芯片110的外部的电路连接。因此，该导电接脚116可为一输入/输出接脚或一电源/接地接脚(power/ground)。该导电接脚116的长度及宽度各为100微米。该导电接脚116具有一铝基板(analuminumbase)，该导电接脚116通过在室温下0.05M磷酸中浸泡1分钟清洗该半导体芯片110，然后利用蒸馏水清洗。该导电接脚116将铝基板视为一表面层(asurfacelayer)，或者该导电接脚116包含一表面层，该表面层覆盖该铝基板，并依该连接部(aconnectionjoint)的性质与该表面层接触。在第一实施例中，该连接部为一金属金打线(agoldwirebond)。因此该导电接脚116不能被视为容纳该连接部，或者该导电接脚116可由至少一以上的金属层堆栈在该铝基板上，该导电接脚116可为铬层/铜层/金层，或为钛层/镍层/金层在该铝基板上。其中，该铬层或钛层提供该铝基板一屏障(abarrier)及在上层金属层与该铝基板间布有一黏着剂(anadhesive)。然而该金属层堆栈具有选择性地被沉积通过利用一屏蔽进行蒸镀(evaporation)、电镀(electroplating)或喷镀(sputtering)等相关地复杂的处理。或者，该导电接脚116亦可通过形成一镍表面层在该铝基板上，如可将该半导体芯片110浸泡在一锌溶液，沉积一锌层在该铝基板上，其方法为锌化(zincation)。更进一步，上述该锌溶液包含150克/公升的氢氧化钠(NaOH)、25克/公升的氧化锌(ZnO)及1克/公升的亚硝酸钠(NaNO3)，就像酒石酸可减少该铝基板的分解率。之后，该镍表面层为无电沉积在该经锌化的铝基板(thezincatedaluminumbase)，一种合适的无电镍电镀溶液为在摄氏85度下的EnthoneEnplateNI-424。该半导体芯片110包含至少一以上的导电接脚在第一平面112上，但图中只标示单一个导电接脚116，为了图示及说明方便。另外，该半导体芯片110已跟其它半导体芯片被独立出来，而该半导体芯片原本皆附在一晶圆上。请参阅图2a、图2b及图2c所示，为本发明的金属基板结构的剖面示意图、本发明的金属基板结构的俯视示意图及本发明的金属基板仰视示意图。如图所示该金属基板120包含相对应的第一主要平面122及第二主要平面124。该金属基板120(Metalbase)为一金属铜板，其厚度为150微米。请参阅图3a、图3b及图3c所示，为本发明的光阻层与金属基板结构的剖面示意图、本发明的光阻层与金属基板结构的俯视示意图及本发明的光阻层与金属基板结构的仰视示意图。如图所示该第一光阻层126(photoresistlayer)及第二光阻层128被形成在该金属基板120上。该第一光阻层126及第二光阻层128通过一种干式薄膜层压处理(adryfilmlamination)被沉积，并同时将该第一光阻层126及第二光阻层128分别地热滚压印在该第一主要平面122及第二主要平面124。一光罩(Areticle)(图中未示)放置在该第二光阻层128附近。之后，该第二光阻层128通过选择性地被印有图案使光透过该光罩，并使用一显影溶剂(adeveloper)将光阻部分移除，并通过光使该光阻部分为可溶解的，然后烤干(hardbaking)。该第二光阻层128包含一开口，该开口的直径为250微米，并选择性地使该第二主要平面124暴露，而该第一光阻层126未印有图案。该第一光阻层126及第二光阻层128的厚度为25微米，指分别从该第一主要平面122及第二主要平面124开始算起。请参阅图4a、图4b及图4c所示，为本发明的具有凹口的金属基板结构的剖面示意图、本发明的具有凹口的金属基板结构的俯视示意图及本发明的具有凹口的金属基板结构的仰视示意图。如图所示该凹口130被形成在该金属基板120上。该凹口130通过一种背边式湿式化学蚀刻(aback-sidewetchemicaletch)形成，使该第二主要平面124的暴露部分进行蚀刻，并利用该第二光阻层128为其蚀刻屏蔽。由在该第一光阻层126可保护该金属基板120的一面，例如一底部喷嘴(图中未示)能在该金属基板120上喷射该湿式化学蚀刻溶液，当一顶部喷嘴(图中未示)不被使用时，或整体结构浸在湿式化学蚀刻溶液里时，该第二光阻层提供前端保护。该湿式化学蚀刻溶液具有对铜的高选择性，并对该金属基板120蚀刻80微米深。该凹130为一盲孔(ablindvia)，并从该第二主要平面第二主要平面124延伸至该金属基板120内，但未穿透该金属基板120。该凹口130在该第二平面第二主要平面124之上的直径为300微米，该凹口130相对于该第二平面第二主要平面124的深度为80微米，与第一平面第一主要平面122之间距为70微米。其中，一种合适的湿式化学蚀刻溶液为碱性的氨水。为了使该凹口130具有适当的直径，而将该金属基板120暴露在该化学蚀刻溶液的理想的蚀刻时间需通过反复试验来建立。请参阅图5a、图5b及图5c所示，为本发明的金属壁形成在金属基板结构的剖面示意图、本发明的金属壁形成在金属基板结构的俯视示意图及本发明的金属壁形成在金属基板结构的仰视示意图。如图所示该金属壁132被形成在该金属基板120的凹口130内，并与该凹口130的轮廓相符。该金属壁132在向下方向覆盖该凹口130，并被沉积在该凹口130内但非填满该凹口130。而该金属壁132与该金属基板120具有电性的连接，但不与该金属基板120整合为一体。该金属壁132由一镀在该金属基板120的镍层及一镀在该镍层的金层所组成(图中未示)。该镍层被夹在该金属基板120与金层间并与该金属基板120及金层接触，而该金层与该镍层接触，并与该金属基板120隔离。因此该镍层被该金层覆盖，而该金层被暴露。该金属壁132的厚度为10.1微米。特别地，该镍层的厚度为10微米，该金层的厚度为0.1微米。为了图示方便，该镍层及金层在图中只绘出单一层。该金属壁132的形成利用该第一光阻层126及第二光阻层128为电镀屏蔽，并进行电镀处理。因此，该金属壁132被形成。一开始，一电镀总线(aplatingbus)(图中未示)连接至该金属基板120，从外部电源所产生的电流用在该电镀总线，并将该金属基板120浸在一电解镍电镀溶液(anelectrolyticnickelplatingsolution)，该溶液如在室温下的TechnicTechniNickel“S”。最后，该镍层镀在该金属基板120的凹口130暴露部分。然而持续进行镍电镀处理直到该镍层到达所需要的厚度。之后将整体结构从该电解镍电镀溶液中移出，再浸在电解金电镀溶液，该溶液如在室温下的TechnicOrotemp，同时由外部电源所得的电流用在该电镀总线，使该金层镀在镍层上，而持续进行金电镀直到该金层到达所需要的厚度，然而将整体结构从电解金电镀溶液移出并利用蒸馏水冲洗，除去污染物。该金属壁132的形状呈碗状，其垂直平面为一凹字形，并与向上方向与向下方向平行，且其在第二主要平面第二主要平面124的横向平面的形状可为圆形，而与向上方向及向下方向正交。该金属壁132的高度为80微米，与该第二主要平面124的直径为300微米，该金属壁132的厚度为10.1微米。但该金属壁132具有微小的厚度变化。比如该金属壁132可能比在该第二主要平面124附近的厚度较厚，因为该第二主要平面124附近的电解溶液的流动率较高。该金属壁132由连续的单一镍层及连续的单一金层所组成。该金属壁132具有一孔洞134，该孔洞134与该金属基板120隔离，并延伸至该凹口130内。该孔洞134向该金属壁132延伸，并经过该金属壁132大部分的高度及直径，该孔洞134被该金属壁132覆盖在向上方向及横向方向，并包含一开口136，该开口朝向下方向，并形成一凹面，坑洞的形状。请参阅图6a、图6b及图6c所示，为本发明的模板覆盖在第二光阻层的结构的剖面示意图、本发明的模板覆盖在第二光阻层的结构的俯视示意图及本发明的模板覆盖在第二光阻层的结构的仰视示意图。如图所示该模板138的厚度为80微米，并包含一开口(anopening)，其开口的直径为200微米，该模板138与在该第二光阻层128的开口、金属壁132及孔洞134被垂直排列。为了图示及说明方便，该金属基板120绘在该模板138之上，并保持固定方向可方便与前图比较，虽然整体架构方向巅倒，而该重力将帮助该模板138覆盖在该第二光阻层128上。请参阅图7a、图7b及图7c所示，为本发明的锡膏沉积在金属壁的结构的剖面示意图、本发明的锡膏沉积在金属壁的结构的俯视示意图及本发明的锡膏沉积在金属壁的结构的仰视示意图。如图所示该锡膏140包含粉末状钛-银-铜的锡料颗粒混合在一黏的有机树脂溶剂中，其包含一助熔剂。该锡膏140利用模板印刷使其被沉积在该金属壁132上。在模板印刷处理中，一挤压器(squeegee)(图中未示)挤压该锡膏140沿着该模板138相对于该金属基板120的表面，通过该第二光阻层128的开口与模板138的开口挤入在该金属壁132上及该孔洞134内。该锡膏140在室温下可形成任何形状，所以该锡膏140可填满该孔洞134，在该第二光阻层128的开口及在该模板1388的开口。然而该锡膏140与该金属基板120分离。然而，该锡膏140与该金属基板120隔离。为了图示说明方便，该金属基板120绘制在该锡膏140的上方，并保持固定方向为了能与前图比对，虽然整体结构被颠倒但重力可帮助该锡膏140的沉积。请参阅图8a、图8b及图8c所示，为本发明的移去模板后的结构的剖面示意图、本发明的移去模板后的结构的俯视示意图及本发明的移去模板后的结构的仰视示意图。如图所示为将该模板138从该第二光阻层128移去后的示意图。为了图示说明方便，该金属基板120绘制在该锡膏140的上方，并保持固定方向为了能与前图比对，虽然整体结构被颠倒，当该模板138被移除时，该锡膏140通过重力帮助覆盖在该结构上。请参阅图9a、图9b及图9c所示，为本发明的锡膏形成焊接层后的结构的剖面示意图、本发明的锡膏形成焊接层后的结构的俯视示意图及本发明的锡膏形成焊接层后的结构的仰视示意图。如图所示该焊接层142(solderlayer)与该金属壁132接触并具有电性的连接，但非与该金属壁132整合为一体，且与该金属基板120隔离。而且，该焊接层142填满该孔洞134，其厚度为30微米，相对于该金属基板120、金属壁132及孔洞134的向下方向。该焊接层142由该锡膏140回流所形成。一开始，整体结构被加热至约260度，加热造成在锡膏140内的助溶剂与该金属壁132及该锡膏140内的锡料颗粒产生反应，并从该金属壁132及该锡膏140内的锡料颗粒移除氧化物，使该锡料颗粒被融化，并使该锡料颗粒结合，并将在该锡膏140内的有机树脂蒸发，因此该锡膏140比它原有的尺寸更小并产生锡料回流。另外该金属壁132的金层提供一湿润表面(awettablesurface)为了使锡料回流并分解已被融化的锡料，所以该金属壁132本为双片金属层由镍层及金层所构成，被改变由单片金属的镍层所构成。而且，该第二光阻层128限制该锡料回流至该金属壁132，并防止该锡料接触到该金属基板120。之后，停止加热并将被融化的锡料颗粒冷却凝固，当变硬时即成焊接层142。该焊接层142的直径为280微米，并与在该第二光阻层128的开口、金属壁132及孔洞134垂直地排列。为了图示说明方便，该金属基板120绘制在该焊接层142的上方，并保持固定方向为了能与前图比对，虽然整体结构被颠倒，当该焊接层142形成时，该锡料通过重力回流。请参阅图10a、图10b及图10c所示，为本发明的第一光阻层及第二光阻层剥落后的结构的剖面示意图、本发明的第一光阻层及第二光阻层剥落后的结构的俯视示意图及本发明的第一光阻层及第二光阻层剥落后的结构的仰视示意图。如图所示该第一光阻层126及第二光阻层128使用一溶剂使其被移除，该溶剂为温合的碱性溶液，其pH值为9，在当光阻蚀剂对铜、镍及锡时适用，所以该金属基板120、金属壁132或锡金属层142没被移除。请参阅图11a、图11b及图11c所示，为本发明的第三光阻层及第四光阻层形成在金属基板后的结构的剖面示意图、本发明的第三光阻层及第四光阻层形成在金属基板后的结构的俯视示意图及本发明的第三光阻层及第四光阻层形成在金属基板后的结构的仰视示意图。如图所示该第三光阻层144及第四光阻层146利用干式薄膜层压处理将该第三光阻层144及第四光阻层146分别热滚压印在第一主要平面122及第二主要平面124。一光罩(Areticle)(图中未示)放置在该第三光阻层144的附近。之后，该第三光阻层144印有图案通过选择性地使光透过该光罩，并使用一显影溶剂(adeveloper)将光阻部分移除，并通过光使该光阻部分为可溶解的，然后烤干(hardbaking)。所以该第三光阻层144具有一开口，并选择性地使该第一主要平面第一主要平面122暴露，而该第四光阻层146未印有图案。该第三光阻层144及第四光阻层146的厚度为50微米，并分别从该第一主要平面第一主要平面122及第二主要平面第二主要平面124开始计算。请参阅图12a、图12b及图12c所示，为本发明的绕线附在金属基板时的结构的剖面示意图、本发明的绕线附在金属基板时的结构的俯视示意图及本发明的绕线附在金属基板时的结构的仰视示意图。如图所示该绕线150被形成在该金属基板120的第一主要平面122，并与该第二主要平面124、金属壁132及焊接层142隔离。该绕线150由一镀在该金属基板120的镍层及一镀在镍金属层的铜层所组成，该镍层与该金属基板120接触并被夹在该金属基板120及铜层之间，而该铜层与该镍层接触，并与该金属基板120隔离。因此，该镍层被该铜层覆盖，而该铜层被暴露。该绕线150的厚度为30微米。特别地，该镍层的厚度为5微米，该铜层的厚度为25微米。为了图示说明方便，图中未绘出该镍层及铜层，只绘出单一金属层。该绕线150被使用该第三光阻层144及第四光阻层146为电镀屏蔽进行电镀处理而形成。一开始，一电镀总线(图中未示)连接至该金属基板120，从外部电源所提供的电流可用在该电镀总线，而该金属基板120浸在一电解镍电镀溶液，其溶液如在室温下的TechnicTechniNickel“S”。因此该镍层镀(沉积或长)在该金属基板120的暴露部分，接着持续进行镍电镀处理直到该镍层达到所需要的厚度。之后，将整个结构从电解镍电镀溶液移出并浸在一电解铜电镀溶液，其溶液如在室温下的Sel-RexCUBATHMTM，而目前电流可用在该电镀总线，使该铜层镀在镍层，且持续铜电镀直到该铜层达到所需要的厚度。之后整体结构从电解铜电镀溶液移出，并用蒸馏水清洗移除污染物。该绕线150为平坦的平面，其包含一长形绕线部分152(elongatedroutingportion)以及较大圆形部分154(enlargedcircularportion)。该长形绕线部分152及较大圆形部分154相互邻接并在同一平面上。该长形绕线部分152的宽度为100微米，该较大圆形部分154的直径为300微米。而且，该长形绕线部分152的从该较大的圆形部分154横向延伸，该金属壁132及焊接层142与该较大的圆形部分154垂直地排列。请参阅图13a、图13b及图13c所示，为本发明的第三光阻层及第四光阻层剥落后的结构的剖面示意图、本发明的第三光阻层及第四光阻层剥落后的结构的俯视示意图及本发明的第三光阻层及第四光阻层剥落后的结构的仰视示意图。如图所示该第三光阻层144及第四光阻层146利用一溶剂使其被移除，该溶剂为温合的碱性溶液，其pH值为9，当光阻蚀剂对铜、镍及锡料时适用。所以该金属基板120、金属壁132、焊接层142或绕线150没被移除。请参阅图14a、图14b及图14c所示，为本发明的焊接屏蔽在金属基板及绕线时的结构的剖面示意图、本发明的焊接屏蔽在金属基板及绕线时的结构的俯视示意图及本发明的焊接屏蔽在金属基板及绕线时的结构的仰视示意图。如图所示该焊接屏蔽156(Soldermask)为一液态树脂，被沉积在该金属基板120及绕线150上。之后该液态树脂(liquidresin)在相对低温时可凝固或硬化，其相对温度的范围介于摄氏100度至摄氏250度间，使该液态树脂形成一固态绝缘环氧树脂层(solidinsulativeepoxylayer)，该固态绝缘环氧树脂层的厚度为50微米，并在该金属基板120及绕线150接触，且从该绕线150向上延伸20微米。之后，将该焊接屏蔽156的上面部分通过研磨被移除。特别地，利用一旋转钻石砂轮(arotatingdiamondsandwheel)及蒸馏水用在该焊接屏蔽156的前侧。一开始，该钻石砂轮只对该焊接屏蔽156进行研磨，当持续研磨时，使该焊接屏蔽156变薄在被研磨的表面向下地迁移时。然后该钻石砂轮接触到该绕线150时，因此开始研磨该绕线150，当持续研磨时，该绕线150及焊接屏蔽156同时变薄在被研磨的表面向下迁移时。直到该绕线150及焊接屏蔽156达到所需要的厚度及接触到该金属基板120前停止研磨，然后，将整体结构用蒸馏水清洗并除去污染物。当研磨完之后，该绕线150及焊接屏蔽156从该金属基板120向上延伸25微米。因此该研磨处理该移去5微米厚的绕线150的上方部分，及25微米厚的焊接屏蔽156的上方部分。在这阶段中，该焊接屏蔽156连续并与该绕线150接触，且覆盖该绕线150的边缘侧面。然而，该焊接屏蔽156不再覆盖在该绕线150在向上方向。因此该绕线150及焊接屏蔽156皆被暴露。而且，该绕线150与焊接屏蔽156被横向排列在一朝向上的平面上。因此，一被暴露水平表面包括该绕线150与焊接屏蔽156，并朝向上方。请参阅图15a、图15b及图15c所示，为本发明的第五光阻层及第六光阻层形成后的结构的剖面示意图、本发明的第五光阻层及第六光阻层形成后的结构的俯视示意图及本发明的第五光阻层及第六光阻层形成后的结构的仰视示意图。如图所示该第五光阻层158被形成在该绕线150及焊接屏蔽156上，而该第六光阻层160被形成在该金属基板120、金属壁132及焊接层142上。该第五光阻层158及第六光阻层160以液态的形式被沉积，并利用滚压涂布分别沉积在相对应的平面。一光罩(Areticle)(图中未示)放置在该第五光阻层158的附近。之后，该第六光阻层160印有图案，并选择性地使光透过该光罩，并使用一显影溶剂(adeveloper)将光阻部分移除，且通过光使该光阻部分为可溶解的，然后烤干(hardbaking)。所以该第五光阻层158具有一开口，选择性地使该绕线150暴露，而该第六光阻层160未印有图案。该第五光阻层158及第六光阻层160的厚度为50微米，并分别从该绕线150及金属基板120开始计算。请参阅图16a、图16b及图16c所示，为本发明的电镀接点形成在绕线后的结构的剖面示意图、本发明的电镀接点形成在绕线后的结构的俯视示意图及本发明的电镀接点形成在绕线后的结构的仰视示意图。如图所示该电镀接点162(Platedcontact)与该绕线150接触并具有电性的连接，但非与该绕线150整合为一体，并与该金属基板120隔离。该电镀接点162由一镀在该绕线150的镀镍层及一镀在镍层的金层，该镍层与该绕线150及金层接触，并被夹在该绕线150与金层之间，而该金层与该镍层接触，并与该绕线150隔离。因此，该镍层被该金层覆盖，而该金层被暴露。该电镀接点162的厚度为3.5微米，特别地，该镍层的厚度为3微米，而该金层的厚度为0.5微米。为了图示说明方便，图中未绘出该镍层及金层，只绘出单一金属层。该电镀接点162该第五光阻层158及第六光阻层160为电镀屏蔽进行电镀处理而被形成。一开始，一电镀总线(图中未示)连接至该金属基板120，从外部电源所提供的电流可用在该电镀总线，以及该金属基板120浸在一电解镍电镀溶液，其溶液如在室温下的TechnicTechniNickel“S”。因此该镍层镀在该绕线150的暴露部分，持续进行镍电镀直到该镍层达到所需要的厚度。然而，将整个结构从电解镍电镀溶液移出并浸在一电解金电镀溶液，其溶液如在室温下的TechnicOrotemp，而目前电流可用在该电镀总线，使该金层镀在镍层，且持续金电镀直到该镀金层达到所需要的厚度。然后将整体结构从电解铜电镀溶液移出，并用蒸馏水清洗移除污染物。请参阅图17a、图17b及图17c所示，为本发明的第五光阻层及第六光阻层剥落后的结构的剖面示意图、本发明的第五光阻层及第六光阻层剥落后的结构的俯视示意图及本发明的第五光阻层及第六光阻层剥落后的结构的仰视示意图。如图所示该第五光阻层158及第六光阻层160使用一溶剂使其被移除，该溶剂为温合的碱性溶液，其pH值为9，当光阻蚀剂对铜、镍、锡料及环氧树脂时适用。所以该金属基板120、金属壁132、焊接层142、绕线150、焊接屏蔽156或电镀接点162没被移除。请参阅图18a、图18b及图18c所示，为本发明的黏着剂形成在焊接屏蔽后的结构的剖面示意图、本发明的黏着剂形成在焊接屏蔽后的结构的俯视示意图及本发明的黏着剂形成在焊接屏蔽后的结构的仰视示意图。如图所示该黏着剂164(Adhesive)可能包含一有机表面保护剂(anorganicsurfaceprotectant)，如HK2000，该黏着剂164在该第五光阻层158及第六光阻层160被移除后被使用在整体结构，可减少自然氧化物产生在被暴露的铜层表面。用在半导体芯片封装结构组装过程使用该有机表面保护剂在绝缘黏着技术中。然后，一液态树脂如聚酰胺酸(polyamicacid)利用模板印刷使其沉积在该焊接屏蔽156，在模板印刷时，一模板(图中未示)被设置在该绕线150及焊接屏蔽156上，一模板开口(astencilopening)与该金属基板120排成一列，并与该绕线150有偏移，然后，一挤压器(squeegee)(图中未示)挤压该液态树脂沿着该模板表面往相对应的焊接屏蔽156方向，穿过该模板开口，在该焊接屏蔽156之上，但不是金属基板120、绕线150或电镀接点162。该液态树脂在室温下可塑型为任何形状。所以，该液态树脂可流动并覆盖一部分的焊接屏蔽156，但仍与金属基板120、绕线150及电镀接点162隔离。请参阅图19a、图19b及图19c所示，为本发明的具有半导体芯片的结构的剖面示意图、本发明的具有半导体芯片的结构的俯视示意图及本发明的具有半导体芯片的结构的仰视示意图。如图所示该黏着剂164与该半导体芯片110及焊接屏蔽156接触，并在该半导体芯片110与焊接屏蔽156间延伸，但仍与该金属基板120、绕线150及电镀接点162隔离。该半导体芯片110的第一平面112朝向上并远离该焊接屏蔽156且被暴露；而该半导体芯片110的第二平面114朝向下，并面向该焊接屏蔽156，且被该黏着剂164覆盖。该半导体芯片110与金属基板120不相互接触，该半导体芯片110与绕线150不相互接触，及该半导体芯片110与焊接屏蔽156不相互接触。该黏着剂164被夹在该半导体芯片110与焊接屏蔽156间使用相对低压在吸取头(pick-uphead)，该吸取头放置在黏着剂164上的半导体芯片110，需强压该半导体芯片110在黏着剂上5秒，然后放松该半导体芯片110。该吸取头被加热在相对低温中，如相对低温为150度，而该黏着剂164从该吸取头接收热并传至该半导体芯片110。因此该黏着剂164紧邻着该半导体芯片特别地被聚合的，并形成一胶体但不是完全地被凝固，以及该黏着剂164特别地被聚合的，并提供一软式机械接合(aloosemechanicalbond)在该半导体芯片110及焊接屏蔽156间。该半导体芯片110与金属基板120被设置在相对位置，以致在该半导体芯片110被设置在该黏着剂164的边缘内，及该金属壁132、焊接层142、绕线150及电镀接点162被设置在该半导体芯片110的边缘外。该半导体芯片110及金属基板120利用一自动图案识别统(anautomatedpatternrecognitionsystem)被排列。之后，整体结构被放置在一烘箱，该黏着剂164在相对低温中完全被硬化，其相对低温的范围介于200度至250度，并形成一硬黏着绝缘热调整聚酰胺层(adhesiveinsulativethermosettingpolyimidelayer)，其与该半导体芯片110及焊接屏蔽156接触，并被夹在该半导体芯片110与焊接屏蔽156间，且可机械地连接该半导体芯片110及焊接屏蔽156。该黏着剂164在该半导体芯片110与焊接屏蔽156间的厚度为35微米。在这阶段中，该金属基板120覆盖该半导体芯片110、绕线150、焊接屏蔽156、电镀接点162及黏着剂164，并从该半导体芯片110、绕线150、焊接屏蔽156、电镀接点162及黏着剂164向下延伸，该金属壁132被配置在该半导体芯片110的边缘外，并从该半导体芯片110、绕线150、焊接屏蔽156、电镀接点162及黏着剂164向下延伸，该焊接层142被配置在该半导体芯片110的边缘外，并从该半导体芯片110、金属壁132、绕线150、焊接屏蔽156、电镀接点162及黏着剂164向下延伸，该绕线150被设置在该半导体芯片110的向下方向，并在该半导体芯片110的边缘外，且从该金属壁132及该焊接层142横向延伸，朝向该半导体芯片110，及该黏着剂164从该半导体芯片110向下延伸。而且，该半导体芯片110仍具有电性的与该金属基板120、金属壁132、焊接层142、绕线150及电镀接点162隔离。请参阅图20a、图20b及图20c所示，为本发明的连接部附在导电接脚及电镀接点时的结构的剖面示意图、本发明的连接部附在导电接脚及电镀接点时的结构的俯视示意图及本发明的连接部附在导电接脚及电镀接点时的结构的仰视示意图。如图所示该连接部166为一金属金的打线，其球状接合在该导电接脚116上，其楔形接合在该电镀接点162上。其中该金属线连接球状接点及楔形接点，该打线的厚度为25微米。因此该连接部166与该导电接脚116及电镀接点162接触，并使该导电接脚116及电镀接点162具有电性的连接，所以亦可使该导电接脚116可具有电性的与该金属基板120、金属壁132、焊接层142及绕线150连接。而该连接部166在该半导体芯片110的边缘内及边缘外延伸，并自该半导体芯片110向上延伸100微米，并与该金属基板120、金属壁132、焊接层142、绕线150及焊接屏蔽156隔离。请参阅图21a、图21b及图21c所示，为本发明的具有密封层的结构的剖面示意图、本发明的具有密封层的结构的俯视示意图及本发明的具有密封层的结构的仰视示意图。如图所示该密封层168通过转注成型法(transfermolding)被沉积，该转注成型法最常用在半导体芯片封装结构的组装方法对塑料组装而言。一般来说，该转注成型法包括组件在一密封模内形成一注模材料(moldingcompound)，该注模材料在可为热、塑料状态的压力下将该注模材料在从中心储存槽(centralreservoir)亦为料腔(transferpot)穿过树状阵列的浇道(runners)及浇口(gates)传送至密封的模穴中。较好的传注成型统包含一预热器(preheater)、一模子、一模压机(press)及一硬化炉(cureoven)。该模子包含一上模部分及一下模部分，亦可称为(platens)或(halves)用来定义该模穴。该模子也包含该料腔、浇道浇口及排气口(vents)。该料腔容纳该注模材料。该浇道及浇口提供从该料腔至模穴的通道。该浇口被设置在该模穴入口附近，并被压缩进而控制进入该模穴时该注模材料的流动速度及注入速度且使该被固化的注模材料容易移动在该转注形成进行时。该排气口准许受限制的空气能排出，但该排气口很小只能使极少数的注模材料通过。该注模材料在一开始处在平板的形式。该预热器使用高频率能源使该注模材料预热至一温度，其温度范围介于50度至100度之间。该预热的温度低在转注的温度，所以该被预热的注模材料不处在一流体的状态。此外，整体结构被设置在其中一个模穴中，该模压机油压地运作使该模子密合及通过上层模块及下层模块定位使该模穴密合。该定位销(Guidepins)确保该上模部分及下模部分密合处刚恰好在分模线。另外，该模子被加热至一转注温度，其转注温度的范围介于150度至250度之间，通过插入电子加热匣在该上模部分及下模部分。密封该模子之后，该被预热的注模材料为平板形态被设置在该料腔内。然后一转注撞针(transferplunger)加压至在该料腔内的注模材料。该压力范围介于10至100kgf/cm2并可设定越高越好且不会有可靠度的问题。对该模子加热及加压在该转注撞针的压力等处理将在料腔内的注模材料转换至流体状态。而且，从该转注撞针而来的压力强制使该流体的转注撞针通过该浇道及浇口进入该模穴。该压力被维持在一固定的最佳时间，方可确保该注模材料填满该模穴。该下层模块与该金属基板120接触，并可与该金属基板120密合，且与该金属基板120紧接。然而，该上模部分与该连接部166距离120微米。因此该注模材料与该半导体芯片110、绕线150、焊接屏蔽156、电镀接点162、黏着剂164及连接部166的暴露部分接触在模穴中。在转注温度过了1至3分钟后，该注模材料聚合的并部分地被硬化在模子中。一旦有部分的注模材料被硬化后，具有足够的弹性及硬度，使其可抵抗挤出的力量，使其无法显着且永久的变形。该模压机打开模子，该起模杆从该模子中取出被铸造的结构，并剩在的注模材料附在该被铸造的结构上，该剩在的注模材料被固化在该浇道及浇口上被整理及移除。该被铸造的结构被加载一匣盒(magazine)，并被设置在该硬化炉内4至16个小时，且在一比转注温度稍微低的温度中但比室内温度高使该注模材料完全地硬化。该注模材料为一多组成混和的密封树脂添加各种不同的添加剂，其主要的添加剂包含硬化剂、加速剂、惰性填料、连结剂、难燃剂、消除应力剂、着色剂及脱模剂。该密封树脂提供一屏蔽物(abinder)，该硬化剂(curingagent)提供直线/十字线的聚合作用(linear/cross-polymerization)，该加速剂提高该聚合速率，该惰性填料增加热传导性、抗热撞击性及降低热膨胀数、树脂流失、收缩及剩余的压力，该连结剂增加对整体结构的黏着力，该难燃剂降低易燃性，该消除应力剂减少裂纹扩展，该着色剂减少光子活动力及装置可见度，以及该脱模剂使容易从模子移出。该密封层168与该半导体芯片110、绕线150、焊接屏蔽156、电镀接点162、黏着剂164及连接部166接触并覆盖。该密封层168与该半导体芯片110的第一平面112及其外部边缘接触，但与该半导体芯片110的第二平面114隔离。该密封层168覆盖在该金属基板120、金属壁132及焊接端142，但与该金属基板120、金属壁132及焊接端142隔离。该密封层168为一可压缩的固态黏着保护层，其可提供环境的保护，如耐湿性，以及对半导体芯片110的颗粒保护如对该绕线150的机械支撑一样。该半导体芯片被嵌入在该密封层168中。该密封层168从该半导体芯片110、金属基板120、金属壁132、焊接层142、绕线150、焊接屏蔽156、电镀接点162、黏着剂164及连接部166向上延伸，其厚度为400微米，并从该连接部166向上延伸120微米。请参阅图22a、图22b及图22c所示，为本发明的金属柱在金属基板上形成后的结构的剖面示意图、本发明的金属柱在金属基板上形成后的结构的俯视示意图及本发明的金属柱在金属基板上形成后的结构的仰视示意图。如图所示该金属柱170为该金属基板120的未被蚀刻部分，与该金属壁132及绕线150接触，并被夹在该金属壁132与绕线150间，且使该金属壁132与绕线150间具有电性的连接，但不与该金属壁132及绕线150整合为一体，而该金属柱170由铜组成。该金属柱170被形成通过一种湿式化学蚀刻对该金属基板120蚀刻，并利用该金属壁132及焊接层142为其蚀刻屏蔽，且选择性地保护该金属基板120。因此，该金属柱170依该金属壁132来定出该金属基板120未被蚀刻部分而被形成。一种背边式湿式化学蚀刻被用在对该金属基板120的第二主要平面124、金属壁132及焊接端142。如该底部喷嘴能喷射该湿式化学蚀刻溶液在该金属基板120上，当顶部喷嘴不被使用时或整体结构被浸在该湿式化学蚀刻溶液里，该密封层168提供前侧保护。当铜对镍、锡料、环氧树脂及注模材料时适用该湿式化学蚀刻，所以，当该金属基板120对该金属壁132、焊接层142、该绕线150的镍层、焊接屏蔽156及密封层168时适用该湿式化学蚀刻。该湿式化学蚀刻完全穿过该金属基板120，因此影响该金属壁132的图案转移在金属基板120上。并使该绕线150及焊接屏蔽156暴露，减少但不移除该金属基板120与金属壁132、绕线150及焊接屏蔽156的接触区域。然而该金属壁132、焊接层142、绕线150的镍层、焊接屏蔽156或密封层168没被移除。而该绕线150的镍层在化学蚀刻时保护该绕线150的铜层。所以该绕线150没被移除。该湿式化学蚀刻也横向切割该金属基板120相对于该金属壁132，并造成该金属柱170向内部倾斜并增加高度。一合适的倾斜角度介于45度至小于90度间，如约75度。该金属柱170与该绕线150在较大圆形部分154接触，但与长形绕线部分152隔离，并从该绕线150向下延伸。因此该金属柱170与该绕线150在向下方向有部分重迭，然而该金属柱170在向下方向不覆盖该绕线150。一种合适的湿式化学蚀刻溶液被碱性的氨水提供。使该金属基板120暴露在该化学蚀刻溶液中的理想的蚀刻时间须多次的反复试验，为了蚀刻穿透该金属基板120，以及形成具有理想尺寸的金属柱170，但不使该金属壁132受到侵蚀或避免使该绕线150暴露在化学蚀刻溶液中。该金属柱170包含相对应的第一平面172、第二平面174及锥面176(taperedsidewalls)，其中，该金属柱170的第一平面172建构在该金属基板120的第一主要平面第一主要平面122的未蚀刻部分上，该金属柱170的第二平面174建构在该金属基板120内的凹口130的未蚀刻部分。因此该第一平面172朝向上，该第二平面174朝向下。该第一平面172与该绕线150接触并面向该绕线150，且与该金属壁132隔离，而该第二平面174与该金属壁132接触并面向该金属壁132，但与该绕线150隔离。此外，该第一平面172为平坦的，并与该半导体芯片110的第一平面112及第二平面114及绕线150平行，而该第二平面174沿着该金属壁132的轮廓。该锥面176与该第一平面172及第二平面174邻接，并朝向该第二平面174往内部倾斜。该金属柱170为一圆锥形，其介于第一平面172与第二平面174间的高度为70微米，在该第一平面172向下延伸时(从该第一平面172朝向第二平面174)，其直径逐渐地缩小。该第一平面172为圆形，其直径为250微米，而该第二平面174亦为圆形，其直径为200微米。该第一平面172及第二平面174与金属壁132、焊接层142及较大圆形部分154等呈垂直地排列。因此该第二平面174被设置在该的该金属壁132、焊接层142、较大圆形部分154及第一平面172的表面区域内。而且该第一平面172的表面区域比该第二平面174的表面区域至少大10％。该金属柱170被设置在该半导体芯片110的边缘外，并被设置在该半导体芯片110、绕线150、焊接屏蔽156、黏着剂164、连接部166及密封层168在向下方向，且从该金属壁132及焊接层142向上延伸。而该半导体芯片110从该绕线150、焊接屏蔽156、黏着剂164及金属柱170向上延伸，该绕线被设置在该金属壁132、焊接层142及金属柱170在向上方向，并从该金属壁132、焊接层142及金属柱170横向延伸，且朝向该半导体芯片110，该密封层168覆盖该半导体芯片110、金属壁132、焊接层142、绕线150、焊接屏蔽156、黏着剂164、连接部166及金属柱170，并从该半导体芯片110、金属壁132、焊接层142、绕线150、焊接屏蔽156、黏着剂164、连接部166及金属柱170向上延伸。该密封层168对该绕线150及金属柱170提供机械支撑，可减少在该黏着剂164上的机械张力，在该金属基板120被蚀刻形成该金属柱170之后特别地有用。该密封层168可保护该绕线150及金属柱170在化学蚀刻及蒸馏水清洗时避免机械损害。例如该密封层168吸收在化学蚀刻及蒸馏水清洗时的物理力量，因在化学蚀刻及蒸馏水清洗时可能使该半导体芯片110与该绕线150分离。因此，该密封层168可增加结构的完整性，并可在化学蚀刻及蒸馏水清洗被使用更坚固地，进而提高生产率。该导电迹线180包括金属壁132、焊接层142、绕线150、电镀接点162及金属柱170。该导电迹线180适合在导电接脚116与下一层次组装间提供水平及垂直方向的通路。请参阅图23a、图23b及图23c所示，为本发明的绝缘封胶形成后的结构的剖面示意图、本发明的绝缘封胶形成后的结构的俯视示意图及本发明的绝缘封胶形成后的结构的仰视示意图。如图所示该绝缘封胶182一开始为一膏状的环氧树脂，其包括一环氧树脂、一硬化剂、一加速剂及一填充剂，其中该填充剂为一惰性材料，如硅土(silica)为粉末溶化状的石英，可增进热传导性、抗热冲击性(thermalshockresistance)及热膨胀数的一致性。该环氧树脂膏(epoxypaste)可沉积在该金属壁132、焊接层142、绕线150、焊接屏蔽156及金属柱170上，然后该环氧树脂膏在相对低温下硬化形成一固态黏着绝缘体，其相对低温的范围介于100度至250度，并可提供该绕线150及金属柱170一具有保护的密封层(aprotectiveseal)。该绝缘封胶182与该金属壁132、焊接层142、绕线150、焊接屏蔽156及金属柱170接触并覆盖该金属壁132、焊接层142、绕线150、焊接屏蔽156及金属柱170，且从该金属壁132、焊接层142、绕线150、焊接屏蔽156及金属柱170向下延伸，而覆盖该半导体芯片110、电镀接点162、连接部166及密封层168，但与该半导体芯片110、电镀接点162、连接部166及密封层168隔离。该绝缘封胶182的厚度为200微米。因此该绝缘封胶182从金属壁132、焊接层142、绕线150及金属柱170向下延伸，并使该金属壁132、焊接层142、绕线150及金属柱170未暴露的。请参阅图24a、图24b及图24c所示，为本发明的绝缘封胶移除后的结构的剖面示意图、本发明的绝缘封胶移除后的结构的俯视示意图及本发明的绝缘封胶移除后的结构的仰视示意图。如图所示该绝缘封胶182的较低部分通过研磨方法被移除。特别地，一旋转钻石砂轮及蒸馏水被用在该绝缘封胶182的背面。一开始，该钻石砂轮只对该绝缘封胶182研磨，当持续研磨时，使该绝缘封胶182变薄在该被研磨的表面向上迁移时。然后该钻石砂轮与该焊接层142接触，所以开使研磨该焊接层142。当持续研磨时，使该绝缘封胶182及焊接层142同时变薄在其被研磨的表面向上迁移时。然而该钻石砂轮接触该金属壁132，因此开使研磨该金属壁132。当持续研磨时，使该金属壁132、焊接层142及绝缘封胶182变薄在于其被研磨的表面向上迁移时。持续研磨直到该该金属壁132、焊接层142及绝缘封胶182达到所需要的厚度及在接触到该半导体芯片110、绕线150、焊接屏蔽156、电镀接点162、黏着剂164、连接部166、密封层168或金属柱170前即停止研磨，之后，将整体结构用蒸馏水清洗并除去污染物。当研磨处理完之后，该金属壁132、焊接层142及绝缘封胶182从该金属柱170向下延伸70微米。因此研磨处理移除10微米厚的金属壁132较低部分，移除40微米厚的焊接层142较低部分，以及移除60微米该绝缘封胶182较低部分。经上述过程后，该半导体芯片110仍被嵌入该密封层168内，该金属柱170被嵌入该绝缘封胶182内，而该绕线150及金属柱170仍未被暴露，以及该金属壁132及焊接层被暴露。该绝缘封胶182覆盖该半导体芯片110、电镀接点162、黏着剂164及连接部166未与该半导体芯片110、电镀接点162、黏着剂164及连接部166，并从该半导体芯片110、电镀接点162、黏着剂164及连接部166向下延伸，但与该半导体芯片110、电镀接点162、黏着剂164及连接部166隔离；而与该绕线150、焊接屏蔽156及金属柱170接触，并从该绕线150、焊接屏蔽156及金属柱170向下延伸，与该金属壁132接触但与该焊接层142隔离。该绝缘封胶182与该绕线150、焊接屏蔽156、密封层168及金属柱170在向下方向有部分重迭，然而该绝缘封胶182在向下方向不再覆盖该绕线150、焊接屏蔽156、密封层168或金属柱170。而且该金属壁132、焊接层142及绝缘封胶182被横向相互排列在一朝向下的平面上。因此该金属壁132、焊接层142及绝缘封胶182为一被暴露的水平面，该平面朝向下。请参阅图25a、图25b及图25c所示，为本发明的锡球形成后的结构的剖面示意图、本发明的锡球形成后的结构的俯视示意图及本发明的锡球形成后的结构的仰视示意图。如图所示该锡球184起初为一无铅球并为一球状，其直径为300微米，该无铅球被浸泡在助熔剂中，并提供该锡球184具有流动表面涂层，其围绕着该无铅球。然后将整体结构倒转，使该焊接层142朝向上，而该锡球184被沉积在该焊接层142上。因为该锡球184的流动表面涂层，该锡球184附着在该焊接层142上并不稳固。为了图示及说明方便，该锡球184绘在该焊接层142下方，保持与前图同一方向以便进行比对，虽然整体结构颠倒，但通过重力使该锡球184黏着在该焊接层上。请参阅图26a、图26b及图26c所示，为本发明的焊接端形成后的结构的剖面示意图、本发明的焊接端形成后的结构的俯视示意图及本发明的焊接端形成后的结构的仰视示意图。如图所示该焊接端186(Solderterminal)包括该焊接层142及锡球184并由该焊接层142及锡球184而被形成。首先，该锡球184置在该焊接层142上。然后，整体结构被加热至一温度，其温度约为260度。进行加热造成在该锡球184上的助熔剂产生反应，并从该焊接层142上移除氧化物，且使该焊接层142及锡球184被融化。因此使该焊接层142及锡球184一起回流成一被融化锡料混合物及产生锡料回流。而该绝缘封胶182不提供一可使该锡料回流容易的湿表面。所以该锡料回流被该金属壁132限定。之后，停止加热使该被融化的锡料冷却凝固硬化形成焊接端186。在这方法中，将该焊接层142及锡球184被转换为焊接端186。因此该焊接层142及焊接端186依顺序被形成。该金属壁132被镀在金属基板120，然后该锡膏140被沉积在金属壁132上并在回流时形成该焊接层142，接着该锡球184被沉积在该焊接层142上，然后该焊接层142及锡球184被一起回流形成该焊接端186。该焊接端186的直径为400微米，其向下方向相对于金属壁132及绝缘封胶182的厚度为50微米，并填满该孔洞134，且与该金属壁132、较大圆形部分154及金属柱170呈垂直地排列。该焊接端186与该金属壁132接触并与其具有电性的连接，但非与该金属壁132整合为一体，且只与该金属壁132及该孔洞134内的金属壁132接触。因此该焊接端186与该半导体芯片110、绕线150、焊接屏蔽156、电镀接点162、黏着剂164、连接部166、密封层168、金属柱170及绝缘封胶182隔离，并从该半导体芯片110、绕线150、焊接屏蔽156、电镀接点162、黏着剂164、连接部166、密封层168、金属柱170及绝缘封胶182向下延伸。而且该焊接端186往该孔洞134的内部及外部延伸，并在向下方向覆盖该金属壁132及金属柱170，但在向下方向不被该半导体芯片封装结构的任何材料覆盖。同样地，该焊接端186往该绝缘封胶182内延伸的整体部分只与该金属壁132有接触，并在向上方向且在该孔洞134内被该金属壁覆盖。该焊接端186提供一坚固的电力接点可与该金属壁132连接，接触端在外部电路上。有助于该焊接端186延伸至该金属壁132在该绝缘封胶182内，且可避免与该开口136在一横向平面上的高压边界接触，该开口136在该绝缘封胶182的主要暴露表面上并朝向下方向，因此可减少锡料分离并增进可靠度。经由上述，该导电迹线180包括金属壁132、绕线150、电镀接点162、金属柱170及焊接端186。为了图示及说明方便，该焊接端186绘在该半导体芯片的下方，并为了方便比对维持与前图相同方向，虽然整体结构颠倒，在该焊接端186的形成时，通过重力帮助锡料回流。请参阅图27a、图27b及图27c所示，为本发明的半导体芯片封装结构的剖面示意图、本发明的半导体芯片封装结构的俯视示意图及本发明的半导体芯片封装结构的仰视示意图。如图所示经上述过程该半导体芯片封装结构198包括半导体芯片110、金属壁132、绕线150、焊接屏蔽156、电镀接点162、黏着剂164、连接部166、密封层168、金属柱170、绝缘封胶182及焊接端186所构成。该半导体芯片110从该导电迹线180向上延伸，并与该绝缘封胶182在向上方向有部分重迭，但并没有与该导电迹线180在向上方向重迭。因此该导电迹线180被设置在该半导体芯片110的边缘外。该金属壁132从该焊接端186向上延伸，并具有固定厚度，且只与金属柱170、绝缘封胶182及焊接端186接触。该孔洞134被设置在该绝缘封胶182内，并被该焊接端186填满。该绕线150与该半导体芯片110通过黏着剂164机械地连接，并与该半导体芯片110通过该连接部166具有电性的连接，且从该金属壁132、金属柱170及焊接端186横向延伸，而朝向半导体芯片110，该绕线150为平坦且平行在半导体芯片110的第一平面112及第二平面114。该密封层168在向上方向覆盖该半导体芯片110、焊接屏蔽156、黏着剂164、连接部166、导电迹线180及绝缘封胶182。该金属柱170在向上方向被绕线150覆盖，而在向下方向被该金属壁132及焊接端186覆盖。虽然该金属柱170未被暴露，并与该金属壁132、绝缘封胶182及焊接端186在向下方向有部分重迭，该金属柱170在向下方向不被该密封层168、绝缘封胶182或任何绝缘材质在半导体芯片封装结构覆盖。该绝缘封胶182与该金属壁132、绕线150、焊接屏蔽156及金属柱170接触，并从金属壁132及焊接端186向上延伸，且从半导体芯片110、绕线150、焊接屏蔽156、连接部166、密封层168及金属柱170向下延伸。该金属壁132、金属柱170及焊接端186从该绕线150向下扩展，但在向下方向不覆盖该绕线150。该金属壁132横向绕该焊接端186延伸至该绝缘封胶182内的整体部分外围旋转360度，而该绝缘封胶182横向绕该金属壁132外围旋转360度。该密封层168及绝缘封胶182对该半导体芯片封装结构198提供机械支撑及环境保护。该连接部166在导电接脚116与外部电路间提供水平绕线及垂直绕线，并在导电接脚116与外部电路间提供水平输出绕线(horizontalfan-outrouting)150，但不提供垂直绕线，该金属柱170及焊接端186在导电接脚116与外部电路间提供垂直绕线，但不提供水平输出绕线，而该金属壁132及电镀接点162在导电接脚116与外部电路间不提供水平绕线或垂直绕线。同样地，该金属壁132在焊接端186与任何导电体间不提供绕线。该半导体芯片封装结构为一单芯片第一层次组装。因此该半导体芯片110为该半导体芯片封装结构的唯一芯片，被嵌入该密封层168内。该半导体芯片封装结构包含其它导电迹线，并被嵌入在该焊接屏蔽156、密封层168及绝缘封胶182内，在图中只绘制一导电迹线180使图示及说明方便。每一导电迹线相互隔离并具有电性的。每一导电迹线皆包含各自的金属壁、绕线、电镀接点、金属柱及焊接端，并通过各自的连接部使该半导体芯片110的导电接脚与导电迹线间具有电性的连接，且提供水平输出绕线及垂直绕线给各自的导电接脚。而且每一导电迹线具有一向下凸出的焊接端，可提供球格式阵列组装。该半导体芯片110包含导电接脚，但与其它零件隔离。然而一开始该相符的绕线被镀在金属基板，并通过该金属基板使该绕线与其它零件间具有电性的连接。而且该连接部使该绕线及相符的导电接脚间具有电性的连接，因此该导电接脚可与其它零件具有电性的连接。然后，一旦该金属基板被蚀刻形成金属柱，该绕线与其它零件隔离，所以该导电接脚与其它零件隔离。所以在该金属基板120被蚀刻形成金属柱后，无电镀总线或相关电路可与导电迹线连接。该图28a至图54c制造该半导体芯片封装结构的过程第二实施例。在该第二实施例中，该焊接层被形成在该密封层被形成后才形成。为了简化的目的，与第一实施例有相同的描述，不须要被重复。同样地，该第二实施例的组件与第一实施例相似具有相符的参考编号，但第二实施例中组件佰位数用“2”表示而第1实施例中组件佰位数用“1”表示，如半导体芯片210对应于半导体芯片110，绕线250对应于绕线150......等。请参阅图28a、图28b及图28c所示，为本发明的半导体芯片结构的剖面示意图、本发明的半导体芯片结构的俯视示意图及本发明的半导体芯片结构的仰视示意图。如图所示该半导体芯片210包含第一平面212及第二平面214。该第一平面212包含导电接脚216及钝化层218。请参阅图29a、图29b及图29c所示，为本发明的金属基板结构的剖面示意图、本发明的金属基板结构的俯视示意图及本发明的金属基板结构的仰视示意图。如图所示该金属基板220包含第一平面222及第二平面224。请参阅图30a、图30b及图30c所示，为本发明的光阻层与金属基板的结构的剖面示意图、本发明的光阻层与金属基板的结构的俯视示意图及本发明的光阻层与金属基板的结构的仰视示意图。如图所示该第一光阻层226及第二光阻层228形成在该金属基板220上。该第二光阻层228包含一开口及使该第二平面224局部暴露，该第一光阻层226不具有图案。请参阅图31a、图31b及图31c所示，为本发明的具有凹口的结构的剖面示意图、本发明的具有凹口的结构的俯视示意图及本发明的具有凹口的结构的仰视示意图。如图所示该凹口230被形成在该金属基板220内。请参阅图32a、图32b及图32c所示，为本发明的具有金属壁的金属基板结构的剖面示意图、本发明的具有金属壁的金属基板结构的俯视示意图及本发明的具有金属壁的金属基板结构的仰视示意图。如图所示该金属壁232被形成在该金属基板220上。请参阅图33a、图33b及图33c所示，为本发明的第一光阻层及第二光阻层剥落后的结构的剖面示意图、本发明的第一光阻层及第二光阻层剥落后的结构的俯视示意图及本发明的第一光阻层及第二光阻层剥落后的结构的仰视示意图。如图所示在第一光阻层226及第二光阻层228剥落后该金属基板220及金属壁232的结构示意。请参阅图34a、图34b及图34c所示，为本发明的第三光阻层及第四光阻层形成在金属基板后的结构的剖面示意图、本发明的第三光阻层及第四光阻层形成在金属基板后的结构的俯视示意图及本发明的第三光阻层及第四光阻层形成在金属基板后的结构的仰视示意图。如图所示该第三光阻层244及第四光阻层246形成在金属基板220上。该第三光阻层244包含一开口及使该金属基板220的第一平面222具有局部暴露部分，该第四光阻层246不具有图案。请参阅图35a、图35b及图35c所示，为本发明的绕线附在金属基板时的结构的剖面示意图、本发明的绕线附在金属基板时的结构的俯视示意图及本发明的绕线附在金属基板时的结构的仰视示意图。如图所示该绕线250通过电镀使其被镀在该金属基板220上。请参阅图36a、图36b及图36c所示，为本发明的第三光阻层及第四光阻层剥落后的结构的剖面示意图、本发明的第三光阻层及第四光阻层剥落后的结构的俯视示意图及本发明的第三光阻层及第四光阻层剥落后的结构的仰视示意图。如图所示为该第三光阻层244及第四光阻层246剥落后，该金属基板220、金属壁232及绕线250的结构示意图。请参阅图37a、图37b及图37c所示，为本发明的焊接屏蔽在金属基板及绕线时的结构的剖面示意图、本发明的焊接屏蔽在金属基板及绕线时的结构的俯视示意图及本发明的焊接屏蔽在金属基板及绕线时的结构的仰视示意图。如图所示该焊接屏蔽256被形成在该金属基板220及绕线250上。请参阅图38a、图38b及图38c所示，为本发明的第五光阻层及第六光阻层形成后的结构的剖面示意图、本发明的第五光阻层及第六光阻层形成后的结构的俯视示意图及本发明的第五光阻层及第六光阻层形成后的结构的仰视示意图。如图所示该第五光阻层258及第六光阻层260被形成在该结构上。其中该第五光阻层258被形成在绕线250及焊接屏蔽256上，该第六光阻层260被形成在该金属基板220及金属壁232上。该第五光阻层258及第六光阻层260利用一种干式薄膜层压技术分别压印在相对应的平面上。该第五光阻层258包含一开口及使该绕线250具有局部暴露部分，该第六光阻层不具有图案。请参阅图39a、图39b及图39c所示，为本发明的电镀接点形成在绕线后的结构的剖面示意图、本发明的电镀接点形成在绕线后的结构的俯视示意图及本发明的电镀接点形成在绕线后的结构的仰视示意图。如图所示该电镀接点262通过电镀被镀在该绕线250上。请参阅图40a、图40b及图40c所示，为本发明的第五光阻层及第六光阻层剥落后的结构的剖面示意图、本发明的第五光阻层及第六光阻层剥落后的结构的俯视示意图及本发明的第五光阻层及第六光阻层剥落后的结构的仰视示意图。如图所示在第五光阻层258及第六光阻层260剥落后，该金属基板220、金属壁232、绕线250及电镀接点262的结构示意。请参阅图41a、图41b及图41c所示，为本发明的黏着剂形成在焊接屏蔽后的结构的剖面示意图、本发明的黏着剂形成在焊接屏蔽后的结构的俯视示意图及本发明的黏着剂形成在焊接屏蔽后的结构的仰视示意图。如图所示该黏着剂264形成在该焊接屏蔽256上。请参阅图42a、图42b及图42c所示，为本发明的具有半导体芯片的结构的剖面示意图、本发明的具有半导体芯片的结构的俯视示意图及本发明的具有半导体芯片的结构的仰视示意图。如图所示该半导体芯片210通过该黏着剂264附着在结构上，其结构包含金属基板220、金属壁232、绕线250、焊接屏蔽256及电镀接点262。请参阅图43a、图43b及图43c所示，为本发明的连接部附在导电接脚及电镀接点时的结构的剖面示意图、本发明的连接部附在导电接脚及电镀接点时的结构的俯视示意图及本发明的连接部附在导电接脚及电镀接点时的结构的仰视示意图。如图所示该连接部266形成在该导电接脚216及电镀接点262上。请参阅图44a、图44b及图44c所示，为本发明的具有密封层的结构的剖面示意图、本发明的具有密封层的结构的俯视示意图及本发明的具有密封层的结构的仰视示意图。如图所示该密封层268形成在半导体芯片210、绕线250、焊接屏蔽256、电镀接点262、黏着剂264及连接部266上。请参阅图45a、图45b及图45c所示，为本发明的模板覆盖在金属基板的结构的剖面示意图、本发明的模板覆盖在金属基板的结构的俯视示意图及本发明的模板覆盖在金属基板的结构的仰视示意图。如图所示该模板238覆盖在该金属基板220上。请参阅图46a、图46b及图46c所示，为本发明的锡膏沉积在金属壁的结构的剖面示意图、本发明的锡膏沉积在金属壁的结构的俯视示意图及本发明的锡膏沉积在金属壁的结构的仰视示意图。如图所示该锡膏240沉积在金属壁232上。请参阅图47a、图47b及图47c所示，为本发明的移去模板后的结构的剖面示意图、本发明的移去模板后的结构的俯视示意图及本发明的移去模板后的结构的仰视示意图。如图所示该模板238从该金属基板220移除。请参阅图48a、图48b及图48c所示，为本发明的锡膏形成焊接层后的结构的剖面示意图、本发明的锡膏形成焊接层后的结构的俯视示意图及本发明的锡膏形成焊接层后的结构的仰视示意图。如图所示该焊接层242由该锡膏240形成。该金属壁232提供一湿表面使该锡料容易流动，然而该金属基板220不提供。因此该锡料只能在该金属壁232内流动。请参阅图49a、图49b及图49c所示，为本发明的金属柱在金属基板上形成后的结构的剖面示意图、本发明的金属柱在金属基板上形成后的结构的俯视示意图及本发明的金属柱在金属基板上形成后的结构的仰视示意图。如图所示该金属柱270由该金属基板220形成。请参阅图50a、图50b及图50c所示，为本发明的绝缘封胶形成后的结构的剖面示意图、本发明的绝缘封胶形成后的结构的俯视示意图及本发明的绝缘封胶形成后的结构的仰视示意图。如图所示该绝缘封胶282形成在金属壁232、焊接层242、绕线250、焊接屏蔽256及金属柱270上。请参阅图51a、图51b及图51c所示，为本发明的部分绝缘封胶移除后的结构的剖面示意图、本发明的部分绝缘封胶移除后的结构的俯视示意图及本发明的部分绝缘封胶移除后的结构的仰视示意图。如图所示在部分绝缘封胶282被移除后的结构示意。请参阅图52a、图52b及图52c所示，为本发明的锡球形成后的结构的剖面示意图、本发明的锡球形成后的结构的俯视示意图及本发明的锡球形成后的结构的仰视示意图。如图所示该锡球284形成在焊接层242上。请参阅图53a、图53b及图53c所示，为本发明的焊接端形成后的结构的剖面示意图、本发明的焊接端形成后的结构的俯视示意图及本发明的焊接端形成后的结构的仰视示意图。如图所示该焊接端286由焊接层242与锡球284所形成。请参阅图54a、图54b及图54c所示，为本发明的半导体芯片封装结构的剖面示意图、本发明的半导体芯片封装结构的俯视示意图及本发明的半导体芯片封装结构的仰视示意图。如图所示利用一刀片将该焊接屏蔽256、密封层268及绝缘封胶282切割成半导体芯片封装结构298。该半导体芯片封装结构298包含半导体芯片210、金属壁232、绕线250、焊接屏蔽256、电镀接点262、黏着剂264、连接部266、密封层268、金属柱270、绝缘封胶282及焊接端286。从图55a至图81c为本发明的第三实施例，为该半导体芯片封装结构的制作过程。与之前实施例比较在第三实施例中该金属壁及焊接层在密封层形成后才形成，以及少去金属柱。请参阅图55a、图55b及图55c所示，为本发明的半导体芯片结构的剖面示意图、本发明的半导体芯片结构的俯视示意图及本发明的半导体芯片结构的仰视示意图。如图所示该半导体芯片310包含第一平面312及第二平面314。该第一平面312包含导电接脚316及钝化层318。请参阅图56a、图56b及图56c所示，为本发明的金属基板结构的剖面示意图、本发明的金属基板结构的俯视示意图及本发明的金属基板结构的仰视示意图。如图所示该金属基板320包含第一平面322及第二平面324。请参阅图57a、图57b及图57c所示，为本发明的光阻层与金属基板的结构的剖面示意图、本发明的光阻层与金属基板的结构的俯视示意图及本发明的光阻层与金属基板的结构的仰视示意图。如图所示该第三光阻层344及第四光阻层346形成在该金属基板320上。该第四光阻层346包含一开口及使该第一平面322局部暴露，该第三光阻层344未印有图案。请参阅图58a、图58b及图58c所示，为本发明的绕线附在金属基板时的结构的剖面示意图、本发明的绕线附在金属基板时的结构的俯视示意图及本发明的绕线附在金属基板时的结构的仰视示意图。如图所示该绕线350通过电镀使其被镀在该金属基板320上。请参阅图59a、图59b及图59c所示，为本发明的第三光阻层及第四光阻层剥落后的结构的剖面示意图、本发明的第三光阻层及第四光阻层剥落后的结构的俯视示意图及本发明的第三光阻层及第四光阻层剥落后的结构的仰视示意图。如图所示为该第三光阻层344及第四光阻层346剥落后，该金属基板320及绕线350的结构示意图。请参阅图60a、图60b及图60c所示，为本发明的焊接屏蔽在金属基板及绕线时的结构的剖面示意图、本发明的焊接屏蔽在金属基板及绕线时的结构的俯视示意图及本发明的焊接屏蔽在金属基板及绕线时的结构的仰视示意图。如图所示该焊接屏蔽356被形成在该金属基板320及绕线350上。请参阅图61a、图61b及图61c所示，为本发明的第五光阻层及第六光阻层形成后的结构的剖面示意图、本发明的第五光阻层及第六光阻层形成后的结构的俯视示意图及本发明的第五光阻层及第六光阻层形成后的结构的仰视示意图。如图所示该第五光阻层358及第六光阻层360被形成在该结构上。其中该第五光阻层358被形成在绕线350及焊接屏蔽356上，该第六光阻层360被形成在该金属基板320上。该第五光阻层358包含一开口及使该绕线350具有局部暴露部分，该第六光阻层未印有图案。请参阅图62a、图62b及图62c所示，为本发明的电镀接点形成在绕线后的结构的剖面示意图、本发明的电镀接点形成在绕线后的结构的俯视示意图及本发明的电镀接点形成在绕线后的结构的仰视示意图。如图所示该电镀接点362通过电镀被镀在该绕线350上。请参阅图63a、图63b及图63c所示，为本发明的第五光阻层及第六光阻层剥落后的结构的剖面示意图、本发明的第五光阻层及第六光阻层剥落后的结构的俯视示意图及本发明的第五光阻层及第六光阻层剥落后的结构的仰视示意图。如图所示在第五光阻层358及第六光阻层360剥落后，该金属基板320、绕线350及电镀接点362的结构示意图。请参阅图64a、图64b及图64c所示，为本发明的黏着剂形成在焊接屏蔽后的结构的剖面示意图、本发明的黏着剂形成在焊接屏蔽后的结构的俯视示意图及本发明的黏着剂形成在焊接屏蔽后的结构的仰视示意图。如图所示该黏着剂364形成在该焊接屏蔽356上。请参阅图65a、图65b及图65c所示，为本发明的具有半导体芯片的结构的剖面示意图、本发明的具有半导体芯片的结构的俯视示意图及本发明的具有半导体芯片的结构的仰视示意图。如图所示该半导体芯片310通过该黏着剂364附着在结构上，其结构包含金属基板320、绕线350、焊接屏蔽356及电镀接点362。请参阅图66a、图66b及图66c所示，为本发明的连接部附在导电接脚及电镀接点时的结构的剖面示意图、本发明的连接部附在导电接脚及电镀接点时的结构的俯视示意图及本发明的连接部附在导电接脚及电镀接点时的结构的仰视示意图。如图所示该连接部366形成在该导电接脚316及电镀接点362上。请参阅图67a、图67b及图67c所示，为本发明的具有密封层的结构的剖面示意图、本发明的具有密封层的结构的俯视示意图及本发明的具有密封层的结构的仰视示意图。如图所示该密封层368形成在半导体芯片310、绕线350、焊接屏蔽356、电镀接点362、黏着剂364及连接部366上。请参阅图68a、图68b及图68c所示，为本发明的第二光阻层形成在金属基板的结构的剖面示意图、本发明的第二光阻层形成在金属基板的结构的俯视示意图及本发明的第二光阻层形成在金属基板的结构的仰视示意图。如图所示该328形成在该金属基板320上。该第二光阻层328包含一开口，其开口直径为200微米及使该第二平面324局部暴露。请参阅图69a、图69b及图69c所示，为本发明的具有凹口的结构的剖面示意图、本发明的具有凹口的结构的俯视示意图及本发明的具有凹口的结构的仰视示意图。如图所示该穿孔330为穿过该金属基板320。该穿孔330由化学蚀刻溶液对该金属基板320的第二主要平面324局部暴露部分进行蚀刻，并利用该第二光阻层328为其蚀刻屏蔽。该底部喷嘴将化学蚀刻溶液喷射在金属基板320上，当顶部喷嘴不被使用或整体架构浸在化学蚀刻溶液时，而该密封层368可保护前侧，该化学蚀刻溶液为高选择性的铜，并将该金属基板320蚀刻穿透。所以该穿孔330穿透该金属基板320，其介于该金属基板320的第一平面322与第二平面324之间，并使该绕线350暴露。该穿孔330在第一平面322上的直径为300微米，其深度为150微米。因此，该穿孔330与第一实施例的凹口130形成方法相同，除了该化学蚀刻应用时间较长使该金属基板320蚀刻穿透之外。一种适合的化学蚀刻溶液为碱性的氨水。将该金属基板320浸在化学蚀刻溶液中的理想的蚀刻时间须反复试验，为了形成具有适当直径的穿孔330。请参阅图70a、图70b及图70c所示，为本发明的具有金属壁的结构的剖面示意图、本发明的具有金属壁的结构的俯视示意图及本发明的具有金属壁的结构的仰视示意图。如图所示该金属壁332被形成在该金属基板320及绕线350上。该金属壁332在凹口330中与该金属基板320及绕线350具有电性的的连接，但非整体与该金属基板320及绕线350接合。请参阅图71a、图71b及图71c所示，为本发明的模板覆盖在第二光阻层的结构的剖面示意图、本发明的模板覆盖在第二光阻层的结构的俯视示意图及本发明的模板覆盖在第二光阻层的结构的仰视示意图。如图所示该模板338覆盖在该第二光阻层328上。请参阅图72a、图72b及图72c所示，为本发明的锡膏沉积在金属壁的结构的剖面示意图、本发明的锡膏沉积在金属壁的结构的俯视示意图及本发明的锡膏沉积在金属壁的结构的仰视示意图。如图所示该锡膏340沉积在金属壁332上。请参阅图73a、图73b及图73c所示，为本发明的移去模板后的结构的剖面示意图、本发明的移去模板后的结构的俯视示意图及本发明的移去模板后的结构的仰视示意图。如图所示该模板338从该第二光阻层328移除。请参阅图74a、图74b及图74c所示，为本发明的锡膏形成焊接层后的结构的剖面示意图、本发明的锡膏形成焊接层后的结构的俯视示意图及本发明的锡膏形成焊接层后的结构的仰视示意图。如图所示该焊接层342由该锡膏340形成。请参阅图75a、图75b及图75c所示，为本发明的第二光阻层剥落后的结构的剖面示意图、本发明的第二光阻层剥落后的结构的俯视示意图及本发明的第二光阻层剥落后的结构的仰视示意图。如图所示在第二光阻层328剥落后，该半导体芯片310、金属基板320、金属壁332、焊接层342、绕线350、电镀接点362、黏着剂364、连接部366及密封层368的结构示意图。请参阅图76a、图76b及图76c所示，为本发明的金属基板移除后的结构的剖面示意图、本发明的金属基板移除后的结构的俯视示意图及本发明的金属基板移除后的结构的仰视示意图。如图所示该金属基板320由一种背边式湿式化学蚀刻溶液对该第二主要平面324、金属壁332及焊接层342进行蚀刻。如该底部喷嘴将化学蚀刻溶液喷射在金属基板320上，当顶部喷嘴不被使用或整体架构浸在化学蚀刻溶液时，而该密封层368可保护前侧，当铜对镍、锡料、环氧树脂及注模材料时适用该湿式化学蚀刻，所以，该金属基板320对该金属壁332、焊接层342、该绕线350的镍层、焊接屏蔽356及密封层368时采用该湿式化学蚀刻。该湿式化学蚀刻将该金属基板蚀刻并移除。所以，该湿式化学蚀刻可移除该金属壁332、绕线350及焊接屏蔽356与该金属基板320间所接触的区域。因此，该金属基板320被移除与第一实施例的金属基板120被蚀刻形成金属柱170的方法相同，除了该化学蚀刻应用时间较长使该金属基板320蚀刻移除之外。一种适合的化学蚀刻溶液为碱性的氨水。为了可移除该金属基板320但不使该金属壁332及绕线350暴露在化学蚀刻溶液中，将该金属基板320浸在化学蚀刻溶液中的理想的蚀刻时间须反复试验。请参阅图77a、图77b及图77c所示，为本发明的绝缘封胶形成后的结构的剖面示意图、本发明的绝缘封胶形成后的结构的俯视示意图及本发明的绝缘封胶形成后的结构的仰视示意图。如图所示该绝缘封胶382形成在金属壁332、焊接层342、绕线350及焊接屏蔽356上。请参阅图78a、图78b及图78c所示，为本发明的部分绝缘封胶移除后的结构的剖面示意图、本发明的部分绝缘封胶移除后的结构的俯视示意图及本发明的部分绝缘封胶移除后的结构的仰视示意图。如图所示在部分绝缘封胶382被移除后的结构示意。请参阅图79a、图79b及图79c所示，为本发明的锡球形成后的结构的剖面示意图、本发明的锡球形成后的结构的俯视示意图及本发明的锡球形成后的结构的仰视示意图。如图所示该锡球384形成在焊接层342上。请参阅图80a、图80b及图80c所示，为本发明的焊接端形成后的结构的剖面示意图、本发明的焊接端形成后的结构的俯视示意图及本发明的焊接端形成后的结构的仰视示意图。如图所示该焊接端386由焊接层342与锡球384所形成。请参阅图81a、图81b及图81c所示，为本发明的半导体芯片封装结构的剖面示意图、本发明的半导体芯片封装结构的俯视示意图及本发明的半导体芯片封装结构的仰视示意图。如图所示该金属壁332只与绕线350、绝缘封胶382及焊接层386接合，该半导体芯片封装结构398没有金属柱。该半导体芯片封装结构398包含半导体芯片310、金属壁332、绕线350、焊接屏蔽356、电镀接点362、黏着剂364、连接部366、密封层368、绝缘封胶382及焊接端386。请参阅图82a、图82b及图82c所示，为本发明的第四实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图、本发明的第四实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图及本发明的第四实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。如图所示在第四实施例中，该半导体芯片封装结构498为倒装片接合。首先该连接部466为一焊锡凸块(asolderbump)沉积在该导电接脚416上，该焊锡凸块为一半球体，其直径为100微米。为了简短的目的，与第一实施例有相同的描述，不须要被重复。同样地，该第四实施例的组件与第一实施例相似具有相符的参考编号，如半导体芯片410对应于半导体芯片110，绕线450对应于绕线150......等。该绕线450在该半导体芯片410的周围扩展延伸。因此该长形绕线部分(相对于第一实施例中组件标号152)加长。进一步调整第一实施例中的经电镀形成的绕线150。特别地，该第三光阻层(相对于第一实施例的第三光阻层144)具有图案并重新形成一开口在绕线450上，因此该绕线450比第一实施例的绕线150变得更长。该电镀接点(相对于第一实施例的电镀接点162)被省略。该半导体芯片410的第一平面412面向下，其第二平面412面向上，该绕线450向侧面延伸经过导电接脚416，该连接部466介于导电接脚416与绕线450之间并与其接触。然后进行加热使该连接部466产生流动，停止加热使该连接部466冷却凝固形成一硬化的焊接点可附着在该导电接脚416及绕线450并使该导电接脚416及绕线450间具有电性的连接。该连接部466有局部性润湿但不致在倒塌，而该半导体芯片410与该绕线450隔离。之后，该黏着剂464填入半导体芯片410及焊接屏蔽456之间，然后使该黏着剂464硬化。所以该黏着剂464被夹在半导体芯片410及焊接屏蔽456间并与该半导体芯片410及焊接屏蔽456接合，亦与该连接部466接合，未与该导电接脚416接触。因此该黏着剂464与第一实施例的黏着剂164较厚。一种合适的黏着剂为NamicsU8443。该密封层468、金属柱470、绝缘封胶482及焊接端486被形成。该半导体芯片封装结构498包含半导体芯片410、金属壁432、绕线450、焊接屏蔽456、黏着剂464、连接部466、密封层468、金属柱470、绝缘封胶482及焊接端486。请参阅图83a、图83b及图83c所示，为本发明的第五实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图、本发明的第五实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图及本发明的第五实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。如图所示在第五实施例中，该连接部经电镀所形成。为了简短的目的，与第一实施例有相同的描述，不须要被重复。同样地，该第五实施例的组件与第一实施例相似具有相符的参考编号，如半导体芯片510对应于半导体芯片110，绕线550对应于绕线150......等。该导电接脚516可容纳一电镀铜的连接部，通过形成一镍表面层在该铝基板上。如该半导体芯片510被浸泡在一锌溶液，使一锌层沉积在铝基板上。该方法为锌化(zincation)。该锌溶液包含150克/公升的氢氧化钠、25克/公升的氧化锌及1克/公升的亚硝酸钠，就像酒石酸可减少该铝基板的分解速率。然后该镍表面层无电地沉积在经锌化的铝基板。一种合适的无电镍电镀溶液为在摄氏85度下的EnthoneEnplateNI-424。该绕线550在该半导体芯片510的边缘内及边缘外延伸。因此该长形绕线部分(相对于第一时施例中的长形绕线部分152)变得更长，通过对在第一实施例中绕线由电镀形成的处理过程作轻微地调整。该第三光阻层(相对于第一时施例中的第三光阻层144)印有图案并重新形成一开口在绕线550，使该绕线550比第一实施例中的绕线150变得更长。该金属基板(相对于第一时施例中的金属基板120)被蚀刻形成一第二背侧凹口(图中未示)，该电镀接点(相对于第一时施例中的电镀接点162)被删除，该黏着剂564沉积在该绕线550及焊接屏蔽556上。该半导体芯片510被倒装，其中该第一平面512朝向下方及该第二平面514朝向上，该黏着剂564与该导电接脚516及绕线550接触，并被夹在该导电接脚516与绕线550间，并与该导电接脚516与绕线550互有接触，在该导电接脚516与绕线550间的厚度为5微米，该绕线550与导电接脚516有部分重迭。接着，该密封层568被形成，然后该金属基板再被蚀刻转换该第二背侧凹口为一狭槽(slot)(图中未示)，该狭槽延伸并穿透该金属基板，使该焊接屏蔽556暴露，并与该导电接脚516呈垂直排列。然后，该穿孔565(through-hole)被形成在该焊接屏蔽556及黏着剂564内，并使该导电接脚516暴露。当该焊接屏蔽556及黏着剂564对该导电接脚516及绕线550时可采用合适的蚀刻方法形成穿孔565。在这实施例中选用一种aTEACO2激光蚀刻方法。该激光指向该导电接脚516，并在该导电接脚516垂直对齐并集中在该导电接脚516。该激光具有一光点，其大小为70微米，该导电接脚516的长度及宽度为100微米。该激光击中该导电接脚516及部分的绕线550，该焊接屏蔽556及黏着剂564在该导电接脚516的边缘内延伸，并融化该焊接屏蔽556及黏着剂564。该激光钻穿该部分的焊接屏蔽556及黏着剂564，并移除部分的焊接屏蔽556及黏着剂564。然而部分的焊接屏蔽556及黏着剂564延伸经过该导电接脚516的边缘，但在该激光能接触的范围外。同样地，该绕线550在激光蚀刻中可保护一部分的黏着剂564，该一部分的黏着剂564被夹在该导电接脚516及绕线550之间并相互接合。该激光蚀刻非等向性，所以有小部分的黏着剂564被夹在导电接脚516及绕线550之间被移除或切除。该穿口565可能轻微地切除在该导电接脚516与绕线550间的黏着剂564，因该激光束的角度、激光的温度及等离子氧的等向性或化学清洗方式，使该穿口565的直径稍大于70微米。为了说明方便，有稍微的切割及扩张被省略。然后该凹口565的形成没有对该半导体芯片510或绕线550产生损害，亦没延伸至该半导体芯片510内部。然后利用简短的清洗步骤使该导电接脚516及绕线550暴露的部分可移除氧化物及碎片。如一种简短的等离子氧清洗方法应用在结构上，或者选择一种利用具有高锰酸钾溶液的简短的化学清洗方法应用在结构上。上述的清洗方法皆能清洗导电接脚516及绕线550暴露的部分，并不损害整体结构。该连接部566通过电镀而被形成，首先该金属基板连接至一电镀总线(图中未示)，该电镀总线使用外部电源，整体结构被浸在一电解铜电镀溶液，其溶液如在室温的Sel-RexCUBATHMTM。所以该连接部566镀在该金属基板暴露的部分。另外从该电镀总线提供电流给金属基板，所以该金属基板将提供电流给绕线550，该连接部566镀在穿孔565内绕线550暴露的部分。在这阶段一开始，从该黏着剂564为一绝缘体，而该导电接脚516并未与电镀总线连接，该连接部566未镀在导电接脚516上，并与该导电接脚516隔离。然而，当持续进行铜电镀时，该连接部566持续镀在绕线550上，并往黏着剂564延伸穿透，最后与该导电接脚516接触。该导电接脚516被连接至该电镀总线通过该金属基板、绕线550及连接部566，所以该连接部566开始可镀在导电接脚516上。持续进行铜电镀直到该连接部566达到所需要的厚度。然后将整体结构从电解铜电镀溶液移出，并用蒸馏水清洗去除污染物。接着该绝缘塞569(insulativeplug)被形成在焊接屏蔽556及连接部566上，并沉积在狭槽中，然后该金属壁570，绝缘封胶582及焊接端586被形成。该半导体芯片封装结构598包含半导体芯片510、金属壁532、绕线550、焊接屏蔽556、黏着剂564、连接部566、密封层568、绝缘塞569、金属柱570、绝缘封胶582及焊接端586。请参阅图84a、图84b及图84c所示，为本发明的第六实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图、本发明的第六实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图及本发明的第六实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。如图所示在第六实施例中该连接部为无电解电镀。为了简短的目的，与第一实施例有相同的描述，不须要被重复。同样地，该第六实施例的组件与第一实施例相似具有相符的参考编号，如半导体芯片610对应于半导体芯片110，绕线650对应于绕线150......等。该导电接脚616包含一镍层，与第五实施例中的导电接脚516形成方法相同，该绕线650与第五实施例中的绕线550形成方法相同，该黏着剂664沉积在绕线650及焊接屏蔽656与第五实施例中的黏着剂564沉积在绕线550及焊接屏蔽556形成方法相同，该电镀接点(相对于第一实施例中的电镀接点162)被省略。该半导体芯片610被倒装，其中该第一平面612在下方及该第二平面614在上方，该黏着剂664介于该导电接脚616与绕线650之间，并与该导电接脚516与绕线550互有接触，其间的厚度为5微米，该绕线650与导电接脚616有部分重迭。接着，该密封层668被形成，然后该金属基板被蚀刻形成一金属柱670。接着，该穿孔656被形成在该焊接屏蔽656及黏着剂664内，并使该导电接脚616暴露。该穿孔665与第五实施例中的凹口565形成方法相同。接着，该连接部666通过电镀而被形成。整体结构被浸在一电解镍电镀溶液，其溶液如在摄氏85度的EnthoneEnplateNI-424。较好的电解镍电镀溶液包含硫酸镍(nickel-sulfate)及氯化镍(nickel-chloride)，其溶液的pH值约介于9.5至10.5之间。具有高浓度的电解镍电镀溶液加快电镀速率(afasterplatingrate)，但降低该溶液的稳定性。依据镍的浓度及它们的化学结构、功能性及当量该溶液中具有一定数量的螫合剂(chelatingagents)或配位体(ligands)。大部分的螫合剂被用在无电镍电镀溶液为有机羟基酸(hydroxylorganicacids)，形成一个或多个水溶性镍环形复合物。上述的复合物减少自由基镍离子浓度，因此增加该溶液的稳定性，并保有快速的电镀速率。一般来说，该复合剂具有高浓度，并降低电镀速率。另外当持续进行无电解电镀时，该溶液的pH值及电镀速率持续递减，归因于氢氧离子被注入该溶液中为镍还原的副产物。在于该溶液被缓冲并补偿受该氢氧离子的影响。合适的缓冲剂包含单原子(mono)的钠(sodium)盐或钾(potassium)盐及二元的有机酸(dibasicorganicacids)。最后，由上述的过程可知该无电镍电镀溶液不会沉积纯元素镍，因还原剂(reducingagent)如H2PO2将自然地分解在无电解电镀镍的过程中。所以经上述可得知无电解电镀镍的过程中，该镍的化合物几乎为镍但不是纯元素镍。该导电接脚616包含一被暴露的镍表面层，所以该导电接脚616与无电镍有接触反应。而且该焊接屏蔽656、黏着剂664及密封层668不与该无电镍有接触反应，所以不须使用电镀屏蔽。该连接部666镀在导电接脚616上，并与该导电接脚616及在穿孔665中绕线650接触，且使该导电接脚616及在穿孔665中绕线650间具有电性的连接。当持续进行无电镀镍处理直到该连接部666的厚度约为10微米。然后整体架构从无电镀镍溶液中移出，并以蒸馏水清洗。接着，该绝缘封胶682及焊接端686被形成。该半导体芯片封装结构698包含半导体芯片610、金属壁632、绕线650、焊接屏蔽656、黏着剂664、连接部666、密封层668、金属柱670、绝缘封胶682及焊接端686。请参阅图85a、图85b及图85c所示，为本发明的第七实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图、本发明的第七实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图及本发明的第七实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。如图所示在第七实施例中，该焊接层提供该焊接端。为了简短的目的，与第一实施例有相同的描述，不须要被重复。同样地，该第七实施例的组件与第一实施例相似具有相符的参考编号，如半导体芯片710对应于半导体芯片110，绕线750对应于绕线150......等。该锡球(相对于第一实施例中的锡球184)被省略，所以该焊接层(相对于第一实施例中的焊接层142)提供该焊接端786。该焊接端786被设置在孔洞734内，该金属壁732、绝缘封胶782及焊接端786被横向相互排列在一朝向下的平面上。因此一暴露的水平面朝向下，并包含金属壁732、绝缘封胶782及焊接端786。而且每一导电迹线包含一横向排列的焊接端可提供一平面栅格阵列组装。该半导体芯片封装结构798包含半导体芯片710、金属壁732、绕线750、焊接屏蔽756、电镀接点762、黏着剂764、连接部766、密封层768、金属柱770、绝缘封胶782及焊接端786。请参阅图86a、图86b及图86c所示，为本发明的第八实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图、本发明的第八实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图及本发明的第八实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。如图所示在第八实施例中，利用激光消熔(laserablation)将该绝缘封胶部分移除。为了简短的目的，与第一实施例有相同的描述，不须要被重复。同样地，该第六实施例的组件与第一实施例相似具有相符的参考编号，如半导体芯片610对应于半导体芯片110，绕线650对应于绕线150......等。该绝缘封胶882在没有使用填充剂(filler)时被形成。所以该金属基板882在激光蚀刻时比第一实施例中的金属基板182更敏感。而研磨处理被删除，以具有选择性的TEACO2激光蚀刻取代并利用复合的激光直写头。该激光被指向该焊接层(相对于第一实施例的焊接层142)。该激光的光点大小为100微米。而且该激光直写头(laserdirectwrites)相互偏移尚未重迭，使该激光扫描焊接层的中心部分，其扫描直径为150微米。在这方法中，该激光直写头(laserdirectwrites)呈垂直地排列并集中在金属壁832、金属柱870及焊接层上。所以该激光光击中该焊接层，并蚀刻绝缘封胶882与焊接层重迭的部分，且消熔该绝缘封胶882。该激光钻穿并移除部分的绝缘封胶882。然后一部分的绝缘封胶882延伸并穿过该焊接层的边缘，但在被激光击中的范围外。因此，该绝缘封胶882仍与该焊接层有接触及重迭，但不再覆盖在该焊接层上。接着利用简短的清洗步骤使该焊接层暴露的部分可移除氧化物及碎片。如一种简短的等离子氧清洗方法应用在结构上，或者选择一种利用具有高锰酸钾溶液的简短的化学清洗方法应用在结构上。上述的清洗方法皆能清洗焊接层暴露的部分，并不损害整体结构。该开口883被形成在该绝缘封胶882上，并垂直延伸至该绝缘封胶882但并未穿透该绝缘封胶882，并被设置在该半导体芯片810的边缘，且与金属壁832、金属柱870及焊接层呈垂直地排列，该开口883使该焊接层暴露，并与该金属壁832、绕线850、焊接屏蔽856及金属柱870分离，该开口883的直径为150微米。该开口883的形成没对焊接层造成损伤或延伸至该焊接层内。该开口883的直径可能有稍大于150微米，归因于该激光束的角度、激光温度及等离子氧的等向性或化学清洗方法。为了说明方便，其中有稍微扩张部分省略。接着该焊接端886被形成。该焊接端886在该该开口883的内部及外部延伸，并填满该开口883，且从该绝缘封胶882向下延伸。而且虽然该焊接端886延伸至该绝缘封胶882内的整体部分在该孔洞834的表面区域内。该半导体芯片封装结构898包含半导体芯片810、金属壁832、绕线850、焊接屏蔽856、电镀接点862、黏着剂864、连接部866、密封层868、金属柱870、绝缘封胶882及焊接端886。请参阅图87a、图87b及图87c所示，为本发明的第九实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图、本发明的第九实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图及本发明的第九实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。如图所示在第九实施例中，利用等离子蚀刻将该绝缘封胶部分移除。为了简短的目的，与第一实施例有相同的描述，不须要被重复。同样地，该第九实施例的组件与第一实施例相似具有相符的参考编号，如半导体芯片910对应于半导体芯片110，绕线950对应于绕线150......等。该绝缘封胶982在没有使用填充剂(filler)时被形成。所以该金属基板982在激光蚀刻时比第一实施例中的金属基板182更敏感而研磨过程被省略，进一步以毯覆式背边式等离子蚀刻取代并应用在结构中。当环氧树脂对镍及锡料时可采用等离子蚀刻，所以当该绝缘封胶982对金属壁932及焊接端986时可采用等离子蚀刻。该等离子蚀刻可从绝缘封胶982的较低部分可移除80微米的厚度。所以该金属壁932及焊接端986从绝缘封胶982向下延伸，并使该绝缘封胶982被凹入，相对于金属壁932及焊接端956在向下方向。而且该绝缘封胶982从该金属柱970向下扩展，该金属柱970为未暴露的。该半导体芯片封装结构998包含半导体芯片910、金属壁932、绕线950、焊接屏蔽956、电镀接点962、黏着剂964、连接部966、密封层968、金属柱970、绝缘封胶982及焊接端986。请参阅图88a、图88b及图88c所示，为本发明的第十实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图、本发明的第十实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图及本发明的第十实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。如图所示在第十实施例中，没有绝缘封胶。为了简短的目的，与第一实施例有相同的描述，不须要被重复。同样地，该第十实施例的组件与第一实施例相似具有相符的参考编号，如半导体芯片1010对应于半导体芯片110，绕线1050对应于绕线150......等。该绝缘封胶(相对于第一实施例中的绝缘封胶182)被删除，所以在本实施例不需要研磨。该半导体芯片封装结构1098包含半导体芯片1010、金属壁1032、绕线1050、焊接屏蔽1056、电镀接点1062、黏着剂1064、连接部1066、密封层1068、金属柱1070及焊接端1086。请参阅图89a、图89b及图89c所示，为本发明的第十一实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图、本发明的第十一实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图及本发明的第十一实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。如图所示在第十一实施例中，该金属壁与绕线同时被形成。为了简短的目的，与第一实施例有相同的描述，不须要被重复。同样地，该第十一实施例的组件与第一实施例相似具有相符的参考编号，如半导体芯片1110对应于半导体芯片110，绕线1150对应于绕线150......等。该金属壁1132及绕线1150同时在电镀过程中被形成，对第一实施例中的形成金属壁132的电镀过程作稍微调整。特别地，该第一光阻层(相对于第一实施例中的第一光阻层126)与第三光阻层(相对于第一实施例中的第三阻层144)一样印有图案形成绕线1150。而且该凹口(相对于第一实施例中的凹口130)通过一种背边式湿式化学蚀刻形成，并不使用前侧式湿式化学蚀刻(front-sidewetchemicaletch)，因此该第一光阻层(相对于第一实施例中的第一光阻层126)具有选择性地使该金属基板(相对于第一实施例中的金属基板120)的第一平面暴露。例如，该底部喷嘴能喷射湿式化学蚀刻溶液在金属基板(相对于第一实施例中的金属基板120)上，当该顶部喷嘴不被使用时。接着该金属壁1132及绕线1150同时地分别被镀在金属基板上。所以该金属壁1132及绕线1150皆由一镀在金属基板的镍层及一镀在镍层的金层所组成。而且该镍层的厚度为30微米。在金属壁1132及绕线1150两者中，该镍层被夹在该金属基板及金层间，并被金层覆盖，且该镍层的厚度为30微米，而该金层与该镍层接合，但与该金属基板隔离，该金层的表面被暴露，其厚度为0.1微米。此外，该第三光阻层及第四光阻层(相对于第一实施例中的第三光阻层144及第四光阻层146)在电镀过程形成绕线1150被删除。然后该焊接层(相对于第一实施例中的焊接层142)、焊接屏蔽1156、电镀接点1162及黏着剂1164被形成，该半导体芯片1110被装置在该黏着剂1164上，然后该连接部1166、密封层1168、金属柱1170、绝缘封胶1182及焊接端1186被形成。该半导体芯片封装结构1198包含半导体芯片1110、金属壁1132、绕线1150、焊接屏蔽1156、电镀接点1162、黏着剂1164、连接部1166、密封层1168、金属柱1170、绝缘封胶1182及焊接端1186。请参阅图90a、图90b及图90c所示，为本发明的第十二实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图、本发明的第十二实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图及本发明的第十二实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。如图所示在第十二实施例中，该金属壁及电镀接点同时地被形成。为了简短的目的，与第一实施例有相同的描述，不须要被重复。同样地，该第十二实施例的组件与第一实施例相似具有相符的参考编号，如半导体芯片1210对应于半导体芯片110，绕线1250对应于绕线150......等。对第一实施例中形成金属壁132的电镀过程作稍微调整，该金属壁1232及电镀接点1262在电镀过程中同时地被形成。特别地，在该绕线1250及焊接屏蔽1256被形成后，该第一光阻层(相对于第一实施例中的第一光阻层126)与第五光阻层(相对于第一实施例中的第五光阻层158)一样具有图案。然后，该凹口(相对于第一实施例中的凹口130)通过一种背边式湿式化学蚀刻形成，并不使用前侧式湿式化学蚀刻，因此该第一光阻层(相对于第一实施例中的第一光阻层126)具有选择性地使该绕线1250的铜层暴露。例如，该底部喷嘴能喷射湿式化学蚀刻溶液在金属基板(相对于第一实施例中的金属基板120)上，当该顶部喷嘴不被使用时。接着该金属壁1232及电镀接点1262同时地分别被镀在金属基板及绕线1250上。所以该金属壁1232及电镀接点1262皆由一10微米厚的镍层及一0.1微米厚的金层所组成。此外，该第五光阻层、第六光阻层(相对于第一实施例中的第五光阻层158及第六光阻层160)在电镀过程中形成电镀接点1162被删除。接着，该焊接层(相对于第一实施例中的焊接层142)及黏着剂1264被形成，该半导体芯片1210被装置在该黏着剂1264上，然后该连接部1266、密封层1268、金属柱1270、绝缘封胶1282及焊接端1286被形成。该半导体芯片封装结构1298包含半导体芯片1210、金属壁1232、绕线1250、焊接屏蔽1256、电镀接点1262、黏着剂1264、连接部1266、密封层1268、金属柱1270、绝缘封胶1282及焊接端1286。请参阅图91a、图91b及图91c所示，为本发明的第十三实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图、封装结构组结构的俯视示意图及本发明的第十三实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。如图所示在第十三实施例中，该金属壁、金属柱及焊接端被配置在该半导体芯片的边缘内。为了简短的目的，与第一实施例有相同的描述，不须要被重复。同样地，该第十三实施例的组件与第一实施例相似具有相符的参考编号，如半导体芯片1310对应于半导体芯片110，绕线1350对应于绕线150......等。通过对第一实施例中的凹口130及绕线150的电镀过程作稍微地调整，该绕线1350在该半导体芯片的边缘内及边缘外延伸，该金属壁1332、金属柱1370及焊接端1386被配置在该半导体芯片1310的周边内。特别地，该第二光阻层(相对于第一实施例中的第二光阻层128)印有图案，并改变横向在该凹口(相对于第一实施例中的凹口130)的开口，所以该凹口相对于该凹口130已被改变。接着该第三光阻层(相对于第一实施例中的第三光阻层144)印有图案使形成绕线1350的开口重新形成。所以该金属壁1332、金属柱1370及焊接端1386被配置在该半导体芯片1310的周边内。该半导体芯片封装结构1398包含半导体芯片1310、金属壁1332、绕线1350、焊接屏蔽1356、电镀接点1362、黏着剂1364、连接部1366、密封层1368、绝缘封胶1382及焊接端1386。请参阅图92a、图92b及图92c所示，为本发明的第十四实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图、本发明的第十四实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图及本发明的第十四实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。如图所示在第十四实施例中，该金属柱被上下颠倒。为了简短的目的，与第一实施例有相同的描述，不须要被重复。同样地，该第十四实施例的组件与第一实施例相似具有相符的参考编号，如半导体芯片1410对应于半导体芯片110，绕线1450对应于绕线150......等。该金属基板(相对于第一实施例中的金属基板120)的厚度为500微米。该凹口(相对于第一实施例中的凹口130)及金属壁1432被形成在金属基板的第一主要平面(相对于第一实施例中的第一主要平面122)，该焊接层(相对于第一实施例中的焊接层142)被形成在金属壁1432上，该绕线1450被形成在金属基板的第二平面(相对于第一实施例中的第二主要平面124)，该焊接屏蔽(相对于第一实施例中的焊接屏蔽152)被删除。接着，该绝缘封胶1482被设置在该绕线1450及金属基板上，然后该绝缘封胶的部分为可聚合的并形成一胶体(gel)。接着，整体结构被设置在一与第一实施例的金属基板120相似的支撑物，当该绝缘封胶1482为胶体时，该绝缘封胶1482与该支撑物接触并被夹在该金属基板与支撑物间及该绕线1450与支撑物，然后该绝缘封胶1482变硬。接着，该金属柱1470被形成，然后该电镀接点1462被形成。再来，该黏着剂1464被设置在绝缘封胶1482上，然后该半导体芯片1410被设置在黏着剂1464上，接着该黏着剂1464变硬。该金属柱1470不被配置在该半导体芯片1410的下方，反而向上扩展并超过该半导体芯片1410的厚度。而且该金属柱1470的厚度为420微米。接着，该连接部1466被形成，该密封层1468随后被形成。该密封层1468与第一实施例的绝缘封胶182相似，其厚度为600微米。在于，该密封层1468被设置在该半导体芯片1410、绕线1450、黏着剂1464、连接部1466、金属柱1470及绝缘封胶1462上，而该密封层1468变硬。之后，该密封层1468被研磨，并使该金属壁1432及焊接层暴露，随后该焊接端1486被形成。该半导体芯片封装结构1498包含半导体芯片1410、金属壁1432、绕线1450、电镀接点1462、黏着剂1464、连接部1466、密封层1468、金属柱1470、绝缘封胶1482及焊接端1486。请参阅图93a、图93b及图93c所示，为本发明的第十五实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图、本发明的第十五实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图及本发明的第十五实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。如图所示在第十五实施例中，该半导体芯片封装结构1598为多芯片组装。为了简短的目的，与第一实施例有相同的描述，不须要被重复。同样地，该第十五实施例的组件与第一实施例相似具有相符的参考编号，如半导体芯片1510对应于半导体芯片110，绕线1550对应于绕线150......等。对第一实施例中形成电镀接点162的电镀过程作稍微调整，该电镀接点1562被延长。特别地，该第五光阻层(相对于第一实施例中的第五光阻层158)具有图案，并使形成电镀接点1562的开口延长，所以该电镀接点1562相对于第一实施例的电镀接点162变得更长。该半导体芯片1510与该焊接屏蔽1556通过该第一黏着剂1564呈机械连接，并与该绕线1550通过第一连接部1566具有电性的连接。接着，该第二黏着剂1565被配置在第一半导体芯片1510上，其为一区隔第一半导体芯片1510及第二半导体芯片1511的硅胶，然后该第二半导体芯片1511(包含导电接脚1517与在第一半导体芯片1510的导电接脚1516一样)被设置在该第二黏着剂1565上，该第二黏着剂1565被夹在第一半导体芯片1510及第二半导体芯片1511之间，然后将整体结构放在烘箱中，使该第二黏着剂1565在相对低温下被硬化形成固态绝缘黏着层(solidadhesiveinsulativelayer)，使该第一半导体芯片1510与第二半导体芯片1511间具有物理性连接，其相对低温的范围介于150度至200度之间，而该第二黏着剂1565介于第一半导体芯片1510与第二半导体芯片1511间的厚度为100微米，并使该第一半导体芯片1510与第二半导体芯片1511被分隔，且互相成垂直地排列。一种合适的分隔剂(spacerpaste)为HysolQMI500。然后，该第二半导体芯片1511与绕线1550通过第二连接部1567具有电性的连接，与该第一半导体芯片1510与绕线1550通过第二连接部1566具有电性的连接一样的方法。之后，该密封层1568被形成，其厚度为700微米，该密封层1568与该第一半导体芯片1510、第二半导体芯片1511、绕线1550、焊接屏蔽1556、电镀接点1562、第一黏着剂1564、第二黏着剂1565、第一连接部1566及第二连接部1567接触并覆盖在其上。该金属柱1570、绝缘封胶1582及焊接端1582随后被形成。该半导体芯片封装结构1598为多芯片第一层次组装(multi-chipfirst-levelpackage)。该第一半导体芯片1510及第二半导体芯片1511被嵌入该密封层1568。而且该第一导电接脚1516与焊接端1586间不仅包含并且需要金属壁1532、绕线1550、电镀接点1567及金属柱1570构成一导电路径，另该第二导电接脚1517与焊接端1586间不仅包含并且需要金属壁1532、绕线1550、电镀接点1567及金属柱1570构成一导电路径。因此该第一半导体芯片1510及第二半导体芯片1511皆被嵌入在该密封层1568，并通过该金属壁1532、绕线1550、电镀接点1567及金属柱1570所构成的导电路径与该焊接端1568呈有电性的连接。该半导体芯片封装结构1598包含第一半导体芯片1510、第二半导体芯片1511、金属壁1532、绕线1550、焊接屏蔽1556、电镀接点1562、第一黏着剂1564、第二黏着剂1565、第一连接部1566、第二连接部1567、密封层1568、金属柱1570、绝缘封胶1582及焊接端1586。请参阅第94、95、96、97及98图所示，为本发明的第十六至二十实施例的金属柱结构的剖面示意图。如图所示当进行湿式化学蚀刻时，第十六至二十实施例中的金属柱1670、1770、1870、1970及2070逐渐变狭窄并切割该金属壁，例如通过增加蚀刻浓度或蚀刻时间。该金属柱1670、1770、1870、1970及2070亦为锥形，当金属柱向下延伸，其直径将持续地缩减。此外，每一金属柱包含一上方平面(相对于第一实施例中该金属柱170的第一平面172)、一下方平面(相对于第一实施例中该金属柱170的第二平面174)，及一锥表面(相对于第一实施例中该金属柱170的锥表面176)，在这些之间，该下方平面集中地被设置在上方平面的表面积范围内，而该下方平面的表面积至少比上方平面的表面积大10％。上述的实施例中的半导体芯片封装结构只为示范的实例。还有很多实施例为可考虑的，例如将该焊接屏蔽、电镀接点、金属柱及绝缘封胶删除。另外，上述的实施例可互相结合应用，例如在第二实施例的密封层后形成焊接层，以及在第三实施例的密封层后形成金属壁及焊接层能被用在其它实施例上。同样地，该在第四实施例的倒装片接合及在第五及第六实施例的经电镀的连接部被用在其它实施例中，除了在第十五实施例的多芯片的半导体芯片封装结构外，因为该半导体芯片无法被倒装。同样地，在第七实施例可被用在其它实施例中。在第八及第九实施例的绝缘封胶及在第十实施例中被删除的绝缘封胶同样地可被用在其它实施例中。在第十一实施例中同时被形成的金属壁及绕线与第十二实施例中同时被形成的金属壁及电镀接点同样地可被用在其它实施例中。在第十三及第十四实施例的金属壁、金属柱及焊接端同样地可被用在其它实施例中。在第十五实施例的多芯片的半导体芯片封装结构同样地可用在其它实施例中，除了第四至第六实施例，因为该半导体芯片无法被倒装。在第六、第七、第八、第九及第十二实施例的金属柱同样地被用在第一、第二及第四至第十五实施例中，但不能用在第三实施例，因为该金属柱被删除。上述的实施例互相混合搭配成其它实施例，可随设计上及可靠性上的考虑而定。该金属基板在该半导体芯片的边界内不须要被移除，例如该一部分的金属基板在半导体芯片的边界内延伸并在该金属壁分隔，仍能保持完整并提供一散热器(heatsink)。该金属壁可为各种不同材料，其材料包括铜、金、镍、钯、钛、焊锡及上述材料的结合，该金属壁可通过各种方式被形成，其方式包括电镀、无电解电镀、印刷、回流及上述方式的结合，该金属壁为单层或多层并具有不同形状及尺寸，例如该金属壁的形成可由单一方式如电镀或锡膏沉积与反流，或复杂方式如随锡膏印刷与回流后进行电镀。而该金属壁包括一孔洞，其孔洞为单金属面，该单金属面为不同的湿润金属(wettablemetals)，其包括金、钛及锡料，特别在于该锡料发生回流或不同的非湿润金属(non-wettablemetals)时，特别在于该锡料已经发生反流或没有发生。另外，该孔洞具有一开口，其开口形状可为圆形、长方形或正方形。该金属壁可在该绕线被沉积在金属基板前、在该绕线被沉积在金属基板之间或在该绕线被沉积在金属基板后；在该电镀接点被沉积在绕线前、在该电镀接点被沉积在绕线之间或在该电镀接点被沉积在绕线后；在该半导体芯片与绕线连接前或在该半导体芯片与绕线连接后；在该密封层被形成前或在该密封层被形成后；以及在该连接部被形成前、在该连接部被形成之间或在该连接部被形成后，被沉积在金属基板上。例如，经电镀的金属壁能同时与绕线、电镀接点或连接部被形成，因此改善制造产率。该焊接层通过锡料(如非固态包含锡料的材料)产生回流被沉积在该金属壁上，然后应用外力使该锡料回流，并形成一被硬化的焊接层。合适的包含锡料的材料包括锡膏、液态锡料及锡料颗粒。该锡料为一锡铅合金(tin-leadalloy)，虽然无铅合成物如锡-铋及锡-银-铜将因环境保护的关系，避免在电子业过度使用铅，使无铅合成物将变成大受欢迎。合适的沉积过程包括网格印刷(sreenprinting)、模板印刷(stencilprinting)、半圆形涂布(meniscuscoating)、液态锡料喷射(liquidsolderjetting)及锡料颗粒布置(solderparticleplacement)。并可通过一对流烘箱进行加热，虽然有其它技术如红外线连续带回流(infraredcontinuousbeltreflow)、热氮气瓦斯(hotnitrogengas)、激光束(laserbeam)及气相回流(vapor-phasereflow)能被使用。该焊接层在该绕线被沉积在该金属壁上之前或之后、在该电镀接点被沉积在该绕在线之前或之后、在该半导体芯片连接至该绕线之前或之后、在该密封层被形成之前或之后、在该连接部被形成之前或之后、在该金属柱被形成之前或之后及该绝缘封胶被形成之前或之后能被形成。该焊接层在界定该金属壁的光阻层(第二光阻层128)被移除之前或之后能被形成在金属壁上。例如用来界定金属壁的光阻层在该锡膏沉积并回流帮助限定该焊接层在金属壁内之间仍保持完整。该绕线为不同的导电金属，其包括铜、金、镍、银、钯、钛、上述金属的结合物及上述金属的合金。该绕线的较好组合将依该连接部的本质如设计及可靠度的因素而定。而且，由上述可知在，铜材料为典型的铜合金，几乎大部分成分为铜但非纯铜，如铜锆合金(99.9％铜)、铜-银-磷-镁(99.7％铜)或铜-钛-铁-磷(99.7％铜)。该绕线方式可为内向分布(fan-in)如外向分布(fan-out)一样。该绕线通过多种沉积技术使其能形成在金属基板上，其技术包括电镀及无电解电镀。另外，该绕线被沉积在金属基板上，该绕线可为单层或多层。例如该绕线为10微米厚的金层，或可为9.5微米厚的镍层镀在0.5微米厚的金层并镀在一铜基板上，可减少成本；或9微米厚的镍层镀在0.5微米的金层，再镀在0.5微米的锡层并镀在一铜基板上，可减少成本及避免在镀铜层被蚀刻时难移除的金铜合金。另一例子，该绕线可由一非铜层(non-copperlayer)镀在一铜基板上及一铜层镀在非铜层上所构成。合适的非铜层包括镍、金、钯及银。该绕线被形成后，当铜对非铜层时适用湿式化学蚀刻蚀刻该铜基板并使该绕线暴露，但没有移除该铜层及非铜层。该非铜层提供一蚀刻阻层(etchstop)，防止该湿式化学蚀刻将镀铜层移除。在上述说明中，该绕线及金属基板为不同的金属(或金属材料)，虽然具有多层的绕线包含一单层其与金属基板相似，或为一具有多层金属基板的单层(singlelayerofamulti-layermetalbase)。该绕线通过蚀刻一附在金属基板的金属层而形成。例如，一光阻层能被形成在金属层，该金属层被蚀刻时利用该光阻层为其蚀刻屏蔽，然后该光阻层被剥落；或为使一光阻层形成在该金属层上，一经电镀的金属能具有选择性地被镀在金属层并利用光阻层为其电镀屏蔽，然后该光阻层能被剥落，并使该金属层被蚀刻并使用该经电镀的金属作为蚀刻屏蔽，在这方法中，该绕线被形成，其包括该金属层的未蚀刻部分及经电镀的金属。该绕线由金属层形成，不管该经电镀的金属是否为蚀刻屏蔽，该经电镀的金属附着在该绕在线。该绕在线可点电镀(spotplated)在导电接脚附近并使连接部与其兼容。例如，点电镀镍，然后银在铜的绕在线，使其与具有金属金球的连接部兼容，以避免形成易碎的银与铜合金。相同的，金属壁上亦能经点电镀使其能与焊接端兼容，例如一镍的金属壁能与金点电镀以促进锡料回流。该金属柱能具有各种形状及尺寸。例如其上方平面及下方平面(相对于第一实施例的金属柱的第一平面172及第二平面174)可为圆形、长方形或正方形。另外，该金属柱的上方平面的直径可小于、等于或大于该金属柱的下方平面的直径。如该金属柱的下方平面及该绕线的较大圆形部分在该金属柱的上方平面之上并被覆盖，其直径至少比该金属璧外层边界小100微米，并使其容易形成高密度的电路。关于该金属柱的细节蚀刻该金属基板形成及与该绕线连接，美国专利申请号第10/714,794号在2003年11月17日由ChuenRongLeu等人提出，其
专利名称：「具有嵌入的金属柱的半导体芯片封装结构」、美国专利申请号第10/994,604号，在2004年11月22日由CharlesW.CLin等人提出，其
专利名称：「具有块状金属柱的半导体芯片封装结构」及美国专利申请号第10/994,836号在2004年11月22日由CharlesW.CLin等人提出，其
专利名称：「具有雕刻块状接触端的半导体芯片封装结构」中被揭露，所以该金属柱的详情由此参考数据可知。该焊接端的下方不能被该半导体芯片封装结构的密封层、绝缘封胶或其它绝缘材料覆盖。例如该焊接端的下方可被暴露，或者该焊接端的下方能被该半导体芯片封装结构外的绝缘材料覆盖，如多个半导体芯片封装结构成堆栈地排列。在每个半导体芯片封装结构中，该焊接端的下方不被该半导体芯片封装结构的密封层、绝缘封胶或其它绝缘材料覆盖。该导电迹线能具有信号、电源或接地层功能依据结合半导体芯片接脚的目的。该半导体芯片与主要平面垂直，该半导体芯片包括在朝上方向的导电接脚并远离该绕线，或者该半导体芯片能被倒装，其主要平面在朝下方向并朝向该绕线，例如该半导体芯片以位在朝上方向的主要平面利用引线接合，或者该半导体芯片能以位在朝下方向的主要平面利用倒装片接合。而且该半导体芯片通过各种不同的连接部与该绕线间具有电性的连接，不管该半导体芯片直立的或被倒装。例如该半导体芯片与一焊锡的连接部或一金的连接部以倒装片接合。举例来说，一焊锡凸块能被形成在导电接脚上，该半导体芯片能通过一吸取头被倒装配置，该焊锡凸块被夹在该导电接脚与绕线间，并将一对流的烘箱加热使该焊锡凸块回流而形成一连接部，该连接部使得该导电接脚与绕线接合。其它例子如一金凸块能被形成在该导电接脚上，绕线与一金层被形成，该半导体芯片能通过一吸取头被倒装配置，该吸取头使该金凸块被夹在该导电接脚与绕线间，再应用热能量及压力传递至该金凸块，而热度、压力及超音波的结合能形成一金对金连接(gold-goldinterconnect，GGI)，其介于金凸块与该绕线的金层之间，因此一金的连接部使得该导电接脚及绕线接合。该导电接脚具有多种形状，其形状包括平坦矩形凸状。该导电接脚与该连接部相容。多种黏着剂能连接该半导体芯片至绕线。例如该黏着剂如膏状、夹层或液状被应用在网格印刷(screen-printing)、旋转(spin-on)或喷射(spray-on)。该黏着剂为单层被应用在金属基板或焊接屏蔽，并与该半导体芯片接触，或为单层被覆盖至该半导体芯片，并与该金属基板或焊接屏蔽接触。相似地，该黏着剂可为复合层，具有第一层覆盖在金属基板或焊接屏蔽，第二层覆盖该半导体芯片，然后该第一层及第二层相互接触。热固性黏着剂形成液态及膏状如树脂可以适用。同样地，热塑性黏着剂如聚亚酰胺薄膜亦可适用。硅胶状的黏着剂也适用。密封层利用各种不同技术形成，其技术包括印刷及转注成型。例如该密封层如树脂被印在半导体芯片上，然后硬化形成一固态黏着保护层。该密封层可能为前述各类黏着剂的种类。此外该密封层不一定与该半导体芯片接触。例如一封胶涂料先置在半导体芯片上，待该半导体芯片连接至绕线后，该密封层再覆盖在该封胶涂料上。该绝缘封胶可能为坚硬的或具有弹性的，并能为由各种不同的绝缘薄膜或玻璃纤维形成多种有机或无机的绝缘体如卷带、聚酰胺(polyimide)、树脂、硅胶、玻璃、芳香族聚酰胺(aramid)及陶瓷(ceramic)。有机绝缘体具有低成本及高绝缘性，然而该无机绝缘体在高热功率消耗及相当的热膨胀数时为重要的。例如该绝缘封胶起初为一环氧树脂，其包括环氧树脂、硬化剂、加速剂及填充剂，可同时地硬化形成一固态黏着绝缘层。该填充剂为一惰性材料如硅土(silica)(粉末状溶化的石英)，其可改善热传导性、热冲击性及热膨胀数。有机强化纤维可能被用在如环氧树脂、氰酸酯树脂、聚亚酰胺、铁弗龙及上述的结合物等树脂中。该纤维包括芳香族聚酰胺、多元酯(polyester)、poly-ether-ether-ketone、聚亚酰胺、热可塑型聚酰亚胺(polyetherimide)及聚砜(polysulfone)可被使用。该强化纤维可为织布(wovenfabric)、玻纤布(wovenglass)、randommicrofiberglass、编织石英(wovenquartz)、编织物(woven)、芳香族聚酰胺(aramid)、不织布(non-wovenfabric)、不织芳香族聚酰胺纤维(non-wovenaramidfiber)或纸。商业上可用的绝缘材料如由W.L.Gore&AssociatesofEauClaire制造的SPEEDBOARDC预浸材料为合适的。该绝缘封胶利用多种方式被形成，其方式包括印刷及转注形成。而且该绝缘封胶在该半导体芯片连接至该绕线之前或该半导体芯片连接至该绕线之后被形成。该绝缘封胶利用各种不同的技术将其底层部分移除，其技术包含研磨(包含机械研磨及化学机械研磨)、激光消熔及等离子蚀刻。同样地，利用各种不同技术，该绝缘封胶具有可选择部分在该金属壁、金属柱及焊接层下被移除，其中该技术包括选择性激光消熔、选择性等离子蚀刻及光蚀刻。该绝缘封胶与金属壁沿着其朝下平面横向排列，并从该绕线及金属柱向下延伸。初期研磨该绝缘封胶但没研磨该焊接层、金属柱或绕线，然后研磨该绝缘封胶，及金属壁但没研磨该金属柱或绕线，在到达该金属柱及绕线前停止研磨。该绝缘封胶与焊接层横向排列在一朝下的平面，该绝缘封胶从该绕线及金属柱向下延伸，且研磨该绝缘封胶但没研磨该焊接层、金属柱或绕线，然后研磨该绝缘封胶及焊接层但没研磨该金属柱或绕线，接着在到达该金属柱或绕线前停止研磨。同样地，该绝缘封胶与金属壁及焊接层沿着其朝下平面横向排列，并从该绕线及金属柱向下延伸，且研磨该绝缘封胶但没研磨该金属壁、焊接层、金属柱或绕线，然后研磨该绝缘封胶、金属壁及焊接层但没研磨该金属柱或绕线，接着在到达该金属柱或绕线前停止研磨。该连接部利用各种不同材料形成，其材料包括铜、金、镍、钯、钛、其合金及其结合物，并利用各种不同过程形成，其过程包括电镀、无电解电镀、球焊、引线接合、柱状接合(studbumping)、锡料回流焊接、导电黏着剂硬化及焊接，该连接部可具有各种不同形状及尺寸。根据设计与可靠度的考虑，该连接部的形状及组成依该绕线的组成。而且具有电镀的连接部的细节在美国专利申请号第09/865,367号在2001年5月24日由CharlesW.C.Lin提出，其
专利名称：为「具有同时电镀形成的接触端及连接部的半导体芯片封装结构」中已被揭露。而经无电解电镀的连接部的细节在美国专利申请号第09/864,555号在2001年5月24由CharlesW.C.Lin提出，其
专利名称：为「具有同时无电解电镀形成的接触端及连接部的半导体芯片封装结构」已被揭露。经球焊形成的连接部在美国专利申请号第09/864,773号在2001年5月24日由CharlesW.C.Lin提出，其
专利名称：为「具有球焊形成的连接部的半导体芯片」被揭露。经焊锡或导电黏着剂形成的连接部在美国专利申请号第09/927,216号在2001年8月10日由CharlesW.C.Lin提出，其
专利名称：为「具有硬化的连接部的半导体芯片」被揭露。经焊接的连接部在美国专利申请号第10/302,642号在2002年11月23日由Cheng-LienChiang等人提出，其
专利名称：为「利用等离子蚀刻连接导电迹线至半导体芯片的方法」被揭露。在该连接部被形成后，如果电镀总线仍存在时，该电镀总线将与该导电迹线切割开。该电镀总线通过机械式切割、激光切割、化学蚀刻及上述方法合并以切割。如果该电镀总线被设置在该半导体芯片封装结构附近但未整合至该半导体芯片封装结构，然后当该半导体芯片封装结构与其它半导体芯片封装结构分离时，该电镀总线将被切割。然而如果该电镀总线已被整合至该半导体芯片封装结构，或切割已经发生，光蚀刻(photolithographystep)亦能选择性地被加入以和半导体芯片封装结构的电路切割。若该半导体芯片封装结构配有电镀总线，且造成该导电迹线导通时，电镀总线可通过蚀刻该金属板以分离。一焊锡材料或锡球能通过电镀、印刷或涂布技术被设置在焊接层上以进行下一层次组装。若该下一层次组装不需包含锡料的半导体芯片封装结构，例如在平面栅格阵列组装中，该焊锡材料通过面板提供而不是由半导体芯片封装结构的接触端提供。各种不同的清洗方式如简短的等离子氧清洗方式，或利用过锰酸钾溶液的简短的湿式化学清洗方式，能被应用在各种不同过程的结构中，如在形成连接部前能立即地清洗该导电迹线及导电接脚。由本发明的说明书中可知，任何半导体芯片被嵌在该密封层内通过一导电路径与该焊接端间的连接。该导电路径包括绕线及金属壁，其意思在于该绕线及金属壁连接被嵌入在密封层的焊接端及任何半导体芯片间的导电路径。不管是单芯片被嵌入该密封层内(该半导体芯片被嵌在该密封层内通过一导电路径与该焊接端间的连接，该导电路径包括绕线及金属壁)，或为多芯片被嵌入该密封层内(每一半导体芯片被嵌在该密封层内通过一导电路径与该焊接端间的连接，该导电路径是包括绕线及金属壁)。亦不管该导电路径包含或需要一连接部及(或)一电镀接点在该绕线及半导体芯片间。不管该导电路径是否包含或需要一金属柱在该绕线与金属壁间。不管该导电路径是否包含或需要一如电容器或电阻器的被动组件。亦不管该多芯片是否通过多连接部与该绕线有电性的连接，该多连接部通过绕线相互成电性的连接。不管该多芯片是否通过不同的导电路径与该焊接端具有电性的连接(如上述多个连接部的例子)只要每一导电路径包括该绕线及金属壁。由本发明的说明书中可知，该金属柱通过湿式化学蚀刻形成，但不是一次就形成金属柱。例如该第一次湿式化学蚀刻形成凹口并形成该金属柱下方平面，第二次湿式化学蚀刻则能形成该金属柱的上方平面及其锥形表面。在这例子中第二次湿式化学蚀刻完全使该金属柱形成。由本发明的说明书中可知，该金属柱为具有锥形表面的圆锥形，其锥形表面紧邻且扩展在该金属柱的上方及下方平面间并向内部倾斜，即使该内部斜面可能会改变。例如该锥形表面能向内部倾斜，即使一部分的锥形表面向外部倾斜，只是该金属柱的上方平面的直径大于其下方平面及该锥形表面几乎向内倾斜在从该金属柱的上方平面向下方平面倾斜。由本发明的说明书中可知，该焊接端包括该焊接层并与该孔洞内的金属壁接触。不管该焊接端包括焊接层及其它焊锡材料，或该焊接端由该焊接层组成。不管该焊接端往该孔洞内部延伸及外部扩展，或被设置在该孔洞内。不管该焊接层是否在孔洞外的金属壁接触。不管该焊接层是否与该金属壁接触。在本发明的说明书中可明白得知，该焊接端包括该焊接层即使该焊接层可能被改变。例如该焊接层的形状可能在进行化学蚀刻形成金属柱时改变。或在硬化形成绝缘封胶时，或在研磨该焊接层暴露部分及锡料回流形成焊接端时被改变。同样地，该锡料回流形成焊接端时亦可能改变该焊接层的形状及组合，并可能与该锡球及焊接层混合一起，使它们形成不再明确的分隔。在每一实施例中该焊接端包括该焊接层。该“向上”及“向下”垂直方向不依该半导体芯片封装结构的定位而定，已明确的表达在文中。例如，该密封层从该绕线的“向上”方向垂直地延伸、该金属壁从该半导体芯片的“向下”方向垂直地延伸及该绝缘封胶从该密封层的“向下”方向垂直地延伸，不管该半导体芯片封装结构是否被倒装覆盖在一印刷电路板上。同样地，该绕线从该金属壁横向地延伸，不管该半导体芯片封装结构是否被倒装、旋转或分割。因此该“向上”及“向下”方向为相对的，并与一横向方向正交，该“横向地排列”表面只在同一横向平面上或与向上及向下方向。该半导体芯片被绘制在该绕线、金属壁、金属柱、焊接端及绝缘封胶之上，以及该密封层被绘制在该半导体芯片、绕线、金属壁、金属柱、焊接端及绝缘封胶之上为了图与图之间进行比对，虽然该半导体芯片封装结构及它的组成可能被倒置在各种不同的制造过程。基于制造设计上该半导体芯片封装结构形式上能为单芯片组装或多芯片组装。例如单芯片组装包含能被独立地制造的单芯片。或者多个半导体芯片同时地被制在一具有单一焊接屏蔽、密封层及绝缘封胶的基板上，然后再隔离，如多芯片组装中的凹口同时地被蚀刻在金属基板，然后该金属壁同时地被镀在具有凹口的金属基板，接着锡膏利用单一模板同时地被分置在该相符的金属壁内，然后该锡膏同时地回流形成焊接层，而该绕线同时地被镀在金属基板上，接着该电镀接点同时地被镀在相符的绕在线，各别半导体芯片的黏着剂一个个地被设置在焊接屏蔽上，而该半导体芯片同时地被设置在相符的黏着剂上，该黏着剂同时地被硬化，然后该连接部被形成在相符的电镀接点及导电接脚上，接着覆盖密封层。之后，蚀刻金属基板并同时地形成金属柱，然后加上绝缘封胶，而该绝缘封胶、金属壁及焊接层同时地被研磨，然后锡膏同时地置在相符的焊接层上，而该焊接层及锡球同时地被回流形成焊接端，之后该焊接屏蔽、密封层及绝缘封胶被切割，成为具有独立的单芯片基板的半导体芯片封装结构。该半导体芯片封装结构具有不同的组装形式以进行下一层次组装时，例如一种格状阵列如球格式阵列、柱格式阵列、平面栅格阵列或针格式阵列。该半导体芯片封装结构为第一层次组装，其组装可为单芯片组装(如第一实施例至第十四实施例)或为多芯片组装(如第十五实施例)。而且该多芯片的第一层次组装包括半导体芯片被堆栈及相互间成垂直排列，或半导体芯片皆为同一平面上并相互间成横向排列。本发明的半导体芯片封装结构具有备高可靠度及低成本的优势。密封层及绝缘封胶保护半导体芯片在处理过程受到损害，并提供该导电迹线一绝源的屏蔽，以及保护该半导体芯片封装结构下一层次组装时不受到污染物及不必要的锡料回流。该密封层能提供该导电迹线一机械支撑当金属基板被蚀刻形成金属柱或被移除时。该金属壁能控制焊接层及焊接端在进行锡料回流操作时在一范围内。另外该焊接端能延伸至该绝缘封胶内的金属壁，而不是使该半导体芯片封装结构与其横向平面的高压边界接触，其横向平面为一朝向下方被暴露的主要平面，因此可减少锡料分隔及改善可靠度。该接合方式可由机械式的接合替换为冶金式的接合，以确保冶金式的接合有足够强度。而且该导电迹线能为机械式地及冶金式地与该半导体芯片接合而不使用引线接合、卷带自动接合、焊锡或具有导电性的黏着剂。所有过程均为可调整的。制程过程具有多功能的，并许可各种不同的接合技术被应用在独立的及经改善的方法中。而且该金属柱特别地适在因温度不对称造成下一层组装时的压力及影响良率并提高可靠度。这可靠度已经超过传统的球格式组装。所以本发明的半导体芯片封装结构的组装与传统的组装技术相比在于提高生产量、利润及效能等特性。而且本发明的半导体芯片封装结构可与铜芯片兼容。惟以上所述者，仅为本发明的实施例而已，不能以此限定本发明实施的范围；故，凡依本
发明内容所作的简单的等效变化与修饰，皆应仍属本发明的保护范围内。权利要求1.一种焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，包含正交在一横向方向上的第一垂直方向及相对的第二垂直方向，该半导体芯片封装结构至少包括一半导体芯片，包含第一平面及相对的第二平面，其中，该第一平面包含一导电接脚；一导电迹线，包含一绕线、一金属壁及一焊接端，其中，该绕线从该金属壁及焊接端横向延伸；该金属壁具有一孔洞，并且具有一厚度，该金属壁为该半导体芯片封装结构的导电体，并与该焊接端接触；该焊接端与该孔洞内的金属壁接触；一连接部，使该绕线及导电接脚间具有电性的连接；一密封层，与该半导体芯片接触；以及一绝缘封胶，与该绕线及金属壁接触，其中，该半导体芯片被嵌入在密封层内，该金属壁被嵌入在绝缘封胶内，该绝缘封胶从焊接端向第一方向垂直延伸，以及从该绕线往第二方向垂直延伸，该孔洞延伸至该绝缘封胶内，该焊接端延伸至该绝缘封胶内，但在第二方向上不被该半导体芯片封装结构的其它材料覆盖，该焊接端延伸至该绝缘封胶内的部分在该孔洞的表面积内，并在第一方向上被该金属壁覆盖。2.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该绕线为平坦并与该半导体芯片的第一平面与第二平面平行。3.根据权利要求2所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该绕线与该金属壁接触，但不整合为一体。4.根据权利要求3所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属壁只与该绕线、焊接端及绝缘封胶接触。5.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该绕线与该金属壁隔离，并从一金属柱横向延伸，该金属柱与该绕线及金属壁接触并使该绕线与金属壁间具有电性的连接，但不与该绕线与金属壁整合为一体，并从该金属壁向第一方向垂直延伸，且从该绕线往第二方向垂直延伸，该金属柱为一圆锥形，其直径大小从该金属柱往第二方向延伸时逐渐缩减。6.根据权利要求5所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属柱包含一朝向第一方向的第一平面及一朝向第二方向的第二平面，该金属柱的第二平面的表面积小于该金属柱的第一平面的表面积，该金属柱的第一平面的表面积比该金属柱的第二平面的表面积至少大10％。7.根据权利要求5所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属柱从该半导体芯片、连接部及密封层往第二方向垂直地延伸。8.根据权利要求5所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属柱在第一方向上被该绕线覆盖。9.根据权利要求5所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属柱在第二方向上被金属壁及焊接端覆盖。10.根据权利要求5所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属壁只与金属柱、焊接端及绝缘封胶接触。11.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属壁为一碗形。12.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属壁的垂直平面为一凹字形，与第一方向及第二方向平行。13.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属壁的横向平面可为一圆形、一长形或一方形，并与该孔洞的开口的第一及第二方向正交。14.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属壁为一体成型的金属。15.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该孔洞向该金属壁延伸，并穿过该金属壁大部分的高度及直径。16.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该孔洞为一凹面。17.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该焊接端向该孔洞的内部及外部延伸，并从该金属壁及绝缘封胶往第二方向延伸。18.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该焊接端在第二方向上覆盖该金属壁。19.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该焊接端设置在该孔洞内。20.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该焊接端填满该孔洞。21.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该焊接端延伸至该绝缘封胶内的部分在该孔洞内并只与金属壁接触。22.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该焊接端延伸至该绝缘封胶内的部分被该金属壁限定。23.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属壁与焊接端间的接触部分在该孔洞内。24.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该连接部为电镀金属。25.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该连接部为无电解电镀金属。26.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该连接部为锡料。27.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该连接部为导电黏着剂。28.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该连接部为金属打线。29.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该密封层在第一方向覆盖该半导体芯片、绕线、金属壁、焊接端、连接部及绝缘封胶。30.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该密封层与该金属壁及焊接端隔离。31.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该绝缘封胶在第二方向覆盖该半导体芯片。32.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该绝缘封胶与该焊接端隔离。33.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属壁横向在该焊接端延伸至该绝缘封胶内的部分外围旋转360度，该绝缘封胶也横向在该金属壁外围旋转360度。34.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属壁及绝缘封胶横向相互排列在一朝向第二方向的平面。35.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属壁及焊接端可被设置在该半导体芯片边缘内。36.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属壁及焊接端可被设置在该半导体芯片边缘外。37.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该导电接脚与焊接端间的导电路径需由该绕线、金属壁及连接部构成。38.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该绕线在该导电接脚及焊接端之间提供水平绕线，但不提供垂直绕线。39.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属壁在该焊接端与其它导电体间不提供绕线。40.根据权利要求1所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该半导体芯片封装结构为第一层次组装。41.一种焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，包含与一横向方向正交的第一垂直方向及相对的第二垂直方向，该半导体芯片封装结构至少包括一半导体芯片，包含第一平面及相对的第二平面，其中该第一平面包含一导电接脚；一导电迹线，包含一绕线、一金属壁及一焊接端，其中，该绕线从该金属壁及焊接端横向延伸；该金属壁具有一体成型金属面的孔洞，并具有一厚度，该金属壁为该半导体芯片封装结构的导电体，并与该焊接端连接，而该孔洞向该金属壁延伸，并穿过该金属壁大部分的高度及直径，且被该金属壁覆盖在第一方向及横向方向，以及具有一朝向第二方向的开口；该焊接端与该孔洞内的金属壁接触并填满该孔洞，该焊接端延伸至该绝缘封胶内的部分在该孔洞内，并只与该金属壁接触，且被该金属壁限定在第一方向及横向方向内；一连接部，与该绕线及导电接脚间具有电性的连接；一密封层，与该半导体芯片接合；以及一绝缘封胶，与该绕线及金属壁接触，其中，该半导体芯片被嵌入在该密封层内，该金属壁被嵌入在该绝缘封胶内，该绝缘封胶从焊接端向第一方向垂直延伸，以及从该绕线往第二方向垂直延伸，该孔洞延伸至该绝缘封胶内，该焊接端亦延伸至该绝缘封胶内，但在第二方向不被该半导体芯片封装结构的其它材料覆盖，该密封层从该绕线、金属壁、焊接端、连接部及绝缘封胶向第一方向垂直延伸，而该绝缘封胶从该焊接端向第一方向垂直延伸，并从该半导体芯片、绕线、连接部及密封层往第二方向垂直延伸。42.根据权利要求41所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该绕线为平坦并与该半导体芯片的第一平面与第二平面平行，且与该金属壁接触，但不整合为一体。43.根据权利要求41所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该绕线为平坦并与该半导体芯片的第一平面与第二平面平行，并与该金属壁隔离，且从一金属柱横向延伸，该金属柱与该绕线及金属壁接触，并使该绕线与金属壁间具有电性的连接，但不与该绕线及金属壁整合为一体，该金属柱从该金属壁向第一方向垂直延伸，以及从该半导体芯片及绕线往第二方向垂直延伸，而该金属柱为一圆锥形，其直径大小从该金属柱往第二方向延伸时逐渐缩减。44.根据权利要求43所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属柱包含一朝向第一方向的第一平面及一朝向第二方向的第二平面，该金属柱的第二平面的表面积小于该金属柱的第一平面的表面积，该金属柱的第一平面的表面积比该金属柱的第二平面的表面积至少大10％。45.根据权利要求43所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属柱在第一方向被该绕线覆盖，以及在第二方向被金属壁及焊接端覆盖。46.根据权利要求41所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属壁为一碗形，在其垂直平面为一凹字形，与第一方向及第二方向平行，该孔洞为一凹面。47.根据权利要求41所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该焊接端向该孔洞的内部及外部延伸，并从该金属壁及绝缘封胶往第二方向延伸，而该金属壁及绝缘封胶横向相互排列在一朝向第二方向的平面。48.根据权利要求41所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该焊接端被设置在该孔洞内，而该金属壁、焊接端及绝缘封胶横向相互排列在一朝向第二方向的平面。49.根据权利要求41所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该密封层在第一方向覆盖该半导体芯片、绕线、金属壁、焊接端、连接部及绝缘封胶，并与该金属壁及焊接端隔离。50.根据权利要求41所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该导电接脚与焊接端间的导电路径需由该绕线、金属壁及连接部构成，该绕线在该导电接脚及焊接端间提供水平绕线，该金属壁在该焊接端与其它导电体间不提供绕线。51.一种焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，包含与一横向方向正交的第一垂直方向及相对的第二垂直方向，该半导体芯片封装结构至少包括一半导体芯片，包含第一平面及相对的第二平面，其中该第一平面包含一导电接脚；一导电迹线，包含一绕线、一金属壁及一焊接端，其中，该绕线从该金属壁及焊接端横向延伸；该金属壁具有一体成型的金属面的孔洞，并具有一厚度，该金属壁为该半导体芯片封装结构的导电体，并与该焊接端连接，该金属壁为一碗形，其垂直平面为一U字形，并与第一方向及第二方向平行，该金属壁的横向平面可为一圆形、一长形或一方形，并与该孔洞的开口的第一及第二方向正交，该孔洞向该金属壁延伸，并穿过该金属壁大部分的高度及直径，并被该金属壁在第一方向及横向方向覆盖，该孔洞包含一朝向第二方向的开口，该孔洞为一凹面像坑口的形状；该焊接端与该孔洞内的金属壁接触并填满该孔洞，该焊接端延伸至该绝缘封胶内的部分在该孔洞内，并只与该金属壁接触，且在第一方向及横向方向内被该金属壁限定；一连接部，与该绕线及导电接脚间具有电性的连接；一密封层，与该半导体芯片接合；以及一绝缘封胶，与该绕线及金属壁接合，其中，该半导体芯片被嵌入在该密封层内，该金属壁被嵌入在该绝缘封胶内，该绝缘封胶从焊接端向第一方向垂直延伸，以及从该绕线往第二方向垂直延伸，该孔洞延伸至该绝缘封胶内，该焊接端亦延伸至该绝缘封胶内，但不被该半导体芯片封装结构的其它材料在第二方向覆盖，该密封层从该绕线、金属壁、焊接端、连接部及绝缘封胶向第一方向垂直延伸，而该绝缘封胶从该焊接端向第一方向垂直延伸，以及从该半导体芯片、绕线、连接部及密封层往第二方向垂直延伸。52.根据权利要求51所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该绕线为平坦并与该半导体芯片的第一平面与第二平面平行，且与该金属壁接触，但不整合为一体。53.根据权利要求51所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该绕线为平坦并与该半导体芯片的第一平面与第二平面平行，并与该金属壁隔离，且从一金属柱横向延伸，该金属柱与该绕线及金属壁接触，并使该绕线与金属壁间具有电性的连接，但不与该绕线及金属壁整合为一体，该金属柱从该金属壁向第一方向垂直延伸，以及从该半导体芯片及绕线往第二方向垂直延伸，该金属柱为一圆锥形，其直径大小从该金属柱往第二方向延伸时逐渐缩减。54.根据权利要求53所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属柱包含一朝向第一方向的第一平面及一朝向第二方向的第二平面，该金属柱的第二平面的表面积小于该金属柱的第一平面的表面积，该金属柱的第一平面的表面积比该金属柱的第二平面的表面积至少大10％。55.根据权利要求53所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属柱在第一方向被该绕线覆盖，以及在第二方向被金属壁及焊接端覆盖。56.根据权利要求51所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属壁为电镀金属。57.根据权利要求51所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该焊接端向该孔洞的内部及外部延伸，并从该金属壁及绝缘封胶往第二方向延伸，而该金属壁及绝缘封胶横向相互排列在一朝向第二方向的平面。58.根据权利要求51所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该焊接端被设置在该孔洞内，该金属壁、焊接端及绝缘封胶横向相互排列在朝向第二方向的平面。59.根据权利要求51所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该密封层在第一方向覆盖该半导体芯片、绕线、金属壁、焊接端、连接部及绝缘封胶，但与该金属壁及焊接端隔离。60.根据权利要求51所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该导电接脚与焊接端间的导电路径需由绕线、金属壁及连接部构成，该绕线在该导电接脚及焊接端之间提供水平绕线，该金属壁在该焊接端与其它导电体间不提供绕线。61.一种焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，包含与一横向方向正交的第一垂直方向及相对的第二垂直方向，该半导体芯片封装结构至少包括一半导体芯片，包含第一平面及相对的第二平面，其中该第一平面包含一导电接脚；一导电迹线，包含一绕线、一金属壁及一焊接端，其中，该绕线从该金属壁及焊接端横向延伸；该金属壁具有一体成型的金属面的孔洞，并有一厚度，该金属壁为该半导体芯片封装结构的导电体，并与该焊接端连接，该孔洞向该金属壁延伸，并穿过该金属壁大部分的高度及直径，并在第一方向及横向方向被该金属壁覆盖，且包含一朝向第二方向的开口；该焊接端与该孔洞内的金属壁接触并填满该孔洞，该焊接端延伸至该绝缘封胶内的部分在该孔洞内，并只与该金属壁接触，且被该金属壁限定在第一方向及横向方向内；一连接部，与该绕线及导电接脚间具有电性的连接；一密封层，与该半导体芯片接合；以及一绝缘封胶，与该绕线及金属壁接触，其中，该半导体芯片被嵌入在该密封层内，该金属壁被嵌入在该绝缘封胶内，该绝缘封胶从焊接端向第一方向垂直延伸，以及从该绕线往第二方向垂直延伸，该孔洞延伸至该绝缘封胶内，该焊接端亦延伸至该绝缘封胶内，但在第二方向不被该半导体芯片封装结构的其它材料覆盖，该密封层从该绕线、金属壁、焊接端、连接部及绝缘封胶向第一方向垂直延伸，而该绝缘封胶从该焊接端向第一方向垂直延伸，以及从该半导体芯片、绕线、连接部及密封层往第二方向垂直延伸，该金属壁及绝缘封胶横向相互排列在一朝向第二方向的平面，该金属壁在该朝向第二方向的平面上横向绕该焊接端外围旋转360度，该绝缘封胶亦在该朝向第二方向的平面上横向绕该金属壁外围旋转360度。62.根据权利要求61所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该绕线为平坦并与该半导体芯片的第一平面与第二平面平行，且与该金属壁接触但不整合为一体。63.根据权利要求61所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该绕线为平坦并与该半导体芯片的第一平面与第二平面平行，并与该金属壁隔离，且从一金属柱横向延伸，该金属柱与该绕线及金属壁接触，并使该绕线与金属壁间具有电性的连接，但不与该绕线及金属壁整合为一体，该金属柱从该金属壁向第一方向垂直延伸，以及从该半导体芯片及绕线往第二方向垂直延伸，而该金属柱为一圆锥形，其直径大小从该金属柱往第二方向延伸时逐渐缩减。64.根据权利要求63所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属柱包含一朝向第一方向的第一平面及一朝向第二方向的第二平面，该金属柱的第二平面的表面积小于该金属柱的第一平面的表面积，该金属柱的第一平面的表面积比该金属柱的第二平面的表面积至少大10％。65.根据权利要求63所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属柱在第一方向被该绕线覆盖，以及在第二方向被金属壁及焊接端覆盖。66.根据权利要求61所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属壁为一碗形，在其垂直平面为一凹字形，与第一方向及第二方向平行，该孔洞为一凹面。67.根据权利要求61所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该焊接端向该孔洞的内部及外部延伸，并从该金属壁、绝缘封胶及该朝向第二方向的平面往第二方向延伸。68.根据权利要求61所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该焊接端被设置在该孔洞内，该金属壁、焊接端及绝缘封胶横向相互排列在该朝向第二方向的平面。69.根据权利要求61所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该密封层在第一方向覆盖该半导体芯片、绕线、金属壁、焊接端、连接部及绝缘封胶，但与该金属壁及焊接端隔离。70.根据权利要求61所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该导电接脚与焊接端间的导电路径需由该绕线、金属壁及连接部构成，该绕线在该导电接脚及焊接端间提供水平绕线，该金属壁在该焊接端与其它导电体间不提供绕线。71.一种焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，包含与一横向方向正交的第一垂直方向及相对的第二垂直方向，该半导体芯片封装结构至少包括一半导体芯片，包含第一平面及相对的第二平面，其中该第一平面包含一导电接脚；一导电迹线，包含一绕线、一金属壁及一焊接端，其中，该绕线从该金属壁及焊接端横向延伸；该金属壁具有一体成型的金属面的孔洞，并具有一厚度，该金属壁为该半导体芯片封装结构的导电体，并与该焊接端接触，该孔洞向该金属壁延伸，并穿过该金属壁大部分的高度及直径，并在第一方向及横向方向被该金属壁覆盖，且包含一朝向第二方向的开口；该焊接端与该孔洞内的金属壁连接并填满该孔洞，该焊接端延伸至该绝缘封胶内的部分在该孔洞内，并只与该金属壁接触，且被该金属壁限定在第一方向及横向方向内；一连接部，与该绕线及导电接脚间具有电性的连接；一密封层，与该半导体芯片接合；以及一绝缘封胶，与该绕线及金属壁接触，其中，该半导体芯片被嵌入在该密封层内，该金属壁被嵌入在该绝缘封胶内，该绝缘封胶从焊接端向第一方向垂直延伸，以及从该绕线往第二方向垂直延伸，该孔洞延伸至该绝缘封胶内，该焊接端亦延伸至该绝缘封胶内，但在第二方向不被该半导体芯片封装结构的其它材料覆盖，该密封层从该绕线、金属壁、焊接端、连接部及绝缘封胶向第一方向垂直延伸，而该绝缘封胶从该焊接端向第一方向垂直延伸，以及从该半导体芯片、绕线、连接部及密封层往第二方向垂直延伸，该导电接脚与焊接端间的导电路径需由该绕线、金属壁及连接部构成，该绕线提供水平绕线在该导电接脚及焊接端间，但不提供垂直绕线，而该金属壁不提供绕线在该焊接端与其它导电体间。72.根据权利要求71所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该绕线为平坦并与该半导体芯片的第一平面与第二平面平行，且与该金属壁接触，但不整合为一体。73.根据权利要求71所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该绕线为平坦并与该半导体芯片的第一平面与第二平面平行，并与该金属壁隔离，且从一金属柱横向延伸，该金属柱与该绕线及金属壁接触，并使该绕线与金属壁间具有电性的连接，但不与该绕线及金属壁整合为一体，该金属柱从该金属壁向第一方向垂直延伸，以及从该半导体芯片及绕线往第二方向垂直延伸，该金属柱为一圆锥形，其直径大小从该金属柱往第二方向延伸时逐渐缩减。74.根据权利要求73所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属柱包含一朝向第一方向的第一平面及一朝向第二方向的第二平面，该金属柱的第二平面的表面积小于该金属柱的第一平面的表面积，该金属柱的第一平面的表面积比该金属柱的第二平面的表面积至少大10％。75.根据权利要求73所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属柱在第一方向被该绕线覆盖，以及在第二方向被金属壁及焊接端覆盖。76.根据权利要求71所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属壁为一碗形，在其垂直平面为一凹字形，与第一方向及第二方向平行，该孔洞为一凹面。77.根据权利要求71所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该焊接端向该孔洞的内部及外部延伸，并从该金属壁及绝缘封胶往第二方向延伸，而该金属壁及绝缘封胶横向相互排列在朝向第二方向的平面。78.根据权利要求71所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该焊接端被设置在该孔洞内，该金属壁、焊接端及绝缘封胶横向相互排列在朝向第二方向的平面。79.根据权利要求71所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该密封层在第一方向覆盖该半导体芯片、绕线、金属壁、焊接端、连接部及绝缘封胶，但与该金属壁及焊接端隔离。80.根据权利要求71所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该导电路径需要该金属柱。81.一种焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，包含与一横向方向正交的第一垂直方向及相对的第二垂直方向，该半导体芯片封装结构至少包括一半导体芯片，包含第一平面及相对的第二平面，其中该第一平面包含一导电接脚；一导电迹线，包含一绕线、一金属壁及一焊接端，其中，该绕线从该金属壁及焊接端横向延伸，而且为平坦并与该半导体芯片的第一平面与第二平面平行，且与该金属壁接触但不整合为一体，而且从该金属壁向第一方向垂直延伸；该金属壁具有一体成型的金属面的孔洞，并具有一厚度，该金属壁为该半导体芯片封装结构的导电体，并与该焊接端连接，该孔洞向该金属壁延伸，并穿过该金属壁大部分的高度及直径，而在第一方向及横向方向被该金属壁覆盖且包含一朝向第二方向的开口；该焊接端与该孔洞内的金属壁连接并填满该孔洞，该焊接端延伸至该绝缘封胶内的部分在该孔洞内，并只与该金属壁接触，且被该金属壁限定在第一方向及横向方向内；一连接部，与该绕线及导电接脚间具有电性的连接；一密封层，与该半导体芯片接触；以及一绝缘封胶，与该绕线及金属壁接触，其中，该半导体芯片被嵌入在该密封层内，该金属壁被嵌入在该绝缘封胶内，该绝缘封胶从焊接端向第一方向垂直延伸，以及从该绕线往第二方向垂直延伸，该孔洞延伸至该绝缘封胶内，该焊接端亦延伸至该绝缘封胶内，但在第二方向不被该半导体芯片封装结构的其它材料覆盖，该密封层从该绕线、金属壁、焊接端、连接部及绝缘封胶向第一方向垂直延伸，而该绝缘封胶从该焊接端向第一方向垂直延伸，以及从该半导体芯片、绕线、连接部及密封层往第二方向垂直延伸。82.根据权利要求81所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该绕线的厚度大于该金属壁的厚度。83.根据权利要求81所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该绕线在垂直方向延伸的距离小于该孔洞在垂直方向延伸的距离。84.根据权利要求81所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属壁只与该绕线、焊接端及绝缘封胶接触。85.根据权利要求81所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该绕线的厚度大于该金属壁的厚度，其在垂直方向延伸的距离小于该孔洞在垂直方向延伸的距离，而该金属壁只与该绕线、焊接端及绝缘封胶接触。86.根据权利要求81所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属壁为一碗形，在其垂直平面为一凹字形，与第一方向及第二方向平行，该孔洞为一凹面。87.根据权利要求81所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该焊接端向该孔洞的内部及外部延伸，并从该金属壁及绝缘封胶往第二方向延伸，而该金属壁及绝缘封胶横向相互排列在朝向第二方向的平面。88.根据权利要求81所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该焊接端在该孔洞内，该金属壁、焊接端及绝缘封胶横向相互排列在朝向第二方向的平面。89.根据权利要求81所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该密封层在第一方向覆盖该半导体芯片、绕线、金属壁、焊接端、连接部及绝缘封胶，但与该金属壁及焊接端隔离。90.根据权利要求81所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该导电接脚与焊接端间的导电路径需由该绕线、金属壁及连接部构成，该绕线在该导电接脚及焊接端之间提供水平绕线，而该金属壁在该焊接端与其它导电体间不提供绕线。91.一种焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，包含与一横向方向正交的第一垂直方向及相对的第二垂直方向，该半导体芯片封装结构至少包括一半导体芯片，包含第一平面及相对的第二平面，其中该第一平面包含一导电接脚；一导电迹线，包含一绕线、一金属柱、一金属壁及一焊接端，其中，该绕线从该金属柱、金属壁及焊接端横向延伸，并与该金属壁隔离；该金属柱与该绕线及金属壁接触，并使该绕线与金属壁间具有电性的连接，但不与该绕线及金属壁整合为一体，该金属柱从该金属壁向第一方向垂直延伸，以及从该半导体芯片及绕线往第二方向垂直延伸，而该金属柱为一圆锥形，其直径大小从该金属柱往第二方向延伸时逐渐缩减；该金属壁具有一体成型的金属面的孔洞，并具有一厚度，该金属壁为该半导体芯片封装结构的导电体，并与该焊接端连接，该孔洞向该金属壁延伸，并穿过该金属壁大部分的高度及直径，并在第一方向及横向方向被该金属壁覆盖，且包含一面向第二方向的开口；该焊接端与该孔洞内的金属壁连接并填满该孔洞，该焊接端延伸至该绝缘封胶内的部分在该孔洞内，并只与该金属壁接触，且被该金属壁限定在第一方向及横向方向内；一连接部，与该绕线及导电接脚间具有电性的连接；一密封层，与该半导体芯片接触；以及一绝缘封胶，与该绕线、金属柱及金属壁接触，其中，该半导体芯片被嵌入在该密封层内，该金属壁被嵌入在该绝缘封胶内，该绝缘封胶从焊接端向第一方向垂直延伸，以及从该绕线及金属柱往第二方向垂直延伸，该孔洞延伸至该绝缘封胶内，该焊接端亦延伸至该绝缘封胶内，但在第二方向不被该半导体芯片封装结构的其它材料覆盖，该密封层从该绕线、金属柱、金属壁、焊接端、连接部及绝缘封胶向第一方向垂直延伸，而该绝缘封胶从该焊接端向第一方向垂直延伸，以及从该半导体芯片、绕线、金属柱、连接部及密封层往第二方向垂直延伸。92.根据权利要求91所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该绕线为平坦并与该半导体芯片的第一平面与第二平面平行。93.根据权利要求91所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属柱包含一朝向第一方向的第一平面及一朝向第二方向的第二平面，该金属柱的第二平面的表面积小于该金属柱的第一平面的表面积，该金属柱的第一平面的表面积比该金属柱的第二平面的表面积至少大10％。94.根据权利要求91所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属柱在第一方向被该绕线覆盖，以及在第二方向被金属壁及焊接端覆盖。95.根据权利要求91所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属壁只与该金属柱、焊接端及绝缘封胶接触。96.根据权利要求91所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该金属壁为一碗形，在其垂直平面为一凹字形，与第一方向及第二方向平行，该孔洞为一凹面。97.根据权利要求91所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该焊接端向该孔洞的内部及外部延伸，并从该金属壁及绝缘封胶往第二方向延伸，而该金属壁及绝缘封胶横向相互排列在朝向第二方向的平面。98.根据权利要求91所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该焊接端被设置在该孔洞内，该金属壁、焊接端及绝缘封胶横向相互排列在朝向第二方向的平面。99.根据权利要求91所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该密封层在第一方向覆盖该半导体芯片、绕线、金属柱、金属壁、焊接端、连接部及绝缘封胶，但与该金属壁及焊接端隔离。100.根据权利要求91所述的焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，其特征在于，该导电接脚与焊接端间的导电路径需由该绕线、金属柱、金属壁及连接部构成，该绕线在该导电接脚及焊接端之间提供水平绕线，该金属柱在该导电接脚及焊接端之间提供垂直绕线，而该金属壁在该焊接端与其它导电体间不提供绕线。全文摘要本发明为焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构，包含具有导电接脚的半导体芯片，具有绕线、金属壁及焊接端的导电迹线和可使该导电接脚与绕线间具有电性连接的连接部。其中金属壁上具有孔洞，可使焊接端与金属壁接触，并与绕线隔离。文档编号H01L23/48GK1921096SQ20061010329公开日2007年2月28日申请日期2006年7月24日优先权日2005年8月26日发明者林文强,王家忠申请人:钰桥半导体股份有限公司