焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法

专利名称：：焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法
技术领域：
：本发明为一半导体芯片封装结构的制造方法，尤指焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构及该半导体芯片封装结构的制造方法。
背景技术：
：目前半导体芯片具有输入/输出的接脚(pads)，该接脚必须连接至外部的电路，以使实现电子系统的一部分功能。该连接的媒介主要是以金属导线阵列(如一个导线架)或为一辅助电路(supportcircuit)如基板(substrate)，虽然该连接的媒介可直接连接至电路操作面板(如主机板)。目前有很多连接技术被广泛地使用，包括有打线接合(wirebonding)、卷带自动接合(tapeautomatedbonding，TAB)及覆晶接合(flip-chipbonding)等技术。在下一层组合期间，该半导体芯片封装结构是连续被连接至其它电路如印刷电路板(PCB)或主机板。不同的半导体芯片封装在下一层组合被采用不同的方式。例如，球格式阵列构装(ballgridarray，BGA)，包含一锡球阵列，而平面栅格阵列构装(landgridarray，LGA)包含一金属接脚阵列，该金属接脚阵列接收在印刷电路板上锡的痕迹。球格式阵列构装主要有锡球熔化在镍端的金属元素表面，因此锡球为下一层组合的接触端。当锡球与该金属元素表面分离时，该球格式阵列构装变成无法接触或无效。传统的锡球接触技术，其目的在于允许锡球容易熔合于金属元素表面。例如，连续电镀镍和金的薄层于金属元素表面的一个平滑及偏平的表面，允许锡球可以简易的溶合在金属元素表面，但是不能避免锡球分离的问题。传统的锡球接触技术，也熔合在接触绝缘体上，例如BT树脂(三氮杂苯双马来聚亚酰胺，Bismaleimidetriazineepoxy)对锡球，虽增强该锡球的机械接触。然而，该锡球容易被该树脂分离，与前述的金属元素表面存在相同的问题。在目前有效的半导体芯片封装结构具有不同的限制及发展阶段，故亟待在半导体芯片封装结构上发展更具有经济性、可信赖性、可制作性、多样性，及提供具优越的机械及电子特性的焊接端，且利用连接接合的技术，使之可适用于已知应用范围的优点。
发明内容本发明的主要目的在于，提供一焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构，并提供一低成本、高经济性及高可靠度的构装。本发明的另一目的在于，提供一方便性及经济性的制造半导体芯片封装结构的方法。总而言之，本发明提供一半导体芯片，包括一具导电接脚的半导体芯片、一具绕线、金属壁及焊接端的导电迹线及一可使该绕线及导电接脚间具有电连接的连接部。该金属壁包含一孔洞，该焊接端与该孔洞内的金属壁接触并与该绕线隔离。本发明还提供一制造该半导体芯片封装结构的方法，包括一金属基板、一绕线、一金属壁及一焊接层，其中，该金属壁具有一孔洞，使该焊接端与孔洞内的金属壁接触，并使该半导体芯片连接至该路线，且形成一可使该绕线与导电接脚间具有电连接的连接部，接着，蚀刻该金属基板减少该金属基板与绕线及金属基板与金属壁间的接触区域，以及提供一具焊接层的焊接端。依据本发明的内容，该半导体芯片封装结构具有与一横向方向正交的第一垂直方向及相对的第二垂直方向，该半导体芯片封装结构包括具相对应的第一平面及第二平面的半导体芯片，其中该半导体芯片的第一平面包含一导电接脚，一导电迹线包含绕线、金属壁及焊接端，其中该绕线在该金属壁及焊接端间横向延伸，该金属壁包含一孔洞，并具有一固定厚度，该金属壁为该半导体芯片封装结构中唯一的导电体并与该焊接端接触，该焊接端与该孔洞内的金属壁接触，一连接部可使该绕线及导电接脚间具有电连接，该密封剂与该半导体芯片接触，一绝缘基板与该绕线及金属壁接触。该半导体芯片被嵌入该密封剂内，该金属壁被嵌入于该绝缘基板内，并从该焊接端的第一方向垂直延伸及从绕线的第二方向垂直延伸，该孔洞延伸至该绝缘基板内，该焊接端延伸至绝缘基板内但不被该半导体芯片封装结构的其它材料覆盖于该焊接端的第二方向上，整体的焊接端延伸至该绝缘基板内是在该孔洞的表面区域内，并不被该金属壁覆盖于该焊接端的第一方向。该半导体芯片为单一芯片被嵌入于该密封剂内，或者为多芯片被嵌入于该密封剂内。该半导体芯片的第一平面面对第一方向及该半导体芯片的第二平面面对第二方向，或者为该半导体芯片的第一平面面对第二方向及该半导体芯片的第二平面面对第一方向。该半导体芯片从该绕线、金属壁、焊接端及绝缘基板往第一方向垂直延伸。该半导体芯片也从该导电迹线往第一方向垂直延伸。另外，任何半导体芯片被嵌入该密封剂内为从该导电迹线往第一方向垂直延伸。该绕线为从该金属壁及焊接端横向延伸，并面向该半导体芯片。该绕线为从该金属壁及焊接端往第一方向垂直延伸及从该半导体芯片往第二方向垂直延伸。该绕线向该半导体芯片边缘内外延伸，或被置于该半导体芯片边缘外。该绕线亦为平坦并与该半导体芯片的第二平面平行。该绕线与该金属壁接触，但不与该金属壁整合为一体，或者该绕线与该金属壁隔离。而且该绕线是在该金属壁与任何被嵌入于密封剂的半导体芯片间，及该焊接端与任何被嵌入于密封剂的半导体芯片间具有一具电力的导电路径。任何被嵌入于密封剂的半导体芯片与该金属壁及焊接端间通过包含绕线的具电力的导电路径而具有电连接。该金属壁被嵌入该绝缘基板内。该金属壁从该焊接端往第一方向垂直延伸，并能从该半导体芯片、绕线、连接部及密封剂往第二方向垂直延伸，且能被置于该半导体芯片边缘内或其边缘外。该金属壁为该半导体芯片封装结构中唯一的导电体并与该焊接端接触，且横向于延伸至该绝缘基板的整体焊接端外围旋转360度。该金属壁具有一碗形，在其垂直平面上具有一U字形并平行于第一方向及第二方向，其横向平面为一圆形、一矩形或一正方形并与第一方向及第二方向正交，且于该孔洞的开口处。该金属壁的厚度同时地比绕线的厚度薄，并为单一金属如镍，且包括一具连续单一表面用来定义该孔洞。该金属壁只与该绕线、焊接端及绝缘基板接触，或者只与一金属柱、该焊接端及绝缘基板接触。该孔洞延伸经过该金属壁大部分的高度与直径，并能被该金属壁覆盖于第一方向及横向方向上，且包括一面向第二方向的开口，该孔洞为一凹形。该焊接端于该孔洞内部及外部延伸，或者能被置于该孔洞内。该焊接端为从该半导体芯片、绕线、连接部及密封剂往第二方向垂直延伸，并被置于该半导体芯片边缘内或边缘外。例如该焊接端于该孔洞内部及外部延伸，并从该金属壁及绝缘基板往第二方向垂直延伸，且被金属壁覆盖于第二方向。该焊接端填满该孔洞。另外，该焊接端延伸至该绝缘基内的部分是在该孔洞内，并只与该金属壁接触，且被金属限制于第一方向及横向方向向内。而且介于该焊接端与金属壁间所有的接触是在该孔洞内。该连接部是在该绕线及导电接脚之间延伸并使该绕线及导电接脚之间具有电连接。该连接部为电镀金属、无电电镀金属、锡料、导电黏着剂或焊线。该密封剂覆盖该半导体芯片、绕线、金属壁、焊接端、连接部及绝缘基板于第一方向上，并能与该金属壁及焊接端隔离。该绝缘基板能从该金属壁及焊接端往第一方向垂直延伸，从该半导体芯片、绕线、连接部及密封剂往第二方向垂直延伸，并覆盖于该半导体芯片于第二方向上，且能与该焊接端隔离。该绝缘基板能横向于该金属壁外围旋转360度。而且该绝缘基板能与该金属壁横向排列于一朝向第二方向的平面，该焊接端被置于该孔洞内，并横向排列于该朝向第二方向的平面，或者该焊接端于孔洞内部及外部延伸，并从该朝向第二方向的平面往第二方向垂直延伸。该导电迹线包含一金属柱，该金属柱与该绕线及金属壁接触，并使该绕线与金属壁间具有电连接，但不与该绕线及金属壁整合为一体，且使该绕线与该金属壁隔离，并从该金属柱横向延伸。该金属柱为从金属壁及焊接端往第一方向垂直延伸，从该半导体芯片、绕线、连接部及密封剂往第二方向垂直延伸，并能被置于该半导体芯片的边缘内或边缘外。该金属柱被绕线覆盖于第一方向及被该金属壁及焊接端覆盖于第二方向。该金属柱的厚度同时地比绕线的厚度较厚，并为一单一金属如铜。该金属柱为一圆锥形，其直径大小为当该金属壁往第二方向延伸时同时持续缩减。而且该金属柱包含一朝向第一方向的第一平面及一朝向第二方向的第二平面，该金属壁的第二平面的表面积小于该金属壁的第一平面的表面积，该金属壁的第一平面的表面积至少比该金属壁的第二平面的表面积大20％。该半导体芯片封装结构包含与半导体芯片与密封剂接触的绝缘基板，该绝缘基板从该半导体芯片往第二方向垂直延伸。该半导体芯片封装结构包含于该导电接脚与焊接端间的具电力的导电路径，该导电路径需要绕线、金属壁及连接部。而且该绕线于该导电接脚与焊接端间提供水平绕线，但不提供垂直绕线，该金属壁是在该焊接端与其它导电体间不提供绕线。该半导体芯片封装结构为第一层次构装，为单芯片或多芯片构装。根据本发明其它方面来看，一种制造半导体芯片封装结构的方法包括(1)提供一金属基板、一绕线、一金属壁及一焊接层，其中该金属基板包含第一平面及相对的第二平面，该金属基板的第一平面朝向第一方向，该金属基板的第二平面朝向第二方向，该金属壁延伸至金属基板内，从该金属基板的第二平面朝该金属基板的第一平面延伸，并包括一孔洞，该孔洞从该金属基板的第二平面朝该金属基板的第一平面延伸至该金属基板内，并包括一朝向第二方向的开口，该焊接层与该孔洞内的金属壁接触，(2)机械地连接该半导体芯片至该绕线，其中该半导体芯片包括一导电接脚，(3)接着形成一使该绕线与导电接脚间具有电连接的连接部，(4)利用一种湿式化学蚀刻方式对该金属基板进行蚀刻，因此减少该金属基板与该绕线间及该金属基板与金属壁间的接触区域，以及(5)提供一焊接端，该焊接端在该孔洞内的金属壁接触并包含该焊接层。该方法包含形成绕线通过沉积该绕线于金属基板上而形成。例如该方法包括形成一电镀屏蔽于该金属基板上，该电镀屏蔽包含一开口使该金属基板有部分暴露，然后穿过该电镀屏蔽上的开口将该绕线电镀于该金属基板的暴露部分。该方法包含形成金属壁是通过沉积该金属壁于金属基板上而形成。例如该方法包括形成一电镀屏蔽于金属基板上，该电镀屏蔽具有一开口使该金属基板有部分暴露，然后穿过该电镀屏蔽上的开口将该金属壁电镀于该金属基板暴露的部分。该方法包含形成该金属壁是通过蚀刻该金属基板形成一导通孔，从该金属基板的第二平面朝该金属基板的第一平面延伸至该金属基板内，然后使该金属壁沉积并进入该导通孔。例如该导通孔为一穿孔，穿过该金属基板，并使该绕线暴露，该金属壁穿过该金属基板，与该绕线接触，并利用湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻，且能消除该金属基板与绕线间、该金属基板与绕线间及该金属基板与金属壁间。或者该导通孔具有一凹口，该凹口延伸至该金属基板内但不穿透，并与该金属基板的第一平面及绕线隔离，该金属壁延伸至该金属基板内但不穿透并与该金属基板的第一平面及绕线隔离，蚀刻该金属基板利用湿式化学蚀刻，并从该金属基板未蚀刻的部分形成一金属柱，该金属基板未蚀刻的部分由金属壁来定义，该金属柱与该绕线及金属壁接触。该方法包含形成焊接层是通过沉积该焊接层于该金属壁上而形成。同样地，形成该焊接层使该焊接层只与该金属壁接触。该形成焊接端的方法是通过形成该焊接层，或者形成该焊接层然后形成焊接端。例如形成该焊接端包括沉积锡膏于金属壁，然后使该锡膏回流形成该焊接层及焊接端，或者沉积该锡膏于金属壁，然后使该锡膏回流形成该焊接层，接着沉积一焊锡材料于焊接层上，而使该焊锡材料及该焊接层回流形成该焊接端。该方法包含形成金属壁及焊接层是通过蚀刻该金属基板形成该导通孔，然后沉积该金属壁于该金属基板上并于该导通孔内，接着沉积该焊接层于该金属壁上。例如按顺序地形成该金属壁及焊接层包括先蚀刻该金属基板形成该导通孔，将该金属壁镀于该金属基板的暴露部分并于该导通孔内，接着使锡膏沉积于该金属壁上，然后使该锡膏回流形成该焊接层。而且，按顺序地形成该导通孔及金属壁包含形成一具开口的屏蔽于该金属基板上，使该金属基板有部分暴露，接着穿过该屏蔽的开口蚀刻该金属基板形成该导通孔，然后穿过该屏蔽的开口将该金属壁镀于该金属基板暴露的部分并于该导通孔内，且移除该屏蔽，或者形成一具开口的蚀刻屏蔽于金属基板上，使该金属基板有部分暴露，并穿过该蚀刻屏蔽的开口蚀刻该金属基板形成该导通孔，接着移除该蚀刻屏蔽，然后形成一具开口的电镀屏蔽于该金属基板上，使该金属基板有部分暴露并使该导通孔暴露，接着穿过该电镀屏蔽的开口将该金属壁镀于该金属基板的暴露部分并与该导通孔内，且移除该电镀屏蔽。此外，按顺序地形成该焊接层包含穿过该具开口的屏蔽(对该导通孔提供一蚀刻屏蔽及对该金属壁提供一电镀屏蔽)使该锡膏沉积于该金属壁上，使该锡膏回流，然后移除该屏蔽；或者移除该屏蔽，使该锡膏沉积于该金属壁上，并使该锡膏回流。同样地，按顺序地形成该焊接层包括穿过该具开口的电镀屏蔽(是在金属壁上的电镀屏蔽及于该导通孔的蚀刻屏蔽被移除后)使该锡膏沉积该金属壁上，使该锡膏回流，并移除该电镀屏蔽；或者移除该电镀屏蔽，使该锡膏沉积于该金属柱上，并使该锡膏回流。该方法包含连接该半导体芯片至该绕线，将一绝缘黏着剂置于该半导体芯片与金属基板间，然后使该黏着剂硬化。该方法包含形成连接部，是通过将该连接部电镀于该绕线与导电接脚间。例如该连接部使用电镀或无电电镀等方式镀于该绕线与导电接脚之间。或者该形成连接部的方法使一非固态材料沉积无该绕线与导电接脚间，然后使该非固态材料硬化。例如该锡膏能被沉积于该绕线与导电接脚间，然后通过回流并硬化，或该导电黏着剂能被置于该绕线与导电接脚间，然后被硬化。该形成连接部的方法是通过打线接合形成。该方法包含蚀刻该金属基板是利用湿式化学蚀刻方式，因此使该绕线暴露，并移除于导电接脚及半导体芯片边缘内的金属基板。例如利用湿式化学蚀刻方式蚀刻该金属基板移除该金属基板与绕线间及该金属基板与该金属壁的接触区域，并能移除该金属基板，或者利用湿式化学蚀刻对该金属基板蚀刻，并从该金属基板未蚀刻的部分形成一金属柱，该金属基板未蚀刻的部分是通过该金属壁定义，该金属柱与该绕线及金属壁接触，并使该绕线及金属壁间具有电力的连接，且移除大部分的金属基板。而且利用湿式化学蚀刻对该金属基板蚀刻使该绕线与其它与金属基板接触的绕线具电力地隔离，并使该导电接脚与于半导体芯片的其它导电接脚具电力地隔离。例如形成连接部的方法是通过打线接合，然后利用湿式化学蚀刻方式对该金属基板蚀刻，因此使该绕线与其它绕线具电力地隔离，及使该导电接脚与其它导电接脚具电力地隔离。或者形成连接部的方法为电镀并利用该金属基板为一电镀总线，然后利用湿式化学蚀刻方式对该金属基板蚀刻，因此使该绕线与其它绕线具电力地隔离，及使该导电接脚与其它导电接脚具电力地隔离。或者蚀刻该金属基板的方法利用湿式化学蚀刻，因此使该绕线与其它绕线具电力地隔离，然后通过无电电镀形成该连接部，于此该导电接脚仍能与其它导电接脚具电力地隔离。该方法包含形成该金属壁前形成绕线，或者该绕线与金属壁同时地被形成，或者于该金属壁形成后形成该绕线。该方法包含于形成该焊接层前形成该金属壁。该方法包含于该半导体芯片与该金属基板及绕线连接前形成金属壁，或者于该半导体芯片与该金属基板及绕线连接后形成金属壁。该方法包含于该半导体芯片与该金属基板及绕线连接前形成焊接层，或者于该半导体芯片与该金属基板及绕线连接后形成焊接层。该方法包含于形成该焊接端前形成该焊接层，或者形成该焊接层为该焊接端。该方法是在利用湿式化学蚀刻对该金属基板蚀刻前形成该连接部，或者于利用湿式化学蚀刻方式蚀刻该金属基板后形成该连接部。该方法包含于连接该半导体芯片至该金属基板及绕线前形成该焊接端，或者连接该半导体芯片至该金属基板及绕线后形成该焊接端。该方法包含于形成该连接部前形成该焊接端，或者于形成该连接部后形成该焊接端。该方法包含于利用湿式化学蚀刻对该金属基板蚀刻前形成该焊接端，或者于利用湿式化学蚀刻对该金属基板蚀刻后形成该焊接端。该方法包含形成该金属壁，然后形成该焊接层，然后连接该半导体芯片至该金属基板、绕线、金属壁及焊接层，以及然后利用湿式化学蚀刻对该金属基板蚀刻。该方法包含形成该金属壁，然后连接该半导体芯片至该金属基板、绕线及金属壁，接着形成该焊接层，并利用湿式化学蚀刻对该金属基板蚀刻。该方法包含连接该半导体芯片至该金属基板及绕线，然后形成该金属壁，接着形成该焊接层，并利用湿式化学蚀刻对该金属基板蚀刻。该方法包含于连接该半导体芯片至该金属基板及绕线之后，形成密封剂，该密封剂与该半导体芯片接触，并覆盖该半导体芯片于第一方向上。该密封剂是通过转注成形法或被硬化形成。该方法包含于形成该密封剂之后，形成绝缘基板，该绝缘基板与该绕线、金属壁及焊接层接触，并覆盖该绕线、金属壁及焊接层于第二方向上，然后移除一部分的绝缘基板，以致该绝缘基板不再覆盖该焊接层于第二方向上。该方法包含(1)提供一具相对的第一平面及第二平面的金属基板，其中，该金属基板的第一平面朝向第一方向，该金属基板的第二平面朝向第二方向，(2)然后形成一绕线于该金属基板的第一平面上，其中该绕线与该金属基板的第一平面接触并与该金属基板的第二平面隔离，(3)接着利用第一湿式化学蚀刻对该金属基板蚀刻形成一导通孔于金属基板，该导通孔从该金属基板的第二平面往该金属基板的第一平面延伸至该金属基板内，(4)接着形成一金属壁于该金属基板上，其中该金属壁与该导通孔内的金属基板接触，并从该金属基板的第二平面往该金属基板的第一平面延伸至该金属基板内，且包括一孔洞，该孔洞从该金属基板的第二平面往该金属基板的第一平面延伸至该金属基板内，并被金属壁覆盖于第一方向上，且包括一朝向第二方向的开口，(5)形成一焊接层并与该孔洞内的金属壁接触，且与该绕线隔离，(6)机械地连接一半导体芯片至该金属基板及绕线，其中，该半导体芯片包括一导电接脚，(7)形成一连接部，并使该绕线及导电接脚间电连接，(8)接着利用第二湿式化学蚀刻对该金属基板蚀刻是在连接该半导体芯片至该金属壁及绕线及形成该金属壁及焊接层后，因此减少该金属基板与绕线间及该金属壁与金属基板间的接触区域，以及(9)提供一焊接端，该焊接端与该孔洞内的金属壁接触，并包括该焊接层。该方法包括(1)提供一金属基板，该金属基板包括相对的第一平面及第二平面，其中，该金属基板的第一平面朝向第一方向及该金属基板的第二平面朝向第二方向相对于第二方向，然后(2)形成一绕线于该金属基板的第一平面，其中该绕线与该金属基板的第一平面接触及与该金属基板的第二平面隔离，(3)利用第一湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻，因此于该金属基板内形成一导通孔，该导通孔从该金属基板的第二平面往该金属基板的第一平面延伸至该金属基板内，(4)形成一金属壁于该金属基板上，其中，该金属壁与该导通孔内的金属基板接触，并从该金属基板的第二平面往该金属基板的第一平面延伸至该金属基板内，且包含一孔洞，该孔洞从该金属基板的第二平面朝该金属基板的第一平面延伸至该金属基板内，并被该金属壁覆盖于第一方向上，且包括一朝向第二方向的开口，(5)形成一锡接层，该焊接层与该孔洞内的金属壁接触，与该绕线隔离，(6)连接该半导体芯片至该金属基板及绕线，其中该半导体芯片包括一导电接脚，(7)形成一连接部，该连接部使该绕线与该导电接脚间具有电连接，(8)形成一密封剂是在连接该半导体芯片至该金属基板及绕线之后，其中，该密封剂与该半导体芯片接触，并从该半导体芯片、金属基板及绕线往第一方向垂直延伸，该金属基板从该半导体芯片及绕线往第二方向垂直延伸，(9)利用第二湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻是在形成该金属壁、焊接层及密封剂之后，因此减少该金属基板与绕线间及该金属基板与金属壁间的接触区域，(10)形成一绝缘基板，该绝缘基板与该绕线、金属壁及焊接层接触，并覆盖该绕线、金属壁及焊接层于第二方向上，是在利用该第二湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻之后，(11)移除一部分的绝缘基板使该绝缘基板不再覆盖该焊接层于第二方向上，以及(12)提供一焊接端，该焊接端与于孔洞内的金属壁接触并包括该焊接层。该方法包括依序形成该金属壁及焊接层，是通过将该金属壁电镀于该金属基板并穿过一电镀屏蔽的开口使该金属壁可镀于该导通孔内，且使该锡膏沉积于该金属壁，接着使该锡膏回流形成该焊接层。该方法包括通过形成该焊接层而形成该焊接端，或者通过使一焊锡材料沉积于该焊接层上是在利用第二湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻后，然后使该焊锡材料及该焊接层一起回流而形成该焊接端。该方法包括连接该半导体芯片至该金属壁及绕线(如果该金属壁及焊接层已被形成)是通过将该绝缘黏着剂置于该半导体芯片与金属基板间，然后使该黏着剂硬化。该方法包括利用第一湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻形成该导通孔，该导通孔为一穿孔，延伸穿过该金属基板，并使该绕线暴露，接着利用第二湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻，去除该金属基板与绕线间及该金属基板与金属壁间的接触区域，并移除该金属基板，或者利用第一湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻形成该导通孔，该导通孔为一凹口，并延伸至该金属基板内，并不穿过该金属基板，接着利用第二湿式化学蚀刻对该金属基板蚀刻，并从该金属基板未蚀刻的部分形成一金属柱，该金属柱使该绕线与金属壁间具电力的连接，并移除大部分的金属基板。该方法包括移除该部分的绝缘基板是通过研磨、激光消熔、等离子蚀刻或光蚀刻等方式。另外该方法包括从全部的绝缘基板移除该部分的绝缘基板，该部分的绝缘基板是指覆盖该金属壁及焊接层于第二方向上的绝缘基板，并使该金属壁及焊接层暴露于第二方向，但不使该绕线暴露。例如该方法包括利用研磨方式研磨该绝缘基板，但不研磨该金属壁及焊接层，然后研磨该绝缘基板、金属壁及焊接层，直到该绝缘基板与该金属壁及焊接层横向地排列于一朝向第二方向的平面上即停止研磨，并使该金属壁及焊接层暴露。而且于停止研磨后，该焊接端由该焊接层构成，并能被横向排列于该平面上，或者该方法包括一焊锡材料沉积于该焊接层，然后使该焊锡材料及焊接层一起回流而形成该焊接端，该焊接端从该金属壁及绝缘基板往第二方向垂直延伸。该方法包括利用第一湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻形成该导通孔，然后形成该金属壁，接着形成该焊接层，后来连接该半导体芯片至该金属基板、绕线、金属壁及焊接层，接着形成该密封剂，然后利用第二湿式化学蚀刻对金属基板进行蚀刻，接着形成绝缘基板，以及最后移除部分的绝缘基板。该方法包括利用第一湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻形成该导通孔，然后形成该金属壁，接着连接该半导体芯片至该金属基板、绕线及金属壁，然后形成该密封剂，接着形成该焊接层，然后利用第二湿式化学蚀刻对金属基板进行蚀刻，接着形成绝缘基板，最后移除部分的绝缘基板。该方法包括连接该半导体芯片至该金属基板及绕线金属壁，然后形成该密封剂，接着利用第一湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻形成该导通孔，然后形成该金属壁，接着形成该焊接层，然后利用第二湿式化学蚀刻对金属基板进行蚀刻，接着形成绝缘基板，最后移除部分的绝缘基板。本发明的好处在于该半导体芯片封装结构方便地被制造及具经济性。本发明另一好处于该金属基板被蚀刻前缩减该金属基板与金属壁的接触区域，因此加强机械支撑及保护该绕线。另一好处在于该金属柱通过蚀刻形成比由电镀或无电电镀形成更能提高一致性及降低制造时间及成本。另一好处在于该焊接端能延伸至该金属壁于该绝缘基板内更胜过于与该半导体芯片封装结构于一横向平面的高压边界接触，因该横向平面的高压边界为一朝向第二方向的暴露主要平面，因此可降低锡料分离及提高可靠度。另一好处在于该连接部由各种不同的材料与处理制造形成，因此可利用成熟的连接技术有益于制造及改善制造方法。另一好处在于该半导体芯片封装结构不包括打线接合或卷带自动接合导线，虽然该处理是具弹性的可与其它技术兼容。另一好处在于该半导体芯片封装结构利用低温处理被制造，可降低压力及提升可靠度。除上述之外本发明具有更多好处，如该半导体芯片封装结构利用良好控制的处理过程被制造，容易地被建置于电路板、导线架及卷带制造。仍有其它好处为该半导体芯片封装结构合，利用兼容的材料制造如铜的半导体芯片及无导线环境的必要品。本发明的特征及优点将进一步于实施方式中举较佳实施例来描述，可更具体地了解本发明。图1a为本发明半导体芯片结构的剖面示意图。图1b为本发明半导体芯片结构的俯视示意图。图1c为本发明半导体芯片结构的仰视示意图。图2a为本发明金属基板结构的剖面示意图。图2b为本发明金属基板结构的俯视示意图。图2c为本发明金属基板结构的仰视示意图。图3a为本发明光阻层与金属基板结构的剖面示意图。图3b为本发明光阻层与金属基板结构的俯视示意图。图3c为本发明光阻层与金属基板结构的仰视示意图。图4a为本发明具凹口的金属基板结构的剖面示意图。图4b为本发明具凹口的金属基板结构的俯视示意图。图4c为本发明具凹口的金属基板结构的仰视示意图。图5a为本发明金属壁形成于金属基板结构的剖面示意图。图5b为本发明金属壁形成于金属基板结构的俯视示意图。图5c为本发明金属壁形成于金属基板结构的仰视示意图。图6a为本发明模板覆盖于第二光阻层结构的剖面示意图。图6b为本发明模板覆盖于第二光阻层结构的俯视示意图。图6c为本发明模板覆盖于第二光阻层结构的仰视示意图。图7a为本发明锡膏沉积于金属壁结构的剖面示意图。图7b为本发明锡膏沉积于金属壁结构的俯视示意图。图7c为本发明锡膏沉积于金属壁结构的仰视示意图。图8a为本发明移去模板后结构的剖面示意图。图8b为本发明移去模板后结构的俯视示意图。图8c为本发明移去模板后结构的仰视示意图。图9a为本发明锡膏形成焊接层后结构的剖面示意图。图9b为本发明锡膏形成焊接层后结构的俯视示意图。图9c为本发明锡膏形成焊接层后结构的仰视示意图。图10a为本发明第一光阻层及第二光阻层剥落后结构的剖面示意图。图10b为本发明第一光阻层及第二光阻层剥落后结构的俯视示意图。图10c为本发明第一光阻层及第二光阻层剥落后结构的仰视示意图。图11a为本发明第三光阻层及第四光阻层形成于金属基板后结构的剖面示意图。图11b为本发明第三光阻层及第四光阻层形成于金属基板后结构的俯视示意图。图11c为本发明第三光阻层及第四光阻层形成于金属基板后结构的仰视示意图。图12a为本发明绕线附于金属基板时结构的剖面示意图。图12b为本发明绕线附于金属基板时结构的俯视示意图。图12c为本发明绕线附于金属基板时结构的仰视示意图。图13a为本发明第三光阻层及第四光阻层剥落后结构的剖面示意图。图13b为本发明第三光阻层及第四光阻层剥落后结构的俯视示意图。图13c为本发明第三光阻层及第四光阻层剥落后结构的仰视示意图。图14a为本发明焊接屏蔽于金属基板及绕线时结构的剖面示意图。图14b为本发明焊接屏蔽于金属基板及绕线时结构的俯视示意图。图14c为本发明焊接屏蔽于金属基板及绕线时结构的仰视示意图。图15a为本发明第五光阻层及第六光阻层形成后结构的剖面示意图。图15b为本发明第五光阻层及第六光阻层形成后结构的俯视示意图。图15c为本发明第五光阻层及第六光阻层形成后结构的仰视示意图。图16a为本发明电镀接点形成于绕线后结构的剖面示意图。图16b为本发明电镀接点形成于绕线后结构的俯视示意图。图16c为本发明电镀接点形成于绕线后结构的仰视示意图。图17a为本发明第五光阻层及第六光阻层剥落后结构的剖面示意图。图17b为本发明第五光阻层及第六光阻层剥落后结构的俯视示意图。图17c为本发明第五光阻层及第六光阻层剥落后结构的仰视示意图。图18a为本发明黏着剂形成于焊接屏蔽后结构的剖面示意图。图18b为本发明黏着剂形成于焊接屏蔽后结构的俯视示意图。图18c为本发明黏着剂形成于焊接屏蔽后结构的仰视示意图。图19a为本发明具半导体芯片结构的剖面示意图。图19b为本发明具半导体芯片结构的俯视示意图。图19c为本发明具半导体芯片结构的仰视示意图。图20a为本发明连接部附于导电接脚及电镀接点时结构的剖面示意图。图20b为本发明连接部附于导电接脚及电镀接点时结构的俯视示意图。图20c为本发明连接部附于导电接脚及电镀接点时结构的仰视示意图。图21a为本发明具密封剂结构的剖面示意图。图21b为本发明具密封剂结构的俯视示意图。图21c为本发明具密封剂结构的仰视示意图。图22a为本发明金属柱于金属基板上形成后结构的剖面示意图。图22b为本发明金属柱于金属基板上形成后结构的俯视示意图。图22c为本发明金属柱于金属基板上形成后结构的仰视示意图。图23a为本发明绝缘基板形成后结构的剖面示意图。图23b为本发明绝缘基板形成后结构的俯视示意图。图23c为本发明绝缘基板形成后结构的仰视示意图。图24a为本发明绝缘基板移除后结构的剖面示意图。图24b为本发明绝缘基板移除后结构的俯视示意图。图24c为本发明绝缘基板移除后结构的仰视示意图。图25a为本发明锡球形成后结构的剖面示意图。图25b为本发明锡球形成后结构的俯视示意图。图25c为本发明锡球形成后结构的仰视示意图。图26a为本发明焊接端形成后结构的剖面示意图。图26b为本发明焊接端形成后结构的俯视示意图。图26c为本发明焊接端形成后结构的仰视示意图。图27a为本发明半导体芯片封装结构结构的剖面示意图。图27b为本发明半导体芯片封装结构结构的俯视示意图。图27c为本发明半导体芯片封装结构结构的仰视示意图。图28a为本发明半导体芯片结构的剖面示意图。图28b为本发明半导体芯片结构的俯视示意图。图28c为本发明半导体芯片结构的仰视示意图。图29a为本发明金属基板结构的剖面示意图。图29b为本发明金属基板结构的俯视示意图。图29c为本发明金属基板结构的仰视示意图。图30a为本发明光阻层与金属基板结构的剖面示意图。图30b为本发明光阻层与金属基板结构的俯视示意图。图30c为本发明光阻层与金属基板结构的仰视示意图。图31a为本发明具凹口的金属基板结构的剖面示意图。图31b为本发明具凹口的金属基板结构的俯视示意图。图31c为本发明具凹口的金属基板结构的仰视示意图。图32a为本发明具金属壁的金属基板结构的剖面示意图。图32b为本发明具金属壁的金属基板结构的俯视示意图。图32c为本发明具金属壁的金属基板结构的仰视示意图。图33a为本发明第一光阻层及第二光阻层剥落后结构的剖面示意图。图33b为本发明第一光阻层及第二光阻层剥落后结构的俯视示意图。图33c为本发明第一光阻层及第二光阻层剥落后结构的仰视示意图。图34a为本发明第三光阻层及第四光阻层形成于金属基板后结构的剖面示意图。图34b为本发明第三光阻层及第四光阻层形成于金属基板后结构的俯视示意图。图34c为本发明第三光阻层及第四光阻层形成于金属基板后结构的仰视示意图。图35a为本发明绕线附于金属基板时结构的剖面示意图。图35b为本发明绕线附于金属基板时结构的俯视示意图。图35c为本发明绕线附于金属基板时结构的仰视示意图。图36a为本发明第三光阻层及第四光阻层剥落后结构的剖面示意图。图36b为本发明第三光阻层及第四光阻层剥落后结构的俯视示意图。图36c为本发明第三光阻层及第四光阻层剥落后结构的仰视示意图。图37a为本发明焊接屏蔽于金属基板及绕线时结构的剖面示意图。图37b为本发明焊接屏蔽于金属基板及绕线时结构的俯视示意图。图37c为本发明焊接屏蔽于金属基板及绕线时结构的仰视示意图。图38a为本发明第五光阻层及第六光阻层形成后结构的剖面示意图。图38b为本发明第五光阻层及第六光阻层形成后结构的俯视示意图。图38c为本发明第五光阻层及第六光阻层形成后结构的仰视示意图。图39a为本发明电镀接点形成于绕线后结构的剖面示意图。图39b为本发明电镀接点形成于绕线后结构的俯视示意图。图39c为本发明电镀接点形成于绕线后结构的仰视示意图。图40a为本发明第五光阻层及第六光阻层剥落后结构的剖面示意图。图40b为本发明第五光阻层及第六光阻层剥落后结构的俯视示意图。图40c为本发明第五光阻层及第六光阻层剥落后结构的仰视示意图。图41a为本发明黏着剂形成于焊接屏蔽后结构的剖面示意图。图41b为本发明黏着剂形成于焊接屏蔽后结构的俯视示意图。图41c为本发明黏着剂形成于焊接屏蔽后结构的仰视示意图。图42a为本发明具半导体芯片结构的剖面示意图。图42b为本发明具半导体芯片结构的俯视示意图。图42c为本发明具半导体芯片结构的仰视示意图。图43a为本发明连接部附于导电接脚及电镀接点时结构的剖面示意图。图43b为本发明连接部附于导电接脚及电镀接点时结构的俯视示意图。图43c为本发明连接部附于导电接脚及电镀接点时结构的仰视示意图。图44a为本发明具密封剂结构的剖面示意图。图44b为本发明具密封剂结构的俯视示意图。图44c为本发明具密封剂结构的仰视示意图。图45a为本发明模板覆盖于金属基板结构的剖面示意图。图45b为本发明模板覆盖于金属基板结构的俯视示意图。图45c为本发明模板覆盖于金属基板结构的仰视示意图。图46a为本发明锡膏沉积于金属壁结构的剖面示意图。图46b为本发明锡膏沉积于金属壁结构的俯视示意图。图46c为本发明锡膏沉积于金属壁结构的仰视示意图。图47a为本发明移去模板后结构的剖面示意图。图47b为本发明移去模板后结构的俯视示意图。图47c为本发明移去模板后结构的仰视示意图。图48a为本发明锡膏形成焊接层后结构的剖面示意图。图48b为本发明锡膏形成焊接层后结构的俯视示意图。图48c为本发明锡膏形成焊接层后结构的仰视示意图。图49a为本发明金属柱于金属基板上形成后结构的剖面示意图。图49b为本发明金属柱于金属基板上形成后结构的俯视示意图。图49c为本发明金属柱于金属基板上形成后结构的仰视示意图。图50a为本发明绝缘基板形成后结构的剖面示意图。图50b为本发明绝缘基板形成后结构的俯视示意图。图50c为本发明绝缘基板形成后结构的仰视示意图。图51a为本发明部分绝缘基板移除后结构的剖面示意图。图51b为本发明部分绝缘基板移除后结构的俯视示意图。图51c为本发明部分绝缘基板移除后结构的仰视示意图。图52a为本发明锡球形成后结构的剖面示意图。图52b为本发明锡球形成后结构的俯视示意图。图52c为本发明锡球形成后结构的仰视示意图。图53a为本发明焊接端形成后结构的剖面示意图。图53b为本发明焊接端形成后结构的俯视示意图。图53c为本发明焊接端形成后结构的仰视示意图。图54a为本发明半导体芯片封装结构结构的剖面示意图。图54b为本发明半导体芯片封装结构结构的俯视示意图。图54c为本发明半导体芯片封装结构结构的仰视示意图。图55a为本发明半导体芯片结构的剖面示意图。图55b为本发明半导体芯片结构的俯视示意图。图55c为本发明半导体芯片结构的仰视示意图。图56a为本发明金属基板结构的剖面示意图。图56b为本发明金属基板结构的俯视示意图。图56c为本发明金属基板结构的仰视示意图。图57a为本发明光阻层与金属基板结构的剖面示意图。图57b为本发明光阻层与金属基板结构的俯视示意图。图57c为本发明光阻层与金属基板结构的仰视示意图。图58a为本发明绕线附于金属基板时结构的剖面示意图。图58b为本发明绕线附于金属基板时结构的俯视示意图。图58c为本发明绕线附于金属基板时结构的仰视示意图。图59a为本发明第三光阻层及第四光阻层剥落后结构的剖面示意图。图59b为本发明第三光阻层及第四光阻层剥落后结构的俯视示意图。图59c为本发明第三光阻层及第四光阻层剥落后结构的仰视示意图。图60a为本发明焊接屏蔽于金属基板及绕线时结构的剖面示意图。图60b为本发明焊接屏蔽于金属基板及绕线时结构的俯视示意图。图60c为本发明焊接屏蔽于金属基板及绕线时结构的仰视示意图。图61a为本发明第五光阻层及第六光阻层形成后结构的剖面示意图。图61b为本发明第五光阻层及第六光阻层形成后结构的俯视示意图。图61c为本发明第五光阻层及第六光阻层形成后结构的仰视示意图。图62a为本发明电镀接点形成于绕线后结构的剖面示意图。图62b为本发明电镀接点形成于绕线后结构的俯视示意图。图62c为本发明电镀接点形成于绕线后结构的仰视示意图。图63a为本发明第五光阻层及第六光阻层剥落后结构的剖面示意图。图63b为本发明第五光阻层及第六光阻层剥落后结构的俯视示意图。图63c为本发明第五光阻层及第六光阻层剥落后结构的仰视示意图。图64a为本发明黏着剂形成于焊接屏蔽后结构的剖面示意图。图64b为本发明黏着剂形成于焊接屏蔽后结构的俯视示意图。图64c为本发明黏着剂形成于焊接屏蔽后结构的仰视示意图。图65a为本发明具半导体芯片结构的剖面示意图。图65b为本发明具半导体芯片结构的俯视示意图。图65c为本发明具半导体芯片结构的仰视示意图。图66a为本发明连接部附于导电接脚及电镀接点时结构的剖面示意图。图66b为本发明连接部附于导电接脚及电镀接点时结构的俯视示意图。图66c为本发明连接部附于导电接脚及电镀接点时结构的仰视示意图。图67a为本发明具密封剂结构的剖面示意图。图67b为本发明具密封剂结构的俯视示意图。图67c为本发明具密封剂结构的仰视示意图。图68a为本发明第二光阻层形成于金属基板结构的剖面示意图。图68b为本发明第二光阻层形成于金属基板结构的俯视示意图。图68c为本发明第二光阻层形成于金属基板结构的仰视示意图。图69a为本发明具凹口结构的剖面示意图。图69b为本发明具凹口结构的俯视示意图。图69c为本发明具凹口结构的仰视示意图。图70a为本发明具金属壁结构的剖面示意图。图70b为本发明具金属壁结构的俯视示意图。图70c为本发明具金属壁结构的仰视示意图。图71a为本发明模板覆盖于第二光阻层结构的剖面示意图。图71b为本发明模板覆盖于第二光阻层结构的俯视示意图。图71c为本发明模板覆盖于第二光阻层结构的仰视示意图。图72a为本发明锡膏沉积于金属壁结构的剖面示意图。图72b为本发明锡膏沉积于金属壁结构的俯视示意图。图72c为本发明锡膏沉积于金属壁结构的仰视示意图。图73a为本发明移去模板后结构的剖面示意图。图73b为本发明移去模板后结构的俯视示意图。图73c为本发明移去模板后结构的仰视示意图。图74a为本发明锡膏形成焊接层后结构的剖面示意图。图74b为本发明锡膏形成焊接层后结构的俯视示意图。图74c为本发明锡膏形成焊接层后结构的仰视示意图。图75a为本发明第二光阻层剥落后结构的剖面示意图。图75b为本发明第二光阻层剥落后结构的俯视示意图。图75c为本发明第二光阻层剥落后结构的仰视示意图。图76a为本发明金属基板移除后结构的剖面示意图。图76b为本发明金属基板移除后结构的俯视示意图。图76c为本发明金属基板移除后结构的仰视示意图。图77a为本发明绝缘基板形成后结构的剖面示意图。图77b为本发明绝缘基板形成后结构的俯视示意图。图77c为本发明绝缘基板形成后结构的仰视示意图。图78a为本发明部分绝缘基板移除后结构的剖面示意图。图78b为本发明部分绝缘基板移除后结构的俯视示意图。图78c为本发明部分绝缘基板移除后结构的仰视示意图。图79a为本发明锡球形成后结构的剖面示意图。图79b为本发明锡球形成后结构的俯视示意图。图79c为本发明锡球形成后结构的仰视示意图。图80a为本发明焊接端形成后结构的剖面示意图。图80b为本发明焊接端形成后结构的俯视示意图。图80c为本发明焊接端形成后结构的仰视示意图。图81a为本发明半导体芯片封装结构结构的剖面示意图。图81b为本发明半导体芯片封装结构结构的俯视示意图。图81c为本发明半导体芯片封装结构结构的仰视示意图。图82a为本发明第四实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图。图82b为本发明第四实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图。图82c为本发明第四实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。图83a为本发明第五实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图。图83b为本发明第五实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图。图83c为本发明第五实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。图84a为本发明第六实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图。图84b为本发明第六实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图。图84c为本发明第六实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。图85a为本发明第七实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图。图85b为本发明第七实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图。图85c为本发明第七实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。图86a为本发明第八实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图。图86b为本发明第八实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图。图86c为本发明第八实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。图87a为本发明第九实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图。图87b为本发明第九实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图。图87c为本发明第九实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。图88a为本发明第十实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图。图88b为本发明第十实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图。图88c为本发明第十实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。图89a为本发明第十一实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图。图89b为本发明第十一实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图。图89c为本发明第十一实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。图90a为本发明第十二实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图。图90b为本发明第十二实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图。图90c为本发明第十二实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。图91a为本发明第十三实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图。图91b为本发明第十三实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图。图91c为本发明第十三实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。图92a为本发明第十四实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图。图92b为本发明第十四实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图。图92c为本发明第十四实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。图93a为本发明第十五实施例的半导体芯片封装结构的剖面示意图。图93b为本发明第十五实施例的半导体芯片封装结构的俯视示意图。图93c为本发明第十五实施例的半导体芯片封装结构的仰视示意图。图94为本发明第十六实施例的金属柱的结构示意图。图95为本发明第十七实施例的金属柱的结构示意图。图96为本发明第十八实施例的金属柱的结构示意图。图97为本发明第十九实施例的金属柱的结构示意图。图98为本发明第二十实施例的金属柱的结构示意图。具体实施例方式图1a至图27c为制作半导体芯片封装结构方法的第一实施例，其中图1a至图27a为剖面示意图、图1b至图27b为俯视示意图、图1c至图27c为仰视示意图。请参阅图1a、图1b及图1c所示，为本发明的半导体芯片结构剖面示意图、本发明的半导体芯片结构俯视示意图及本发明的半导体芯片结构仰视示意图。如图所示本发明为一种焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构，其中该半导体芯片110为一集成电路，并由多个晶体管、电路、连接部及与其它连接所组成(图中未示)。该半导体芯片110包含相对应的第一平面112及第二平面114，该第一平面112与第二平面114间的厚度为150微米，该第一平面112为主动面(activesurface)并包含一导电接脚116及一钝化层118(passivationlayer)。实质上，该导电接脚116与该钝化层118成直线排列，使该第一平面112的表面为平坦。该导电接脚116延伸于钝化层118上，或者被嵌入于该钝化层118内，该导电接脚116提供一接合点与该半导体芯片110外部的电路连接。因此，该导电接脚116为一输入/输出接脚或一电源/接地接脚。该导电接脚116的长度及宽度各为100微米。该导电接脚116具有一铝基板，该导电接脚116被清洗是通过浸泡该半导体芯片110于室温下0.05M磷酸中1分钟，然后利用蒸馏水清洗。该导电接脚116将铝基板视为一表面层，或者该导电接脚116包含一表面层，该表面层覆盖该铝基板，并依该连接部的性质与该表面层接触。在第一实施例中，该连接部为一金属金打线(agoldwirebond)。因此该导电接脚116不能被视为容纳该连接部，或者该导电接脚116由至少一以上的金属层堆栈于该铝基板上，该导电接脚116可为铬层/铜层/金层，或为钛层/镍层/金层于该铝基板上。其中，该铬层或钛层提供该铝基板一屏障(abarrier)及于上层金属层与该铝基板间布置有一黏着剂。然而该金属层堆栈具选择性地被沉积是通过利用一屏蔽进行蒸镀(evaporation)、电镀(electroplating)或喷镀(sputtering)等相关地复杂的处理。或者，该导电接脚116亦可通过形成一镍表面层于该铝基板上，如可将该半导体芯片110浸泡于一锌溶液，沉积一锌层于该铝基板上，其方法为锌化(zincation)。更进一步，上述该锌溶液包含150克/公升的氢氧化钠(NaOH)、25克/公升的氧化锌(ZnO)及1克/公升的亚硝酸钠(NaNO3)，就像酒石酸可减少该铝基板的分解率。之后，该镍表面层为无电沉积于该经锌化的铝基板，一种合适的无电镍电镀溶液为于摄氏85度下的EnthoneEnplateNI-424。该半导体芯片110包含至少一以上的导电接脚于第一平面112上，但图中只标示单一个导电接脚116，为了图示及说明方便。另外，该半导体芯片110已跟其它半导体芯片被独立出来，而该半导体芯片原本皆附于一晶圆上。请参阅图2a、图2b及图2c所示，为本发明的金属基板结构剖面示意图、本发明的金属基板结构俯视示意图及本发明的金属基板仰视示意图。如图所示该金属基板120包含相对应的第一主要平面122及第二主要平面124。该金属基板120(Metalbase)为一金属铜板，其厚度为150微米。请参阅图3a、图3b及图3c所示，为本发明的光阻层与金属基板结构剖面示意图、本发明的光阻层与金属基板结构俯视示意图及本发明的光阻层与金属基板结构仰视示意图。如图所示该第一光阻层126(photoresistlayer)及第二光阻层128被形成于该金属基板120上。该第一光阻层126及第二光阻层128是通过一种干式薄膜层压处理(adryfilmlamination)被沉积，并同时将该第一光阻层126及第二光阻层128分别地热滚压印于该第一主要平面122及第二主要平面124。一光罩(Areticle)(图中未示)放置于该第二光阻层128附近。之后，该第二光阻层128被印有图案是通过选择性地使光透过该光罩，并使用一显影溶剂(adeveloper)将光阻部分移除，并通过光使该光阻部分为可溶解的，然后烤干(hardbaking)。该第二光阻层128包含一开口，该开口的直径为250微米，并选择性地使该第二主要平面124暴露，而该第一光阻层126未印有图案。该第一光阻层126及第二光阻层128的厚度为25微米，是指分别从该第一主要平面122及第二主要平面124开始算起。请参阅图4a、图4b及图4c所示，为本发明具凹口的金属基板结构的剖面示意图、本发明具凹口的金属基板结构的俯视示意图及本发明具凹口的金属基板结构的仰视示意图。如图所示该凹口130被形成于该金属基板120上。该凹口130的形成是通过一种背边式湿式化学蚀刻(aback-sidewetchemicaletch)，使该第二主要平面124的暴露部分进行蚀刻，并利用该第二光阻层128为其蚀刻屏蔽。由于该第一光阻层126可保护该金属基板120的一面，例如一底部喷嘴(图中未示)能喷射该湿式化学蚀刻溶液于该金属基板120上，当一顶部喷嘴(图中未示)不被使用时，或整体结构浸于湿式化学蚀刻溶液里时及该第二光阻层提供前端保护。该湿式化学蚀刻溶液具有高选择性的铜，并对该金属基板120蚀刻80微米深。该凹口130为一盲孔(ablindvia)，并从该第二主要平面第二主要平面124延伸至该金属基板120内，但未穿透该金属基板120。该凹口130于该第二平面第二主要平面124之上的直径为300微米，该凹口130相对于该第二平面第二主要平面124的深度为80微米，与第一平面第一主要平面122的间距为70微米。其中，一种合适的湿式化学蚀刻溶液为碱性的氨水。为了使该凹口130具有适当的直径，而将该金属基板120暴露于该化学蚀刻溶液的理想的蚀刻时间必须经过反复试验来建立。请参阅图5a、图5b及图5c所示，为本发明的金属壁形成于金属基板结构剖面示意图、本发明的金属壁形成于金属基板结构俯视示意图及本发明的金属壁形成于金属基板结构仰视示意图。如图所示该金属壁132被形成于该金属基板120的凹口130内，并与该凹口130的轮廓相应。该金属壁132覆盖该凹口130于向下方向，并被沉积于该凹口130内但非填满该凹口130。而该金属壁132与该金属基板120电连接，但非与该金属基板120整合为一体。该金属壁132由一镀于该金属基板120的镍层及一镀于该镍层的金层所组成(图中未示)。该镍层被夹于该金属基板120与金层间并与该金属基板120及金层接触，而该金层与该镍层接触，并与该金属基板120隔离。因此该镍层被该金层覆盖，而该金层被暴露。该金属壁132的厚度为10.1微米。特别地，该镍层的厚度为10微米，该金层的厚度为0.1微米。为了图示方便，该镍层及金层于图中只绘出单一层。该金属壁132的形成利用该第一光阻层126及第二光阻层128为电镀屏蔽，并进行电镀处理。因此，该金属壁132被形成。一开始，一电镀总线(aplatingbus)(图中未示)连接至该金属基板120，从外部电源所产生的电流用于该电镀总线，并将该金属基板120浸于一电解镍电镀溶液(anelectrolyticnickelplatingsolution)，该溶液如于室温下的TechnicTechniNickel“S”。最后，该镍层镀于该金属基板120的凹口130暴露部分。然而持续进行镍电镀处理直到该镍层到达所需要的厚度。之后将整体结构从该电解镍电镀溶液中移出，再浸于电解金电镀溶液，该溶液如于室温下的TechnicOrotemp，同时由外部电源所得的电流用于该电镀总线，使该金层镀于镍层上，而持续进行金电镀直到该金层到达所需要的厚度，然而将整体结构从电解金电镀溶液移出并利用蒸馏水冲洗，除去污染物。该金属壁132的形状呈碗状，其垂直平面为一U字形，并与向上方向与向下方向平行，且其于第二主要平面第二主要平面124的横向平面的形状为圆形，而与向上方向及向下方向正交。该金属壁132的高度为80微米，与该第二主要平面124的直径为300微米，该金属壁132的厚度为10.1微米。但该金属壁132具有微小的厚度变化。比如该金属壁132能比于该第二主要平面124附近的厚度较厚，因为该第二主要平面124附近的电解溶液的流动率较高。该金属壁132由连续的单一镍层及连续的单一金层所组成。该金属壁132具有一孔洞134，该孔洞134与该金属基板120隔离，并延伸至该凹口130内。该孔洞134向该金属壁132延伸，并经过该金属壁132大部分的高度及直径，该孔洞134被该金属壁132覆盖于向上方向及横向方向，并包含一开口136，该开口朝向下方向，并形成一凹面，坑洞的形状。请参阅图6a、图6b及图6c所示，为本发明的模板覆盖于第二光阻层的结构剖面示意图、本发明的模板覆盖于第二光阻层的结构俯视示意图及本发明的模板覆盖于第二光阻层的结构仰视示意图。如图所示该模板138的厚度为80微米，并包含一开口(anopening)，其开口的直径为200微米，该模板138与于该第二光阻层128的开口、金属壁132及孔洞134被垂直排列。为了图示及说明方便，该金属基板120绘于该模板138之上，并保持固定方向方便与前图比较，虽然整体架构方向巅倒，而该重力将帮助该模板138覆盖于该第二光阻层128上。请参阅图7a、图7b及图7c所示，为本发明的锡膏沉积于金属壁的结构剖面示意图、本发明的锡膏沉积于金属壁的结构俯视示意图及本发明的锡膏沉积于金属壁的结构仰视示意图。如图所示该锡膏140包含粉末状钛-银-铜的锡料颗粒混合于一黏的有机树脂溶剂中，其包含一助熔剂。该锡膏140利用模板印刷使其被沉积于该金属壁132上。于模板印刷处理中，一挤压器(squeegee)(图中未示)挤压该锡膏140沿着该模板138相对于该金属基板120的表面，通过该第二光阻层128的开口与模板138的开口挤入于该金属壁132上及该孔洞134内。该锡膏140于室温下可形成任何形状，所以该锡膏140填满该孔洞134，于该第二光阻层128的开口及于该模板1388的开口。然而该锡膏140与该金属基板120分离。然而，该锡膏140与该金属基板120隔离。为了图示说明方便，该金属基板120绘制于该锡膏140的上方，并保持固定方向为了能与前图比对，虽然整体结构被颠倒但重力可帮助该锡膏140的沉积。请参阅图8a、图8b及图8c所示，为本发明移去模板后的结构剖面示意图、本发明移去模板后的结构俯视示意图及本发明移去模板后的结构仰视示意图。如图所示为将该模板138从该第二光阻层128移去后的示意图。为了图示说明方便，该金属基板120绘制于该锡膏140的上方，并保持固定方向为了能与前图比对，虽然整体结构被颠倒，当该模板138被移除时，该锡膏140通过重力帮助覆盖于该结构上。请参阅图9a、图9b及图9c所示，为本发明的锡膏形成焊接层后的结构剖面示意图、本发明的锡膏形成焊接层后的结构俯视示意图及本发明的锡膏形成焊接层后的结构仰视示意图。如图所示该焊接层142(solderlayer)与该金属壁132接触并电连接，但非与该金属壁132整合为一体，且与该金属基板120隔离。而且，该焊接层142填满该孔洞134，其厚度为30微米，相对于该金属基板120、金属壁132及孔洞134的向下方向。该焊接层142由该锡膏140回流所形成。一开始，整体结构被加热至约260度，加热造成于锡膏140内的助溶剂与该金属壁132及该锡膏140内的锡料颗粒产生反应，并从该金属壁132及该锡膏140内的锡料颗粒移除氧化物，使该锡料颗粒被融化，并使该锡料颗粒结合，并将于该锡膏140内的有机树脂蒸发，因此该锡膏140比它原有的尺寸更小并产生锡料回流。另外该金属壁132的金层提供一湿润表面(awettablesurface)为了使锡料回流并分解已被融化的锡料，所以该金属壁132本为双片金属层由镍层及金层所构成，被改变由单片金属的镍层所构成。而且，该第二光阻层128限制该锡料回流至该金属壁132，并防止该锡料接触到该金属基板120。之后，停止加热并将被融化的锡料颗粒冷却凝固，当变硬时即成焊接层142。该焊接层142的直径为280微米，并与于该第二光阻层128的开口、金属壁132及孔洞134垂直地排列。为了图示说明方便，该金属基板120绘制于该焊接层142的上方，并保持固定方向为了能与前图比对，虽然整体结构被颠倒，当该焊接层142形成时，该锡料通过重力回流。请参阅图10a、图10b及图10c所示，为本发明的第一光阻层及第二光阻层剥落后的结构剖面示意图、本发明的第一光阻层及第二光阻层剥落后的结构俯视示意图及本发明的第一光阻层及第二光阻层剥落后的结构仰视示意图。如图所示该第一光阻层126及第二光阻层128使用一溶剂使其被移除，该溶剂为温合的碱性溶液，其pH值为9，是在当光阻蚀剂对铜、镍及锡时适用，所以该金属基板120、金属壁132或锡金属层142没被移除。请参阅图11a、图11b及图11c所示，为本发明的第三光阻层及第四光阻层形成于金属基板后的结构剖面示意图、本发明的第三光阻层及第四光阻层形成于金属基板后的结构俯视示意图及本发明的第三光阻层及第四光阻层形成于金属基板后的结构仰视示意图。如图所示该第三光阻层144及第四光阻层146利用干式薄膜层压处理将该第三光阻层144及第四光阻层146分别热滚压印于第一主要平面122及第二主要平面124。一光罩(Areticle)(图中未示)放置于该第三光阻层144的附近。之后，该第三光阻层144印有图案通过选择性地使光透过该光罩，并使用一显影溶剂(adeveloper)将光阻部分移除，并通过光使该光阻部分为可溶解的，然后烤干(hardbaking)。所以该第三光阻层144具有一开口，并选择性地使该第一主要平面第一主要平面122暴露，而该第四光阻层146未印有图案。该第三光阻层144及第四光阻层146的厚度为50微米，并分别从该第一主要平面第一主要平面122及第二主要平面第二主要平面124开始计算。请参阅图12a、图12b及图12c所示，为本发明的绕线附于金属基板时的结构剖面示意图、本发明的绕线附于金属基板时的结构俯视示意图及本发明的绕线附于金属基板时的结构仰视示意图。如图所示该绕线150被形成于该金属基板120的第一主要平面122，并与该第二主要平面124、金属壁132及焊接层142隔离。该绕线150由一镀于该金属基板120的镍层及一镀于镍金属层的铜层所组成，该镍层与该金属基板120接触并被夹于该金属基板120及铜层之间，而该铜层与该镍层接触，并与该金属基板120隔离。因此，该镍层被该铜层覆盖，而该铜层被暴露。该绕线150的厚度为30微米。特别地，该镍层的厚度为5微米，该铜层的厚度为25微米。为了图示说明方便，图中未绘出该镍层及铜层，只绘出单一金属层。该绕线150被使用该第三光阻层144及第四光阻层146为电镀屏蔽进行电镀处理而形成。一开始，一电镀总线(图中未示)连接至该金属基板120，从外部电源所提供的电流可用于该电镀总线，而该金属基板120浸于一电解镍电镀溶液，其溶液如于室温下的TechnicTechniNickel“S”。因此该镍层镀(沉积或长)于该金属基板120的暴露部分，接着持续进行镍电镀处理直到该镍层达到所需要的厚度。之后，将整个结构从电解镍电镀溶液移出并浸于一电解铜电镀溶液，其溶液如于室温下的Sel-RexCUBATHMTM，而目前电流可用于该电镀总线，使该铜层镀于镍层，且持续铜电镀直到该铜层达到所需要的厚度。之后整体结构从电解铜电镀溶液移出，并用蒸馏水清洗移除污染物。该绕线150为平坦的平面，其包含一长形绕线部分152(elongatedroutingportion)以及较大圆形部分154(enlargedcircularportion)。该长形绕线部分152及较大圆形部分154相互邻接并于同一平面上。该长形绕线部分152的宽度为100微米，该较大圆形部分154的直径为300微米。而且，该长形绕线部分152之从该较大的圆形部分154横向延伸，该金属壁132及焊接层142与该较大的圆形部分154垂直地排列。请参阅图13a、图13b及图13c所示，为本发明的第三光阻层及第四光阻层剥落后的结构剖面示意图、本发明的第三光阻层及第四光阻层剥落后的结构俯视示意图及本发明的第三光阻层及第四光阻层剥落后的结构仰视示意图。如图所示该第三光阻层144及第四光阻层146利用一溶剂使其被移除，该溶剂为温合的碱性溶液，其pH值为9，当光阻蚀剂对铜、镍及锡料时适用。所以该金属基板120、金属壁132、焊接层142或绕线150没被移除。请参阅图14a、图14b及图14c所示，为本发明的焊接屏蔽于金属基板及绕线时的结构剖面示意图、本发明的焊接屏蔽于金属基板及绕线时的结构俯视示意图及本发明的焊接屏蔽于金属基板及绕线时的结构仰视示意图。如图所示该焊接屏蔽156(Soldermask)为一液态树脂，被沉积于该金属基板120及绕线150上。之后该液态树脂(liquidresin)于相对低温时可凝固或硬化，其相对温度的范围介于摄氏100度至摄氏250度间，使该液态树脂形成一固态绝缘环氧树脂层(solidinsulativeepoxylayer)，该固态绝缘环氧树脂层的厚度为50微米，并于该金属基板120及绕线150接触，且从该绕线150向上延伸20微米。之后，将该焊接屏蔽156的上面部分是通过研磨被移除。特别地，利用一旋转钻石砂轮(arotatingdiamondsandwheel)及蒸馏水用于该焊接屏蔽156的前侧。一开始，该钻石砂轮只对该焊接屏蔽156进行研磨，当持续研磨时，使该焊接屏蔽156变薄于被研磨的表面向下地迁移时。然后该钻石砂轮接触到该绕线150时，因此开始研磨该绕线150，当持续研磨时，该绕线150及焊接屏蔽156同时变薄于被研磨的表面向下迁移时。直到该绕线150及焊接屏蔽156达到所需要的厚度及接触到该金属基板120前停止研磨，然后，将整体结构用蒸馏水清洗并除去污染物。当研磨完之后，该绕线150及焊接屏蔽156从该金属基板120向上延伸25微米。因此该研磨处理为移去5微米厚的绕线150的上方部分，及25微米厚的焊接屏蔽156的上方部分。在这阶段中，该焊接屏蔽156连接并与该绕线150接触，且覆盖该绕线150的边缘侧面。然而，该焊接屏蔽156不再覆盖于该绕线150于向上方向。因此该绕线150及焊接屏蔽156皆被暴露。而且，该绕线150与焊接屏蔽156被横向排列于一朝向上的平面上。因此，一被暴露水平表面包括该绕线150与焊接屏蔽156，并朝向上方。请参阅图15a、图15b及图15c所示，为本发明的第五光阻层及第六光阻层形成后的结构剖面示意图、本发明的第五光阻层及第六光阻层形成后的结构俯视示意图及本发明的第五光阻层及第六光阻层形成后的结构仰视示意图。如图所示该第五光阻层158被形成于该绕线150及焊接屏蔽156上，而该第六光阻层160被形成于该金属基板120、金属壁132及焊接层142上。该第五光阻层158及第六光阻层160以液态的形式被沉积，并利用滚压涂布分别沉积于相对应的平面。一光罩(Areticle)(图中未示)放置于该第五光阻层158的附近。之后，该第六光阻层160印有图案，并选择性地使光透过该光罩，并使用一显影溶剂(adeveloper)将光阻部分移除，且通过光使该光阻部分为可溶解的，然后烤干(hardbaking)。所以该第五光阻层158具有一开口，选择性地使该绕线150暴露，而该第六光阻层160未印有图案。该第五光阻层158及第六光阻层160的厚度为50微米，并分别从该绕线150及金属基板120开始计算。请参阅图16a、图16b及图16c所示，为本发明的电镀接点形成于绕线后的结构剖面示意图、本发明的电镀接点形成于绕线后的结构俯视示意图及本发明的电镀接点形成于绕线后的结构仰视示意图。如图所示该电镀接点162(Platedcontact)与该绕线150接触并电连接，但非与该绕线150整合为一体，并与该金属基板120隔离。该电镀接点162由一镀于该绕线150的镀镍层及一镀于镍层的金层，该镍层与该绕线150及金层接触，并被夹于该绕线150与金层之间，而该金层与该镍层接触，并与该绕线150隔离。因此，该镍层被该金层覆盖，而该金层被暴露。该电镀接点162的厚度为3.5微米，特别地，该镍层的厚度为3微米，而该金层的厚度为0.5微米。为了图示说明方便，图中未绘出该镍层及金层，只绘出单一金属层。该电镀接点162该第五光阻层158及第六光阻层160为电镀屏蔽进行电镀处理而被形成。一开始，一电镀总线(图中未示)连接至该金属基板120，从外部电源所提供的电流可用于该电镀总线，以及该金属基板120浸于一电解镍电镀溶液，其溶液如于室温下的TechnicTechniNickel“S”。因此该镍层镀于该绕线150的暴露部分，持续进行镍电镀直到该镍层达到所需要的厚度。然而，将整个结构从电解镍电镀溶液移出并浸于一电解金电镀溶液，其溶液如于室温下的TechnicOrotemp，而目前电流可用于该电镀总线，使该金层镀于镍层，且持续金电镀直到该镀金层达到所需要的厚度。然后将整体结构从电解铜电镀溶液移出，并用蒸馏水清洗移除污染物。请参阅图17a、图17b及图17c所示，为本发明的第五光阻层及第六光阻层剥落后的结构剖面示意图、本发明的第五光阻层及第六光阻层剥落后的结构俯视示意图及本发明的第五光阻层及第六光阻层剥落后的结构仰视示意图。如图所示该第五光阻层158及第六光阻层160使用一溶剂使其被移除，该溶剂为温合的碱性溶液，其pH值为9，当光阻蚀剂对铜、镍、锡料及环氧树脂时适用。所以该金属基板120、金属壁132、焊接层142、绕线150、焊接屏蔽156或电镀接点162没被移除。请参阅图18a、图18b及图18c所示，为本发明的黏着剂形成于焊接屏蔽后的结构剖面示意图、本发明的黏着剂形成于焊接屏蔽后的结构俯视示意图及本发明的黏着剂形成于焊接屏蔽后的结构仰视示意图。如图所示该黏着剂164(Adhesive)能包含一有机表面保护剂(anorganicsurfaceprotectant)，如HK2000，该黏着剂164是在该第五光阻层158及第六光阻层160被移除后被使用于整体结构，减少自然氧化物产生于被暴露的铜层表面。用于半导体芯片封装装过程使用该有机表面保护剂于绝缘黏着技术中。然后，一液态树脂如聚酰胺酸(polyamicacid)利用模板印刷使其沉积于该焊接屏蔽156，于模板印刷时，一模板(图中未示)被置于该绕线150及焊接屏蔽156上，一模板开口(astencilopening)与该金属基板120排成一列，并与该绕线150有偏移，然后，一挤压器(squeegee)(图中未示)挤压该液态树脂沿着该模板表面往相对应的焊接屏蔽156方向，穿过该模板开口，于该焊接屏蔽156之上，但不是金属基板120、绕线150或电镀接点162。该液态树脂于室温下可塑型为任何形状。所以，该液态树脂流动并覆盖一部分的焊接屏蔽156，但仍与金属基板120、绕线150及电镀接点162隔离。请参阅图19a、图19b及图19c所示，为本发明具半导体芯片结构的剖面示意图、本发明具半导体芯片结构的俯视示意图及本发明具半导体芯片结构的仰视示意图。如图所示该黏着剂164与该半导体芯片110及焊接屏蔽156接触，并于该半导体芯片110与焊接屏蔽156间延伸，但仍与该金属基板120、绕线150及电镀接点162隔离。该半导体芯片110的第一平面112朝向上并远离该焊接屏蔽156且被暴露；而该半导体芯片110的第二平面114朝向下，并面向该焊接屏蔽156，且被该黏着剂164覆盖。该半导体芯片110与金属基板120不相互接触，该半导体芯片110与绕线150不相互接触，及该半导体芯片110与焊接屏蔽156不相互接触。该黏着剂164被夹于该半导体芯片110与焊接屏蔽156间使用相对低压于撷取头(pick-uphead)，该撷取头放置在黏着剂164上的半导体芯片110，需强压该半导体芯片110于黏着剂上5秒，然后放松该半导体芯片110。该撷取头被加热于相对低温中，如相对低温为150度，而该黏着剂164从该撷取头接收热并传至该半导体芯片110。因此该黏着剂164紧邻着该半导体芯片特别地被聚合的，并形成一胶体但不是完全地被凝固，以及该黏着剂164特别地被聚合的，并提供一软式机械接合(aloosemechanicalbond)于该半导体芯片110及焊接屏蔽156间。该半导体芯片110与金属基板120被置于相对位置，以致于该半导体芯片110被置于该黏着剂164的边缘内，及该金属壁132，焊接层142、绕线150及电镀接点162被置于该半导体芯片110的边缘外。该半导体芯片110及金属基板120利用一自动图案识别系统(anautomatedpatternrecognitionsystem)被排列。之后，整体结构被放置于一烘箱，该黏着剂164于相对低温中完全被硬化，其相对低温的范围介于200度至250度，并形成一硬黏着绝缘热调整聚酰胺层(adhesiveinsulativethermosettingpolyimidelayer)，其与该半导体芯片110及焊接屏蔽156接触，并被夹于该半导体芯片110与焊接屏蔽156间，且可机械地连接该半导体芯片110及焊接屏蔽156。该黏着剂164于该半导体芯片110与焊接屏蔽156间的厚度为35微米。在这阶段中，该金属基板120覆盖该半导体芯片110、绕线150、焊接屏蔽156、电镀接点162及黏着剂164，并从该半导体芯片110、绕线150、焊接屏蔽156、电镀接点162及黏着剂164向下延伸，该金属壁132被配置于该半导体芯片的边缘外，并从该半导体芯片110、绕线150、焊接屏蔽156、电镀接点162及黏着剂164向下延伸，该焊接层142被配置于该半导体芯片110的边缘外，并从该半导体芯片110、金属壁132、绕线150、焊接屏蔽156、电镀接点162及黏着剂164向下延伸，该绕线150被置于该半导体芯片110的向下方向，并于该半导体芯片110的边缘外，且从该金属壁132及该焊接层142横向延伸，朝向该半导体芯片110，及该黏着剂164从该半导体芯片110向下延伸。而且，该半导体芯片110仍具电力地与该金属基板120、金属壁132、焊接层142、绕线150及电镀接点162隔离。请参阅图20a、图20b及图20c所示，为本发明的连接部附于导电接脚及电镀接点时的结构剖面示意图、本发明的连接部附于导电接脚及电镀接点时的结构俯视示意图及本发明的连接部附于导电接脚及电镀接点时的结构仰视示意图。如图所示该连接部166为一金属金的打线，其球状接合于该导电接脚116上，其楔形接合于该电镀接点162上。其中该金属线连接球状接点及楔形接点，该打线的厚度为25微米。因此该连接部166与该导电接脚116及电镀接点162接触，并使该导电接脚116及电镀接点162电连接，所以亦可使该导电接脚116可具电力地与该金属基板120、金属壁132、焊接层142及绕线150连接。而该连接部166是在该半导体芯片110的边缘内及边缘外延伸，并自该半导体芯片110向上延伸100微米，并与该金属基板120、金属壁132、焊接层142、绕线150及焊接屏蔽156隔离。请参阅图21a、图21b及图21c所示，为本发明具密封剂结构的剖面示意图、本发明具密封剂结构的俯视示意图及本发明具密封剂结构的仰视示意图。如图所示该密封剂168是通过转注成形法(transfermolding)被沉积，该转注成形法最常用于半导体芯片构装方法对塑料构装而言。一般来说，该转注成形法包括组件于一密封模内形成一注模材料(moldingcompound)，该注模材料是在可为热、塑料状态的压力下将该注模材料于从中心储存槽(centralreservoir)亦为料腔(transferpot)穿过树状阵列的浇道(runners)及浇口(gates)传送至密封的模穴中。较好的转注成形统包含一预热器(preheater)、一模子、一模压机(press)及一硬化炉(cureoven)。该模子包含一上模部分及一下模部分，亦可称为(platens)或(halves)用来定义该模穴。该模子也包含该料腔、浇道浇口及排气口(vents)。该料腔容纳该注模材料。该浇道及浇口提供从该料腔至模穴的通道。该浇口被置于该模穴入口附近，并被压缩进而控制进入该模穴时该注模材料的流动速度及注入速度且使该被固化的注模材料容易移动于该转注形成进行时。该排气口准许受限制的空气能排出，但该排气口很小，只能使极少数的注模材料通过。该注模材料是在一开始处于平板的形式。该预热器使用高频率能源使该注模材料预热至一温度，其温度范围介于50度至100度之间。该预热的温度低于转注的温度，所以该被预热的注模材料不处于一流体的状态。此外，整体结构被置在其中一个模穴中，该模压机油压地运作使该模子密合及通过上层模块及下层模块定位使该模穴密合。该定位销(Guidepins)确保该上模部分及下模部分密合处刚恰好于分模线。另外，该模子被加热至一转注温度，其转注温度的范围介于150度至250度之间，是通过插入电子加热匣于该上模部分及下模部分。密封该模子之后，该被预热的注模材料为平板形态被置于该料腔内。然后一转注撞针(transferplunger)加压至于该料腔内的注模材料。该压力范围介于10至100kg/cm2并可设定越高越好且不会有可靠度的问题。对该模子加热及加压于该转注撞针的压力等处理将于料腔内的注模材料转换至流体状态。而且，从该转注撞针而来的压力强制使该流体的转注撞针通过该浇道及浇口进入该模穴。该压力被维持于一固定的最佳时间，方可确保该注模材料填满该模穴。该下层模块与该金属基板120接触，并可与该金属基板120密合，且与该金属基板120紧接。然而，该上模部分与该连接部166距离120微米。因此该注模材料与该半导体芯片110、绕线150、焊接屏蔽156、电镀接点162、黏着剂164及连接部166的暴露部分接触于模穴中。于转注温度过了1至3分钟后，该注模材料聚合的并部分地被硬化于模子中。一旦有部分的注模材料被硬化后，具有足够之弹性及硬度，使其可抵抗挤出之力量，使其无法显著且永久的变形。该模压机打开模子，该起模杆从该模子中取出被铸造的结构，并剩于的注模材料附于该被铸造的结构上，该剩于的注模材料被固化于该浇道及浇口上被整理及移除。该被铸造的结构被加载一匣盒(magazine)，并被置于该硬化炉内4至16个小时，且于一比转注温度稍微低的温度中但比室内温度高使该注模材料完全地硬化。该注模材料为一多组成混和的密封树脂添加各种不同的添加剂，其主要的添加剂包含硬化剂、加速剂、惰性填料、连结剂、难燃剂、消除应力剂、着色剂及脱模剂。该密封树脂提供一屏蔽物(abinder)，该硬化剂(curingagent)提供直线/十字线的聚合作用(linear/cross-polymerization)，该加速剂提高该聚合速率，该惰性填料增加热传导性、抗热撞击性及降低热膨胀系数、树脂流失、收缩及剩余的压力，该连结剂增加对整体结构的黏着力，该难燃剂降低易燃性，该消除应力剂减少裂纹扩展，该着色剂减少光子活动力及装置可见度，以及该脱模剂使容易从模子移出。该密封剂168与该半导体芯片110、绕线150、焊接屏蔽156、电镀接点162、黏着剂164及连接部166接触并覆盖。该密封剂168与该半导体芯片110的第一平面112及其外部边缘接触，但与该半导体芯片110的第二平面114隔离。该密封剂168覆盖于该金属基板120、金属壁132及焊接端142，但与该金属基板120、金属壁132及焊接端142隔离。该密封剂168为一可压缩的固态黏着钝化层，其可提供环境的保护，如耐湿性，以及对半导体芯片110的颗粒保护如对该绕线150的机械支撑一样。该半导体芯片被嵌入于该密封剂168中。该密封剂168从该半导体芯片110、金属基板120、金属壁132、焊接层142、绕线150、焊接屏蔽156、电镀接点162、黏着剂164及连接部166向上延伸，其厚度为400微米，并从该连接部166向上延伸120微米。请参阅图22a、图22b及图22c所示，为本发明的金属柱于金属基板上形成后的结构剖面示意图、本发明的金属柱于金属基板上形成后的结构俯视示意图及本发明的金属柱于金属基板上形成后的结构仰视示意图。如图所示该金属柱170为该金属基板120的未被蚀刻部分，与该金属壁132及绕线150接触，并被夹于该金属壁132与绕线150间，且使该金属壁132与绕线150间电连接，但不与该金属壁132及绕线150整合为一体，而该金属柱170由铜组成。该金属柱170被形成是通过一种湿式化学蚀刻对该金属基板120蚀刻，并利用该金属壁132及焊接层142为其蚀刻屏蔽，且选择性地保护该金属基板120。因此，该金属柱170依该金属壁132来定出该金属基板120未被蚀刻部分而被形成。一种背边式湿式化学蚀刻被用于对该金属基板120的第二主要平面124、金属壁132及焊接端142。如该底部喷嘴能喷射该湿式化学蚀刻溶液于该金属基板120上，当顶部喷嘴不被使用时或整体结构被浸于该湿式化学蚀刻溶液里，该密封剂168提供前侧保护。当铜对镍、锡料、环氧树脂及注模材料时适用该湿式化学蚀刻，所以，当该金属基板120对该金属壁132、焊接层142、该绕线150的镍层、焊接屏蔽156及密封剂168时适用该湿式化学蚀刻。该湿式化学蚀刻完全穿过该金属基板120，因此影响该金属壁132的图案转移于金属基板120上。并使该绕线150及焊接屏蔽156暴露，减少但不移除该金属基板120与金属壁132、绕线150及焊接屏蔽156的接触区域。然而该金属壁132、焊接层142、绕线150的镍层、焊接屏蔽156或密封剂168没被移除。而该绕线150的镍层是在化学蚀刻时保护该绕线150的铜层。所以该绕线150没被移除。该湿式化学蚀刻也横向切割该金属基板120相对于该金属壁132，并造成该金属柱170向内部倾斜并增加高度。一合适之倾斜角度介于45度至小于90度间，如约75度。该金属柱170与该绕线150于较大圆形部分154接触，但与长形绕线部分152隔离，并从该绕线150向下延伸。因此该金属柱170与该绕线150于向下方向有部分重迭，然而该金属柱170无覆盖该绕线150于向下方向。一种合适的湿式化学蚀刻溶液被碱性的氨水提供。使该金属基板120暴露于该化学蚀刻溶液中的理想的蚀刻时间须多次的反复试验，为了蚀刻穿透该金属基板120，以及形成具理想尺寸的金属柱170，但不使该金属壁132受到侵蚀或避免使该绕线150暴露于化学蚀刻溶液中。该金属柱170包含相对应的第一平面172、第二平面174及锥面176(taperedsidewalls)，其中，该金属柱170的第一平面172建构于该金属基板120的第一主要平面第一主要平面122的未蚀刻部分上，该金属柱170的第二平面174建构于该金属基板120内的凹口130的未蚀刻部分。因此该第一平面172朝向上，该第二平面174朝向下。该第一平面172与该绕线150接触并面向该绕线150，且与该金属壁132隔离，而该第二平面174与该金属壁132接触并面向该金属壁132，但与该绕线150隔离。此外，该第一平面172为平坦的，并与该半导体芯片110的第一平面112及第二平面114及绕线150平行，而该第二平面174沿着该金属壁132的轮廓。该锥面176与该第一平面172及第二平面174邻接，并朝向该第二平面174往内部倾斜。该金属柱170为一圆锥形，其介于第一平面172与第二平面174间的高度为70微米，于该第一平面172向下延伸时(从该第一平面172朝向第二平面174)，其直径逐渐地缩小。该第一平面172为圆形，其直径为250微米，而该第二平面174亦为圆形，其直径为200微米。该第一平面172及第二平面174与金属壁132、焊接层142及较大圆形部分154等呈垂直地排列。因此该第二平面174被置于该金属壁132、焊接层142、较大圆形部分154及第一平面172的表面区域内。而且该第一平面172的表面区域比该第二平面174的表面区域至少大20％。该金属柱170被置于该半导体芯片110的边缘外，并被置于该半导体芯片110、绕线150、焊接屏蔽156、黏着剂164、连接部166及密封剂168于向下方向，且从该金属壁132及焊接层142向上延伸。而该半导体芯片110从该绕线150、焊接屏蔽156、黏着剂164及金属柱170向上延伸，该绕线被置于该金属壁132、焊接层142及金属柱170于向上方向，并从该金属壁132、焊接层142及金属柱170横向延伸，且朝向该半导体芯片110，该密封剂168覆盖该半导体芯片110、金属壁132、焊接层142、绕线150、焊接屏蔽156、黏着剂164、连接部166及金属柱170，并从该半导体芯片110、金属壁132、焊接层142、绕线150、焊接屏蔽156、黏着剂164、连接部166及金属柱170向上延伸。该密封剂168对该绕线150及金属柱170提供机械支撑，减少于该黏着剂164上的机械张力，于该金属基板120被蚀刻形成该金属柱170之后特别地有用。该密封剂168保护该绕线150及金属柱170于化学蚀刻及蒸馏水清洗时避免机械损害。例如该密封剂168吸收于化学蚀刻及蒸馏水清洗时的物理力量，因于化学蚀刻及蒸馏水清洗时能使该半导体芯片110与该绕线150分离。因此，该密封剂168增加结构的完整性，并可于化学蚀刻及蒸馏水清洗被使用更坚固地，进而提高生产率。该导电迹线180包括金属壁132、焊接层142、绕线150、电镀接点162及金属柱170。该导电迹线180适合提供水平及垂直方向的通路于导电接脚116与下一层次构装间。请参阅图23a、图23b及图23c所示，为本发明的绝缘基板形成后的结构剖面示意图、本发明的绝缘基板形成后的结构俯视示意图及本发明的绝缘基板形成后的结构仰视示意图。如图所示该绝缘基板182一开始为一膏状的环氧树脂，其包括一环氧树脂、一硬化剂、一加速剂及一填充剂，其中该填充剂为一惰性材料，如硅土(silica)为粉末溶化状的石英，增进热传导性、抗热冲击性(thermalshockresistance)及热膨胀系数的一致性。该环氧树脂膏(epoxypaste)沉积于该金属壁132、焊接层142、绕线150、焊接屏蔽156及金属柱170上，然后该环氧树脂膏于相对低温下硬化形成一固态黏着绝缘体，其相对低温的范围介于100度至250度，并可提供该绕线150及金属柱170一具保护的密封层(aprotectiveseal)。该绝缘基板182与该金属壁132、焊接层142、绕线150、焊接屏蔽156及金属柱170接触并覆盖该金属壁132、焊接层142、绕线150、焊接屏蔽156及金属柱170，且从该金属壁132、焊接层142、绕线150、焊接屏蔽156及金属柱170向下延伸，而覆盖该半导体芯片110、电镀接点162、连接部166及密封剂168，但与该半导体芯片110、电镀接点162、连接部166及密封剂168隔离。该绝缘基板182的厚度为200微米。因此该绝缘基板182从金属壁132、焊接层142、绕线150及金属柱170向下延伸，并使该金属壁132、焊接层142、绕线150及金属柱170未暴露的。请参阅图24a、图24b及图24c所示，为本发明的绝缘基板移除后的结构剖面示意图、本发明的绝缘基板移除后的结构俯视示意图及本发明的绝缘基板移除后的结构仰视示意图。如图所示该绝缘基板182的较低部分是通过研磨方法被移除。特别地，一旋转钻石砂轮及蒸馏水被用于该绝缘基板182的背面。一开始，该钻石砂轮只对该绝缘基板182研磨，当持续研磨时，使该绝缘基板182变薄于该被研磨的表面向上迁移时。然后该钻石砂轮与该焊接层142接触，所以开使研磨该焊接层142。当持续研磨时，使该绝缘基板182及焊接层142同时变薄在其被研磨的表面向上迁移时。然而该钻石砂轮接触该金属壁132，因此开使研磨该金属壁132。当持续研磨时，使该金属壁132、焊接层142及绝缘基板182变薄于在其被研磨的表面向上迁移时。持续研磨直到该该金属壁132、焊接层142及绝缘基板182达到所需要的厚度及于接触到该半导体芯片110、绕线150、焊接屏蔽156、电镀接点162、黏着剂164、连接部166、密封剂168或金属柱170前即停止研磨，之后，将整体结构用蒸馏水清洗并除去污染物。当研磨处理完之后，该金属壁132、焊接层142及绝缘基板182从该金属柱170向下延伸70微米。因此研磨处理移除10微米厚的金属壁132较低部分，移除40微米厚的焊接层142较低部分，以及移除60微米该绝缘基板182较低部分。经上述过程后，该半导体芯片110仍被嵌入该密封剂168内，该金属柱170被嵌入该绝缘基板182内，而该绕线150及金属柱170仍未被暴露，以及该金属壁132及焊接层被暴露。该绝缘基板182覆盖该半导体芯片110、电镀接点162、黏着剂164及连接部166未与该半导体芯片110、电镀接点162、黏着剂164及连接部166，并从该半导体芯片110、电镀接点162、黏着剂164及连接部166向下延伸，但与该半导体芯片110、电镀接点162、黏着剂164及连接部166隔离；而与该绕线150、焊接屏蔽156及金属柱170接触，并从该绕线150、焊接屏蔽156及金属柱170向下延伸，与该金属壁132接触但与该焊接层142隔离。该绝缘基板182与该绕线150、焊接屏蔽156、密封剂168及金属柱170于向下方向有部分重迭，然而该绝缘基板182不再覆盖该绕线150、焊接屏蔽156、密封剂168或金属柱170于向下方向。而且该金属壁132、焊接层142及绝缘基板182被横向相互排列于一朝向下的平面上。因此该金属壁132、焊接层142及绝缘基板182为一被暴露的水平面，该平面朝向下。请参阅图25a、图25b及图25c所示，为本发明的锡球形成后的结构剖面示意图、本发明的锡球形成后的结构俯视示意图及本发明的锡球形成后的结构仰视示意图。如图所示该锡球184起初为一无铅球并为一球状，其直径为300微米，该无铅球被浸泡于助熔剂中，并提供该锡球184具有流动表面涂层，其围绕着该无铅球。然后将整体结构倒转，使该焊接层142朝向上，而该锡球184被沉积于该焊接层142上。该锡球184附着于该焊接层142上并不稳固，因为该锡球184的流动表面涂层。为了图示及说明方便，该锡球184绘于该焊接层142下方，保持与前图同一方向以便进行比对，虽然整体结构颠倒，但通过重力使该锡球184黏着于该焊接层上。请参阅图26a、图26b及图26c所示，为本发明的焊接端形成后的结构剖面示意图、本发明的焊接端形成后的结构俯视示意图及本发明的焊接端形成后的结构仰视示意图。如图所示该焊接端186(Solderterminal)包括该焊接层142及锡球184并由该焊接层142及锡球184而被形成。首先，该锡球184置于该焊接层142上。然后，整体结构被加热至一温度，其温度约为260度。进行加热造成于该锡球184上的助熔剂产生反应，并从该焊接层142上移除氧化物，且使该焊接层142及锡球184被融化。因此使该焊接层142及锡球184一起回流成一被融化锡料混合物及产生锡料回流。而该绝缘基板182不提供一可使该锡料回流容易的湿表面。所以该锡料回流被该金属壁132局限。之后，停止加热使该被融化的锡料冷却凝固硬化形成焊接端186。在这方法中，将该焊接层142及锡球184被转换为焊接端186。因此该焊接层142及焊接端186依顺序被形成。该金属壁132被镀于金属基板120，然后该锡膏140被沉积于金属壁132上并于回流时形成该焊接层142，接着该锡球184被沉积于该焊接层142上，然后该焊接层142及锡球184被一起回流形成该焊接端186。该焊接端186的直径为400微米，其向下方向相对于金属壁132及绝缘基板182的厚度为50微米，并填满该孔洞134，且与该金属壁132、较大圆形部分154及金属柱170呈垂直地排列。该焊接端186与该金属壁132接触并与其电连接，但非与该金属壁132整合为一体，且只与该金属壁132及该孔洞134内的金属壁132接触。因此该焊接端186与该半导体芯片110、绕线150、焊接屏蔽156、电镀接点162、黏着剂164、连接部166、密封剂168、金属柱170及绝缘基板182隔离，并从该半导体芯片110、绕线150、焊接屏蔽156、电镀接点162、黏着剂164、连接部166、密封剂168、金属柱170及绝缘基板182向下延伸。而且该焊接端186往该孔洞134的内部及外部延伸，并覆盖该金属壁132及金属柱170于向下方向，但不被该半导体芯片封装结构的任何材料覆盖于向下方向。同样地，该焊接端186往该绝缘基板182内延伸的整体部分只与该金属壁132有接触，并被该金属壁覆盖于向上方向，且于该孔洞134内。该焊接端186提供一坚固的电力接点可与该金属壁132连接，及接触端于外部电路上。有助于该焊接端186延伸至该金属壁132于该绝缘基板182内，且可避免与该开136于一横向平面上的高压边界接触，该开136是在该绝缘基板182的主要暴露表面上并朝向下方向，因此可减少锡料分离并增进可靠度。经由上述，该导电迹线180包括金属壁132、绕线150、电镀接点162、金属柱170及焊接端186。为了图示及说明方便，该焊接端186绘于该半导体芯片的下方，并维持与前图相同方向为了方便比对，虽然整体结构颠倒，于该焊接端186的形成时，通过重力帮助锡料回流。请参阅图27a、图27b及图27c所示，为本发明的半导体芯片封装结构剖面示意图、本发明的半导体芯片封装结构俯视示意图及本发明的半导体芯片封装结构仰视示意图。如图所示经上述过程该半导体芯片封装结构198包括半导体芯片110、金属壁132、绕线150、焊接屏蔽156、电镀接点162、黏着剂164、连接部166、密封剂168、金属柱170、绝缘基板182及焊接端186所构成。该半导体芯片110从该导电迹线180向上延伸，并与该绝缘基板182于向上方向有部分重迭，但并没有与该导电迹线180于向上方向重迭。因此该导电迹线180被置于该半导体芯片110的边缘外。该金属壁132从该焊接端186向上延伸，并具有固定厚度，且只与金属柱170、绝缘基板182及焊接端186接触。该孔洞134被置于该绝缘基板182内，并被该焊接端186填满。该绕线150与该半导体芯片110机械地连接是通过黏着剂164，并与该半导体芯片110电连接是通过该连接部166，且从该金属壁132、金属柱170及焊接端186横向延伸，而朝向半导体芯片110，该绕线150为平坦且平行于半导体芯片110的第一平面112及第二平面114。该密封剂168覆盖该半导体芯片110、焊接屏蔽156、黏着剂164、连接部166、导电迹线180及绝缘基板182于向上方向。该金属柱170被绕线150覆盖于向上方向，而被该金属壁132及焊接端186覆盖于向下方向。虽然该金属柱170未被暴露，并与该金属壁132、绝缘基板182及焊接端186于向下方向有部分重迭，该金属柱170不被该密封剂168、绝缘基板182或任何绝缘材质于半导体芯片封装覆盖于向下方向。该绝缘基板182与该金属壁132、绕线150、焊接屏蔽156及金属柱170接触，并从金属壁132及焊接端186向上延伸，且从半导体芯片110、绕线150、焊接屏蔽156、连接部166、密封剂168及金属柱170向下延伸。该金属壁132、金属柱170及焊接端186从该绕线150向下扩展，但不覆盖该绕线150于向下方向。该金属壁132横向绕该焊接端186延伸至该绝缘基板182内的整体部分外围旋转360度，而该绝缘基板182横向绕该金属壁132外围旋转360度。该密封剂168及绝缘基板182对该半导体芯片封装结构198提供机械支撑及环境保护。该连接部166提供水平绕线及垂直绕线于导电接脚116与外部电路间，并提供水平输出绕线(horizontalfan-outrouting)该绕线150是在导电接脚116与外部电路间，但不提供垂直绕线，该金属柱170及焊接端186提供垂直绕线于导电接脚116与外部电路间，但不提供水平绕线，而该金属壁132及电镀接点162不提供水平绕线或垂直绕线于导电接脚116与外部电路间。同样地，该金属壁132不提供绕线于焊接端186与任何导电体间。该半导体芯片封装结构为一单芯片第一层次构装。因此该半导体芯片110为该半导体芯片封装结构的唯一芯片，被嵌入该密封剂168内。该半导体芯片封装结构包含其它导电迹线，并被嵌入于该焊接屏蔽156、密封剂168及绝缘基板182内，于图中只绘制一导电迹线180使图示及说明方便。每一导电迹线相互隔离并具电力。每一导电迹线皆包含各自的金属壁、绕线、电镀接点、金属柱及焊接端，并通过各自的连接部使该半导体芯片110的导电接脚与导电迹线间电连接，且提供水平输出绕线及垂直绕线给各自的导电接脚。而且每一导电迹线具有一向下凸出的焊接端，提供球格式阵列构装。该半导体芯片110包含导电接脚，但与其它零件具电力地隔离。然而一开始该相应的绕线被镀于金属基板，并通过该金属基板使该绕线与其它零件间电连接。而且该连接部使该绕线及相应的导电接脚间电连接，因此该导电接脚可与其它零件电连接。然后，一旦该金属基板被蚀刻形成金属柱，该绕线与其它零件具电力地隔离，所以该导电接脚与其它零件具电力地隔离。所以于该金属基板120被蚀刻形成金属柱后，无电镀总线或相关电路可与导电迹线连接。该图28a至图54c制造该半导体芯片封装结构的过程第二实施例。于该第二实施例中，该焊接层被形成于该密封剂被形成后才形成。为了简化的目的，与第一实施例有相同的描述，不须要被重复。同样地，该第二实施例的组件与第一实施例相似具有相应的参考编号，但第二实施例中组件佰位数用“2”表示而第1实施例中组件佰位数用“1”表示，如半导体芯片210对应于半导体芯片110，绕线250对应于绕线150…等。请参阅图28a、图28b及图28c所示，为本发明的半导体芯片结构剖面示意图、本发明的半导体芯片结构俯视示意图及本发明的半导体芯片结构仰视示意图。如图所示该半导体芯片210包含第一平面212及第二平面214。该第一平面212包含导电接脚216及钝化层218。请参阅图29a、图29b及图29c所示，为本发明的金属基板结构剖面示意图、本发明的金属基板结构俯视示意图及本发明的金属基板结构仰视示意图。如图所示该金属基板220包含第一平面222及第二平面224。请参阅图30a、图30b及图30c所示，为本发明的光阻层与金属基板的结构剖面示意图、本发明的光阻层与金属基板的结构俯视示意图及本发明的光阻层与金属基板的结构仰视示意图。如图所示该第一光阻层226及第二光阻层228形成于该金属基板220上。该第二光阻层228包含一开口及使该第二平面224局部暴露，该第一光阻层226未具图案。请参阅图31a、图31b及图31c所示，为本发明的具凹口的结构剖面示意图、本发明的具凹口的结构俯视示意图及本发明的具凹口的结构仰视示意图。如图所示该凹口230被形成于该金属基板220内。请参阅图32a、图32b及图32c所示，为本发明的具金属壁的金属基板结构剖面示意图、本发明的具金属壁的金属基板结构俯视示意图及本发明的具金属壁的金属基板结构仰视示意图。如图所示该金属壁232被形成于该金属基板220上。请参阅图33a、图33b及图33c所示，为本发明的第一光阻层及第二光阻层剥落后的结构剖面示意图、本发明的第一光阻层及第二光阻层剥落后的结构俯视示意图及本发明的第一光阻层及第二光阻层剥落后的结构仰视示意图。如图所示是在第一光阻层226及第二光阻层228剥落后该金属基板220及金属壁232的结构示意。请参阅图34a、图34b及图34c所示，为本发明的第三光阻层及第四光阻层形成于金属基板后的结构剖面示意图、本发明的第三光阻层及第四光阻层形成于金属基板后的结构俯视示意图及本发明的第三光阻层及第四光阻层形成于金属基板后的结构仰视示意图。如图所示该第三光阻层244及第四光阻层246形成于金属基板220上。该第三光阻层244包含一开口及使该金属基板220的第一平面222具局部暴露部分，该第四光阻层246未具有图案。请参阅图35a、图35b及图35c所示，为本发明的绕线附于金属基板时的结构剖面示意图、本发明的绕线附于金属基板时的结构俯视示意图及本发明的绕线附于金属基板时的结构仰视示意图。如图所示该绕线250是通过电镀使其被镀于该金属基板220上。请参阅图36a、图36b及图36c所示，为本发明的第三光阻层及第四光阻层剥落后的结构剖面示意图、本发明的第三光阻层及第四光阻层剥落后的结构俯视示意图及本发明的第三光阻层及第四光阻层剥落后的结构仰视示意图。如图所示为该第三光阻层244及第四光阻层246剥落后，该金属基板220、金属壁232及绕线250的结构示意图。请参阅图37a、图37b及图37c所示，为本发明的焊接屏蔽于金属基板及绕线时的结构剖面示意图、本发明的焊接屏蔽于金属基板及绕线时的结构俯视示意图及本发明的焊接屏蔽于金属基板及绕线时的结构仰视示意图。如图所示该焊接屏蔽256被形成于该金属基板220及绕线250上。请参阅图38a、图38b及图38c所示，为本发明的第五光阻层及第六光阻层形成后的结构剖面示意图、本发明的第五光阻层及第六光阻层形成后的结构俯视示意图及本发明的第五光阻层及第六光阻层形成后的结构仰视示意图。如图所示该第五光阻层258及第六光阻层260被形成于该结构上。其中该第五光阻层258被形成于绕线250及焊接屏蔽256上，该第六光阻层260被形成于该金属基板220及金属壁232上。该第五光阻层258及第六光阻层260利用一种干式薄膜层压技术分别压印于相对应的平面上。该第五光阻层258包含一开口及使该绕线250具局部暴露部分，该第六光阻层未具有图案。请参阅图39a、图39b及图39c所示，为本发明的电镀接点形成于绕线后的结构剖面示意图、本发明的电镀接点形成于绕线后的结构俯视示意图及本发明的电镀接点形成于绕线后的结构仰视示意图。如图所示该电镀接点262是通过电镀被镀于该绕线250上。请参阅图40a、图40b及图40c所示，为本发明的第五光阻层及第六光阻层剥落后的结构剖面示意图、本发明的第五光阻层及第六光阻层剥落后的结构俯视示意图及本发明的第五光阻层及第六光阻层剥落后的结构仰视示意图。如图所示是在第五光阻层258及第六光阻层260剥落后，该金属基板220、金属壁232、绕线250及电镀接点262的结构示意。请参阅图41a、图41b及图41c所示，为本发明的黏着剂形成于焊接屏蔽后的结构剖面示意图、本发明的黏着剂形成于焊接屏蔽后的结构俯视示意图及本发明的黏着剂形成于焊接屏蔽后的结构仰视示意图。如图所示该黏着剂264形成于该焊接屏蔽256上。请参阅图42a、图42b及图42c所示，为本发明具半导体芯片结构的剖面示意图、本发明具半导体芯片结构的俯视示意图及本发明具半导体芯片结构的仰视示意图。如图所示该半导体芯片210是通过该黏着剂264附着于结构上，其结构包含金属基板220、金属壁232、绕线250、焊接屏蔽256及电镀接点262。请参阅图43a、图43b及图43c所示，为本发明的连接部附于导电接脚及电镀接点时的结构剖面示意图、本发明的连接部附于导电接脚及电镀接点时的结构俯视示意图及本发明的连接部附于导电接脚及电镀接点时的结构仰视示意图。如图所示该连接部266形成于该导电接脚216及电镀接点262上。请参阅图44a、图44b及图44c所示，为本发明具密封剂结构的剖面示意图、本发明具密封剂结构的俯视示意图及本发明具密封剂结构的仰视示意图。如图所示该密封剂268形成于半导体芯片210、绕线250、焊接屏蔽256、电镀接点262、黏着剂264及连接部266上。请参阅图45a、图45b及图45c所示，为本发明的模板覆盖于金属基板的结构剖面示意图、本发明的模板覆盖于金属基板的结构俯视示意图及本发明的模板覆盖于金属基板的结构仰视示意图。如图所示该模板238覆盖于该金属基板220上。请参阅图46a、图46b及图46c所示，为本发明的锡膏沉积于金属壁的结构剖面示意图、本发明的锡膏沉积于金属壁的结构俯视示意图及本发明的锡膏沉积于金属壁的结构仰视示意图。如图所示该锡膏240沉积于金属壁232上。请参阅图47a、图47b及图47c所示，为本发明的移去模板后的结构剖面示意图、本发明的移去模板后的结构俯视示意图及本发明的移去模板后的结构仰视示意图。如图所示该模板238从该金属基板220移除。请参阅图48a、图48b及图48c所示，为本发明的锡膏形成焊接层后的结构剖面示意图、本发明的锡膏形成焊接层后的结构俯视示意图及本发明的锡膏形成焊接层后的结构仰视示意图。如图所示该焊接层242由该锡膏240形成。该金属壁232提供一湿表面使该锡料容易流动，然而该金属基板220不提供。因此该锡料只于该金属壁232内流动。请参阅图49a、图49b及图49c所示，为本发明的金属柱于金属基板上形成后的结构剖面示意图、本发明的金属柱于金属基板上形成后的结构俯视示意图及本发明的金属柱于金属基板上形成后的结构仰视示意图。如图所示该金属柱270由该金属基板220形成。请参阅图50a、图50b及图50c所示，为本发明的绝缘基板形成后的结构剖面示意图、本发明的绝缘基板形成后的结构俯视示意图及本发明的绝缘基板形成后的结构仰视示意图。如图所示该绝缘基板282形成于金属壁232、焊接层242、绕线250、焊接屏蔽256及金属柱270上。请参阅图51a、图51b及图51c所示，为本发明的部分绝缘基板移除后的结构剖面示意图、本发明的部分绝缘基板移除后的结构俯视示意图及本发明的部分绝缘基板移除后的结构仰视示意图。如图所示是在部分绝缘基板282被移除后的结构示意。请参阅图52a、图52b及图52c所示，为本发明的锡球形成后的结构剖面示意图、本发明的锡球形成后的结构俯视示意图及本发明的锡球形成后的结构仰视示意图。如图所示该锡球284形成于焊接层242上。请参阅图53a、图53b及图53c所示，为本发明的焊接端形成后的结构剖面示意图、本发明的焊接端形成后的结构俯视示意图及本发明的焊接端形成后的结构仰视示意图。如图所示该焊接端286由焊接层242与锡球284所形成。请参阅图54a、图54b及图54c所示，为本发明的半导体芯片封装结构剖面示意图、本发明的半导体芯片封装结构俯视示意图及本发明的半导体芯片封装结构仰视示意图。如图所示利用一刀片将该焊接屏蔽256、密封剂268及绝缘基板282切割成半导体芯片封装。该半导体芯片封装结构298包含半导体芯片210、金属壁232、绕线250、焊接屏蔽256、电镀接点262、黏着剂264、连接部266、密封剂268、金属柱270、绝缘基板282及焊接端286。从图55a至图81c为本发明的第三实施例，为该半导体芯片封装结构的制作过程。与的前实施例比较在第三实施例中该金属壁及焊接层是在密封剂形成后才形成，以及少去金属柱。请参阅图55a、图55b及图55c所示，为本发明的半导体芯片结构剖面示意图、本发明的半导体芯片结构俯视示意图及本发明的半导体芯片结构仰视示意图。如图所示该半导体芯片310包含第一平面312及第二平面314。该第一平面312包含导电接脚316及钝化层318。请参阅图56a、图56b及图56c所示，为本发明的金属基板结构剖面示意图、本发明的金属基板结构俯视示意图及本发明的金属基板结构仰视示意图。如图所示该金属基板320包含第一平面322及第二平面324。请参阅图57a、图57b及图57c所示，为本发明的光阻层与金属基板的结构剖面示意图、本发明的光阻层与金属基板的结构俯视示意图及本发明的光阻层与金属基板的结构仰视示意图。如图所示该第三光阻层344及第四光阻层346形成于该金属基板320上。该第四光阻层346包含一开口及使该第一平面322局部暴露，该第三光阻层344未印有图案。请参阅图58a、图58b及图58c所示，为本发明的绕线附于金属基板时的结构剖面示意图、本发明的绕线附于金属基板时的结构俯视示意图及本发明的绕线附于金属基板时的结构仰视示意图。如图所示该绕线350是通过电镀使其被镀于该金属基板320上。请参阅图59a、图59b及图59c所示，为本发明的第三光阻层及第四光阻层剥落后的结构剖面示意图、本发明的第三光阻层及第四光阻层剥落后的结构俯视示意图及本发明的第三光阻层及第四光阻层剥落后的结构仰视示意图。如图所示为该第三光阻层344及第四光阻层346剥落后，该金属基板320及绕线350的结构示意图。请参阅图60a、图60b及图60c所示，为本发明的焊接屏蔽于金属基板及绕线时的结构剖面示意图、本发明的焊接屏蔽于金属基板及绕线时的结构俯视示意图及本发明的焊接屏蔽于金属基板及绕线时的结构仰视示意图。如图所示该焊接屏蔽356被形成于该金属基板320及绕线350上。请参阅图61a、图61b及图61c所示，为本发明的第五光阻层及第六光阻层形成后的结构剖面示意图、本发明的第五光阻层及第六光阻层形成后的结构俯视示意图及本发明的第五光阻层及第六光阻层形成后的结构仰视示意图。如图所示该第五光阻层358及第六光阻层360被形成于该结构上。其中该第五光阻层358被形成于绕线350及焊接屏蔽356上，该第六光阻层360被形成于该金属基板320上。该第五光阻层358包含一开口及使该绕线350具局部暴露部分，该第六光阻层未印有图案。请参阅图62a、图62b及图62c所示，为本发明的电镀接点形成于绕线后的结构剖面示意图、本发明的电镀接点形成于绕线后的结构俯视示意图及本发明的电镀接点形成于绕线后的结构仰视示意图。如图所示该电镀接点362是通过电镀被镀于该绕线350上。请参阅图63a、图63b及图63c所示，为本发明的第五光阻层及第六光阻层剥落后的结构剖面示意图、本发明的第五光阻层及第六光阻层剥落后的结构俯视示意图及本发明的第五光阻层及第六光阻层剥落后的结构仰视示意图。如图所示是在第五光阻层358及第六光阻层360剥落后，该金属基板320、绕线350及电镀接点362的结构示意图。请参阅图64a、图64b及图64c所示，为本发明的黏着剂形成于焊接屏蔽后的结构剖面示意图、本发明的黏着剂形成于焊接屏蔽后的结构俯视示意图及本发明的黏着剂形成于焊接屏蔽后的结构仰视示意图。如图所示该黏着剂364形成于该焊接屏蔽356上。请参阅图65a、图65b及图65c所示，为本发明具半导体芯片结构的剖面示意图、本发明具半导体芯片结构的俯视示意图及本发明具半导体芯片结构的仰视示意图。如图所示该半导体芯片310是通过该黏着剂364附着于结构上，其结构包含金属基板320、绕线350、焊接屏蔽356及电镀接点362。请参阅图66a、图66b及图66c所示，为本发明的连接部附于导电接脚及电镀接点时的结构剖面示意图、本发明的连接部附于导电接脚及电镀接点时的结构俯视示意图及本发明的连接部附于导电接脚及电镀接点时的结构仰视示意图。如图所示该连接部366形成于该导电接脚316及电镀接点362上。请参阅图67a、图67b及图67c所示，为本发明具密封剂结构的剖面示意图、本发明具密封剂结构的俯视示意图及本发明具密封剂结构的仰视示意图。如图所示该密封剂368形成于半导体芯片310、绕线350、焊接屏蔽356、电镀接点362、黏着剂364及连接部366上。请参阅图68a、图68b及图68c所示，为本发明的第二光阻层形成于金属基板的结构剖面示意图、本发明的第二光阻层形成于金属基板的结构俯视示意图及本发明的第二光阻层形成于金属基板的结构仰视示意图。如图所示该328形成于该金属基板320上。该第二光阻层328包含一开口，其开口直径为200微米及使该第二平面324局部暴露。请参阅图69a、图69b及图69c所示，为本发明的具凹口的结构剖面示意图、本发明的具凹口的结构俯视示意图及本发明的具凹口的结构仰视示意图。如图所示该穿孔330为穿过该金属基板320。该穿孔330由化学蚀刻溶液对该金属基板320的第二主要平面324局部暴露部分进行蚀刻，并利用该第二光阻层328为其蚀刻屏蔽。该底部喷嘴将化学蚀刻溶液喷射于金属基板320上，当顶部喷嘴不被使用或整体架构浸于化学蚀刻溶液时，而该密封剂368可保护前侧，该化学蚀刻溶液为高选择性的铜，并将该金属基板320蚀刻穿透。所以该穿孔330穿透该金属基板320，其介于该金属基板320的第一平面322与第二平面324之间，并使该绕线350暴露。该穿孔330于第一平面322上的直径为300微米，其深度为150微米。因此，该穿孔330与第一实施例的口130形成方法相同，除了该化学蚀刻应用时间较长使该金属基板320蚀刻穿透之外。一种适合的化学蚀刻溶液为碱性的氨水。将该金属基板320浸于化学蚀刻溶液中的理想的蚀刻时间须反复试验，为了形成具适当直径的穿孔330。请参阅图70a、图70b及图70c所示，为本发明的具金属壁的结构剖面示意图、本发明的具金属壁的结构俯视示意图及本发明的具金属壁的结构仰视示意图。如图所示该金属壁332被形成于该金属基板320及绕线350上。该金属壁332于凹口330中与该金属基板320及绕线350具电力的连接，但非整体与该金属基板320及绕线350接合。请参阅图71a、图71b及图71c所示，为本发明的模板覆盖于第二光阻层的结构剖面示意图、本发明的模板覆盖于第二光阻层的结构俯视示意图及本发明的模板覆盖于第二光阻层的结构仰视示意图。如图所示该模板338覆盖于该第二光阻层328上。请参阅图72a、图72b及图72c所示，为本发明的锡膏沉积于金属壁的结构剖面示意图、本发明的锡膏沉积于金属壁的结构俯视示意图及本发明的锡膏沉积于金属壁的结构仰视示意图。如图所示该锡膏340沉积于金属壁332上。请参阅图73a、图73b及图73c所示，为本发明的移去模板后的结构剖面示意图、本发明的移去模板后的结构俯视示意图及本发明的移去模板后的结构仰视示意图。如图所示该模板338从该第二光阻层328移除。请参阅图74a、图74b及图74c所示，为本发明的锡膏形成焊接层后的结构剖面示意图、本发明的锡膏形成焊接层后的结构俯视示意图及本发明的锡膏形成焊接层后的结构仰视示意图。如图所示该焊接层342由该锡膏340形成。请参阅图75a、图75b及图75c所示，为本发明的第二光阻层剥落后的结构剖面示意图、本发明的第二光阻层剥落后的结构俯视示意图及本发明的第二光阻层剥落后的结构仰视示意图。如图所示是在第二光阻层328剥落后，该半导体芯片310、金属基板320、金属壁332、焊接层342、绕线350、电镀接点362、黏着剂364、连接部366及密封剂368的结构示意图。请参阅图76a、图76b及图76c所示，为本发明的金属基板移除后的结构剖面示意图、本发明的金属基板移除后的结构俯视示意图及本发明的金属基板移除后的结构仰视示意图。如图所示该金属基板320由一种背边式湿式化学蚀刻溶液对该第二主要平面324、金属壁332及焊接层342进行蚀刻。如该底部喷嘴将化学蚀刻溶液喷射于金属基板320上，当顶部喷嘴不被使用或整体架构浸于化学蚀刻溶液时，而该密封剂368可保护前侧，当铜对镍、锡料、环氧树脂及注模材料时适用该湿式化学蚀刻，所以，该金属基板320对该金属壁332、焊接层342、该绕线350的镍层、焊接屏蔽356及密封剂368时采用该湿式化学蚀刻。该湿式化学蚀刻将该金属基板蚀刻并移除。所以，该湿式化学蚀刻移除该金属壁332、绕线350及焊接屏蔽356与该金属基板320间所接触的区域。因此，该金属基板320被移除与第一实施例的金属基板120被蚀刻形成金属柱170的方法相同，除了该化学蚀刻应用时间较长使该金属基板320蚀刻移除之外。一种适合的化学蚀刻溶液为碱性的氨水。将该金属基板320浸于化学蚀刻溶液中的理想的蚀刻时间须反复试验，为了可移除该金属基板320但不使该金属壁332及绕线350暴露于化学蚀刻溶液中。请参阅图77a、图77b及图77c所示，为本发明的绝缘基板形成后的结构剖面示意图、本发明的绝缘基板形成后的结构俯视示意图及本发明的绝缘基板形成后的结构仰视示意图。如图所示该绝缘基板382形成于金属壁332、焊接层342、绕线350及焊接屏蔽356上。请参阅图78a、图78b及图78c所示，为本发明的部分绝缘基板移除后的结构剖面示意图、本发明的部分绝缘基板移除后的结构俯视示意图及本发明的部分绝缘基板移除后的结构仰视示意图。如图所示是在部分绝缘基板382被移除后的结构示意。请参阅图79a、图79b及图79c所示，为本发明的锡球形成后的结构剖面示意图、本发明的锡球形成后的结构俯视示意图及本发明的锡球形成后的结构仰视示意图。如图所示该锡球384形成于焊接层342上。请参阅图80a、图80b及图80c所示，为本发明的焊接端形成后的结构剖面示意图、本发明的焊接端形成后的结构俯视示意图及本发明的焊接端形成后的结构仰视示意图。如图所示该焊接端386由焊接层342与锡球384所形成。请参阅图81a、图81b及图81c所示，为本发明的半导体芯片封装结构剖面示意图、本发明的半导体芯片封装结构俯视示意图及本发明的半导体芯片封装结构仰视示意图。如图所示该金属壁332只与绕线350、绝缘基板382及焊接层386接合，该半导体芯片封装结构没有金属柱。该半导体芯片封装结构398包含半导体芯片310、金属壁332、绕线350、焊接屏蔽356、电镀接点362、黏着剂364、连接部366、密封剂368、绝缘基板382及焊接端386。请参阅图82a、图82b及图82c所示，为本发明的第四实施例的半导体芯片封装结构剖面示意图、本发明的第四实施例的半导体芯片封装结构俯视示意图及本发明的第四实施例的半导体芯片封装结构仰视示意图。如图所示于第四实施例中，该半导体芯片为覆晶接合。首先该连接部466为一焊锡凸块(asolderbump)沉积于该导电接脚416上，该焊锡凸块为一半球体，其直径为100微米。为了简短的目的，与第一实施例有相同的描述，不须要被重复。同样地，该第四实施例的组件与第一实施例相似具有相应的参考编号，如半导体芯片410对应于半导体芯片110，绕线450对应于绕线150…等。该绕线450于该半导体芯片410的周围扩展延伸。因此该长形绕线部分(相对于第一实施例中组件标号152)加长。进一步调整第一实施例中的经电镀形成的绕线150。特别地，该第三光阻层(相对于第一实施例的第三光阻层144)具有图案并重新形成一开口于绕线450上，因此该绕线450比第一实施例的绕线150变得更长。该电镀接点(相对于第一实施例的电镀接点162)被省略。该半导体芯片410的第一平面412面向下，其第二平面412面向上，该绕线450向侧面延伸经过导电接脚416，该连接部466介于导电接脚416与绕线450之间并与其接触。然后进行加热使该连接部466产生流动，停止加热使该连接部466冷却凝固形成一硬化的焊接点可附着于该导电接脚416及绕线450并使该导电接脚416及绕线450间电连接。该连接部466有局部性润湿但不致于倒塌，而该半导体芯片410与该绕线450隔离。之后，该黏着剂464填入半导体芯片410及焊接屏蔽456之间，然后使该黏着剂464硬化。所以该黏着剂464被夹于半导体芯片410及焊接屏蔽456间并与该半导体芯片410及焊接屏蔽456接合，亦与该连接部466接合，未与该导电接脚416接触。因此该黏着剂464与第一实施例的黏着剂164较厚。一种合适的黏着剂为NamicsU8443。该密封剂468、金属柱470、绝缘基板482及焊接端486被形成。该半导体芯片封装结构498包含半导体芯片410、金属壁432、绕线450、焊接屏蔽456、黏着剂464、连接部466、密封剂468、金属柱470、绝缘基板482及焊接端486。请参阅图83a、图83b及图83c所示，为本发明的第五实施例的半导体芯片封装结构剖面示意图、本发明的第五实施例的半导体芯片封装结构俯视示意图及本发明的第五实施例的半导体芯片封装结构仰视示意图。如图所示于第五实施例中，该连接部经电镀所形成。为了简短的目的，与第一实施例有相同的描述，不须要被重复。同样地，该第五实施例的组件与第一实施例相似具有相应的参考编号，如半导体芯片510对应于半导体芯片110，绕线550对应于绕线150…等。该导电接脚516可容纳一电镀铜的连接部，是通过形成一镍表面层于该铝基板上。如该半导体芯片510被浸泡于一锌溶液，使一锌层沉积于铝基板上。该方法为锌化(zincation)。该锌溶液包含150克/公升的氢氧化钠、25克/公升的氧化锌及1克/公升的亚硝酸钠，就像酒石酸可减少该铝基板的分解速率。然后该镍表面层无电地沉积于经锌化的铝基板。一种合适的无电镍电镀溶液为于摄氏85度下的EnthoneEnplateNI-424。该绕线550是在于该半导体芯片510的边缘内及边缘外延伸。因此该长形绕线部分(相对于第一时施例中的长形绕线部分152)变得更长，是通过对于第一实施例中绕线由电镀形成的处理过程作轻微地调整。该第三光阻层(相对于第一时施例中的第三光阻层144)印有图案并重新形成一开口于绕线550，使该绕线550比第一实施例中的绕线150变得更长。该金属基板(相对于第一时施例中的金属基板120)被蚀刻形成一第二背侧凹口(图中未示)，该电镀接点(相对于第一时施例中的电镀接点162)被删除，该黏着剂564沉积于该绕线550及焊接屏蔽556上。该半导体芯片510被倒装，其中该第一平面512朝向下方及该第二平面514朝向上，该黏着剂564与该导电接脚516及绕线550接触，并被夹于该导电接脚516与绕线550间，并与该导电接脚516与绕线550互有接触，于该导电接脚516与绕线550间的厚度为5微米，该绕线550与导电接脚516有部分重迭。接着，该密封剂568被形成，然后该金属基板再被蚀刻转换该第二背侧凹口为一狭槽(slot)(图中未示)，该狭槽延伸并穿透该金属基板，使该焊接屏蔽556暴露，并与该导电接脚516呈垂直排列。然后，该穿孔565(through-hole)被形成于该焊接屏蔽556及黏着剂564内，并使该导电接脚516暴露。当该焊接屏蔽556及黏着剂564对该导电接脚516及绕线550时采用合适的蚀刻方法形成穿孔565。在这实施例中选用一种aTEACO2激光蚀刻方法。该激光是指向该导电接脚516，并于该导电接脚516垂直对齐并集中于该导电接脚516。该激光具有一光点，其大小为70微米，该导电接脚516的长度及宽度为100微米。该激光击中该导电接脚516及部分的绕线550，该焊接屏蔽556及黏着剂564是在该导电接脚516的边缘内延伸，并融化该焊接屏蔽556及黏着剂564。该激光钻穿该部分的焊接屏蔽556及黏着剂564，并移除部分的焊接屏蔽556及黏着剂564。然而部分的焊接屏蔽556及黏着剂564延伸经过该导电接脚516的边缘，但于该激光能接触的范围外。同样地，该绕线550于激光蚀刻中可保护一部分的黏着剂564，该一部分的黏着剂564被夹于该导电接脚516及绕线550之间并相互接合。该激光蚀刻非等向性，所以有小部分的黏着剂564被夹于导电接脚516及绕线550之间被移除或切除。该穿565能轻微地切除于该导电接脚516与绕线550间的黏着剂564，因该激光束的角度、激光的温度及等离子氧的等向性或化学清洗方式，使该穿565的直径稍大于70微米。为了说明方便，有稍微的切割及扩张被省略。然后该凹口565的形成没有对该半导体芯片510或绕线550产生损害，亦没延伸至该半导体芯片510内部。然后利用简短的清洗步骤使该导电接脚516及绕线550暴露的部分可移除氧化物及碎片。如一种简短的等离子氧清洗方法应用于结构上，或者选择一种利用具高锰酸钾溶液的简短的化学清洗方法应用于结构上。上述的清洗方法皆能清洗导电接脚516及绕线550暴露的部分，并不损害整体结构。该连接部566是通过电镀而被形成，首先该金属基板连接至一电镀总线(图中未示)，该电镀总线使用外部电源，整体结构被浸于一电解铜电镀溶液，其溶液如于室温的Sel-RexCUBATHMTM。所以该连接部566镀于该金属基板暴露的部分。另外从该电镀总线提供电流给金属基板，所以该金属基板将提供电流给绕线550，该连接部566镀于穿孔565内绕线550暴露的部分。于这阶段一开始，从该黏着剂564为一绝缘体，而该导电接脚516并未与电镀总线连接，该连接部566未镀于导电接脚516上，并与该导电接脚516隔离。然而，当持续进行铜电镀时，该连接部566持续镀于绕线550上，并往黏着剂564延伸穿透，最后与该导电接脚516接触。该导电接脚516被连接至该电镀总线是通过该金属基板、绕线550及连接部566，所以该连接部566开始可镀于导电接脚516上。持续进行铜电镀直到该连接部566达到所需要的厚度。然后将整体结构从电解铜电镀溶液移出，并用蒸馏水清洗去除污染物。接着该绝缘塞569(insulativeplug)被形成于焊接屏蔽556及连接部566上，并沉积于狭槽中，然后该金属壁570，绝缘基板582及焊接端586被形成。该半导体芯片封装结构598包含半导体芯片510、金属壁532、绕线550、焊接屏蔽556、黏着剂564、连接部566、密封剂568、绝缘塞569、金属柱570、绝缘基板582及焊接端586。请参阅图84a、图84b及图84c所示，为本发明的第六实施例的半导体芯片封装结构剖面示意图、本发明的第六实施例的半导体芯片封装结构俯视示意图及本发明的第六实施例的半导体芯片封装结构仰视示意图。如图所示于第六实施例中该连接部为无电电镀。为了简短的目的，与第一实施例有相同的描述，不须要被重复。同样地，该第六实施例的组件与第一实施例相似具有相应的参考编号，如半导体芯片610对应于半导体芯片110，绕线650对应于绕线150…等。该导电接脚616包含一镍层，与第五实施例中的导电接脚516形成方法相同，该绕线650与第五实施例中的绕线550形成方法相同，该黏着剂664沉积于绕线650及焊接屏蔽656与第五实施例中的黏着剂564沉积于绕线550及焊接屏蔽556形成方法相同，该电镀接点(相对于第一实施例中的电镀接点162)被省略。该半导体芯片610被倒装，其中该第一平面612于下方及该第二平面614于上方，该黏着剂664介于该导电接脚616与绕线650之间，并与该导电接脚516与绕线550互有接触，其间的厚度为5微米，该绕线650与导电接脚616有部分重迭。接着，该密封剂668被形成，然后该金属基板被蚀刻形成一金属柱670。接着，该穿孔656被形成于该焊接屏蔽656及黏着剂664内，并使该导电接脚616暴露。该穿孔665与第五实施例中的凹口565形成方法相同。接着，该连接部666是通过电镀而被形成。整体结构被浸于一电解镍电镀溶液，其溶液如于摄氏85度的EnthoneEnplateNI-424。较好的电解镍电镀溶液包含硫酸镍(nickel-sulfate)及氯化镍(nickel-chloride)，其溶液的pH值约介于9.5至10.5之间。具高浓度的电解镍电镀溶液加快电镀速率(afasterplatingrate)，但降低该溶液的稳定性。该溶液中具一定数量的螫合剂(chelatingagents)或配位体(ligands)依据镍的浓度及它们的化学结构、功能性及当量。大部分的螫合剂被用于无电镍电镀溶液为有机羟基酸(hydroxyorganicacids)，形成一或多个水溶性镍环形复合物。上述的复合物减少自由基镍离子浓度，因此增加该溶液的稳定性，并保有快速的电镀速率。一般来说，该复合剂具有高浓度，并降低电镀速率。另外当持续进行无电电镀时，该溶液的pH值及电镀速率持续递减，归因于氢氧离子被注入该溶液中为镍还原的副产物。于是该溶液被缓冲并补偿受该氢氧离子的影响。合适的缓冲剂包含单原子(mono)的钠(sodium)盐或钾(potassium)盐及二元的有机酸(dibasicorganicacids)。最后，由上述的过程可知该无电镍电镀溶液不会沉积纯元素镍，因还原剂(reducingagent)如H2PO2将自然地分解于无电电镀镍的过程中。所以经上述可得知无电电镀镍的过程中，该镍的化合物几乎为镍但不是纯元素镍。该导电接脚616包含一被暴露的镍表面层，所以该导电接脚616与无电镍有接触反应。而且该焊接屏蔽656、黏着剂664及密封剂668不与该无电镍有接触反应，所以不须使用电镀屏蔽。该连接部666镀于导电接脚616上，并与该导电接脚616及于穿孔665中绕线650接触，且使该导电接脚616及于穿孔665中绕线650间电连接。当持续进行无电镀镍处理直到该连接部666的厚度约为10微米。然后整体架构从无电镀镍溶液中移出，并以蒸馏水清洗。接着，该绝缘基板682及焊接端686被形成。该半导体芯片封装结构698包含半导体芯片610、金属壁632、绕线650、焊接屏蔽656、黏着剂664、连接部666、密封剂668、金属柱670、绝缘基板682及焊接端686。请参阅图85a、图85b及图85c所示，为本发明的第七实施例的半导体芯片封装结构剖面示意图、本发明的第七实施例的半导体芯片封装结构俯视示意图及本发明的第七实施例的半导体芯片封装结构仰视示意图。如图所示于第七实施例中，该焊接层提供该焊接端。为了简短的目的，与第一实施例有相同的描述，不须要被重复。同样地，该第七实施例的组件与第一实施例相似具有相应的参考编号，如半导体芯片710对应于半导体芯片110，绕线750对应于绕线150…等。该锡球(相对于第一实施例中的锡球184)被省略，所以该焊接层(相对于第一实施例中的焊接层142)提供该焊接端786。该焊接端786被置于孔洞734内，该金属壁732、绝缘基板782及焊接端786被横向相互排列于一朝向下的平面上。因此一暴露的水平面朝向下，并包含金属壁732、绝缘基板782及焊接端786。而且每一导电迹线包含一横向排列的焊接端提供一平面栅格阵列构装。该半导体芯片封装结构798包含半导体芯片710、金属壁732、绕线750、焊接屏蔽756、电镀接点762、黏着剂764、连接部766、密封剂768、金属柱770、绝缘基板782及焊接端786。请参阅图86a、图86b及图86c所示，为本发明的第八实施例的半导体芯片封装结构剖面示意图、本发明的第八实施例的半导体芯片封装结构俯视示意图及本发明的第八实施例的半导体芯片封装结构仰视示意图。如图所示于第八实施例中，利用激光消熔(laserablation)将该绝缘基板部分移除。为了简短的目的，与第一实施例有相同的描述，不须要被重复。同样地，该第六实施例的组件与第一实施例相似具有相应的参考编号，如半导体芯片610对应于半导体芯片110，绕线650对应于绕线150…等。该绝缘基板882于没有使用填充剂(filler)时被形成。所以该金属基板882于激光蚀刻时比第一实施例中的金属基板182更敏感。而研磨处理被删除，以具选择性的TEACO2激光蚀刻取代并利用复合的激光直写头。该激光被指向该焊接层(相对于第一实施例的焊接层142)。该激光的光点大小为100微米。而且该激光直写头(laserdirectwrites)相互偏移尚未重迭，使该激光扫描焊接层的中心部分，其扫描直径为150微米。在这方法中，该激光直写头(laserdirectwrites)呈垂直地排列并集中于金属壁832、金属柱870及焊接层上。所以该激光光击中该焊接层，并蚀刻绝缘基板882与焊接层重迭的部分，且消熔该绝缘基板882。该激光钻穿并移除部分的绝缘基板882。然后一部分的绝缘基板882延伸并穿过该焊接层的边缘，但于被激光击中的范围外。因此，该绝缘基板882仍与该焊接层有接触及重迭，但不再覆盖于该焊接层上。接着利用简短的清洗步骤使该焊接层暴露的部分可移除氧化物及碎片。如一种简短的等离子氧清洗方法应用于结构上，或者选择一种利用具高锰酸钾溶液的简短的化学清洗方法应用于结构上。上述的清洗方法皆能清洗焊接层暴露的部分，并不损害整体结构。该开口883被形成于该绝缘基板882上，并垂直延伸至该绝缘基板882但并未穿透该绝缘基板882，并被置于该半导体芯片810的边缘，且与金属壁832、金属柱870及焊接层呈垂直地排列，该开口883使该焊接层暴露，并与该金属壁832、绕线850、焊接屏蔽856及金属柱870分离，该开口883的直径为150微米。该开口883的形成没对焊接层造成损伤或延伸至该焊接层内。该开口883的直径可能有稍大于150微米，归因于该激光束的角度、激光温度及等离子氧的等向性或化学清洗方法。为了说明方便，其中有稍微扩张部分省略。接着该焊接端886被形成。该焊接端886是在该该开口883的内部及外部延伸，并填满该开口883，且从该绝缘基板882向下延伸。而且虽然该焊接端886延伸至该绝缘基板882内的整体部分是在该孔洞834的表面区域内。该半导体芯片封装结构898包含半导体芯片810、金属壁832、绕线850、焊接屏蔽856、电镀接点862、黏着剂864、连接部866、密封剂868、金属柱870、绝缘基板882及焊接端886。请参阅图87a、图87b及图87c所示，为本发明的第九实施例的半导体芯片封装结构剖面示意图、本发明的第九实施例的半导体芯片封装结构俯视示意图及本发明的第九实施例的半导体芯片封装结构仰视示意图。如图所示于第九实施例中，利用等离子蚀刻将该绝缘基板部分移除。为了简短的目的，与第一实施例有相同的描述，不须要被重复。同样地，该第九实施例的组件与第一实施例相似具有相应的参考编号，如半导体芯片910对应于半导体芯片110，绕线950对应于绕线150…等。该绝缘基板982于没有使用填充剂(filler)时被形成。所以该金属基板982于激光蚀刻时比第一实施例中的金属基板182更敏感而研磨过程被省略，进一步以毯覆式背边式等离子蚀刻取代并应用于结构中。当环氧树脂对镍及锡料时采用等离子蚀刻，所以当该绝缘基板982对金属壁932及焊接端986时采用等离子蚀刻。该等离子蚀刻可从绝缘基板982的较低部分可移除80微米的厚度。所以该金属壁932及焊接端986从绝缘基板982向下延伸，并使该绝缘基板982被凹入，相对于金属壁932及焊接端956于向下方向。而且该绝缘基板982从该金属柱970向下扩展，该金属柱970为未暴露的。该半导体芯片封装结构998包含半导体芯片910、金属壁932、绕线950、焊接屏蔽956、电镀接点962、黏着剂964、连接部966、密封剂968、金属柱970、绝缘基板982及焊接端986。请参阅图88a、图88b及图88c所示，为本发明的第十实施例的半导体芯片封装结构剖面示意图、本发明的第十实施例的半导体芯片封装结构俯视示意图及本发明的第十实施例的半导体芯片封装结构仰视示意图。如图所示于第十实施例中，没有绝缘基板。为了简短的目的，与第一实施例有相同的描述，不须要被重复。同样地，该第十实施例的组件与第一实施例相似具有相应的参考编号，如半导体芯片1010对应于半导体芯片110，绕线1050对应于绕线150…等。该绝缘基板(相对于第一实施例中的绝缘基板182)被删除，所以于本实施例不需要研磨。该半导体芯片封装结构1098包含半导体芯片1010、金属壁1032、绕线1050、焊接屏蔽1056、电镀接点1062、黏着剂1064、连接部1066、密封剂1068、金属柱1070及焊接端1086。请参阅图89a、图89b及图89c所示，为本发明的第十一实施例的半导体芯片封装结构剖面示意图、本发明的第十一实施例的半导体芯片封装结构俯视示意图及本发明的第十一实施例的半导体芯片封装结构仰视示意图。如图所示于第十一实施例中，该金属壁与绕线同时被形成。为了简短的目的，与第一实施例有相同的描述，不须要被重复。同样地，该第十一实施例的组件与第一实施例相似具有相应的参考编号，如半导体芯片1110对应于半导体芯片110，绕线1150对应于绕线150…等。该金属壁1132及绕线1150同时于电镀过程中被形成，对第一实施例中的形成金属壁132的电镀过程作稍微调整。特别地，该第一光阻层(相对于第一实施例中的第一光阻层126)与第三光阻层(相对于第一实施例中的第三阻层144)一样印有图案形成绕线1150。而且该凹口(相对于第一实施例中的凹口130)是通过一种背边式湿式化学蚀刻形成，并不使用前侧式湿式化学蚀刻(front-sidewetchemicaletch)，因此该第一光阻层(相对于第一实施例中的第一光阻层126)具选择性地使该金属基板(相对于第一实施例中的金属基板120)的第一平面暴露。例如，该底部喷嘴能喷射湿式化学蚀刻溶液于金属基板(相对于第一实施例中的金属基板120)上，当该顶部喷嘴不被使用时。接着该金属壁1132及绕线1150同时地分别被镀于金属基板上。所以该金属壁1132及绕线1150皆由一镀于金属基板的镍层及一镀于镍层的金层所组成。而且该镍层的厚度为30微米。于金属壁1132及绕线1150两者中，该镍层被夹于该金属基板及金层间，并被金层覆盖，且该镍层的厚度为30微米，而该金层与该镍层接合，但与该金属基板隔离，该金层的表面被暴露，其厚度为0.1微米。此外，该第三光阻层及第四光阻层(相对于第一实施例中的第三光阻层144及第四光阻层146)于电镀过程形成绕线1150被删除。然后该焊接层(相对于第一实施例中的焊接层142)、焊接屏蔽1156、电镀接点1162及黏着剂1164被形成，该半导体芯片1110被装置于该黏着剂1164上，然后该连接部1166、密封剂1168、金属柱1170、绝缘基板1182及焊接端1186被形成。该半导体芯片封装结构1198包含半导体芯片1110、金属壁1132、绕线1150、焊接屏蔽1156、电镀接点1162、黏着剂1164、连接部1166、密封剂1168、金属柱1170、绝缘基板1182及焊接端1186。请参阅图90a、图90b及图90c所示，为本发明的第十二实施例的半导体芯片封装结构剖面示意图、本发明的第十二实施例的半导体芯片封装结构俯视示意图及本发明的第十二实施例的半导体芯片封装结构仰视示意图。如图所示于第十二实施例中，该金属壁及电镀接点同时地被形成。为了简短的目的，与第一实施例有相同的描述，不须要被重复。同样地，该第十二实施例的组件与第一实施例相似具有相应的参考编号，如半导体芯片1210对应于半导体芯片110，绕线1250对应于绕线150…等。该金属壁1232及电镀接点1262于电镀过程中同时地被形成，对第一实施例中形成金属壁132的电镀过程作稍微调整。特别地，于该绕线1250及焊接屏蔽1256被形成后，该第一光阻层(相对于第一实施例中的第一光阻层126)与第五光阻层(相对于第一实施例中的第五光阻层158)一样具有图案。然后，该凹口(相对于第一实施例中的凹口130)是通过一种背边式湿式化学蚀刻形成，并不使用前侧式湿式化学蚀刻，因此该第一光阻层(相对于第一实施例中的第一光阻层126)具选择性地使该绕线1250的铜层暴露。例如，该底部喷嘴能喷射湿式化学蚀刻溶液于金属基板(相对于第一实施例中的金属基板120)上，当该顶部喷嘴不被使用时。接着该金属壁1232及电镀接点1262同时地分别被镀于金属基板及绕线1250上。所以该金属壁1232及电镀接点1262皆由一10微米厚的镍层及一0.1微米厚的金层所组成。此外，该第五光阻层、第六光阻层(相对于第一实施例中的第五光阻层158及第六光阻层160)于电镀过程中形成电镀接点1162被删除。接着，该焊接层(相对于第一实施例中的焊接层142)及黏着剂1264被形成，该半导体芯片1210被装置于该黏着剂1264上，然后该连接部1266、密封剂1268、金属柱1270、绝缘基板1282及焊接端1286被形成。该半导体芯片封装结构1298包含半导体芯片1210、金属壁1232、绕线1250、焊接屏蔽1256、电镀接点1262、黏着剂1264、连接部1266、密封剂1268、金属柱1270、绝缘基板1282及焊接端1286。请参阅图91a、图91b及图91c所示，为本发明的第十三实施例的半导体芯片封装结构剖面示意图、本发明的第十三实施例的半导体芯片封装结构俯视示意图及本发明的第十三实施例的半导体芯片封装结构仰视示意图。如图所示于第十三实施例中，该金属壁、金属柱及焊接端被配置于该半导体芯片的边缘内。为了简短的目的，与第一实施例有相同的描述，不须要被重复。同样地，该第十三实施例的组件与第一实施例相似具有相应的参考编号，如半导体芯片1310对应于半导体芯片110，绕线1350对应于绕线150…等。该绕线1350是在该半导体芯片的边缘内及边缘外延伸，该金属壁1332、金属柱1370及焊接端1386被配置于该半导体芯片1310的周边内，是通过对第一实施例中的凹口130及绕线150的电镀过程作稍微地调整。特别地，该第二光阻层(相对于第一实施例中的第二光阻层128)印有图案，并改变横向于该凹口(相对于第一实施例中的凹口130)的开口，所以该凹口相对于该凹口130已被改变。接着该第三光阻层(相对于第一实施例中的第三光阻层144)印有图案使形成绕线1350的开口重新形成。所以该金属壁1332、金属柱1370及焊接端1386被配置于该半导体芯片1310的周边内。该半导体芯片封装结构1398包含半导体芯片1310、金属壁1332、绕线1350、焊接屏蔽1356、电镀接点1362、黏着剂1364、连接部1366、密封剂1368、绝缘基板1382及焊接端1386。请参阅图92a、图92b及图92c所示，为本发明的第十四实施例的半导体芯片封装结构剖面示意图、本发明的第十四实施例的半导体芯片封装结构俯视示意图及本发明的第十四实施例的半导体芯片封装结构仰视示意图。如图所示于第十四实施例中，该金属柱被上下颠倒。为了简短的目的，与第一实施例有相同的描述，不须要被重复。同样地，该第十四实施例的组件与第一实施例相似具有相应的参考编号，如半导体芯片1410对应于半导体芯片110，绕线1450对应于绕线150…等。该金属基板(相对于第一实施例中的金属基板120)的厚度为500微米。该凹口(相对于第一实施例中的凹口130)及金属壁1432被形成于金属基板的第一主要平面(相对于第一实施例中的第一主要平面122)，该焊接层(相对于第一实施例中的焊接层142)被形成于金属壁1432上，该绕线1450被形成于金属基板的第二平面(相对于第一实施例中的第二主要平面124)，该焊接屏蔽(相对于第一实施例中的焊接屏蔽152)被删除。接着，该绝缘基板1482被置于该绕线1450及金属基板上，然后该绝缘基板的部分为可聚合的并形成一胶体(gel)。接着，整体结构被置于一与第一实施例的金属基板120相似的支撑物，当该绝缘基板1482为胶体时，该绝缘基板1482与该支撑物接触并被夹于该金属基板与支撑物间及该绕线1450与支撑物，然后该绝缘基板1482变硬。接着，该金属柱1470被形成，然后该电镀接点1462被形成。再来，该黏着剂1464被置于绝缘基板1482上，然后该半导体芯片1410被置于黏着剂1464上，接着该黏着剂1464变硬。该金属柱1470不被配置于该半导体芯片1410的下方，反而向上扩展并超过该半导体芯片1410的厚度。而且该金属柱1470的厚度为420微米。接着，该连接部1466被形成，该密封剂1468随后被形成。该密封剂1468与第一实施例的绝缘基板182相似，其厚度为600微米。于是，该密封剂1468被置于该半导体芯片1410、绕线1450、黏着剂1464、连接部1466、金属柱1470及绝缘基板1462上，而该密封剂1468变硬。之后，该密封剂1468被研磨，并使该金属壁1432及焊接层暴露，随后该焊接端1486被形成。该半导体芯片封装结构1498包含半导体芯片1410、金属壁1432、绕线1450、电镀接点1462、黏着剂1464、连接部1466、密封剂1468、金属柱1470、绝缘基板1482及焊接端1486。请参阅图93a、图93b及图93c所示，为本发明的第十五实施例的半导体芯片封装结构剖面示意图、本发明的第十五实施例的半导体芯片封装结构俯视示意图及本发明的第十五实施例的半导体芯片封装结构仰视示意图。如图所示于第十五实施例中，该半导体芯片封装结构为多芯片构装。为了简短的目的，与第一实施例有相同的描述，不须要被重复。同样地，该第十五实施例的组件与第一实施例相似具有相应的参考编号，如半导体芯片1510对应于半导体芯片110，绕线1550对应于绕线150…等。该电镀接点1562被延长，对第一实施例中形成电镀接点162的电镀过程作稍微调整。特别地，该第五光阻层(相对于第一实施例中的第五光阻层158)具有图案，并使形成电镀接点1562的开口延长，所以该电镀接点1562相对于第一实施例的电镀接点162变得更长。该半导体芯片1510与该焊接屏蔽1556通过该第一黏着剂1564呈机械连接，并与该绕线1550通过第一连接部1566具有电连接。接着，该第二黏着剂1565被配置于第一半导体芯片1510上，其为一区隔第一半导体芯片1510及第二半导体芯片1511的硅胶，然后该第二半导体芯片1511(包含导电接脚1517与于第一半导体芯片1510的导电接脚1516一样)被置于该第二黏着剂1565上，该第二黏着剂1565被夹于第一半导体芯片1510及第二半导体芯片1511之间，然后将整体结构放于烘箱中，使该第二黏着剂1565于相对低温下被硬化形成固态绝缘黏着层(solidadhesiveinsulativelayer)，使该第一半导体芯片1510与第二半导体芯片1511间具物理性连接，其相对低温的范围介于150度至200度之间，而该第二黏着剂1565介于第一半导体芯片1510与第二半导体芯片1511间的厚度为100微米，并使该第一半导体芯片1510与第二半导体芯片1511被分隔，且互相成垂直地排列。一种合适的分隔剂(spacerpaste)为HysolQMI500。然后，该第二半导体芯片1511与绕线1550通过第二连接部1567具有电连接，与该第一半导体芯片1510与绕线1550通过第二连接部1566具有电连接一样的方法。之后，该密封剂1568被形成，其厚度为700微米，该密封剂1568与该第一半导体芯片1510、第二半导体芯片1511、绕线1550、焊接屏蔽1556、电镀接点1562、第一黏着剂1564、第二黏着剂1565、第一连接部1566及第二连接部1567接触并覆盖在其上。该金属柱1570、绝缘基板1582及焊接端1582随后被形成。该半导体芯片封装结构为多芯片第一层次构装(multi-chipfirst-levelpackage)。该第一半导体芯片1510及第二半导体芯片1511被嵌入该密封剂1568。而且该第一导电接脚1516与焊接端1586间不仅包含并且需要金属壁1532、绕线1550、电镀接点1567及金属柱1570构成一具电力的导电路径，另该第二导电接脚1517与焊接端1586间不仅包含并且需要金属壁1532、绕线1550、电镀接点1567及金属柱1570构成一具电力的导电路径。因此该第一半导体芯片1510及第二半导体芯片1511皆被嵌入于该密封剂1568，并通过该金属壁1532、绕线1550、电镀接点1567及金属柱1570所构成的具电力的导电路径与该焊接端1568呈电连接。该半导体芯片封装结构1598包含第一半导体芯片1510、第二半导体芯片1511、金属壁1532、绕线1550、焊接屏蔽1556、电镀接点1562、第一黏着剂1564、第二黏着剂1565、第一连接部1566、第二连接部1567、密封剂1568、金属柱1570、绝缘基板1582及焊接端1586。请参阅图94、图95、图96、图97及图98所示，为本发明的第十六至二十实施例的金属柱结构剖面示意图。如图所示当进行湿式化学蚀刻时，第十六至二十实施例中的金属柱1670、1770、1870、1970及2070逐渐变狭窄并切割该金属壁，例如通过增加蚀刻浓度或蚀刻时间。该金属柱1670、1770、1870、1970及2070亦为锥形，当金属柱向下延伸，其直径将持续地缩减。此外，每一金属柱包含一上方平面(相对于第一实施例中该金属柱170的第一平面172)、一下方平面(相对于第一实施例中该金属柱170的第二平面174)，及一锥表面(相对于第一实施例中该金属柱170的锥表面176)，于这些之间，该下方平面集中地被置于上方平面的表面积范围内，而该下方平面的表面积至少比上方平面的表面积大20％。上述的实施例中的半导体芯片封装结构只为示范的实例。还有很多实施例为可考虑的，例如将该焊接屏蔽、电镀接点、金属柱及绝缘基板删除。另外，上述的实施例可互相结合应用，例如于第二实施例的密封剂后形成焊接层，以及于第三实施例的密封剂后形成金属壁及焊接层能被用在其它实施例上。同样地，该于第四实施例的覆晶接合及于第五及第六实施例的经电镀的连接部被用在其它实施例中，除了于第十五实施例的多芯片半导体芯片封装结构外，因为该半导体芯片无法被倒装。同样地，于第七实施例被用在其它实施例中。于第八及第九实施例的绝缘基板及于第十实施例中被删除的绝缘基板同样地可被用在其它实施例中。于第十一实施例中同时被形成的金属壁及绕线与第十二实施例中同时被形成的金属壁及电镀接点同样地可被用在其它实施例中。于第十三及第十四实施例的金属壁、金属柱及焊接端同样地可被用在其它实施例中。于第十五实施例的多芯片半导体芯片封装结构同样地可用在其它实施例中，除了第四至第六实施例，因为该半导体芯片无法被倒装。于第六、第七、第八、第九及第十二实施例的金属柱同样地被用于第一、第二及第四至第十五实施例中，但不能用于第三实施例，因为该金属柱被删除。上述的实施例互相混合搭配成其它实施例，可随设计上及可靠性上的考虑而定。该金属基板于该半导体芯片的边界内不须要被移除，例如该一部分的金属基板于半导体芯片的边界内延伸并于该金属壁分隔，仍能保持完整并提供一散热器(heatsink)。该金属壁为各种不同材料，其材料包括铜、金、镍、钯、钛、焊锡及上述材料的结合，该金属壁通过各种方式被形成，其方式包括电镀、无电电镀、印刷、回流及上述方式的结合，该金属壁为单层或多层并具有不同形状及尺寸，例如该金属壁的形成可由单一方式如电镀或锡膏沉积与反流，或复杂方式如随锡膏沉积与反流时进行电镀。而该金属壁包括一孔洞，其孔洞为单金属面，该单金属面为不同的湿润金属(wettablemetals)，其包括金、钛及锡料，特别在于该锡料发生回流或不同的非湿润金属(non-wettablemetals)时，特别在于该锡料已经发生反流或没有发生。另外，该孔洞具有一开口，其开口形状为圆形、长方形或正方形。于该绕线被沉积于金属基板前、于该绕线被沉积于金属基板之间或于该绕线被沉积于金属基板后；于该电镀接点被沉积于绕线前、于该电镀接点被沉积于绕线之间或于该电镀接点被沉积于绕线后；于该半导体芯片与绕线连接前或于该半导体芯片与绕线连接后；于该密封剂被形成前或于该密封剂被形成后；以及于该连接部被形成前、于该连接部被形成之间或于该连接部被形成后，该金属壁被沉积于金属基板上。例如，经电镀的金属壁能同时与绕线、电镀接点或连接部被形成，因此改善制造产率。第二光阻层128是在该金属壁被移除时被形成前或于该第二光阻层是在该金属壁被移除时被形成后，该焊接层被形成于金属壁上。例如，该光阻层存在于该锡膏进行沉积与回流，局限该焊接层被形成于金属壁内，而该金属仍为完整的情形下。该绕线为不同的导电金属，其包括铜、金、镍、银、钯、钛、上述金属的结合物及上述金属的合金。该绕线的较好组合将依该连接部的本质如设计及可靠度的因素而定。而且，由上述可知于，铜材料为典型的铜合金，几乎大部分成分为铜但非纯铜，如铜锆合金(99.9％铜)、铜-银-磷-镁(copper-silve-phosphorus-magnesium)(99.7％铜)或铜-钛-铁-磷(copper-tin-iron-phosphorus)(99.7％铜)。该绕线可为输入(fan-in)如输出(fan-out)一样。该绕线是通过多种沉积技术使其能形成于金属基板上，其技术包括电镀及无电电镀。另外，该绕线被沉积于金属基板上，该绕线为单层或多层。例如该绕线为一10微米厚的金层，或可为一9.5微米厚的镍层镀于一0.5微米厚的金层并镀于一铜基板，以减少成本；或一9微米厚的镍层镀于一0.5微米的金层，再镀于一0.5微米的钛层并镀于一铜基板，以减少成本及避免于镀铜层被蚀刻时难移除的金铜合金。另一例子，该绕线由一非铜层(non-copperlayer)镀于一铜基板上及一铜层镀于非铜层上所构成。合适的非铜层包括镍、金、钯及银。该绕线被形成时，当铜对非铜层时适用湿式化学蚀刻蚀刻该铜基板并使该绕线暴露，但没有移除该铜层及非铜层。该非铜层提供一蚀刻停止(etchstop)，防止该湿式化学蚀刻将镀铜层移除。在上述说明中，该绕线及金属基板为不同的金属(或金属材料)，虽然具多层的绕线包含一单层其与金属基板相似，或为一具多层金属基板的单层(singlelayerofamulti-layermetalbase)。该绕线通过蚀刻一附于金属基板的金属层而形成。例如，一光阻层能被形成于金属层，该金属层被蚀刻时利用该光阻层为其蚀刻屏蔽，然后该光阻层被剥落；或为使一光阻层形成于该金属层上，一经电镀的金属具选择性地被镀于金属层并利用光阻层为其电镀屏蔽，然后该光阻层能被剥落，并使该金属层被蚀刻并使用该经电镀的金属作为蚀刻屏蔽，在这方法中，该绕线被形成，其包括该金属层的未蚀刻部分及经电镀的金属。该绕线由金属层形成，不管该经电镀的金属是否为蚀刻屏蔽，该经电镀的金属附着于该绕线。该绕线可为点电镀(spotplated)于导电接脚附近并使连接部与其兼容。例如，一铜的绕线为与镍点电镀，然后银使其与一具金属金球的连接部兼容，避免易碎的银与铜两金属形成混合物。该金属壁经点电镀使其能与焊接端兼容，例如一镍的金属壁能与金点电镀使促进锡料回流。该金属柱能具有各种形状及尺寸。例如其上方平面及下方平面(相对于第一实施例的金属柱的第一平面172及第二平面174)为圆形、长方形或正方形。另外，该金属柱的上方平面的直径小于、等于或大于该金属柱的下方平面的直径。如该金属柱的下方平面及该绕线的较大圆形部分在该金属柱的上方平面之上并被覆盖，其直径至少比该金属璧外层边界小100微米，并使其容易形成高密度的电路。关于该金属柱的细节蚀刻该金属基板形成及与该绕线连接，在下面参考文件中被揭露美国专利申请号第10/714,794号于2003年11月17日由ChuenRongLeu等人提出，其
专利名称：「具嵌入的金属柱的半导体芯片封装结构」、美国专利申请号第10/994,604号，于2004年11月22日由CharlesW.CLin等人提出，其
专利名称：「具块状金属柱的半导体芯片封装结构」及美国专利申请号第10/994,836号于2004年11月22日由CharlesW.CLin等人提出，其
专利名称：「具雕刻块状接触端的半导体芯片封装结构」，所以该金属柱的详情由此参考数据可知。该焊接端的下方不能被该半导体芯片封装结构的密封剂、绝缘基板或其它绝缘材料覆盖。例如该焊接端的下方可被暴露，或者该焊接端的下方能被该半导体芯片封装结构外的绝缘材料覆盖，如多个半导体芯片组成堆栈地排列。在每个半导体芯片封装结构中，该焊接端的下方不被该半导体芯片封装结构的密封剂、绝缘基板或其它绝缘材料覆盖。该导电迹线能具信号、电源或接地层功能依据结合半导体芯片接脚的目的。该半导体芯片与主要平面垂直，该半导体芯片包括于朝上方向的导电接脚并远离该绕线，或者该半导体芯片能被倒装，其主要平面是在朝下方向并朝向该绕线，例如该半导体芯片与位于朝上方向的主要平面利用打线接合，或者该半导体芯片能与位于朝下方向的主要平面利用覆晶接合。而且该半导体芯片通过各种不同的连接部与该绕线间具有电力的连接，不管该半导体芯片直立的或被倒装。例如该半导体芯片与一锡的连接部或一金的连接部以覆晶接合。举例来说，一焊锡凸块能被形成于导电接脚上，该半导体芯片能通过一撷取头被倒装或被配置，该撷取头为该焊锡凸块被夹于该导电接脚与绕线间，并将一对流的烘箱加热使该焊锡凸块回流至一锡的连接部，该锡的连接部与该导电接脚与绕线接合。其它例子如一金凸块能被形成于该导电接脚上，该绕线与一金层被形成，该半导体芯片能通过一撷取头被倒装或被配置，该撷取头为该金凸块被夹于该导电接脚与绕线间，能应用热能量及压力并被传递穿过该半导体芯片至该金凸块，而热度、压力及超音波的结合能形成一金对金连接(gold-goldinterconnect，GGI)，其介于金凸块与该绕线的金层之间，因此一金的连接部与该导电接脚及绕线接合。该导电接脚具有多种形状，其形状包括平坦矩形凸状。该导电接脚与该连接部相容。多种黏着剂能连接该半导体芯片至绕线。例如该黏着剂如膏状、夹层或液状被应用于网格印刷(screen-printing)、旋转(spin-on)或喷射(spray-on)。该黏着剂为单层被应用于金属基板或焊接屏蔽，并与该半导体芯片接触，或为单层被应用至该半导体芯片，并与该金属基板或焊接屏蔽接触。相似地，该黏着剂为复合层，具有第一层使用于金属基板或焊接屏蔽，第二层用于该半导体芯片，然后该第一层及第二层相互接触。该热固性黏着剂形成液态及膏状如树脂适用的。同样地，热塑性黏着剂如一具400度玻璃转换温度的绝缘的热塑性的聚亚酰胺薄膜适用的。硅胶状的黏着剂也适用。该密封剂利用各种不同技术形成，其技术包括印刷及转注成形。例如该密封剂如树脂被印于半导体芯片上，然后硬化形成一固态黏着钝化层。该密封剂为上述黏着剂的种类。此外该密封剂不一定与该半导体芯片接触。例如一封胶涂料置于该半导体芯片于该半导体芯片连接至绕线后，然后该密封剂能被形成于该封胶涂料上。该绝缘基板能为坚硬的或具弹性的，并能为由各种不同的绝缘薄膜或玻璃纤维形成多种有机或无机的绝缘体如卷带、聚酰胺(polyimide)、树脂、硅胶、玻璃、芳香族聚酰胺(aramid)及陶瓷(ceramic)。有机绝缘体具有低成本及高绝缘性，然而该无机绝缘体于高热功率消耗及相当的热膨胀系数时是重要的。例如该绝缘基板起初为一环氧树脂，其包括环氧树脂、硬化剂、加速剂及填充剂，可同时地硬化形成一固态黏着绝缘层。该填充剂为一惰性材料如硅土(silica)(粉末状溶化的石英)，其可改善热传导性、热冲击性及热膨胀系数。有机强化纤维能被用于如环氧树脂、氰酸酯树脂、聚亚酰胺、特富龙及上述的结合物等树脂中。该纤维包括芳香族聚酰胺、多元酯(polyester)、poly-ether-ether-ketone、聚亚酰胺、热可塑型聚酰亚胺(polyetherimide)及聚砜(polysulfone)被使用。该强化纤维为织布(wovenfabric)、玻纤布(wovenglass)、randommicrofiberglass、编织石英(wovenquartz)、编织物(woven)、芳香族聚酰胺(aramid)、无纺布(non-wovenfabric)、无纺芳香族聚酰胺纤维(non-wovenaramidfiber)或纸。商业上可用的绝缘材料如由W.L.Gore&AssociatesofEauClaire制造的SPEEDBOARDC预浸材料为合适的。该绝缘基板利用多种方式被形成，其方式包括印刷及转注形成。而且该绝缘基板于该半导体芯片连接至该绕线的前或该半导体芯片连接至该绕线之后被形成。该绝缘基板利用各种不同的技术将其较低部分移除，其技术包含研磨(包含机械研磨及化学机械研磨)、毯覆式激光消熔及毯覆式等离子蚀刻。同样地，该绝缘基板具可选择部分于该金属壁、金属柱及焊接层下被移除利用各种不同技术，其中该技术包括选择性激光消熔、选择性等离子蚀刻及光蚀刻。该绝缘基板与金属壁沿着其朝下方平面横向排列，并从该绕线及金属柱向下延伸，且研磨该绝缘基板但没研磨该焊接层、金属柱或绕线，然后研磨该绝缘基板及金属壁但没研磨该金属柱或绕线，接着于到达该金属柱及绕线停止研磨。该绝缘基板与焊接层横向排列于一朝下的平面，该绝缘基板从该绕线及金属柱向下延伸，且研磨该绝缘基板但没研磨该焊接层、金属柱或绕线，然后研磨该绝缘基板及焊接板但没研磨该金属柱或绕线，接着于到达该金属柱或绕线前停止研磨。同样地，该绝缘基板与金属壁及焊接层沿着其朝下平面横向排列，并从该绕线及金属柱向下延伸，且研磨该绝缘基板但没研磨该金属壁、焊接层、金属柱或绕线，然后研磨该绝缘基板、金属壁及焊接层但没研磨该金属柱或绕线，接着于到达该金属柱或绕线前停止研磨。该连接部利用各种不同材料形成，其材料包括铜、金、镍、钯、钛、其合金及其结合物，并利用各种不同过程形成，其过程包括电镀、无电电镀、球焊、打线接合、柱状接合(studbumping)、锡料回流焊接、导电黏着剂硬化及焊接，该连接部可具有各种不同形状及尺寸。根据设计与可靠度的考虑，该连接部的形状及组成依该绕线的组成。而且具电镀的连接部的细节是在美国专利申请号第09/865,367号于2001年5月24日由CharlesW.C.Lin提出，其
专利名称：为「具同时电镀形成的接触端及连接部的半导体芯片封装结构」中已被揭露。而经无电电镀的连接部的细节于美国专利申请号第09/864,555号于2001年5月24日由CharlesW.C.Lin提出，其
专利名称：为「具同时无电电镀形成的接触端及连接部的半导体芯片封装结构」中已被揭露。经球焊形成的连接部于美国专利申请号第09/864,773号于2001年5月24日由CharlesW.C.Lin提出，其
专利名称：为「具球焊形成的连接部的半导体芯片」中被揭露。经焊锡或导电黏着剂形成的连接部于美国专利申请号第09/927,216号于2001年8月10日由CharlesW.C.Lin提出，其
专利名称：为「具硬化的连接部的半导体芯片」被揭露。经焊接的连接部于美国专利申请号第10/302,642号于2002年11月23由Cheng-LienChiang等人提出，其
专利名称：为「利用等离子蚀刻连接导电迹线至半导体芯片的方法」被揭露。于该连接部被形成后，如果该电镀总线存在时该连接部不与该导电迹线连接。该电镀总线是通过机械式切割、激光切割、化学蚀刻及合并不被连接。如果该电镀总线被置于该半导体芯片封装结构附近但未整合至该半导体芯片封装结构，然后当该半导体芯片封装结构与其它半导体芯片封装结构分离时，该电镀总线不被连接。然而如果该电镀总线已被整合至该半导体芯片封装结构，或被独立已经发生，该光蚀刻(photolithographystep)选择性地被加入关于半导体芯片封装结构的电路切割，而该半导体芯片封装结构配有电镀总线，于该电路另缩短该导电迹线时。而且该电镀总线是通过蚀刻该金属板不被连接。一焊锡材料或锡球能通过电镀、印刷或涂布技术被置于焊接层上于需进行下一层次构装。然后该下一层次构装不需包含锡料的半导体芯片封装结构，例如在平面栅格阵列构装中，该焊锡材料是通过面板提供而不是于半导体芯片封装结构的接触端。各种不同的清洗方式如简短的等离子氧清洗方式，或利用过锰酸钾溶液的简短的湿式化学清洗方式，能被应用于各种不同过程的结构中，如于形成连接部前能立即地清洗该导电迹线及导电接脚。由本发明的说明书中可知，任何半导体芯片被嵌于该密封剂内是通过一具电力的导电路径与该焊接端间具有电连接，该具电力的导电路径包括绕线及金属壁，其意思在于该绕线及金属壁连接被嵌入于密封剂的焊接端及任何半导体芯片间的具电力的导电路径。不管是单芯片被嵌入该密封剂内(该半导体芯片被嵌于该密封剂内是通过一具电力的导电路径与该焊接端间具有电力的连接，该具电力的导电路径包括绕线及金属壁)，或为多芯片被嵌入该密封剂内(每一半导体芯片被嵌于该密封剂内是通过一具电力的导电路径与该焊接端间具有电力的连接，该具电力的导电路径是否包括绕线及金属壁)。亦不管该具电力的导电路径包含或需要一连接部及(或)一电镀接点于该绕线及半导体芯片间。不管该具电力的导电路径是否包含或需要一金属柱于该绕线与金属壁间。不管该具电力的导电路径是否包含或需要一如电容器或电阻器的无源组成组件。亦不管该多芯片是否通过复数个连接部与该绕线电连接，该复数个连接部是通过绕线相互成电连接。不管该多芯片是否通过不同的具电力的导电路径与该焊接端具有电连接(如上述多个连接部的例子)只要每一具电力的导电路径包括该绕线及金属壁。由本发明的说明书中可知，该金属柱是通过湿式化学蚀刻形成，但不是一次就形成金属柱。例如该第一次湿式化学蚀刻形成该凹口并能形成该金属柱下方平面，该第二次湿式化学蚀刻形成该金属柱的上方平面及其锥表面。在这例子中该第二次湿式化学蚀刻完全使该金属柱形成。由本发明的说明书中可知，该金属柱为具锥表面的圆锥形，其锥表面紧邻且扩展于该金属柱的上方及下方平面间并向内部倾斜，即使该内部斜面能会改变。例如该锥表面能向内部倾斜，即使一部分的锥表面向外部倾斜，只是该金属柱的上方平面的直径大在其下方平面的直径及该锥表面几乎向内倾斜于从该金属柱的上方平面向下方平面倾斜。由本发明的说明书中可知，该焊接端包括该焊接层并与该孔洞内的金属壁接触，不管该焊接端包括焊接层及其它焊锡材料，或该焊接端由该焊接层组成，不管该焊接端往该孔洞内部延伸及外部扩展，或被置于该孔洞内，不管该焊接层是否于孔洞外的金属壁接触，不管该焊接层是否与该金属壁接触。于本发明的说明书中可明白得知，该焊接端包括该焊接层即使该焊接层可能被改变。例如该焊接层的形状在进行化学蚀刻形成金属柱、硬化形成绝缘基板、研磨该焊接层暴露部分及锡料回流形成焊接端时被改变。同样地，该锡料回流形成焊接端时能改变该焊接层的形状及组合，并可能与该锡球及焊接层混合一起，使它们不再为可明确的分隔。在每一实施例中该焊接端包括该焊接层。该“向上”及“向下”垂直方向不依该半导体芯片封装结构的定位而定，将明确的表达于文中。例如，该密封剂从该绕线往“向上”方向垂直地延伸、该金属壁从该半导体芯片往“向下”方向垂直地延伸及该绝缘基板从该密封剂往“向下”方向垂直地延伸，不管该半导体芯片封装结构是否被倒装或覆盖于一印刷电路板上。同样地，该绕线从该金属壁横向地延伸，不管该半导体芯片封装结构是否被倒装、旋转或分割。因此该“向上”及“向下”方向为相对的，并与一横向方向正交，该“横向地排列”表面只于同一横向平面上或与向上及向下方向。该半导体芯片被绘制于该绕线、金属壁、金属柱、焊接端及绝缘基板之上，以及该密封剂被绘制于该半导体芯片、绕线、金属壁、金属柱、焊接端及绝缘基板之上具有一单一定位于图上各处，为了图与图之间进行比对，虽然该半导体芯片封装结构及它的组成能被倒装于各种不同的制造过程中。该半导体芯片封装结构的工作形式能为单芯片构装或多芯片构装基于制造设计上。例如该单芯片构装包含能被独立地制造的单芯片。或者多个半导体芯片同时地被制于一具单一焊接屏蔽、密封剂及绝缘基板的金属基板上，然后相互隔离，如多芯片构装中的凹口同时地于蚀刻该金属基板时形成，然后该金属壁同时地被镀于金属基板的凹口上，接着分离锡膏利用单一模板同时地被置于该相应的金属壁内，然后该锡膏同时地回流形成焊接层，而该绕线同时地被镀于金属基板上，接着该电镀接点同时地被镀于相应的绕线，各别分离的半导体芯片封装结构的黏着剂同时地被置于焊接屏蔽上，而该半导体芯片同时地被置于相应的黏着剂上，该黏着剂同时地被硬化，然后该连接部被形成于相应的电镀接点及导电接脚上，接着该密封剂被形成，该金属基板被蚀刻并同时地形成金属柱，然后该绝缘基板被形成，而该绝缘基板、金属壁及焊接层同时地被研磨，然后锡膏分离的空间同时地被置于相应的焊接层上，而该焊接层及锡球同时地被回流形成焊接端，以及该焊接屏蔽、密封剂及绝缘基板被切割，因此分割为具独立的单芯片基板的半导体芯片封装结构。该半导体芯片封装结构具有不同的构装形式于进行下一层次构装时，例如该导电迹线被形成，因该半导体芯片封装结构为一种格状阵列如球格式阵列、柱格式阵列、平面栅格阵列或针格式阵列。该半导体芯片封装结构为第一层次构装，其构装为单芯片构装(如第一实施例至第十四实施例)或为多芯片构装(如第十五实施例)。而且该多芯片的第一层次构装能包括半导体芯片被堆栈及相互间成垂直排列，或半导体芯片皆为同一平面上并相互间成横向排列。于本发明的半导体芯片封装结构的制造方法具可靠度及其成本较低。该密封剂及绝缘基板保护该半导体芯片于处理过程受到损害，并提供该导电迹线一绝源的屏蔽，以及保护该半导体芯片封装结构不受到污染物及不必要的锡料回流于下一层次构装。该密封剂能提供该导电迹线一机械支撑于该金属基板被蚀刻形成金属柱或被移除时。该金属壁能局限该焊接层及焊接端于进行锡料回流操作时。另外该焊接端能延伸至该绝缘基板内的金属壁，而不是使该半导体芯片封装结构与其横向平面的高压边界接触，其横向平面为一朝向下方被暴露的主要平面，因此可减少锡料分隔及改善可靠度。该接合方式可由机械式的耦合替换为冶金式的耦合，确保冶金式的接合有足够强度。而且该导电迹线能为机械式地及冶金式地于该半导体芯片耦合而不使用打线接合、卷带自动接合、焊锡或具导电性的黏着剂，虽然过程为可调整的，可调整需要的技术。该过程具多功能的并许可各种不同完善的接合技术被应用于独立的及经改善的方法中。而且该金属柱特别地适当的位置减少因温度不对称造成下一层组合时的压力及影响良率并提高可靠度于下一层组合，其已经超过传统的球格式构装。所以本发明的半导体芯片封装结构与传统的构装技术相比可提高生产量、利润及效能等特性。而且本发明的半导体芯片封装结构可与铜金属兼容。上述仅为本发明的实施例而已，不能以此来限定本发明实施的范围；故，凡依本发明所作的简单的等效变化与修饰，皆应仍属本发明保护范围之内。权利要求1.一种焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，至少包括a、提供一金属基板、一绕线、一金属壁及一焊接层，其中该金属基板包含相对应的第一平面及第二平面，该金属基板的第一平面朝向第一方向上，该金属基板的第二平面朝向第二方向上，而该第二方向与第一方向相反，该金属壁由该金属基板的第二平面往其第一平面延伸至该金属基板内，而该金属壁包含一孔洞，该孔洞由该金属基板的第二平面往其第一平面延伸至该金属基板内，并包含一朝向第二方向的开口，该焊接层与该孔洞内的金属壁接触；b、机械地连接一半导体芯片至该绕线，其中该半导体芯片包括一导电接脚；c、形成一连接部，该连接部与该绕线及导电接脚电连接；d、利用湿式化学蚀刻对该金属基板蚀刻，因此减少该金属基板与绕线间及该金属基板与金属壁间的接触区域；以及e、提供一焊接端，该焊接端与该孔洞内的金属壁接触，并包含该焊接层。2.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该绕线的形成方式将该绕线沉积于该金属基板上。3.根据权利要求2所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该绕线的形成方式包括形成一电镀屏蔽于该金属基板上，其中该电镀屏蔽包含一开口，该开口使一部分的金属基板暴露；以及将该绕线电镀于该金属基板的暴露部分并穿过该电镀屏蔽的开口。4.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属壁的形成方式使该金属壁沉积于该金属基板上。5.根据权利要求4所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属壁的形成方式包括形成一电镀屏蔽于该金属基板上，其中该电镀屏蔽包含一开口，该开口使一部分的金属基板暴露；以及将该金属壁电镀于该金属基板的暴露部分，并穿过该电镀屏蔽的开口。6.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属壁的形成方式包括蚀刻该金属基板形成一导通孔，该导通孔由该金属基板的第二方向往其第一方向延伸至该金属基板内；以及使该金属壁沉积于该导通孔内。7.根据权利要求6所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该导通孔为一穿孔，延伸至该金属基板内并穿透，使该绕线暴露；以及该金属壁延伸至该金属基板内并穿透，且与该绕线接触。8.根据权利要求7所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板被蚀刻穿透使该金属基板与绕线间及该金属基板与金属壁间的接触区域被去除。9.根据权利要求6所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该导通孔为一凹口，该凹口延伸至该金属基板内但未穿透，并与该金属基板的第一平面及绕线隔离；以及该金属壁延伸至该金属基板内但未穿透，并与该金属基板的第一平面及绕线隔离。10.根据权利要求9所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板被蚀刻从该金属基板的未蚀刻部分形成一金属柱，该金属基板的未蚀刻部分是通过该金属壁定义，该金属柱与该绕线及该金属壁接触。11.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接层的形成方式包括使该焊接层沉积于该金属壁上。12.根据权利要求11所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接层的形成方式包括该焊接层只与该金属壁接触。13.根据权利要求11所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接层的形成方式包括使一锡膏沉积于该金属壁上，以及使该锡膏回流。14.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接端为该焊接层。15.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接端的形成方式包括使一焊锡材料沉积于该焊接层上，以及使该焊锡材料与焊接层一起回流。16.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接端的形成方法至少包括下列步骤并依照顺序a、使该锡膏沉积于该金属壁上；b、使该锡膏回流，因此形成该焊接端；c、使一焊锡材料沉积于该焊接层上；以及d、使该焊锡材料及焊接层一起回流，因此形成该焊接端。17.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属壁及焊接层的形成方法至少包括下列步骤并依照顺序a、蚀刻该金属基板形成一导通孔；b、使该金属壁沉积于该金属基板上，并进入该导通孔内；以及c、使该焊接层沉积于该金属壁上。18.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属壁及焊接层的形成方法至少包括下列步骤并依照顺序a、蚀刻该金属基板并穿过一蚀刻屏蔽的开口，因此形成一导通孔；b、使该金属壁电镀于该金属基板的暴露部分，并穿过一电镀屏蔽的开口进入该导通孔内；c、使一锡膏沉积于该金属壁上；以及d、使该锡膏回流，因此形成该焊接层。19.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属壁及焊接层的形成方法至少包括下列步骤并依照顺序a、蚀刻该金属基板形成一导通孔；b、使该金属壁电镀于该金属基板的暴露部分，并穿过一电镀屏蔽的开口进入该导通孔内；c、使一锡膏沉积于该金属壁上；以及d、使该锡膏回流，因此形成该焊接层。20.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属壁及焊接层的形成方法至少包括下列步骤并依照顺序a、形成一屏蔽于该金属基板，其中该屏蔽包含一开口，使一部分的金属基板暴露；b、蚀刻该金属基板并穿过该屏蔽的开口，因此形成一导通孔；c、使该金属壁电镀于该金属基板的暴露部分，并穿过该屏蔽的开口进入该导通孔内；d、使一锡膏沉积于该金属壁上；以及e、使该锡膏回流，因此形成该焊接层。21.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属壁及焊接层的形成方法至少包括下列步骤并依照顺序a、形成一蚀刻屏蔽于该金属基板，其中该蚀刻屏蔽包含一开口，使一部分的金属基板暴露；b、蚀刻该金属基板并穿过该蚀刻屏蔽的开口，因此形成一导通孔；c、形成一电镀屏蔽于该金属基板上，其中该电镀屏蔽包含一开口，使一部分的金属基板及该导通孔暴露；d、使该金属壁电镀于该金属基板的暴露部分，并穿过该电镀屏蔽的开口进入该导通孔内；d、使一锡膏沉积于该金属壁上；以及e、使该锡膏回流，因此形成该焊接层。22.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该半导体芯片与绕线连接的方式包括将一黏着剂置放于该半导体芯片与金属基板间，然后使该黏着剂硬化。23.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该连接部形成的方式包括将该连接部电镀于该绕线与导电接脚间。24.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该连接部形成的方式包括利用无电电镀将该连接部镀于该绕线与导电接脚间。25.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该连接部形成的方式包括使一非固态材料沉积于该绕线及导电接脚间，并使该非固态材料硬化。26.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该连接部形成的方式包括提供一打线于该绕线与导电接脚间。27.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该湿式化学蚀刻进行蚀刻，使该绕线暴露。28.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该湿式化学蚀刻进行蚀刻，移除大部分的金属基板。29.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该湿式化学蚀刻进行蚀刻，移除于该导电接脚边缘内的金属基板。30.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该湿式化学蚀刻进行蚀刻，移除于该半导体芯片边缘内的金属基板。31.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该湿式化学蚀刻进行蚀刻，使该金属基板与绕线间及该金属基板与金属壁间的接触区域减少但未完全去除。32.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该湿式化学蚀刻进行蚀刻，从该金属基板的未蚀刻部分形成一金属柱，该金属基板的未蚀刻部分是通过该金属壁定义，该金属柱使该绕线与金属壁电连接。33.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该湿式化学蚀刻进行蚀刻，使该金属基板与绕线间及该金属基板与金属壁间的接触区域完全去除。34.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该湿式化学蚀刻进行蚀刻，并移除该金属基板。35.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该湿式化学蚀刻进行蚀刻，并使该绕线与其它与金属基板接触的绕线具电力地隔离。36.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该湿式化学蚀刻进行蚀刻，使该导电接脚与其它于半导体芯片上的导电接脚具电力地隔离。37.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属壁在该焊接层形成前形成。38.根据权利要求37所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属壁形成前形成该绕线。39.根据权利要求37所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属壁形成后形成该绕线。40.根据权利要求37所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属壁同时地与该绕线形成。41.根据权利要求37所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属壁在连接该半导体芯片至该金属基板及绕线前形成。42.根据权利要求37所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属壁在连接该半导体芯片至该金属基板及绕线后形成。43.根据权利要求37所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接层在连接该半导体芯片至该金属基板及绕线前形成。44.根据权利要求37所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接层在连接该半导体芯片至该金属基板及绕线后形成。45.根据权利要求37所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接层在该焊接端形成前形成。46.根据权利要求37所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接层直接形成该焊接端。47.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该连接部在该金属基板利用湿式化学蚀刻进行蚀刻前形成。48.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该连接部在该金属基板利用湿式化学蚀刻进行蚀刻后形成。49.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接端在连接该半导体芯片至该金属基板及绕线前形成。50.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接端在连接该半导体芯片至该金属基板及绕线后形成。51.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接端在该连接部形成前形成。52.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接端在该连接部形成后形成。53.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接端在该金属基板利用湿式化学蚀刻进行蚀刻前形成。54.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接端在该金属基板利用湿式化学蚀刻进行蚀刻后形成。55.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，进一步包含形成该金属壁，接着形成该焊接层，然后连接该半导体芯片至该金属基板、绕线、金属壁及焊接层，以及利用湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻。56.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，进一步包含形成该金属壁，接着连接该半导体芯片至该金属基板、绕线及金属壁，然后形成该焊接层，以及利用湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻。57.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，进一步包含连接该半导体芯片至该金属基板及绕线，接着形成该金属壁，然后形成该焊接层，以及利用湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻。58.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，进一步包含形成一密封剂，该密封剂是在连接该半导体芯片至该绕线后覆盖该半导体芯片于第一方向上。59.根据权利要求58所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该密封剂被形成后进一步形成一绝缘基板，并覆盖该金属壁及焊接层于第二方向上，然后移除一部分的绝缘基板使该绝缘基板无法覆盖该焊接层于第二方向上。60.根据权利要求1所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该半导体芯片封装结构为第一层次封装。61.一种焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，至少包括a、提供一包含相对应的第一平面及第二平面的金属基板，其中该金属基板的第一平面朝向第一方向，该金属基板的第二平面朝向第二方向，而该第二方向与第一方向相反；b、形成一绕线于金属基板的第一平面上，其中该绕线与该金属基板的第一平面接触，并与该金属基板的第二平面隔离；c、利用第一湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻，因此于该金属基板内形成一导通孔，该导通孔由该金属基板的第二平面往其第一平面延伸至该金属基板内；d、形成一金属壁于该金属基板上，其中，该金属壁与该导通孔内的金属基板接触，该金属壁由该金属基板的第二平面往其第一平面延伸至该金属基板内，而该金属壁包含一孔洞，该孔洞由该金属基板的第二平面往其第一平面延伸至该金属基板内，并被该金属壁覆盖于第一方向上，且包含一朝向第二方向的开口；e、形成一焊接层，该焊接层与该孔洞内的金属壁接触，并与该绕线隔离；f、机械地连接一半导体芯片至该金属基板及绕线，其中该半导体芯片包括一导电接脚；g、形成一连接部，该连接部与该绕线及导电接脚电连接；h、于连接该半导体芯片至该金属基板及绕线及形成该金属壁及焊接层后，利用第二湿式化学蚀刻对该金属基板蚀刻，因此减少该金属基板与绕线间及该金属基板与金属壁间的接触区域；以及i、提供一焊接端，该焊接端与该孔洞内的金属壁接触，并包含该焊接层。62.根据权利要求61所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该绕线的形成方式包括形成一电镀屏蔽于该金属基板上，其中该电镀屏蔽包含一开口，该开口使一部分的金属基板暴露；以及穿过该电镀屏蔽的开口将该绕线电镀于该金属基板的暴露部分。63.根据权利要求61所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属壁及焊接层的形成方法至少包括下列步骤并依照顺序a、穿过一电镀屏蔽的开口将该金属壁电镀于该金属基板上，并进入该导通孔；b、使一锡膏沉积于该金属壁上；以及c、使该锡膏回流，因此形成该焊接层。64.根据权利要求61所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接端为该焊接层。65.根据权利要求61所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接端形成的方式包括于利用第二湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻后，使一焊锡材料沉积于该焊接层上，然后使该焊锡材料及焊接层一起回流，形成该焊接端。66.根据权利要求61所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该半导体芯片与金属基板及绕线连接的方式包括将一黏着剂置放于该半导体芯片与金属基板间，然后使该黏着剂硬化。67.根据权利要求61所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该连接部形成的方式包括提供一打线于该绕线与导电接脚间。68.根据权利要求61所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，使该绕线暴露。69.根据权利要求68所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该第一湿式化学蚀刻进行蚀刻形成该导通孔，该导通孔为一穿孔并延伸穿透该金属基板，使该绕线暴露；以及该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，去除该金属基板与绕线间及该金属基板与金属壁间的接触区域。70.根据权利要求61所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，移除该金属基板。71.根据权利要求68所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该第一湿式化学蚀刻进行蚀刻形成该导通孔，该导通孔为一凹口并延伸该金属基板但未穿透；以及该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，从该金属基板的未蚀刻部分形成一金属柱，该金属基板的未蚀刻部分是通过该金属壁定义，该金属柱与该绕线及金属壁接触，并使该绕线与金属壁间电连接。72.根据权利要求71所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，移除大部分的金属基板。73.根据权利要求71所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，移除于该导电接脚边缘内的金属基板。74.根据权利要求71所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，移除于该半导体芯片边缘内的金属基板。75.根据权利要求68所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，并使该绕线与其它与金属基板接触的绕线具电力地隔离。76.根据权利要求68所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，使该导电接脚与其它于半导体芯片上的导电接脚具电力地隔离。77.根据权利要求61所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属壁在连接该半导体芯片至该金属基板及绕线前形成。78.根据权利要求61所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属壁在连接该半导体芯片至该金属基板及绕线后形成。79.根据权利要求61所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接层在连接该半导体芯片至该金属基板及绕线前形成。80.根据权利要求61所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接层在连接该半导体芯片至该金属基板及绕线后形成。81.根据权利要求61所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该连接部在该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻前形成。82.根据权利要求61所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该连接部在该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻后形成。83.根据权利要求61所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，进一步包含形成一密封剂，该密封剂在连接该半导体芯片至该金属基板及绕线后覆盖于该半导体芯片于第一方向上。84.根据权利要求83所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该密封剂被形成后进一步形成一绝缘基板，该绝缘基板与该绕线、金属壁及焊接层接触，并覆盖该金属壁及焊接层于第二方向上，然后移除一部分的绝缘基板使该绝缘基板无法覆盖该焊接层于第二方向上。85.根据权利要求84所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该移除一部分的绝缘基板使该金属壁及焊接层于第二方向暴露，但不使该绕线暴露。86.根据权利要求85所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该移除一部分的绝缘基板利用研磨方式研磨该绝缘基板。87.根据权利要求86所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该移除一部分的绝缘基板利用研磨方式研磨该绝缘基板，但未研磨该金属壁及焊接层，接着研磨该绝缘基板、金属壁及焊接层，然后直到该绝缘基板、金属壁及焊接层横向地排列于一朝向第二方向的平面时停止研磨，并使该焊接层暴露。88.根据权利要求87所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接层直接形成为该焊接端。89.根据权利要求88所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接端形成的方式包括于该绝缘基板、金属壁及焊接端被研磨后使一焊锡材料沉积于该焊接层，然后使该焊锡材料与焊接层一起回流形成该焊接端。90.根据权利要求61所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该半导体芯片封装结构为第一层次封装。91.一种焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，至少包括a、提供一包含相对应的第一平面及第二平面的金属基板，其中该金属基板的第一平面朝向第一方向，该金属基板的第二平面朝向第二方向，而该第二方向与第一方向相反；b、形成一绕线于金属基板的第一平面上，其中该绕线与该金属基板的第一平面接触，并与该金属基板的第二平面隔离；c、利用第一湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻，因此于金属基板形成一导通孔，该导通孔由该金属基板的第二平面往其第一平面延伸延伸至该金属基板内；d、形成一金属壁于该金属基板上，其中，该金属壁与该导通孔内的金属基板接触，该金属壁由该金属基板的第二平面往其第一平面延伸至该金属基板内，而该金属壁包含一孔洞，该孔洞由该金属基板的第二平面往其第一平面延伸至该金属基板内，并被该金属壁覆盖于第一方向上，且包含一朝向第二方向的开口；e、形成一焊接层，该焊接层与该孔洞内的金属壁接触，并与该绕线隔离；f、机械地连接一半导体芯片至该金属基板及绕线，其中该半导体芯片包括一导电接脚；g、形成一连接部，该连接部与该绕线及导电接脚电连接；h、于连接该半导体芯片至该金属基板及绕线后形成一密封剂，其中，该密封剂与该半导体芯片接触，并从该半导体芯片、金属基板及绕线往第一方向垂直地延伸，而该金属基板从该半导体芯片及绕线往第二方向垂直地延伸；i、于形成该金属壁、焊接层及密封剂后，利用第二湿式化学蚀刻对该金属基板蚀刻，因此减少该金属基板与绕线间及该金属基板与金属壁间的接触区域；j、于该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻后，形成一绝缘基板，该绝缘基板与该绕线、金属壁及焊接层接触，并覆盖该绕线、金属壁及焊接层于第二方向上；k、移除一部分的绝缘基板，使该绝缘基板无法覆盖该焊接层于第二方向上；以及l、提供一焊接端，该焊接端与该孔洞内的金属壁接触，并包含该焊接层。92.根据权利要求91所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该绕线的形成方式包括形成一电镀屏蔽于该金属基板上，其中该电镀屏蔽包含一开口，该开口使一部分的金属基板暴露；以及穿过该电镀屏蔽的开口将该绕线电镀于该金属基板的暴露部分。93.根据权利要求91所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属壁及焊接层的形成方法至少包括下列步骤并依照顺序a、穿过一电镀屏蔽的开口将该金属壁电镀于该金属基板上，并进入该导通孔；b、使一锡膏沉积于该金属壁上；以及c、使该锡膏回流，因此形成该焊接层。94.根据权利要求91所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接端为该焊接层。95.根据权利要求91所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接端形成的方式包括于利用第二湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻后，使一焊锡材料沉积于该焊接层上，然后使该焊锡材料及焊接层一起回流，形成该焊接端。96.根据权利要求91所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该半导体芯片与金属基板及绕线连接的方式包括将一黏着剂置放于该半导体芯片与金属基板间，然后使该黏着剂硬化。97.根据权利要求91所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该连接部形成的方式包括提供一打线于该绕线与导电接脚间。98.根据权利要求91所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，使该绕线暴露。99.根据权利要求98所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该第一湿式化学蚀刻进行蚀刻形成该导通孔，该导通孔为一穿孔并延伸穿透该金属基板，使该绕线暴露；以及该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，去除该金属基板与绕线间及该金属基板与金属壁间的接触区域。100.根据权利要求99所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，移除该金属基板。101.根据权利要求98所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该第一湿式化学蚀刻进行蚀刻形成该导通孔，该导通孔为一凹口并延伸该金属基板但未穿透；以及该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，从该金属基板的未蚀刻部分形成一金属柱，该金属基板的未蚀刻部分是通过该金属壁定义，该金属柱与该绕线及金属壁接触，并使该绕线与金属壁间电连接。102.根据权利要求101所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，移除大部分的金属基板。103.根据权利要求101所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，移除于该导电接脚边缘内的金属基板。104.根据权利要求101所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，移除于该半导体芯片边缘内的金属基板。105.根据权利要求98所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，并使该绕线与其它与金属基板接触的绕线具电力地隔离。106.根据权利要求98所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，使该导电接脚与其它于半导体芯片上的导电接脚具电力地隔离。107.根据权利要求91所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属壁在连接该半导体芯片至该金属基板及绕线前形成。108.根据权利要求91所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属壁在连接该半导体芯片至该金属基板及绕线后形成。109.根据权利要求91所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接层在连接该半导体芯片至该金属基板及绕线前形成。110.根据权利要求91所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接层在连接该半导体芯片至该金属基板及绕线后形成。111.根据权利要求91所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该连接部在该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻前形成。112.根据权利要求91所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该连接部在该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻后形成。113.根据权利要求91所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该密封剂利用转注成形法形成。114.根据权利要求91所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该移除一部分的绝缘基板使该金属壁及焊接层于第二方向暴露，但不使该绕线暴露。115.根据权利要求114所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该移除一部分的绝缘基板为移除覆盖该金属壁及焊接层于第二方向上的绝缘基板。116.根据权利要求115所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该移除一部分的绝缘基板利用研磨方式研磨该绝缘基板。117.根据权利要求116所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该移除一部分的绝缘基板利用研磨方式研磨该绝缘基板，但未研磨该金属壁及焊接层，接着研磨该绝缘基板、金属壁及焊接层，然后直到该绝缘基板、金属壁及焊接层横向地排列于一朝向第二方向的平面时停止研磨，并使该金属壁及焊接层暴露。118.根据权利要求117所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接层直接形成为该焊接端。119.根据权利要求118所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接端形成的方式包括于该绝缘基板、金属壁及焊接端被研磨后使一焊锡材料沉积于该焊接层，然后使该焊锡材料与焊接层一起回流形成该焊接端。120.根据权利要求91所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该半导体芯片封装结构为第一层次封装。121.一种焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，至少包括a、提供一包含相对应的第一平面及第二平面的金属基板，其中该金属基板的第一平面朝向第一方向，该金属基板的第二平面朝向第二方向，而该第二方向与第一方向相反；b、形成一绕线于金属基板的第一平面上，其中该绕线与该金属基板的第一平面接触，并与该金属基板的第二平面隔离；c、利用第一湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻，因此于该金属基板内形成一导通孔，该导通孔由该金属基板的第二平面往其第一平面延伸至该金属基板内；d、形成一金属壁于该金属基板上，其中，该金属壁与该导通孔内的金属基板接触，该金属壁由该金属基板的第二平面往其第一平面延伸至该金属基板内，而该金属壁包含一孔洞，该孔洞由该金属基板的第二平面往其第一平面延伸至该金属基板内，并被该金属壁覆盖于第一方向上，且包含一朝向第二方向的开口；e、形成一焊接层，该焊接层与该孔洞内的金属壁接触，并与该绕线隔离；f、机械地连接一半导体芯片至该金属基板、绕线、金属壁及焊接层，其中该半导体芯片包括一导电接脚；g、形成一连接部，该连接部与该绕线及导电接脚电连接；h、于连接该半导体芯片至该金属基板、绕线、金属壁及焊接端后形成一密封剂，其中，该密封剂与该半导体芯片接触，并从该半导体芯片、金属基板、绕线、金属壁及焊接层往第一方向垂直地延伸，而该金属基板从该半导体芯片及绕线往第二方向垂直地延伸；i、于形成该密封剂后，利用第二湿式化学蚀刻对该金属基板蚀刻，因此减少该金属基板与绕线间及该金属基板与金属壁间的接触区域，并使该绕线暴露；j、于该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻后，形成一绝缘基板，该绝缘基板与该绕线、金属壁及焊接层接触，并覆盖该绕线、金属壁及焊接层于第二方向上；k、移除一部分的绝缘基板，使该绝缘基板无法覆盖该焊接层于第二方向上；以及l、提供一焊接端，该焊接端与该孔洞内的金属壁接触，并包含该焊接层。122.根据权利要求121所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该绕线的形成方式包括形成一电镀屏蔽于该金属基板上，其中该电镀屏蔽包含一开口，该开口使一部分的金属基板暴露；以及穿过该电镀屏蔽的开口将该绕线电镀于该金属基板的暴露部分。123.根据权利要求121所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属壁及焊接层的形成方法至少包括下列步骤并依照顺序a、穿过一电镀屏蔽的开口将该金属壁电镀于该金属基板上，并进入该导通孔；b、使一锡膏沉积于该金属壁上；以及c、使该锡膏回流，因此形成该焊接层。124.根据权利要求121所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接端为该焊接层。125.根据权利要求121所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接端形成的方式包括于利用第二湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻后，使一焊锡材料沉积于该焊接层上，然后使该焊锡材料及焊接层一起回流，形成该焊接端。126.根据权利要求121所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该第一湿式化学蚀刻进行蚀刻形成该导通孔，该导通孔为一穿孔并延伸穿透该金属基板，使该绕线暴露；以及该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，去除该金属基板与绕线间及该金属基板与金属壁间的接触区域。127.根据权利要求126所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，移除该金属基板。128.根据权利要求121所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该第一湿式化学蚀刻进行蚀刻形成该导通孔，该导通孔为一凹口并延伸该金属基板但未穿透；以及该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，从该金属基板的未蚀刻部分形成一金属柱，该金属基板的未蚀刻部分是通过该金属壁定义，该金属柱与该绕线及金属壁接触，并使该绕线与金属壁间电连接。129.根据权利要求128所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，移除大部分的金属基板。130.根据权利要求121所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，并使该绕线与其它与金属基板接触的绕线具电力地隔离。131.根据权利要求121所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，使该导电接脚与其它于半导体芯片上的导电接脚具电力地隔离。132.根据权利要求121所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该连接部在该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻前形成。133.根据权利要求121所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该连接部在该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻后形成。134.根据权利要求121所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该移除一部分的绝缘基板使该金属壁及焊接层于第二方向暴露，但不使该绕线暴露。135.根据权利要求134所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该移除一部分的绝缘基板为移除覆盖该金属壁及焊接层于第二方向上的绝缘基板。136.根据权利要求135所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该移除一部分的绝缘基板利用研磨方式研磨该绝缘基板。137.根据权利要求136所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该移除一部分的绝缘基板利用研磨方式研磨该绝缘基板，但未研磨该金属壁及焊接层，接着研磨该绝缘基板、金属壁及焊接层，然后直到该绝缘基板、金属壁及焊接层横向地排列于一朝向第二方向的平面时停止研磨，并使该金属壁及焊接层暴露。138.根据权利要求137所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接层直接形成为该焊接端。139.根据权利要求138所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接端形成的方式包括于该绝缘基板、金属壁及焊接端被研磨后使一焊锡材料沉积于该焊接层，然后使该焊锡材料与焊接层一起回流形成该焊接端。140.根据权利要求121所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该半导体芯片封装结构为第一层次封装。141.一种焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，至少包括a、提供一包含相对应的第一平面及第二平面的金属基板，其中该金属基板的第一平面朝向第一方向，该金属基板的第二平面朝向第二方向，而该第二方向与第一方向相反；b、形成一绕线于金属基板的第一平面上，其中该绕线与该金属基板的第一平面接触，并与该金属基板的第二平面隔离；c、利用第一湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻，因此于该金属基板内形成一导通孔，该导通孔由该金属基板的第二平面往其第一平面延伸至该金属基板内；d、形成一金属壁于该金属基板上，其中，该金属壁与该导通孔内的金属基板接触，该金属壁由该金属基板的第二平面往其第一平面延伸至该金属基板内，而该金属壁包含一孔洞，该孔洞由该金属基板的第二平面往其第一平面延伸至该金属基板内，并被该金属壁覆盖于第一方向上，且包含一朝向第二方向的开口；e、机械地连接一半导体芯片至该金属基板、绕线及金属壁，其中该半导体芯片包括一导电接脚；f、形成一连接部，该连接部与该绕线及导电接脚电连接；g、于连接该半导体芯片至该金属基板、绕线及金属壁后形成一密封剂，其中，该密封剂与该半导体芯片接触，并从该半导体芯片、金属基板、绕线及金属壁往第一方向垂直地延伸，而该金属基板从该半导体芯片及绕线往第二方向垂直地延伸；h、于形成该密封剂后，形成一焊接层，该焊接层与该孔洞内的金属壁接触，并与该绕线隔离；i、于形成该焊接层后，利用第二湿式化学蚀刻对该金属基板蚀刻，因此减少该金属基板与绕线间及该金属基板与金属壁间的接触区域，并使该绕线暴露；j、于该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻后，形成一绝缘基板，该绝缘基板与该绕线、金属壁及焊接层接触，并覆盖该绕线、金属壁及焊接层于第二方向上；k、移除一部分的绝缘基板，使该绝缘基板无法覆盖该焊接层于第二方向上；以及l、提供一焊接端，该焊接端与该孔洞内的金属壁接触，并包含该焊接层。142.根据权利要求141所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该绕线的形成方式包括形成一电镀屏蔽于该金属基板上，其中该电镀屏蔽包含一开口，该开口使一部分的金属基板暴露；以及穿过该电镀屏蔽的开口将该绕线电镀于该金属基板的暴露部分。143.根据权利要求141所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属壁及焊接层的形成方法至少包括下列步骤并依照顺序a、穿过一电镀屏蔽的开口将该金属壁电镀于该金属基板上，并进入该导通孔；b、使一锡膏沉积于该金属壁上；以及c、使该锡膏回流，因此形成该焊接层。144.根据权利要求141所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接端为该焊接层。145.根据权利要求141所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接端形成的方式包括于利用第二湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻后，使一焊锡材料沉积于该焊接层上，然后使该焊锡材料及焊接层一起回流，形成该焊接端。146.根据权利要求141所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该第一湿式化学蚀刻进行蚀刻形成该导通孔，该导通孔为一穿孔并延伸穿透该金属基板，使该绕线暴露；以及该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，去除该金属基板与绕线间及该金属基板与金属壁间的接触区域。147.根据权利要求146所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，移除该金属基板。148.根据权利要求141所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该第一湿式化学蚀刻进行蚀刻形成该导通孔，该导通孔为一凹口并延伸该金属基板但未穿透；以及该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，从该金属基板的未蚀刻部分形成一金属柱，该金属基板的未蚀刻部分是通过该金属壁定义，该金属柱与该绕线及金属壁接触，并使该绕线与金属壁间电连接。149.根据权利要求148所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，移除大部分的金属基板。150.根据权利要求141所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，并使该绕线与其它与金属基板接触的绕线具电力地隔离。151.根据权利要求141所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，使该导电接脚与其它于半导体芯片上的导电接脚具电力地隔离。152.根据权利要求141所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该连接部在该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻前形成。153.根据权利要求141所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该连接部在该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻后形成。154.根据权利要求141所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该移除一部分的绝缘基板使该金属壁及焊接层于第二方向暴露，但不使该绕线暴露。155.根据权利要求154所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该移除一部分的绝缘基板为移除覆盖该金属壁及焊接层于第二方向上的绝缘基板。156.根据权利要求155所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该移除一部分的绝缘基板利用研磨方式研磨该绝缘基板。157.根据权利要求156所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该移除一部分的绝缘基板利用研磨方式研磨该绝缘基板，但未研磨该金属壁及焊接层，接着研磨该绝缘基板、金属壁及焊接层，然后直到该绝缘基板、金属壁及焊接层横向地排列于一朝向第二方向的平面时停止研磨，并使该金属壁及焊接层暴露。158.根据权利要求157所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接层直接形成为该焊接端。159.根据权利要求158所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接端形成的方式包括于该绝缘基板、金属壁及焊接端被研磨后使一焊锡材料沉积于该焊接层，然后使该焊锡材料与焊接层一起回流形成该焊接端。160.根据权利要求141所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该半导体芯片封装结构为第一层次封装。161.一种焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，至少包括a、提供一包含相对应的第一平面及第二平面的金属基板，其中该金属基板的第一平面朝向第一方向，该金属基板的第二平面朝向第二方向，而该第二方向与第一方向相反；b、形成一绕线于金属基板的第一平面上，其中该绕线与该金属基板的第一平面接触，并与该金属基板的第二平面隔离；c、机械地连接一半导体芯片至该金属基板及绕线，其中该半导体芯片包括一导电接脚；d、形成一连接部，该连接部与该绕线及导电接脚电连接；e、于连接该半导体芯片至该金属基板及绕线后形成一密封剂，其中，该密封剂与该半导体芯片接触，并从该半导体芯片、金属基板及绕线往第一方向垂直地延伸，而该金属基板从该半导体芯片及绕线往第二方向垂直地延伸；f、于形成密封剂后，利用第一湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻，因此于该金属基板内形成一导通孔，该导通孔由该金属基板的第二平面往其第一平面延伸至该金属基板内；g、形成一金属壁于该金属基板上，其中，该金属壁与该导通孔内的金属基板接触，该金属壁由该金属基板的第二平面往其第一平面延伸至该金属基板内，而该金属壁包含一孔洞，该孔洞由该金属基板的第二平面往其第一平面延伸至该金属基板内，并被该金属壁覆盖于第一方向上，且包含一朝向第二方向的开口；h、形成一焊接层，该焊接层与该孔洞内的金属壁接触，并与该绕线隔离；i、于形成该焊接层后，利用第二湿式化学蚀刻对该金属基板蚀刻，因此减少该金属基板与绕线间及该金属基板与金属壁间的接触区域，并使该绕线暴露；j、于该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻后，形成一绝缘基板，该绝缘基板与该绕线、金属壁及焊接层接触，并覆盖该绕线、金属壁及焊接层于第二方向上；k、移除一部分的绝缘基板，使该绝缘基板无法覆盖该焊接层于第二方向上；以及l、提供一焊接端，该焊接端与该孔洞内的金属壁接触，并包含该焊接层。162.根据权利要求161所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该绕线的形成方式包括形成一电镀屏蔽于该金属基板上，其中该电镀屏蔽包含一开口，该开口使一部分的金属基板暴露；以及穿过该电镀屏蔽的开口将该绕线电镀于该金属基板的暴露部分。163.根据权利要求161所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属壁及焊接层的形成方法至少包括下列步骤并依照顺序a、穿过一电镀屏蔽的开口将该金属壁电镀于该金属基板上，并进入该导通孔；b、使一锡膏沉积于该金属壁上；以及c、使该锡膏回流，因此形成该焊接层。164.根据权利要求161所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接端为该焊接层。165.根据权利要求161所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接端形成的方式包括于利用第二湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻后，使一焊锡材料沉积于该焊接层上，然后使该焊锡材料及焊接层一起回流，形成该焊接端。166.根据权利要求161所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该第一湿式化学蚀刻进行蚀刻形成该导通孔，该导通孔为一穿孔并延伸穿透该金属基板，使该绕线暴露；以及该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，去除该金属基板与绕线间及该金属基板与金属壁间的接触区域。167.根据权利要求166所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，移除该金属基板。168.根据权利要求161所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该第一湿式化学蚀刻进行蚀刻形成该导通孔，该导通孔为一凹口并延伸该金属基板但未穿透；以及该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，从该金属基板的未蚀刻部分形成一金属柱，该金属基板的未蚀刻部分是通过该金属壁定义，该金属柱与该绕线及金属壁接触，并使该绕线与金属壁间电连接。169.根据权利要求168所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，移除大部分的金属基板。170.根据权利要求161所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，并使该绕线与其它与金属基板接触的绕线具电力地隔离。171.根据权利要求161所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，使该导电接脚与其它于半导体芯片上的导电接脚具电力地隔离。172.根据权利要求161所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该连接部在该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻前形成。173.根据权利要求161所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该连接部在该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻后形成。174.根据权利要求161所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该移除一部分的绝缘基板使该金属壁及焊接层于第二方向暴露，但不使该绕线暴露。175.根据权利要求174所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该移除一部分的绝缘基板为移除覆盖该金属壁及焊接层于第二方向上的绝缘基板。176.根据权利要求175所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该移除一部分的绝缘基板利用研磨方式研磨该绝缘基板。177.根据权利要求176所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该移除一部分的绝缘基板利用研磨方式研磨该绝缘基板，但未研磨该金属壁及焊接层，接着研磨该绝缘基板、金属壁及焊接层，然后直到该绝缘基板、金属壁及焊接层横向地排列于一朝向第二方向的平面时停止研磨，并使该金属壁及焊接层暴露。178.根据权利要求177所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接层直接形成为该焊接端。179.根据权利要求178所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接端形成的方式包括于该绝缘基板、金属壁及焊接端被研磨后使一焊锡材料沉积于该焊接层，然后使该焊锡材料与焊接层一起回流形成该焊接端。180.根据权利要求161所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该半导体芯片封装结构为第一层次封装。181.一种焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，至少包括a、提供一包含相对应的第一平面及第二平面的金属基板，其中该金属基板的第一平面朝向第一方向，该金属基板的第二平面朝向第二方向，而该第二方向与第一方向相反；b、形成一绕线于金属基板的第一平面上，其中该绕线与该金属基板的第一平面接触，并与该金属基板的第二平面隔离；c、利用第一湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻，因此于该金属基板内形成一穿孔，该穿孔穿过该金属基板的第一及第二平面间，使该绕线暴露；d、形成一金属壁于该金属基板及绕线，其中，该金属壁与该穿孔内的金属基板及绕线接触，该金属壁延伸穿透该金属基板的第一及第二平面间，而该金属壁包含一孔洞，该孔洞由该金属基板的第二平面往其第一平面延伸至该金属基板内，并被该金属壁覆盖于第一方向上，且包含一朝向第二方向的开口；e、形成一焊接层，该焊接层与该孔洞内的金属壁接触，并与该绕线隔离；f、机械地连接一半导体芯片至该金属基板及绕线，其中该半导体芯片包括一导电接脚；g、形成一连接部，该连接部与该绕线及导电接脚电连接；h、于连接该半导体芯片至该金属基板及绕线后形成一密封剂，其中，该密封剂与该半导体芯片接触，并从该半导体芯片、金属基板及绕线往第一方向垂直地延伸，而该金属基板从该半导体芯片及绕线往第二方向垂直地延伸；i、于形成该金属壁、焊接层及密封剂后，利用第二湿式化学蚀刻对该金属基板蚀刻，因此去除该金属基板与绕线间及该金属基板与金属壁间的接触区域，并使该绕线暴露；j、于该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻后，形成一绝缘基板，该绝缘基板与该绕线、金属壁及焊接层接触，并覆盖该绕线、金属壁及焊接层于第二方向上；k、移除一部分的绝缘基板，使该绝缘基板无法覆盖该焊接层于第二方向上；以及l、提供一焊接端，该焊接端与该孔洞内的金属壁接触，并包含该焊接层。182.根据权利要求181所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该绕线、金属壁及焊接端的形成方式包括将该绕线电镀于该金属基板上，再将该金属壁电镀于该金属基板及绕线，接着使一锡膏沉积于金属壁上，最后使该锡膏回流，因此形成该焊接层。183.根据权利要求181所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接端为该焊接层。184.根据权利要求181所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接端形成的方式包括于利用第二湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻后，使一焊锡材料沉积于该焊接层上，然后使该焊锡材料及焊接层一起回流，形成该焊接端。185.根据权利要求181所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，移除该金属基板。186.根据权利要求181所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，并使该绕线与其它与金属基板接触的绕线具电力地隔离，以及使该导电接脚与其它于半导体芯片上的导电接脚具电力地隔离。187.根据权利要求181所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，进一步包含形成该金属壁，接着形成该焊接层，然后连接该半导体芯片至该金属基板、绕线、金属壁及焊接层，以及形成该密封剂。188.根据权利要求181所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，进一步包含形成该金属壁，接着连接该半导体芯片至该金属基板、绕线及金属壁，然后形成该密封剂，以及形成该焊接层。189.根据权利要求181所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，进一步包含连接该半导体芯片至该金属基板及绕线，接着形成该密封剂，然后形成该金属壁，以及形成该焊接层。190.根据权利要求181所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该移除一部分的绝缘基板利用研磨方式研磨该绝缘基板，但未研磨该金属壁及焊接层，接着研磨该绝缘基板、金属壁及焊接层，然后直到该绝缘基板、金属壁及焊接层横向地排列于一朝向第二方向的平面时停止研磨，并使该金属壁及焊接层暴露。191.一种焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，至少包括a、提供一包含相对应的第一平面及第二平面的金属基板，其中该金属基板的第一平面朝向第一方向，该金属基板的第二平面朝向第二方向，而该第二方向与第一方向相反；b、形成一绕线于金属基板的第一平面上，其中该绕线与该金属基板的第一平面接触，并与该金属基板的第二平面隔离；c、利用第一湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻，因此于该金属基板内形成一凹口，该凹口由该金属基板的第二平面往其第一平面延伸至该金属基板内但未穿透，并与该金属基板的第二平面隔离；d、形成一金属壁于该金属基板及绕线，其中，该金属壁与该凹口内的金属基板接触，该金属壁由该金属基板的第二平面往其第一平面延伸至该金属基板内但未穿透，而该金属壁与该金属基板的第一平面隔离并包含一孔洞，该孔洞由该金属基板的第二平面往其第一平面延伸至该金属基板内，并被该金属壁覆盖于第一方向上，且包含一朝向第二方向的开口；e、形成一焊接层，该焊接层与该孔洞内的金属壁接触，并与该绕线隔离；f、机械地连接一半导体芯片至该金属基板及绕线，其中该半导体芯片包括一导电接脚；g、形成一连接部，该连接部与该绕线及导电接脚电连接；h、于连接该半导体芯片至该金属基板及绕线后形成一密封剂，其中，该密封剂与该半导体芯片接触，并从该半导体芯片、金属基板及绕线往第一方向垂直地延伸，而该金属基板从该半导体芯片及绕线往第二方向垂直地延伸；i、于形成该金属壁、焊接层及密封剂后，利用第二湿式化学蚀刻对该金属基板蚀刻，因此减少该金属基板与绕线间及该金属基板与金属壁间的接触区域但未去除，并从该金属基板的未蚀刻部分形成一金属柱，该金属基板的未蚀刻部分是通过该金属壁定义，该金属柱与该绕线及金属壁接触，并使该绕线与金属壁间电连接，且与该焊接层隔离，使该绕线暴露；j、于该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻后，形成一绝缘基板，该绝缘基板与该绕线、金属壁、金属柱及焊接层接触，并覆盖该绕线、金属壁、金属柱及焊接层于第二方向上；k、移除一部分的绝缘基板，使该绝缘基板无法覆盖该焊接层于第二方向上；以及l、提供一焊接端，该焊接端与该孔洞内的金属壁接触，并包含该焊接层。192.根据权利要求191所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该绕线、金属壁及焊接端的形成方式包括将该绕线电镀于该金属基板上，再将该金属壁电镀于该金属基板及绕线，接着使一锡膏沉积于金属壁上，最后使该锡膏回流，因此形成该焊接层。193.根据权利要求191所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接端为该焊接层。194.根据权利要求191所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该焊接端形成的方式包括于利用第二湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻后，使一焊锡材料沉积于该焊接层上，然后使该焊锡材料及焊接层一起回流，形成该焊接端。195.根据权利要求191所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，移除大部分的金属基板。196.根据权利要求191所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻，并使该绕线与其它与金属基板接触的绕线具电力地隔离，以及使该导电接脚与其它于半导体芯片上的导电接脚具电力地隔离。197.根据权利要求191所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，进一步包含形成该金属壁，接着形成该焊接层，然后连接该半导体芯片至该金属基板、绕线、金属壁及焊接层，以及形成该密封剂。198.根据权利要求191所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，进一步包含形成该金属壁，接着连接该半导体芯片至该金属基板、绕线及金属壁，然后形成该密封剂，以及形成该焊接层。199.根据权利要求191所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，进一步包含连接该半导体芯片至该金属基板及绕线，接着形成该密封剂，然后形成该金属壁，以及形成该焊接层。200.根据权利要求191所述的焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该移除一部分的绝缘基板利用研磨方式研磨该绝缘基板，但未研磨该金属壁及焊接层，接着研磨该绝缘基板、金属壁及焊接层，然后直到该绝缘基板、金属壁及焊接层横向地排列于一朝向第二方向的平面时停止研磨，并使该金属壁及焊接层暴露。全文摘要本发明提供一种焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法，其方法为提供金属基板、绕线、金属壁及焊接层。金属壁包含一孔洞，焊接端与孔洞内的金属壁接触，机械地连接半导体芯片至绕线，形成连接部，而连接部可与该绕线及导电接脚电连接，通过对该金属基板蚀刻，减少该金属基板与绕线间及该金属基板与金属壁间的接触区域，并提供包含焊接层的焊接端。文档编号H01L21/60GK1925123SQ20061010329公开日2007年3月7日申请日期2006年7月24日优先权日2005年8月31日发明者林文强,王家忠申请人:钰桥半导体股份有限公司