专利名称：涂敷显影装置、基板处理方法以及记录介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及对于例如半导体晶片或LCD基板(液晶显示器用玻璃基板)等的基板进行抗蚀剂液的涂敷处理以及曝光后的显影处理的涂敷显影装置、基板处理方法、以及包括实施该基板处理方法的程序的记录介质。
背景技术：
作为半导体设备或LCD基板的制造工艺之一，有下述一连串的工序在基板上形成抗蚀剂膜并使用光掩模对该抗蚀剂膜曝光，之后通过进行显影处理而得到希望的图案。这样的处理，一般使用在进行抗蚀剂液的涂敷或显影的涂敷、显影装置上连接曝光装置的系统来进行。而且，对于形成有抗蚀剂图案的基板进行既定的检查，例如抗蚀剂图案的线宽、抗蚀剂图案和基底图案的重合情况、显影缺陷等的检查，并仅将判定为合格的基板送到下一个工序。这样的基板的检查大多通过与涂敷、显影装置不同的、另外设置的独立的检查装置来进行。但是，还是采用在涂敷、显影装置内设置基板检查装置的所谓内嵌(inline)系统方便。
在特开2002-33266号公报(0095段)中，公开有采用这样的内嵌系统的涂敷、显影装置。在该文献所公开的装置中，如图14所示，在载体模块(载体区域)P1的里侧连接有处理模块(处理区域)P2以及接口模块(接口区域)P3。进而，在接口模块P3上连接有曝光装置P4。载体模块P1，具有载置收纳多张基板的载体10的载体台11、和在与载置在载体台11上的载体10之间进行基板的交接的交接臂(载体模块用搬送机构)12。载体10内的基板经由交接臂12被搬入到处理模块P2，在处理模块P2内形成抗蚀剂膜。之后，形成有抗蚀剂膜的基板经由接口模块P3被搬入到曝光装置P4内，进行曝光处理。曝光后的基板经由接口模块P3被搬入到处理模块P2内，在处理模块P2内进行显影处理。显影处理后的基板被交接臂12交接而被搬送到载体模块P1。
在载体模块P1的侧方设置有基板检查单元13，显影处理后的基板从交接臂12经由中间台15以及专用的臂14被搬入基板检查单元13，进行上述既定检查。进行了检查后的基板以相反的路径而被交接给交接臂12，回到原来的载体10内。
但是，若将基板检查单元13连接在载体模块P1以外，例如要将基板检查单元13设置在接口模块P3上，则显影后的基板必须回到接口模块P3侧。因此，基板的搬送变得复杂，导致搬送效率的降低。此外，在接口模块P3上，配置用于吸收其与曝光装置之间的处理速度的差异的缓冲箱或高精度地将基板设定为曝光装置的温度的温度调整单元等。因此，处理模块内的设备配置空间不足，假如若要配置基板检查单元，则必须令接口模块P3大型化。此外，在将基板检查单元13设置在处理模块P2上时，从空间以及搬送通路的角度来说存在问题。
因此，令基板检查单元13与载体模块P1连接。作为这样的结构的大的优点，可举出下述优点在由于处理模块P2的维修等而停止涂敷、显影处理时，也可通过载体模块P1将来自外部的基板搬入基板检查单元13，即，可单独使用基板检查单元13。
但是，若将基板检查单元13连接在载体模块P1的侧方，则基板检查单元13横向突出。因此，在将涂敷、显影装置与基板检查单元一起设置在清洁室内时，空间的利用效率差，从确保周边设备等的配置或维修空间等的角度来说存在问题。特别是若基板大型化，则例如处理作为基板的半导体晶片(以下称为晶片)时，若晶片W的尺寸在12英寸以上，则基板检查单元13也大型化，问题变得严重。
此外，在特开2006-269672中，公开有在载体模块和处理模块之间设置具有基板检查单元的检查模块的例子。但是，在这样的布置中，包含处理模块的布置而需要大的设置空间。此外，设置在检查模块上的基板的搬送机构要进行载体模块和处理模块之间的基板的交接，并且要进行基板向检查模块的搬送，所以存在该搬送机构的负担变大的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种涂敷、显影装置，在将基板检查单元装入时使占有面积小型化而避免不利的布置。此外，其他的目的在于提供一种在运转涂敷、显影装置并进行处理后的基板的检查时可提高生产量的基板处理方法以及包括用于实施该基板处理方法的程序的记录介质。
本发明的第1涂敷、显影装置，具有处理模块，包括将涂敷膜形成在基板上的多个涂敷膜形成部、和对基板进行显影处理的显影处理部；载体模块，具有将应形成涂敷膜的基板交给上述处理模块、并且从上述处理模块接收进行了上述显影处理的基板的载体模块用搬送机构；接口模块，从上述处理模块接收形成有上述涂敷膜的基板并交给曝光装置、且从曝光装置接收曝光后的基板并交给上述处理模块，上述多个涂敷膜形成部以及上述显影处理部在上述处理模块内上下重叠地配置，各涂敷膜形成部，具有处理单元，该处理单元包括将涂敷液涂敷在基板上的一个以上的液处理单元以及对涂敷有涂敷液的基板进行加热的加热单元；和在这些处理单元之间搬送基板的涂敷膜形成部用搬送机构，上述多个涂敷膜形成部中的至少一个具有将抗蚀剂液涂敷在基板上的液处理单元，上述显影处理部具有处理单元，该处理单元包括加热处理曝光后的基板的加热单元以及将显影液涂敷在基板上的液处理单元；和在这些处理单元之间搬送基板的显影处理部用搬送机构，上述处理模块还包括多个交接单元，配置在分别与上述多个涂敷膜形成部以及上述显影处理部对应的高度方向位置上，在与各交接单元所对应的各部之间经由该各部用的搬送机构进行基板的交接；和在上述多个交接单元之间搬送基板的可升降的交接单元用搬送机构，上述多个涂敷膜形成部以及上述显影处理部中的至少一个还具有对由该部用的搬送机构搬送来的基板进行检查的基板检查单元。在这样的本发明的第1的涂敷、显影装置中，在处理模块内，多个涂敷膜形成部以及显影处理部重叠的顺序不特别限定。
在本发明的第1的涂敷、显影装置中，具有将上述抗蚀剂液涂敷在基板上的液处理单元的涂敷膜形成部也可具有检查形成有抗蚀剂膜的基板的基板检查单元，上述显影处理部也可具有检查显影处理后的基板的基板检查单元。
此外，在本发明的第1的涂敷、显影装置中，上述多个涂敷膜形成部以及上述显影处理部中的至少一个部用的搬送机构也可在该部内的载体模块侧和接口模块侧之间延伸的通路上移动，在该搬送机构的移动路径的两侧配置上述处理单元，将上述基板检查单元配置在上述移动路径的至少某一侧。
进而，在本发明的第1的涂敷、显影装置中，上述处理模块也可还包括以与上述多个涂敷膜形成部以及上述显影处理部上下重叠的方式设置的直行搬送部，上述直行搬送部具有从上述处理模块的载体模块侧向上述接口模块侧直行搬送形成有涂敷膜的基板的直行搬送部用搬送机构。在这样的第1的涂敷、显影装置中，在处理模块内，多个涂敷膜形成部、显影处理部以及直行搬送部重叠的顺序不特别限定。
进而，在本发明的第1的涂敷、显影装置中，上述多个交接单元也可设置在上述多个涂敷膜形成部以及上述显影处理部的上述载体模块侧，上述载体模块用搬送机构在其与上述多个交接单元中的至少一个之间交接基板。
进而，在本发明的第1的涂敷、显影装置中，上述处理模块也可具有与上述多个交接单元不同的、配置在与上述多个涂敷膜形成部以及上述显影处理部中的某个部对应的高度方向位置上的至少一个第2交接单元。在这样的涂敷、显影装置中，上述处理模块和上述载体模块之间的基板交接经由上述多个交接单元进行，上述处理模块和上述接口模块之间的基板交接经由上述第2交接单元进行。
本发明的第2涂敷、显影装置，具有处理模块，包括将涂敷膜形成在基板上的多个涂敷膜形成部、对基板进行显影处理的显影处理部、和检查基板的基板检查部；载体模块，具有将应形成涂敷膜的基板交给上述处理模块、并且从上述处理模块接收进行了上述显影处理的基板的载体模块用搬送机构；接口模块，从上述处理模块接收形成有上述涂敷膜的基板并交给曝光装置、且从曝光装置接收曝光后的基板并交给上述处理模块，上述多个涂敷膜形成部、上述显影处理部、以及上述基板检查部在上述处理模块内上下重叠地配置，各涂敷膜形成部，具有处理单元，该处理单元包括将涂敷液涂敷在基板上的一个以上的液处理单元以及对涂敷有涂敷液的基板进行加热的加热单元；和在这些处理单元之间搬送基板的涂敷膜形成部用搬送机构，上述多个涂敷膜形成部中的至少一个具有将抗蚀剂液涂敷在基板上的液处理单元，上述显影处理部具有处理单元，该处理单元包括加热处理曝光后的基板的加热单元以及将显影液涂敷在基板上的液处理单元；和在这些处理单元之间搬送基板的显影处理部用搬送机构，上述基板检查部具有检查基板的多个基板检查单元、和在这些基板检查单元之间搬送基板的基板检查部用搬送机构，上述处理模块还包括多个交接单元，配置在分别与上述多个涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述基板检查部对应的高度方向位置上，在与各交接单元所对应的各部之间经由该各部用的搬送机构进行基板的交接；和在上述多个交接单元之间搬送基板的可升降的交接单元用搬送机构。在这样的本发明的第2的涂敷、显影装置中，在处理模块内，多个涂敷膜形成部、显影处理部、以及基板检查部重叠的顺序不特别限定。
在本发明的第2的涂敷、显影装置中，上述处理模块，也可还包括以与上述多个涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述基板检查部上下重叠的方式设置的直行搬送部，上述直行搬送部具有从上述处理模块的载体模块侧向上述接口模块侧直行搬送形成有涂敷膜的基板的直行搬送部用搬送机构。在这样的第2的涂敷、显影装置中，在处理模块内，多个涂敷膜形成部、显影处理部、基板检查部以及直行搬送部重叠的顺序不特别限定。
在本发明的第2的涂敷、显影装置中，上述基板检查部也可具有检查形成有抗蚀剂膜的基板的基板检查单元和检查显影处理后的基板的基板检查单元，上述多个交接单元设置在上述多个涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述基板检查部的上述载体模块侧，在上述基板检查部的上述接口模块侧，也可设置进行与上述基板检查部之间的基板交接并且还进行与上述接口模块之间的基板交接的第2交接单元。
进而，在本发明的第2的涂敷、显影装置中，上述多个交接单元，也可设置在上述多个涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述基板检查部的上述载体模块侧，上述载体模块用搬送机构在其与上述多个交接单元中的至少一个之间交接基板。
本发明的第1基板处理方法，是使用下述涂敷、显影装置对基板进行处理的方法，所述涂敷、显影装置，具有处理模块，包括将涂敷膜形成在基板上的涂敷膜形成部、和对基板进行显影处理的显影处理部；载体模块，在其与上述处理模块之间进行基板的交接；接口模块，在其与上述处理模块之间进行基板的交接并且连通到曝光装置，上述处理模块还包括直行搬送部，该直行搬送部具有在上述处理模块的载体模块侧和上述接口模块侧之间直行搬送基板的直行搬送部用搬送机构，上述涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述直行搬送部在上述处理模块内上下重叠地配置，上述涂敷膜形成部以及上述显影处理部，分别具有处理基板的处理单元、检查基板的基板检查单元和在这些单元之间搬送基板的各部用的搬送机构，上述处理模块，还包括多个交接单元，分别与上述涂敷膜形成部、上述显影处理部的搬运机构以及上述直行搬送部对应，在与对应的各部的搬送机构之间进行基板的交接；和在上述多个交接单元之间搬送基板的交接单元用搬送机构，其特征在于，该方法具有下述工序将搬入上述载体模块的基板搬送到上述处理模块的上述涂敷膜形成部的工序；在上述涂敷膜形成部的上述处理单元中在基板上形成抗蚀剂膜的工序；借助上述涂敷膜形成部用搬送机构将形成有上述抗蚀剂膜的基板搬送到上述涂敷膜形成部的上述基板检查单元并检查该基板的工序；经由上述交接单元将检查后的基板从上述涂敷膜形成部搬送到上述直行搬送部，进而一边使用上述直行搬送部用搬送机构一边向接口模块搬送检查后的基板的工序；将曝光后的基板搬送到上述处理模块的上述显影处理部的工序；在上述显影处理部的上述处理单元中对曝光后的基板进行显影处理的工序；借助上述显影处理部用搬送机构将上述显影处理后的基板搬送到上述显影处理部的上述基板检查单元并检查该基板的工序；将检查后的基板向上述载体模块搬送的工序。另外，在涂敷、显影装置的处理模块内，多个涂敷膜形成部、显影处理部、以及直行搬送部重叠的顺序不特别限定。
本发明的第2基板处理方法，是使用下述涂敷、显影装置对基板进行处理的方法，所述涂敷、显影装置，具有处理模块，包括将涂敷膜形成在基板上的涂敷膜形成部、对基板进行显影处理的显影处理部和检查基板的基板检查部；载体模块，在其与上述处理模块之间进行基板的交接；接口模块，在其与上述处理模块之间进行基板的交接并且连通到曝光装置，上述涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述基板检查部在上述处理模块内上下重叠地配置，上述涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述基板检查部，具有在各部内搬送基板的各部用的搬送机构，上述处理模块，还包括多个交接单元，分别与上述涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述基板检查部对应，在与对应的各部的搬送机构之间进行基板的交接；和在上述多个交接单元之间搬送基板的交接单元用搬送机构，其特征在于，该方法具有下述工序将搬入上述载体模块的基板搬送到上述处理模块的上述涂敷膜形成部并在该基板上形成抗蚀剂膜的工序；经由上述交接单元将形成抗蚀剂膜后的基板从上述涂敷膜形成部搬送到上述基板检查部并检查该基板的工序；使用上述基板检查部用的搬送机构将检查后的基板搬送到与上述交接单元不同的、设置在上述处理单元的上述接口模块侧的第2交接单元，进而经由该第2交接单元向上述接口模块搬送检查后的基板的工序；将曝光后的基板搬送到上述处理模块的上述显影处理部并对该基板进行显影处理的工序；经由上述交接单元将上述显影处理后的基板从上述显影处理部搬送到上述基板检查部并检查该基板的工序；将检查后的基板向上述载体模块搬送的工序。另外，在涂敷、显影装置的处理模块内，多个涂敷膜形成部、显影处理部、以及基板检查部重叠的顺序不特别限定。
本发明的第3基板处理方法，是使用下述涂敷、显影装置对基板进行处理的方法，所述涂敷、显影装置，具有处理模块，包括将涂敷膜形成在基板上的涂敷膜形成部、对基板进行显影处理的显影处理部、和检查基板的基板检查部；载体模块，在其与上述处理模块之间进行基板的交接；接口模块，在其与上述处理模块之间进行基板的交接并且连通到曝光装置，上述处理模块还包括直行搬送部，该直行搬送部具有在上述处理模块的载体模块侧和上述接口模块侧之间直行搬送基板的直行搬送部用搬送机构，上述涂敷膜形成部、上述显影处理部、上述基板检查部以及上述直行搬送部在上述处理模块内上下重叠地配置，上述涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述基板检查部具有在各部内搬送基板的各部用的搬送机构，上述处理模块还包括多个交接单元，分别与上述涂敷膜形成部、上述显影处理部、上述基板检查部以及上述直行搬送部对应，在与对应的各部的搬运机构之间进行基板的交接；和在上述多个交接单元之间搬送基板的交接单元用搬送机构，其特征在于，该方法具有下述工序将搬入上述载体模块的基板搬送到上述处理模块的上述涂敷膜形成部并在该基板上形成抗蚀剂膜的工序；经由上述交接单元将形成抗蚀剂膜后的基板从上述涂敷膜形成部搬送到上述基板检查部并检查该基板的工序；经由上述交接单元将检查后的基板从上述基板检查部搬送到上述直行搬送部中，进而一边使用上述直行搬送部用搬送机构一边向接口模块搬送检查后的基板的工序；将曝光后的基板搬送到上述处理模块的上述显影处理部并对该基板进行显影处理的工序；经由上述交接单元将上述显影处理后的基板从上述显影处理部搬送到上述基板检查部并检查该基板的工序；将检查后的基板搬送到上述载体模块中的工序。另外，在涂敷、显影装置的处理模块内，多个涂敷膜形成部、显影处理部、基板检查部以及直行搬送部重叠的顺序不特别限定。
本发明的第1的记录介质，是记录由控制下述涂敷、显影装置的控制装置执行的程序的记录介质，所述涂敷、显影装置，具有处理模块，包括将涂敷膜形成在基板上的涂敷膜形成部、和对基板进行显影处理的显影处理部；载体模块，在其与上述处理模块之间进行基板的交接；接口模块，在其与上述处理模块之间进行基板的交接并且连通到曝光装置，上述处理模块还包括直行搬送部，该直行搬送部具有在上述处理模块的载体模块侧和上述接口模块侧之间直行搬送基板的直行搬送部用搬送机构，上述涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述直行搬送部在上述处理模块内上下重叠地配置，上述涂敷膜形成部以及上述显影处理部分别具有处理基板的处理单元、检查基板的基板检查单元、和在这些单元之间搬送基板的各部用的搬送机构，上述处理模块还包括多个交接单元，分别与上述涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述直行搬送部对应，在与对应的各部的搬送机构之间进行基板的交接；和在上述多个交接单元之间搬送基板的交接单元用搬送机构，其特征在于，通过借助上述控制装置执行上述程序而在涂敷、显影装置中实施具有下述工序的基板的处理方法将搬入上述载体模块的基板搬送到上述处理模块的上述涂敷膜形成部的工序；在上述涂敷膜形成部的上述处理单元中在基板上形成抗蚀剂膜的工序；借助上述涂敷膜形成部用搬送机构将形成上述抗蚀剂膜的基板搬送到上述涂敷膜形成部的上述基板检查单元并检查该基板的工序；经由上述交接单元将检查后的基板从上述涂敷膜形成部搬送到上述直行搬送部，进而一边使用上述直行搬送部用搬送机构一边向接口模块搬送检查后的基板的工序；将曝光后的基板搬送到上述处理模块的上述显影处理部的工序；在上述显影处理部的上述处理单元中对曝光后的基板进行显影处理的工序；借助上述显影处理部用搬送机构将上述显影处理后的基板搬送到上述显影处理部的上述基板检查单元，并检查该基板的工序；将检查后的基板向上述载体模块搬送的工序。另外，在涂敷、显影装置的处理模块内，多个涂敷膜形成部、显影处理部以及直行搬送部重叠的顺序不特别限定。
本发明的第2的记录介质，是记录由控制下述涂敷、显影装置的控制装置执行的程序的记录介质，所述涂敷、显影装置，具有处理模块，包括将涂敷膜形成在基板上的涂敷膜形成部、对基板进行显影处理的显影处理部、和检查基板的基板检查部；载体模块，在其与上述处理模块之间进行基板的交接；接口模块，在其与上述处理模块之间进行基板的交接并且连通到曝光装置，上述涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述基板检查部在上述处理模块内上下重叠地配置，上述涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述基板检查部具有在各部内搬送基板的各部用的搬送机构，上述处理模块还包括多个交接单元，分别与上述涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述基板检查部对应，在与对应的各部的搬送机构之间进行基板的交接；和在上述多个交接单元之间搬送基板的交接单元用搬送机构，其特征在于，通过借助上述控制装置执行上述程序而在涂敷、显影装置中实施具有下述工序的基板的处理方法将搬入上述载体模块的基板搬送到上述处理模块的上述涂敷膜形成部并在该基板上形成抗蚀剂膜的工序；经由上述交接单元将形成抗蚀剂膜后的基板从上述涂敷膜形成部搬送到上述基板检查部，并检查该基板的工序；使用上述基板检查部用的搬送机构将检查后的基板搬送到与上述交接单元不同的、设置在上述处理单元的上述接口模块侧的第2交接单元，进而经由该第2交接单元向上述接口模块搬送检查后的基板的工序；将曝光后的基板搬送到上述处理模块的上述显影处理部并对该基板进行显影处理的工序；经由上述交接单元将上述显影处理后的基板从上述显影处理部搬送到上述基板检查部，并检查该基板的工序；将检查后的基板向上述载体模块搬送的工序。另外，在涂敷、显影装置的处理模块内，多个涂敷膜形成部、显影处理部以及基板检查部重叠的顺序不特别限定。
本发明的第3的记录介质，是记录由控制下述涂敷、显影装置的控制装置来执行的程序的记录介质，所述涂敷、显影装置，具有处理模块，包括将涂敷膜形成在基板上的涂敷膜形成部、对基板进行显影处理的显影处理部、和检查基板的基板检查部；载体模块，在其与上述处理模块之间进行基板的交接；接口模块，在其与上述处理模块之间进行基板的交接并且连通到曝光装置，上述处理模块还包括直行搬送部，该直行搬送部具有在上述处理模块的载体模块侧和上述接口模块侧之间直行搬送基板的直行搬送部用搬送机构，上述涂敷膜形成部、上述显影处理部、上述基板检查部以及上述直行搬送部在上述处理模块内上下重叠地配置，上述涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述基板检查部具有在各部内搬送基板的各部用的搬送机构，上述处理模块还包括多个交接单元，分别与上述涂敷膜形成部、上述显影处理部、上述基板检查部以及上述直行搬送部对应，在与对应的各部的搬运机构之间进行基板的交接；和在上述多个交接单元之间搬送基板的交接单元用搬送机构，其特征在于，通过借助上述控制装置执行上述程序而在涂敷、显影装置中实施具有下述工序的基板的处理方法将搬入上述载体模块的基板搬送到上述处理模块的上述涂敷膜形成部并在该基板上形成抗蚀剂膜的工序；经由上述交接单元将形成抗蚀剂膜后的基板从上述涂敷膜形成部搬送到上述基板检查部，并检查该基板的工序；经由上述交接单元将检查后的基板从上述基板检查部搬送到上述直行搬送部，进而一边使用上述直行搬送部用搬送机构一边向接口模块搬送检查后的基板的工序；将曝光后的基板搬送到上述处理模块的上述显影处理部并对该基板进行显影处理的工序；经由上述交接单元将上述显影处理后的基板从上述显影处理部搬送到上述基板检查部，并检查该基板的工序；将检查后的基板搬送到上述载体模块中的工序。另外，在涂敷、显影装置的处理模块内，多个涂敷膜形成部、显影处理部、基板检查部以及直行搬送部重叠的顺序不特别限定。
根据本发明，在上下重叠地配置的涂敷膜形成部以及显影处理部的某一个中组装入基板检查单元。此外，根据其他的发明，具有基板检查单元的基板检查部配置为与涂敷膜形成部以及显影处理部上下重叠。在任意一项发明中，可防止基板检查单元从涂敷、显影装置主体向外方突出。因此，涂敷、显影装置作为整体具有良好的外形形状，此外，可节省用于配置涂敷、显影装置所必需的空间。
图1是表示本发明的涂敷、显影装置的第1实施方式的横剖视图，是表示涂敷、显影装置的显影处理部的图。
图2是表示图1所示的涂敷、显影装置的立体图。
图3是表示图1所示的涂敷、显影装置的纵剖视图。
图4是表示图1所示的涂敷、显影装置的显影处理部(DEV层)以及直行搬送部的立体图。
图5是表示使用图1所示的涂敷、显影装置处理基板时的基板搬送路径的一例的示意图。
图6是与图2对应的图，是表示本发明的涂敷、显影装置的第2实施方式的立体图。
图7是与图3对应的图，是表示图6所示的涂敷、显影装置的侧剖视图。
图8是图6所示的涂敷、显影装置的基板检查部的横剖视图。
图9是与图5对应的图，是表示使用图6所示的涂敷、显影装置处理基板时的基板搬送路径的一例的图。
图10是与图2对应的图，是表示本发明的涂敷、显影装置的第3实施方式的立体图。
图11是与图3对应的图，是表示图10所示的涂敷、显影装置的纵剖视图。
图12是与图8对应的图，是表示图10所示的涂敷、显影装置的基板检查部的横剖视图。
图13是与图5对应的图，是表示使用图10所示的涂敷、显影装置处理基板时的基板搬送路径的一例的示意图。
图14是用于说明以往的涂敷、显影装置的图。
具体实施例方式
以下，对本发明的一实施方式进行说明。
首先，参照图1至图5对第1实施方式进行说明。在图1以及图2中，表示在显影装置上连接曝光装置的系统。该涂敷、显影装置1，具有载置可密闭收纳多个基板(例如13张的晶片W)的载体20的载体模块(载体区域)S1、包括多个(例如四个)沿系统整体的长度方向设置的部B1～B4以及直行搬送部M1的处理模块(处理区域)S2、接口模块(接口区域)S3。曝光装置S4与接口模块S3连接。
在上述载体模块(block)S1上设置有可载置多个上述载体20的载置台21、从该载置台21看去设置在在前方的壁面上的开闭部22、可经由开闭部22从载体20取出晶片W以及经由开闭部22向载体20中放入晶片W的传送臂(载体模块用搬送机构)C。该传送臂C构成为可在与后述的显影处理部(DEV层)B1、B2对应的交接单元TRS1、与直行搬送部M1对应的交接单元TRS1B、以及与涂敷膜形成部(BCT层)B3对应的交接单元TRS3之间进行晶片W的交接。具体而言，传送臂C，进退自如、升降自如、绕铅直轴旋转自如、并且在载体20的排列方向上移动自如。
在载体模块S1的里侧，连接有由壳体24包围周围的处理模块S2。处理模块S2具有在晶片W上形成涂敷膜的多个涂敷膜形成部B3、B4、对晶片W进行显影处理的显影处理部B1、B2、从载体模块S1侧向接口模块S3侧直行搬送晶片W的直行搬送部M1。涂敷膜形成部B3、B4、显影处理部B1、B2、以及直行搬送部M1上下重叠地配置。如图3所示，在本实施方式中，以下述顺序从下方侧开始层叠用于进行显影处理的第1单位区域(显影处理部DEV层)B1、第2单位区域(显影处理部DEV层)B2、搬送区域(直行搬送部)M1、用于进行形成在抗蚀剂膜的下层侧的反射防止膜(以下称为“下部反射防止膜”)的形成处理的第3单位区域(涂敷膜形成部BCT层)B3、用于进行抗蚀剂液的涂敷处理的第4单位区域(涂敷膜形成部COT层)B4。这些单位区域B1～B4以及搬送区域M1在处理模块S2内从载体模块S1侧向接口模块S3侧延伸。
上述DEV层B1、B2相当于显影处理部，BCT层B3以及COT层B4相当于用于形成由感光材料例如抗蚀剂构成的涂敷膜的涂敷膜形成部。在DEV层(显影处理部)B2和直行搬送部M1之间，在直行搬送部M1与BCT层(涂敷膜形成部)B3之间，以及BCT层(涂敷形成部)B3和COT层(涂敷膜形成部)B4之间，分别借助分隔板(基体)46进行分隔。
接着对各部B(B1～B4)的结构进行说明，在本实施方式中这些各部B1～B4中包括很多相同的部分，各部B以大致相同的布置构成。首先，参照图1以及图4说明DEV层B1、B2，对于其他的层主要说明与DEV层B1、B2不同的部分。
如图1以及图4所示，在DEV层B1的中央部，沿横方向、详细而言沿DEV层B1、B2的长度方向(图中Y方向)形成用于连接载体模块S1和接口模块S3的晶片W搬送用通路R1。从该搬送用通路R1的载体模块S1侧看，在从近前侧(载体模块S1侧)朝向里侧的右侧上，具有用于进行显影液的涂敷处理的多个涂敷部的显影单元31、32作为液处理单元而上下重叠地沿搬送通路R1设置。另外，在本实施方式中，DEV层B1、B2没有相互分隔而一体地形成，但为了方便，将包括显影单元31的水平区域称为DEV层B1，将包括显影单元32的水平区域称为DEV层B2。
显影单元31、32分别作为用于对曝光后的晶片W进行显影处理的液处理单元而构成，具有壳体30。在各壳体30内配置多个例如3个显影部33。显影部33，包括保持晶片W而令其旋转的晶片保持部和包围该晶片保持部的杯体34等。在显影部33内，从未图示的药液喷嘴向晶片W表面供给显影液，形成显影液的液膜而进行显影处理。之后，借助来自未图示的清洗液供给机构的清洗液洗去晶片W表面的显影液，接着晶片W旋转而干燥，由此结束显影处理。另外，图中30a是晶片W的搬送口。
此外，在从DEV层B1的近前侧朝向里侧的左侧上，沿搬送用通路R1顺序地设置3个架状单元组U1、U2、U3。3个架状单元组U1、U2、U3以层叠的方式包括用于进行由显影单元31、32进行的处理的前处理以及后处理的加热/冷却系统的热处理单元、以及对晶片W进行既定的检查的检查单元。即，显影单元31、32和架状单元组U1～U3隔着搬送用通路R1而对置地排列。此外，在这些架状单元组U1～U3的下层上设置排气单元35。排气单元35具有面向搬送用通路R1开口的吸引口36，经由该吸引口36进行搬送用通路R1的排气。另外，图中47为装置的底板。
在上述热处理单元中，包括例如对曝光后的晶片W进行加热处理或为了令显影处理后的晶片W干燥而进行加热处理等的加热单元、和用于将在加热单元中处理后的晶片W调整为既定温度的冷却单元等。另外，在本实施方式中，例如作为上述架状单元组U1层叠3层加热单元41，作为架状单元组U2层叠3层冷却单元42。
架状单元组U3，由层叠例如两层的基板检查单元43形成，该基板检查单元43进行显影处理后的晶片W的检查。各基板检查单元43，可将下述检查装置分别单元化而根据期望的检查的种类适宜地进行选择用于检测显影处理的不良以及缺陷的缺陷检查装置、检查基板表面的异物的异物检查装置、用于测定形成在基板上的抗蚀剂膜的图案的线宽(CD)的线宽测定装置、用于检查曝光后的基板与光掩模的重合精度的重合检查装置、用于检测残存在显影处理后的基板上的抗蚀剂残渣的残渣检查装置、用于检测由于曝光装置而产生的图案的位置偏离的散焦检查装置等。另外，在实际中，各检查单元43的配置个数以及配置布局可根据期望的检查种类或可配置的空间来决定。
加热单元41、冷却单元42、检查单元43分别具有壳体，在各壳体的面向搬送用通路R1的前表面上开口有用于进行晶片W的交接的搬送口40。
如图4所示，在上述搬送用通路R1上设置进行DEV层B1、B2内的晶片W的搬送的主臂(显影处理部用搬送机构)A1。该主臂A1，构成为在架状单元组U1～U3的各处理单元41、42以及检查单元43、显影单元31、32、后述架状单元组(第1交接单元组)U5的交接单元以及架状单元组(第2交接单元组)U6的交接单元之间进行晶片W的交接。主臂A1具有用于支承例如晶片W的背面侧周缘区域的两片臂体51、52以及支承这些臂体51、52的搬送基体53。臂体51、52构成为在搬送基体53上独立地进退自如。图中54、55是用于引导该搬送基体53的导轨。导轨54支承在导轨55上。搬送基体53，可沿导轨54升降，可沿导轨55移动，此外，可绕铅直轴旋转。
接着，参照图1、图3以及图4对直行搬送部M1进行说明。该直行搬送部M1设置在DEV层B1、B2和BCT层B3之间，在该直行搬送部M1中，晶片W被从载体模块S1侧向接口模块S3侧直行地搬送。该直行搬送部M1，借助分隔板而分别与DEV层(显影处理部)B1、B2的搬送用通路R1以及BCT层(涂敷膜形成部)B3的搬送用通路R1分隔开。此外，直行搬送部M1，包括搬送区域M2和梭臂(直行搬送机构)6。另外，为了图示的方便，在图4中省略上述分隔板46。
梭臂(shuttle arm)6具有例如移动部6A和驱动部6B，移动部6A构成为可沿例如与搬送用通路R1并行的搬送区域M2移动。移动部6A具有例如用于支承晶片W的背面侧周缘区域的臂体61，该臂体61构成为在搬送基体62上进退自如。此外，搬送基体62绕铅直轴旋转自如地设置在移动基体63上。另外，若不限定大小，则也可设置令搬送基体62升降的机构。图中64是设置在驱动部6B上的导轨，导轨64沿搬送区域M2延伸。具有在横方向上引导上述移动部6A的作用。移动部6A在设置于后述的架状单元组(第1交接单元组)U5上的交接单元TRS1B和设置在架状单元组(第2交接单元组)U6上的交接单元TRS6B之间进行晶片W的交接。
搬送用通路R1以及搬送区域M2中的与载体模块S1邻接的区域为第1晶片交接区域R2。在该区域R2上，如图1以及图3所示，在主臂A1、梭臂6的移动部6A、传送臂C可进行存取的位置上，设置架状单元组(第1交接单元组)U5、和用于对该架状单元组U5进行晶片W的交接的升降自如的交接臂(第1交接单元用搬送机构)D1。
该架状单元组U5，具有配置在与直行搬送部M1对应的高度位置的交接单元TRS1B、配置在与DEV层B1、B2对应的高度位置上的例如两台交接单元TRS1、配置在与BCT层B3对应的高度位置上的例如两台交接单元TRS3、配置在与COT层B4对应的高度位置上的例如两台交接单元TRS4。在交接单元TRS1B中，传送臂C、梭臂6的移动部6A以及交接臂D1可进行存取。在交接单元TRS1中，主臂A1、传送臂C以及交接臂D1可分别进行存取(access)。
各交接单元TRS1以及交接单元TRS1B具有例如方形的壳体、设置在各壳体内且支承晶片W的台、在该台上自如地突出沉入的销。其中，台具有将支承的晶片W的温度调节为预定温度的机构。而且，各交接单元经由例如在壳体的朝向各臂的侧面上所设置的搬送口进行晶片W的交接。具体而言，各臂经由该搬送口进入该壳体内，将在从台上浮起的状态下被销支承的晶片W从该晶片的背面侧拿起。此外，各臂经由搬送口进入壳体内，将持入的晶片W载置在从台上突出的销上。
如上所述，在与BCT层B3对应的高度位置上设置两台交接单元TRS3。此外，在与COT层B4对应的高度位置上设置两台交接单元TRS4(参照图3)。各TRS3、4都具有上述的TRS1、TRS1B那样的构造。而且，交接单元TRS3、TRS4，构成为可与设置在各层B3、B4上的主臂A3、A4以及交接臂D1进行晶片W的交接。此外，构成为对于与BCT层B3对应的交接单元TRS3来说，除了这些的臂之外，也可与传送臂C进行晶片W的交接。但是，各TRS的数量不限定，可与各模块对应而设定两台以上。
交接臂D1可升降为与各层对应的高度。而且，交接臂D1可相对于与各层对应地设置的交接单元TRS1～TRS4、TRS1B进退。其结果，交接臂D1可相对于与各层对应地设置的交接单元TRS1～TRS4、TRS1B进行晶片W的交接。此外，交接单元TRS1、TRS3、TRS1B在本例中构成为在其与传送臂C之间也可进行晶片W的交接。
DEV层B1、B2的搬送用通路R1以及直行搬送部M1的搬送区域M2中的与接口模块S3邻接的区域成为第2晶片交接区域R3。在该区域R3中，如图3所示，设置架状单元组(第2交接单元组)U6。在架状单元组U6的与直行搬送部M1对应的高度位置上设置交接单元TRS6B，在与DEV层B1、B2对应的高度位置上设置交接单元TRS6。交接单元TRS6B在其与梭臂6和接口臂I之间分别进行晶片W的交接。此外，交接单元TRS6在其与主臂A1和接口臂I之间分别进行晶片W的交接。交接单元TRS6B、TRS6具有与例如上述的交接单元TRS1B、TRS1相同的构造，具有晶片W的冷却功能，构成为可进行交接后的晶片W的温度管理。
此外，在处理模块S2的架状单元组U6的里侧设置接口模块S3。接口模块S3与曝光装置S4连接。接口模块S3上设置有用于相对于处理模块S2的架状单元组U6和曝光装置S4进行晶片W的交接的接口臂(接口模块用搬送机构)I。该接口臂I构成为进退自如、升降自如、绕铅直轴旋转自如。另外，上述交接臂D1可构成为与接口臂I相同，但也可构成为与接口臂I不同而不绕铅直轴旋转。
该接口臂I是夹在处理模块S2和曝光装置S4之间的晶片W搬送机构，从与直行搬送部M1对应的交接单元TRS6B接收晶片W，向曝光装置S4搬入，从曝光装置S4接收晶片W而交接到交接单元TRS6。
接着，简单对BCT层B3以及COT层B4进行说明。BCT层B3以及COT层B4与DEV层B1、B2大致相同地构成。但是，BCT层B3以及COT层B4与DEV层B1、B2不同的是作为液处理单元的药液，代替显影液而使用形成反射防止膜用的药液或者抗蚀剂膜形成用的药液(抗蚀剂液)；药液的涂敷方法不同。此外，BCT层B3以及COT层B4与DEV层B1、B2的不同点还在于构成各架状单元组的加热系统、冷却系统的单元中的处理条件不同。进而，在BCT层B3以及COT层B4的接口模块S3侧，没有配置架状单元组U6的交接单元，设置遮敝板48以便例如如图3所示那样分隔为与搬送用通路R1和晶片交接区域R3相当的区域。
BCT层B3、COT层B4上分别设置一台排气单元35。在各排气单元35上，沿搬送用通路R1设置例如4台架状单元组。这些架状单元组分别由上下两个层叠的处理单元构成。此外，作为构成COT层B4的架状单元组的处理单元，除上述的冷却单元以及加热单元以外，包括对晶片W进行疏水化处理的单元、将晶片W的周缘部曝光的周缘曝光单元以及进行形成抗蚀剂膜后的晶片W的检查的基板检查单元。
作为该COT层B4的基板检查单元，将下述装置单元化而可与期望的检查对应地进行适宜选择例如缺陷检查装置、用于测定抗蚀剂的膜厚的膜厚测定装置、涂敷斑表面检查装置、用于检测附着在基板上的颗粒(异物)数量的表面异物装置、取得晶片的翘曲数据的基板翘曲检查装置、用于检查在抗蚀剂涂敷后的晶片W的表面由于抗蚀剂液中的气泡或异物而产生的彗状物(comet)的彗状物检测装置、检测从晶片W的表面飞出的抗蚀剂液的溶剂再附着在晶片W上的回溅的回溅检测装置、用于检测抗蚀剂液的涂敷不均的涂敷不均检测装置等。
此外，作为其他的构成COT层B4的架状单元组的处理单元，可选择将下述处理装置单元化对晶片W实施激光处理而制作既定识别码的基板识别名称曝光机、或用激光对包覆晶片W的校准掩模的抗蚀剂进行处理令其升华而令该掩模露出的激光磨蚀装置等。在此，这些单元化后的处理装置也包含于用于进行上述各自既定检查的单元化后的装置，称为基板检查单元。
该涂敷、显影装置1，具有控制部100，所述控制部100具有由例如计算机构成的程序储存部。在程序储存部中储存有由将命令组合的例如软件构成的计算机程序，以便执行后述的该涂敷、显影装置1的动作，即晶片W的处理、晶片W的交接、搬送路径的方案的管理等。而且，通过将该程序读出到控制部100，控制部100控制该涂敷、显影装置1的动作。另外，该程序在收纳于例如硬盘、CD、磁光盘、记录卡等的记录介质101中的状态下而储存在程序储存部中。
接着，说明使用涂敷、显影装置1而处理晶片W的方法的一例。首先，从外部将载体20搬入载体模块S1。借助传送臂C从该载体20内取出晶片W。晶片W以下述顺序被搬送而形成下部反射防止膜传送臂C→架状单元组U5的交接单元TRS3→BCT层B3的主臂A3→冷却单元→主臂A3→下部反射防止膜形成单元(未图示，是与图4中的显影单元31、32对应的液处理单元)→主臂A3→加热单元→主体A3→冷却单元→主臂A3→架状单元组U5的交接单元TRS3。
接着，交接单元TRS3的晶片W以下述顺序被搬送而在下部反射防止膜的上层上形成抗蚀剂膜交接臂D1→与COT层B4对置的交接单元TRS4→COT层B4的主臂A4→冷却单元→主臂A4→疏水化处理单元→主臂A4→冷却单元→主臂A4→抗蚀剂涂敷单元(未图示，是与图4的显影单元31、32对应的液处理单元)→主臂A4→加热单元。之后，晶片W被主臂A4搬送到周缘曝光单元，周缘部被曝光。
周缘被曝光后的晶片W的全部或从这些晶片W中选择的晶片W被主臂A4搬送到COT层B4的各基板检查单元，依次接受既定的检查、例如抗蚀剂的膜厚检查或抗蚀剂膜表面的颗粒检查等。之后，晶片W被主臂A4搬送到架状单元组U5的交接单元TRS4中。接着，交接单元TRS4内的晶片W以下述顺序被搬送交接臂D1→交接单元TRS1B→梭臂6→交接单元TRS6B→接口臂I→曝光装置S4。晶片W，在曝光装置S4内被实施既定的曝光处理。
曝光处理后的晶片W在下述顺序下被搬送并进行既定的显影处理接口臂I→交接单元TRS6→DEV层B1、B2的主臂A1→加热单元41→主臂A1→冷却单元42→主臂A1→显影单元31(32)→主臂A1→加热单元41→主臂A1→冷却单元42。进行了这样的显影处理后的晶片W被主臂A1搬送到架状单元组U3的各基板检查单元43中，依次接受既定的检查。之后，检查后的晶片W被主臂A1搬送到架状单元组U5的交接单元TRS1中。接着，晶片W被传送臂C放回到载置在载体模块S1上的原来的载体20中。
图5示意地表示以上说明的晶片W的搬送路径。如图中点划线的箭头所表示的那样，晶片W在涂敷膜形成部B3～B4之间移动，在形成涂敷膜后，在COT层(涂敷膜形成)B4的基板检查单元中接受曝光前的既定的检查(步骤1)。之后，晶片W如实线的箭头所示，被梭臂6经由直行搬送部M1而从处理模块S2内的载体模块S1侧向接口模块S3侧搬送，进而被搬送到曝光装置S4(步骤2)。接受了曝光处理后的晶片W如图虚线的箭头所示，从曝光装置S4被搬送到DEV层(显影处理部)B1、B2，在接受显影处理后，被搬送到基板检查单元43而接受显影后的上述检查，之后回到载体模块S1(步骤3)。
根据上述实施方式的涂敷、显影装置1，设置有基板检查单元44的抗蚀剂膜涂敷用单位区域COT层B4、设置有基板检查单元43的显影处理用单位区域DEV层B1、B2上下层叠。因此，可避免各基板检查单元从涂敷、显影装置主体向外方突出的不利的装置布置。此外，可减小涂敷、显影装置1的设置空间。
此外，在COT层B4以及DEV层B1、B2上层叠将形成有抗蚀剂膜的晶片W从载体模块S1侧的第1交接单元组U5向接口模块S3侧的第2交接单元组6直行搬送的直行搬送部M1。因此，不需要借助COT层B4、BCT层B3以及DEV层B1、B2的各主臂A4、A3、A1进行晶片W向接口模块S3侧的搬送。因此，可降低各主臂A4、A3、A1的负载，可得到高的搬送效率，其结果可提高生产量。
另外，单位区域B的层叠数不限定为4个，也可设置用于形成例如下部反射防止膜、抗蚀剂膜以外的涂敷膜的单位区域。各单位区域B1～B4以及直行搬送部M1的层叠顺序不限定为上述顺序，也可例如将COT分配为单位区域B3，将BCT层分配为其上层的单位区域B4。
另外，梭臂6不经由用于进行涂敷或者显影的处理单元而从载体模块侧的交接单元向接口模块直行地搬送基板。而且，梭臂6是也包含下述情况的概念即使在搬送路径中如上述实施方式那样设有基板的交接单元等情况下，经由这些单元内而在梭臂6和接口模块侧的搬送机构(接口模块用搬送机构)之间进行基板的交接。
接着，参照图6至图9对第2实施方式进行说明。另外，在图6至图9中，对于与上述第1实施方式相同的部分标注相同的附图标记，省略重复的详细说明。
在本实施方式的涂敷、显影装置1中，在COT层B4的上方层叠有作为第5单位区域的基板检查用的基板检查部B5。图8是涂敷、显影装置1的基板检查部B5的横剖视图。基板检查部B5构成为与各部B1～B4大致相同，作为与各部B1～B4的不同点可举出没有设置液处理单元，此外，没有设置用于进行液处理的前处理以及后处理的加热/冷却系统的热处理单元。即，在该第2实施方式中采用下述构成将在第1实施方式中配置在COT层B4以及DEV层B1、B2上的基板检查单元集中搭载在专用的基板检查部中。
此外，在基板检查部B5中与上述实施方式的DEV层B1、B2同样地设置架状单元组U1、U2，该架状单元组U1、U2由例如层叠为两层的上述基板检查单元43构成。此外，在搬送用通路R1的与架状单元组U1、U2相反的一侧，沿例如该搬送用通路R1层叠多层地设置对抗蚀剂涂敷后的晶片W进行检查的各种的基板检查单元44、周缘曝光单元等的单元。上述基板检查单元44，相当于上述实施方式中设置在COT层B4上的基板检查单元，该基板检查单元44还包含上述的单元化的基板识别名称曝光装置以及激光磨蚀装置等的装置。另外，在该实施方式中，基板检查单元43、44的设置数以及配置布置也可考虑期望的检查种类、设置空间等而任意地决定。设置在该基板检查部B5上的主臂A5只要是配置在可进行存取的位置，则不限定为图示的配置例。
另外，在该基板检查部B5中，例如从上方向下方供给除去了颗粒的洁净气体，并设定为比设置该涂敷、显影装置1的清洁室的压力还高的压力(正压)，由此抑制气流从外部流入该基板检查部B5内，抑制颗粒借助这样的气流流入涂敷、显影装置1内。
此外，如图7所示，在架状单元组U5中，在与基板检查部B5对应的高度位置上设置交接单元TRS5，主臂A5、交接臂D1可在该交接单元TRS5上进行存取。
该涂敷、显影装置1中，晶片W被搬入载体模块S1中，在与上述第1实施方式相同的路径中被搬送，在其表面上形成下部反射防止部、抗蚀剂膜后，以下述路径被搬送COT层B4的主臂A4→架状单元组U5的交接单元TRS4→交接臂D1→交接单元TRS5→基板检查部B5的主臂A5→周缘曝光单元→主臂A5→基板检查单元44，在各检查单元44中依次接受既定的检查。之后，晶片W在下述顺序下被搬送主臂A5→交接单元TRS5→交接臂D1→交接单元TRS1B→梭臂6→交接单元TRS6B→接口臂I→曝光装置S4。
而且，在曝光装置S4中接受了曝光处理后的晶片W，在与上述第1实施方式相同的路径中被搬送，通过DEV层B1、B2接受显影处理，被交接到交接单元TRS1中。之后，晶片W以下述顺序被搬送交接臂D1→交接单元TRS5→主臂A5→基板检查单元43，在各检查单元43中依次接受既定的检查。检查后的晶片W以下述顺序被搬送主臂A5→交接单元TRS5→交接臂D1→交接单元TRS1，之后通过与上述的实施方式相同的路径回到载体20。
图9示意地表示从以上说明的晶片W的涂敷膜形成后到接受显影后的检查为止的搬送路径。晶片W在涂敷膜形成B3～B4之间移动，在形成涂敷膜后，如图中点划线的箭头所示，被搬送到基板检查部B5，并在该基板检查部B5的基板检查单元44中接受曝光前的既定检查(步骤1)。之后，如图实线的箭头所示，晶片W借助梭臂6在处理模块S2中从载体模块S1侧向接口模块S3侧被直行搬送部M1搬送，进而被搬送到曝光装置S4(步骤2)。接受了曝光处理后的晶片W，如图虚线的箭头所示，被从曝光装置S4向DEV层B1、B2搬送，在接受显影处理后，被搬送到基板检查单元43而接受显影后的既定检查(步骤3)，之后回到载体模块S1。
根据本实施方式的涂敷、显影装置1，设置有基板检查单元43、44的基板检查部B5相对于COT层B4、DEV层B1、B2以及直行搬送部M1上下层叠。因此，与第1实施方式相同，可避免各基板检查单元从涂敷、显影装置主体向外方突出的不利的装置布置。此外，可减小涂敷、显影装置1的设置空间。
此外，从载体模块S1侧的第1交接单元组U5向接口模块S3侧的第2的交接单元组U6直行搬送在基板处理部B5中被检查后的晶片W的直行搬送部M1相对于各部B1～B5层叠。因此，没有必要借助各部B1～B5的各主臂A1、A3、A4、A5向接口模块S3侧进行晶片W的搬送。因此，可降低各主臂A4、A3、A1的负荷，得到高的搬送效率，其结果，可提高生产量。
接着，参照图10至图12对第3实施方式进行说明。另外，在图10至图12中，对与上述第1以及第2实施方式相同的部分标注相同的附图标记，并省略重复的详细说明。
本实施方式的涂敷、显影装置1，具有与第2实施方式的涂敷、显影装置大致相同的结构，但没有设置直行搬送部M1、架状单元组U5的交接单元TRS1B以及架状单元组U6的交接单元TRS6B。图12表示本实施方式的涂敷、显影装置1的基板检查部B5的横剖视图。如图12所示，基板检查部B5的接口模块S3侧与DEV层B1、B2相同，构成为晶片交接区域R3。在该区域R3中设置架状单元组U6，在该架状单元组U6的与基板检查部B5对置的高度位置上设置有交接单元TRS7。此外，在晶片交接区域R3中设置具有与例如交接臂D1相同的结构的交接臂D2，该交接臂D2在各部B1～B5之间升降，并在上述交接单元TRS7以及交接单元TRS6中进行存取。另外，在本实施方式中，上述交接臂D1相当于第1交接单元用的搬送机构，交接臂D2相当于第2交接单元用的搬送机构。
该涂敷、显影装置1中，晶片W被搬入载体模块S1，以与上述实施方式相同的路径被搬送，在其表面上形成下部反射防止膜以及抗蚀剂膜，在基板检查部B5的基板检查单元44中接受既定的检查。之后，晶片W，以下述顺序被搬送并接受曝光处理主臂A5→交接单元TRS7→交接臂D2→交接单元TRS6→接口臂I→曝光装置S4。接受了曝光处理的晶片W，以与上述第2实施方式相同的路径通过DEV层B1、B2回到基板检查部B5，在各基板检查单元43中接受上述检查。之后，晶片W通过与第2实施方式的晶片W相同的路径回到载体20。
图13是示意地表示以上说明的从涂敷膜形成后到进行显影后的检查为止的晶片W搬送路径的图。晶片W在涂敷膜形成部B3～B4之间移动，在涂敷膜形成后，如图中点划线的箭头所示，被搬送到基板检查部B5，在该基板检查部B5的基板检查单元44中接受曝光前的既定检查(步骤1)。之后，晶片W如图中实线的箭头所示，将基板检查部B5向接口模块S3侧搬送，经由架状单元组U6以接口模块S3、曝光装置S4的顺序被搬送(步骤S2)。
结束曝光处理后的晶片W如图中虚线的箭头所示，从曝光装置S4经由接口模块S3而被搬送到DEV层B1、B2，接受显影处理后在DEV层B1、B2内向载体模块S1侧被搬送。接着，晶片W经由架状单元组U5而再次被搬送到基板检查部B5，在基板检查部B5的基板检查单元43中接受上述检查后(步骤3)回到载体模块S1。
根据本实施方式，可与第1以及第2实施方式相同，可避免各基板检查单元从涂敷、显影装置主体向外方突出的不利的装置布置。此外，可减小涂敷、显影装置的设置空间。
另外，在第2及第3实施方式中，各部B也不限为按上述顺序层叠。例如包括基板检查单元43、44的检查模块不限为设置在最上层，也可设置在最下层，也可设置为被各显影处理部以及各涂敷膜形成部上下夹持。
权利要求
1.一种涂敷、显影装置，具有处理模块，包括将涂敷膜形成在基板上的多个涂敷膜形成部、和对基板进行显影处理的显影处理部；载体模块，具有将应形成涂敷膜的基板交给上述处理模块、并且从上述处理模块接收进行了上述显影处理的基板的载体模块用搬送机构；接口模块，从上述处理模块接收形成有上述涂敷膜的基板并交给曝光装置、且从曝光装置接收曝光后的基板并交给上述处理模块，上述多个涂敷膜形成部以及上述显影处理部在上述处理模块内上下重叠地配置，各涂敷膜形成部，具有处理单元，该处理单元包括将涂敷液涂敷在基板上的一个以上的液处理单元以及对涂敷有涂敷液的基板进行加热的加热单元；和在这些处理单元之间搬送基板的涂敷膜形成部用搬送机构，上述多个涂敷膜形成部中的至少一个具有将抗蚀剂液涂敷在基板上的液处理单元，上述显影处理部，具有处理单元，该处理单元包括加热处理曝光后的基板的加热单元以及将显影液涂敷在基板上的液处理单元；和在这些处理单元之间搬送基板的显影处理部用搬送机构，上述处理模块，还包括多个交接单元，配置在分别与上述多个涂敷膜形成部以及上述显影处理部对应的高度方向位置上，在与各交接单元所对应的各部之间经由该各部用的搬送机构而进行基板的交接；和在上述多个交接单元之间搬送基板的可升降的交接单元用搬送机构，上述多个涂敷膜形成部以及上述显影处理部中的至少一个还具有对由该部用的搬送机构搬送来的基板进行检查的基板检查单元。
2.如权利要求1所述的涂敷、显影装置，其特征在于，具有将上述抗蚀剂液涂敷在基板上的液处理单元的涂敷膜形成部具有检查形成有抗蚀剂膜的基板的基板检查单元，上述显影处理部具有检查显影处理后的基板的基板检查单元。
3.如权利要求1所述的涂敷、显影装置，其特征在于，上述多个涂敷膜形成部以及上述显影处理部中的至少一个部用的搬送机构，在该部内的载体模块侧和接口模块侧之间延伸的通路上移动，在该搬送机构的移动路径的两侧配置上述处理单元，将上述基板检查单元配置在上述移动路径的至少某一侧。
4.如权利要求1所述的涂敷、显影装置，其特征在于，上述多个交接单元设置在上述多个涂敷膜形成部以及上述显影处理部的上述载体模块侧，上述载体模块用搬送机构在其与上述多个交接单元中的至少一个之间交接基板。
5.如权利要求1所述的涂敷、显影装置，其特征在于，上述处理模块具有与上述多个交接单元不同的第2交接单元，该第2交接单元是配置在与上述多个涂敷膜形成部以及上述显影处理部中的某一个部对应的高度方向位置上的至少一个第2交接单元。
6.如权利要求5所述的涂敷、显影装置，其特征在于，基板在上述处理模块和上述载体模块之间的交接经由上述多个交接单元进行，基板在上述处理模块和上述接口模块之间的交接经由上述第2交接单元进行。
7.一种涂敷、显影装置，具有处理模块，包括将涂敷膜形成在基板上的多个涂敷膜形成部、对基板进行显影处理的显影处理部和检查基板的基板检查部；载体模块，具有将应形成涂敷膜的基板交给上述处理模块、并且从上述处理模块接收进行了上述显影处理的基板的载体模块用搬送机构；接口模块，从上述处理模块接收形成有上述涂敷膜的基板并交给曝光装置、且从曝光装置接收曝光后的基板并交给上述处理模块，上述多个涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述基板检查部在上述处理模块内上下重叠地配置，各涂敷膜形成部，具有处理单元，该处理单元包括将涂敷液涂敷在基板上的一个以上的液处理单元以及对涂敷有涂敷液的基板进行加热的加热单元；和在这些处理单元之间搬送基板的涂敷膜形成部用搬送机构，上述多个涂敷膜形成部中的至少一个具有将抗蚀剂液涂敷在基板上的液处理单元，上述显影处理部，具有处理单元，该处理单元包括加热处理曝光后的基板的加热单元以及将显影液涂敷在基板上的液处理单元；和在这些处理单元之间搬送基板的显影处理部用搬送机构，上述基板检查部，具有检查基板的多个基板检查单元和在这些基板检查单元之间搬送基板的基板检查部用搬送机构，上述处理模块，还包括多个交接单元，配置在分别与上述多个涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述基板检查部对应的高度方向位置上，在与各交接单元所对应的各部之间经由该各部用的搬送机构进行基板的交接；和在上述多个交接单元之间搬送基板的可升降的交接单元用搬送机构。
8.如权利要求1至7的任意一项所述的涂敷、显影装置，其特征在于，上述处理模块还包括以与上述多个涂敷膜形成部和上述显影处理部上下重叠的方式设置的直行搬送部，上述直行搬送部具有从上述处理模块的载体模块侧向上述接口模块侧直行搬送形成有涂敷膜的基板的直行搬送部用搬送机构。
9.如权利要求7所述的涂敷、显影装置，其特征在于，上述基板检查部具有检查形成有抗蚀剂膜的基板的基板检查单元和检查显影处理后的基板的基板检查单元，上述多个交接单元设置在上述多个涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述基板检查部的上述载体模块侧，在上述基板检查部的上述接口模块侧，设置有进行与上述基板检查部之间的基板交接并且还进行与上述接口模块之间的基板交接的第2交接单元。
10.如权利要求7所述的涂敷、显影装置，其特征在于，上述多个交接单元设置在上述多个涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述基板检查部的上述载体模块侧，上述载体模块用搬送机构在其与上述多个交接单元中的至少一个之间交接基板。
11.一种基板处理方法，是使用下述涂敷、显影装置对基板进行处理的方法，所述涂敷、显影装置具有处理模块，包括将涂敷膜形成在基板上的涂敷膜形成部和对基板进行显影处理的显影处理部；载体模块，在其与上述处理模块之间进行基板的交接；接口模块，在其与上述处理模块之间进行基板的交接并且连通到曝光装置，上述处理模块还包括直行搬送部，该直行搬送部具有在上述处理模块的载体模块侧和上述接口模块侧之间直行搬送基板的直行搬送部用搬送机构，上述涂敷膜形成部、上述显影处理部、以及上述直行搬送部在上述处理模块内上下重叠地配置，上述涂敷膜形成部以及上述显影处理部，分别具有处理基板的处理单元、检查基板的基板检查单元、和在这些单元之间搬送基板的各部用的搬送机构，上述处理模块，还包括多个交接单元，分别与上述涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述直行搬送部对应，在与对应的各部的搬送机构之间进行基板的交接；和在上述多个交接单元之间搬送基板的交接单元用搬送机构，其特征在于，该方法具有下述工序将搬入上述载体模块的基板向上述处理模块的上述涂敷膜形成部搬送的工序；在上述涂敷膜形成部的上述处理单元中在基板上形成抗蚀剂膜的工序；借助上述涂敷膜形成部用搬送机构将形成有上述抗蚀剂膜的基板搬送到上述涂敷膜形成部的上述基板检查单元并检查该基板的工序；经由上述交接单元而将检查后的基板从上述涂敷膜形成部搬送到上述直行搬送部，进而一边使用上述直行搬送部用搬送机构一边向接口模块搬送检查后的基板的工序；将曝光后的基板向上述处理模块的上述显影处理部搬送的工序；在上述显影处理部的上述处理单元中对曝光后的基板进行显影处理的工序；借助上述显影处理部用搬送机构将上述显影处理后的基板搬送到上述显影处理部的上述基板检查单元并检查该基板的工序；将检查后的基板向上述载体模块搬送的工序。
12.一种基板处理方法，是使用下述涂敷、显影装置对基板进行处理的方法，所述涂敷、显影装置具有处理模块，包括将涂敷膜形成在基板上的涂敷膜形成部、对基板进行显影处理的显影处理部、和检查基板的基板检查部；载体模块，在其与上述处理模块之间进行基板的交接；接口模块，在其与上述处理模块之间进行基板的交接并且连通到曝光装置，上述涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述基板检查部在上述处理模块内上下重叠地配置，上述涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述基板检查部具有在各部内搬送基板的各部用的搬送机构，上述处理模块，还包括多个交接单元，分别与上述涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述基板检查部对应，在与对应的各部的搬送机构之间进行基板的交接；和在上述多个交接单元之间搬送基板的交接单元用搬送机构，其特征在于，该方法具有下述工序将搬入上述载体模块的基板搬送到上述处理模块的上述涂敷膜形成部并在该基板上形成抗蚀剂膜的工序；经由上述交接单元将形成抗蚀剂膜后的基板从上述涂敷膜形成部搬送到上述基板检查部并检查该基板的工序；使用上述基板检查部用的搬送机构将检查后的基板搬送到与上述交接单元不同的、设置在上述处理单元的上述接口模块侧的第2交接单元，进而经由该第2交接单元向上述接口模块搬送检查后的基板的工序；将曝光后的基板搬送到上述处理模块的上述显影处理部并对该基板进行显影处理的工序；经由上述交接单元将上述显影处理后的基板从上述显影处理部搬送到上述基板检查部并检查该基板的工序；将检查后的基板向上述载体模块搬送的工序。
13.一种基板处理方法，是使用下述涂敷、显影装置对基板进行处理的方法，所述涂敷、显影装置具有处理模块，包括将涂敷膜形成在基板上的涂敷膜形成部、对基板进行显影处理的显影处理部、和检查基板的基板检查部；载体模块，在其与上述处理模块之间进行基板的交接；接口模块，在其与上述处理模块之间进行基板的交接并且连通到曝光装置，上述处理模块，还包括直行搬送部，该直行搬送部具有在上述处理模块的载体模块侧和上述接口模块侧之间直行搬送基板的直行搬送部用搬送机构，上述涂敷膜形成部、上述显影处理部、上述基板检查部以及上述直行搬送部在上述处理模块内上下重叠地配置，上述涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述基板检查部具有在各部内搬送基板的各部用的搬送机构，上述处理模块，还包括多个交接单元，分别与上述涂敷膜形成部、上述显影处理部、上述基板检查部以及上述直行搬送部对应，在与对应的各部的搬送机构之间进行基板的交接；和在上述多个交接单元之间搬送基板的交接单元用搬送机构，其特征在于，该方法具有下述工序将搬入上述载体模块的基板搬送到上述处理模块的上述涂敷膜形成部并在该基板上形成抗蚀剂膜的工序；经由上述交接单元将形成抗蚀剂膜后的基板从上述涂敷膜形成部搬送到上述基板检查部并检查该基板的工序；经由上述交接单元将检查后的基板从上述基板检查部搬送到上述直行搬送部中，进而一边使用上述直行搬送部用搬送机构一边向接口模块搬送检查后的基板的工序；将曝光后的基板搬送到上述处理模块的上述显影处理部并对该基板进行显影处理的工序；经由上述交接单元将上述显影处理后的基板从上述显影处理部搬送到上述基板检查部并检查该基板的工序；将检查后的基板向上述载体模块搬送的工序。
14.一种记录介质，是记录由控制下述涂敷、显影装置的控制装置执行的程序的记录介质，所述涂敷、显影装置具有处理模块，包括将涂敷膜形成在基板上的涂敷膜形成部和对基板进行显影处理的显影处理部；载体模块，在其与上述处理模块之间进行基板的交接；接口模块，在其与上述处理模块之间进行基板的交接并且连通到曝光装置，上述处理模块还包括直行搬送部，该直行搬送部具有在上述处理模块的载体模块侧和上述接口模块侧之间直行搬送基板的直行搬送部用搬送机构，上述涂敷膜形成部、上述显影处理部、以及上述直行搬送部在上述处理模块内上下重叠地配置，上述涂敷膜形成部以及上述显影处理部分别具有处理基板的处理单元、检查基板的基板检查单元、和在这些单元之间搬送基板的各部用的搬送机构，上述处理模块，还包括多个交接单元，分别与上述涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述直行搬送部对应，在与对应的各部的搬送机构之间进行基板的交接；和在上述多个交接单元之间搬送基板的交接单元用搬送机构，其特征在于，通过借助上述控制装置执行上述程序而在涂敷、显影装置中实施具有下述工序的基板处理方法将搬入上述载体模块的基板搬送到上述处理模块的上述涂敷膜形成部的工序；在上述涂敷膜形成部的上述处理单元中在基板上形成抗蚀剂膜的工序；借助上述涂敷膜形成部用搬送机构将形成上述抗蚀剂膜的基板搬送到上述涂敷膜形成部的上述基板检查单元并检查该基板的工序；经由上述交接单元将检查后的基板从上述涂敷膜形成部搬送到上述直行搬送部，进而一边使用上述直行搬送部用搬送机构一边向接口模块搬送检查后的基板的工序；将曝光后的基板搬送到上述处理模块的上述显影处理部的工序；在上述显影处理部的上述处理单元中对曝光后的基板进行显影处理的工序；借助上述显影处理部用搬送机构将上述显影处理后的基板搬送到上述显影处理部的上述基板检查单元并检查该基板的工序；将检查后的基板向上述载体模块搬送的工序。
15.一种记录介质，是记录由控制下述涂敷、显影装置的控制装置执行的程序的记录介质，所述涂敷、显影装置具有处理模块，包括将涂敷膜形成在基板上的涂敷膜形成部、对基板进行显影处理的显影处理部、和检查基板的基板检查部；载体模块，在其与上述处理模块之间进行基板的交接；接口模块，在其与上述处理模块之间进行基板的交接并且连通到曝光装置，上述涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述基板检查部在上述处理模块内上下重叠的配置，上述涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述基板检查部具有在各部内搬送基板的各部用的搬送机构，上述处理模块，还包括多个交接单元，分别与上述涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述基板检查部对应，在与对应的各部的搬送机构之间进行基板的交接；和在上述多个交接单元之间搬送基板的交接单元用搬送机构，其特征在于，通过借助上述控制装置执行上述程序而在涂敷、显影装置中实施具有下述工序的基板的处理方法将搬入上述载体模块的基板搬送到上述处理模块的上述涂敷膜形成部并在该基板上形成抗蚀剂膜的工序；经由上述交接单元将形成抗蚀剂膜后的基板从上述涂敷膜形成部搬送到上述基板检查部并检查该基板的工序；使用上述基板检查部用的搬送机构将检查后的基板搬送到与上述交接单元不同的、设置在上述处理单元的上述接口模块侧的第2交接单元，进而经由该第2交接单元向上述接口模块搬送检查后的基板的工序；将曝光后的基板搬送到上述处理模块的上述显影处理部并对该基板进行显影处理的工序；经由上述交接单元将上述显影处理后的基板从上述显影处理部搬送到上述基板检查部，并检查该基板的工序；将检查后的基板向上述载体模块搬送的工序。
16.一种记录介质，是记录由控制下述涂敷、显影装置的控制装置执行的程序的记录介质，所述涂敷、显影装置具有处理模块，包括将涂敷膜形成在基板上的涂敷膜形成部、对基板进行显影处理的显影处理部、和检查基板的基板检查部；载体模块，在其与上述处理模块之间进行基板的交接；接口模块，在其与上述处理模块之间进行基板的交接并且连通到曝光装置，上述处理模块还包括直行搬送部，该直行搬送部具有在上述处理模块的载体模块侧和上述接口模块侧之间直行搬送基板的直行搬送部用搬送机构，上述涂敷膜形成部、上述显影处理部、上述基板检查部以及上述直行搬送部在上述处理模块内上下重叠地配置，上述涂敷膜形成部、上述显影处理部以及上述基板检查部具有在各部内搬送基板的各部用的搬送机构，上述处理模块，还包括多个交接单元，分别与上述涂敷膜形成部、上述显影处理部、上述基板检查部以及上述直行搬送部对应，在与对应的各部的搬送机构之间进行基板的交接；和在上述多个交接单元之间搬送基板的交接单元用搬送机构，其特征在于，通过借助上述控制装置执行上述程序而在涂敷、显影装置中实施具有下述工序的基板的处理方法将搬入上述载体模块的基板搬送到上述处理模块的上述涂敷膜形成部并在该基板上形成抗蚀剂膜的工序；经由上述交接单元而将形成抗蚀剂膜后的基板从上述涂敷膜形成部搬送到上述基板检查部，并检查该基板的工序；经由上述交接单元将检查后的基板从上述基板检查部搬送到上述直行搬送部，进而一边使用上述直行搬送部用搬送机构一边向接口模块搬送检查后的基板的工序；将曝光后的基板搬送到上述处理模块的上述显影处理部并对该基板进行显影处理的工序；经由上述交接单元将上述显影处理后的基板从上述显影处理部搬送到上述基板检查部，并检查该基板的工序；将检查后的基板搬送到上述载体模块中的工序。
全文摘要
提供一种将基板检查单元装入时占有面积小而可避免不利的布置的涂敷、显影装置。将包括多个处理单元以及搬送机构(A3)、(A4)的涂敷膜形成部(B3)、包括多个处理单元(31)以及搬送机构(A1)的显影处理部(B1)上下重叠地配置在处理模块(S2)中。在处理模块(S2)的载体模块(S1)侧设置作为在与各部的搬送机构之间进行基板(W)的交接的多个交接单元(TRS)的上下重叠地配置的多个交接单元(TRS)、和在与各交接单元之间交接基板的升降自如的交接单元用搬送机构(D1)。涂敷膜形成部以及显影处理部的至少某一方具有进行由该部的搬送机构搬送的基板的检查的基板检查单元(43)。
文档编号H01L21/67GK101055835SQ200710096608
公开日2007年10月17日 申请日期2007年4月16日 优先权日2006年4月14日
发明者松冈伸明, 林田安, 林伸一 申请人:东京毅力科创株式会社