专利名称：制造相变存储器器件的等离子体处理方法以及由此制造的存储器器件的制作方法
制造相变存储器器件的等离子体处理方法以及 由此制造的存储器器件 相关申请的交叉引用
本申请根据35 USC §119要求2008年8月29日递交的韩国专利 申请No. 10-2008-0085402的优先权，其全部公开内容通过引用结合于 此。
背景技术：
本发明涉及一种制造非易失性存储器器件的方法以及由此制造的 器件，并且更具体而言，涉及相变存储器器件的制造方法以及由此制 造的器件。
相变存储器器件在许多用电装置、商业以及其他应用中广泛用作 非易失性存储器器件。相变存储器器件也被称为相变随机存取存储器 (PRAM)器件。正如本领域技术人员所熟知的，PRAM单元在第一和 第二电极之间包括相变材料，诸如硫族化物材料。当在适当的条件下 加热或冷却时，诸如硫族化物材料的相变材料采用两种稳定但可编程 相中的一种晶体或非晶。晶体相的电阻相对低，而非晶相的电阻相 对高。因此，该单元编程状态可以通过测量它的电阻来确定。PRAM 器件已经被设计成每一单元存储一位(单电平)或每一单元存储多位 (多电平)。本段中所描述的PRAM器件的设计、制造以及操作对本领
域技术人员来说是熟知的，在此不需再进一步的描述。
如上所述，PRAM单元的操作取决于采用稳定可编程相的相变材 料，以便呈现给定的电阻。然而，不幸的是，正如例如，Street等人在 Physical Review Letters, 35(19): 1293-1296 (1975)发表的"States in the Gap in Glassy Semiconductors"; Kastner等人在Physical Review Letters, 37(22): 1504-1507 (1976)发表的"Valence-Alternation Model forLocalized Gap States in Lone-Pair Semiconductors"; 以及Ielmini等人在 54(2): 308-315 (2007)发表的"Recovery and Drift Dynamics of Resistance and Threshold Voltages in Phase-Change Memories"中所描述的那样，已 发现电阻会随时间而漂移。电阻随时间的漂移会对相变存储器器件的 稳定性和/或可操作性产生不利影响。
发明内容
根据不同的实施例，相变存储器器件可以通过在衬底上形成第一 电极以及在第一电极上形成硫族化物材料来制造。对硫族化物材料充 分地进行等离子体充分处理，以对整个该硫族化物材料引入等离子体 物质。在硫族化物材料上形成第二电极。
在制造相变存储器器件的过程中，等离子体处理可以被执行一次 或多次。在一些实施例中，在第一电极上形成其中包括孔的绝缘层， 并且硫族化物材料形成在该孔内以及该孔外的绝缘层上。对该孔内以 及该孔外的绝缘层上的硫族化物材料进行等离子体处理。在另一些实 施例中，去除该孔外的硫族化物材料，在去除孔外的硫族化物材料之 后、但在硫族化物材料上形成第二电极之前对该孔内的该硫族化物材 料进行等离子体处理。在其他另外的实施例中，第二电极形成在硫族 化物材料上，以便暴露出硫族化物的侧壁，并且在硫族化物上形成第 二电极之后，通过暴露的侧壁执行等离子体处理。
根据不同的实施例可以使用不同的等离子体。在一些实施例中， 对硫族化物材料充分地执行氢等离子体处理，以对整个硫族化物材料 引入氢。在其他实施例中，对硫族化物材料充分地执行卤素等离子体 处理，以对整个该硫族化物材料引入卣素。
根据不同的实施例也可以使用不同范围的处理参数。在一些实施
例中，等离子体处理硫族化物材料在小于约ioow的等离子体功率下进
行。在其他实施例中，等离子体处理硫族化物材料在低于约350'C的温
6度下进行。在其他另外的实施例中，等离子体处理在约25W与约50W 之间的等离子体功率以及在20(TC与约35(TC之间的温度下进行。
此外，如上所述，等离子体处理硫族化物材料被充分地执行，以 对整个硫族化物材料引入等离子体物质。在一些实施例中，等离子体 处理被充分地执行，以对整个该硫族化物材料引入至少约5at.。/。的等离 子体物质。在其他实施例中，在约10at /。与约20a"/。之间的等离子体 物质被引入到整个该材料上。在其他另外的实施例中，充分地执行等 离子体处理，以在硫族化物材料的边缘或表面引入给定at.Q/。的等离子 体物质，以及在硫族化物材料的中心(即，远离该边缘或表面)引入 给定化％的至少六分之一 (1/6)的等离子体物质。在其他另外的实施 例中，充分地执行等离子体处理，以使硫族化物材料中的等离子体物 质的at.。/。产生的变化小于约6倍。
根据不同实施例的相变存储器器件包括衬底，衬底上的第一电极 以及第一电极上的硫族化物材料。整个硫族化物材料包括氢和/或卤素。 第二电极被提供在硫族化物材料上。
在一些实施例中，整个硫族化物材料具有至少约5化％的氢和/或 卤素。在其他实施例中，整个硫族化物材料具有在约10at.Q/。与约20at.% 之间的氢和/或卤素。在其他另外的实施例中，硫族化物材料在其边缘 或表面处具有给定at.Q/o的氢和/或卤素，以及在其中心处具有给定at.% 的至少六分之一 (1/6)的氢和/或卤素。在又一些实施例中，硫族化物 材料具有硫族化物材料中的氢和/或卤素的&%的变化小于约6倍。
根据不同实施例的相变存储器器件可以与控制器、输入/输出器件 和/或无线接口结合以提供电子器件。电子器件可以包括个人数字助理、 膝上型计算机、平板型计算机，移动电话和/或数字音乐播放器。
图1A-1C是根据不同实施例的相变存储器器件的制造方法以及由 此制造的存储器器件的横截面图。
图2A-2D是根据其他实施例的相变存储器器件的制造方法以及由 此制造的存储器器件的横截面图。
图3A-3C是根据其他另外的实施例的相变存储器器件的制造方法 以及由此制造的存储器器件的横截面图。
图4A-4B分别图示出根据不同实施例的作为等离子体功率和处理 温度的函数的电阻漂移系数。
图5A-5B分别图示出根据不同实施例的电阻漂移未受控制以及材 料的电阻漂移受到控制的多电平相变存储器器件的电阻分布变化。
图6A-6C是根据又一些实施例的相变存储器器件的制造方法以及 由此制造的存储器器件的横截面图。
图7A-7B是根据其他另外的实施例的相变存储器器件的制造方法 以及由此制造的存储器器件的横截面图。
图8是根据不同实施例的包括相变存储器器件的便携式电子器件 的框图。
具体实施例方式
现将在下文中结合附图来更全面地描述本发明，其示出本发明的 实施例。然而，本发明不应解释为限于这里所阐述的实施例。相反的， 提供这些实施例是为了使公开变得彻底和完整，以及全面地向本领域 技术人员传达本发明的意图。在附图中，为了清楚可以夸大层和区域 的厚度。相同的附图标记表示相同的元件。这里所使用的术语"和/或" 包括一个或多个相关列出项目的任何以及全部组合，也可以缩写为"/"。
这里所使用的术语仅仅是为了描述特定的实施例并不旨在限定本 发明。正如这里所用的，单数形式"一"也旨在包括复数形式，除非上下 文另外有明确的暗示。更应该充分理解，当在本说明书中使用术语"包 括"、"具有"、"包含"和/或其的变化时，这些术语表示所陈述的特征、 区域、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多个其他
8特征、区域、步骤、操作、元件和/或其集合的存在或增加。
应该理解，当诸如层或区域的元件被指出在另一元件(或其变形) "之上"或延伸"到....之上"时，可以是直接在另一 元件上或直接延伸到 另一元件上或者也可以存在中间元件。相反地，当元件被指出直接在 另一元件(或其变形)"之上"或直接延伸"到...之上"时，就不存在中间 元件。也应该理解，当元件被指出"连接到"或"耦合到"另一元件(或其 变形)日t，可以是直接连接到或耦合到其他元件或者可以存在中间元 件。相反地，当元件被指出"直接连接到"或"直接耦合到"另一元件(或 其变形)时，就不存在中间元件。
应该理解，尽管在此使用术语第一、第二等来描述不同的元件、 组件、区域、层和/或部件，这些元件、材料、区域、层和/或部件并不 受到这些术语的限制。这些术语仅仅用来把一个元件、材料、区域、 层或部件与另一个元件、材料、区域、层或部件区分开。因而，下面 所讨论的第一元件、材料、区域、层或部件在不背离本申请教导的情 况下也可以被称为第二元件、材料、区域、层或部件。
相对的术语，例如"下"、"背面"、以及"上"，可以在此使用以描迖 附图所表示的一个元件和另一个元件的关系。应当理解，相对的术语 意图涵盖器件除附图所描述的方位之外的不同方位。例如，如果附图 中的结构翻转，那么描述为在衬底"背面"上的元件将被定向成在衬底的 "上"表面上。因此，示例性术语"上"根据附图的特定方位可以涵盖"下" 以及"上"这两个方位。相似地，如果附图之一的结构翻转了，那么被描 述成在另一元件"以下"或"之下"的元件，将被定向在该另一元件"之 上"。因此，示例性术语"以下"或"之下"可以涵盖"以上"或"以下"两个 方位。
本发明的实施例在这里参照本发明理想实施例的示意图的横截面 图来描述。同样的，期望作为例如制造方法和/或容限的结果示出的形状的变化。因而，本发明的实施例不应解释为限于这里所描述的区域 的形状，而是包括例如制造所导致的形状的偏离。例如，典型地，图 示或描述为平面的区域可能具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，典 型的，图示的尖角可以是圆的。因而，附图中示出的区域本质上是示 意的，并且它们的形状也不旨在示出区域的精确形状，并且也不旨在 限定本发明的范围。
除非另有限定，这里所使用的所有术语(包括技术和科技术语) 与本发明所属领域的普通技术人员的常规理解的含义相同。更应该理 解，诸如那些常用词典中所限定的术语，应该被解释为具有与相关领 域以及本公开的上下文中的它们的含义一致的含义，并且不能被解释 为理想化的或者过度正式的意义，除非这里进行了清楚地限定。
本发明的一些实施例源于认识到期望对整个硫族化物材料引入物 质或掺杂剂，以由此减少或消除整个材料中的悬键和/或其他缺陷，所 述悬键和/或其他缺陷会在整个该材料上产生的陷阱位置，并且不利地 增加了材料的电阻漂移。不幸的是，如果采用退火将物质掺杂到整个 该材料中，则退火需要在足够高的温度下进行，以致硫族化物材料挥 发。明显的对比，等离子体可以在足够低的等离子体功率下对整个硫 族化物材料引入等离子体物质，以便不会不恰当地损坏硫族化物材料， 并且以足够低的温度对整个硫族化物材料引入等离子体物质不会过度 挥发硫族化物材料，但是以足够高的动能对整个硫族化物材料引入等 离子体物质会使等离子体物质穿透整个该材料。因此，本发明的一些 实施例将在本身不引入附加问题的情况下，可以可接受地减少硫族化 物材料的电阻漂移。
为了减少其电阻漂移而将硫族化物材料在氢气中退火，在委派给
本申请的代理人于2008年3月28日递交的申请序列号为 No.12/079，886 ， 标题为"Multiple Level Cell Phase-Change Memory Devices Having Controlled Resistance-Drift Parameter, Memory SystemsEmploying Such Devices and Methods of Reading Memory Devices"中描
述，其全部公幵内容通过引用结合于此。
图IA-IC是根据不同实施例的相变存储器器件的制造方法以及由 此制造的器件的横截面图。如图1A所示，相变存储器器件通过在衬底 110上形成第一电极130来制造。衬底110可以包括单一元素和/或化 合物半导体衬底和/或任意其他单层或多层微电子衬底。可以在衬底HO 中提供不同的切换器件(例如晶体管或二极管结构)。诸如二氧化硅 层的绝缘层120提供在衬底上，以及也被称为下电极的第一电极no 被形成在绝缘层120的孔122中。下电极130可以包括诸如氮化钛等 的、可以用作电阻加热器以产生电流的高阻材料。也可以提供多层第 一电极130。此外，第一电极130不必形成在绝缘层120的孔122中。 然后，例如在孔122中以及延伸到孔外的绝缘层120上、在第一电极 130上形成硫族化物材料140层。硫族化物材料可以包括常被称作GST 合金的锗(Ge)，锑(Sb)以及碲(Te)的合金。然而，也可以使用 其他硫族化物材料。本段中描述的图1A的结构制造对本领域的技术人 员而言是熟知的，这里不再进行描述。
现在参照图1B，使用等离子体150对硫族化物材料H0进行充分 地等离子体处理以对整个硫族化物材料"0引入等离子体物质152，以 由此产生等子体处理过的硫族化物材料140a。在一些实施例中，等离 子体150是氢等离子体，并且等离子体物质152为氢基物质。在其他 实施例中，等离子体150是卤素等离子体，并且等离子体物质152为 卤素基物质。
如上所述，等离子体处理被充分地执行以对整个硫族化物材料 140a引入等离子体物质152。通过使用等离子体150，赋予物质152足 够的动能，以对整个硫族化物材料140a中引入物质152。然而，该动 能可以足够低以使得硫族化物材料140a本身不被损坏。此外，温度可 以足够低以使得不会使硫族化物材料"Oa挥发过多的量。因此，可以显著降低电阻漂移，而不需对硫族化物材料的其他参数产生不利影响。
更具体地，在一些实施例中，硫族化物材料140a在小于约100W 的等离子体功率下被等离子体处理，以便允许对整个硫族化物材料 140a引入氢和/或卤素物质而不会过度损坏硫族化物材料140a。在其他 实施例中，硫族化物材料140a在低于约35(TC下被等离子体处理，以 便不挥发硫族化物材料140a。在其他另外的实施例中，等离子体处理 硫族化物材料140a是在约25W与约50W之间的等子体功率、在约 20(TC至约350'C之间的温度下进行。
此外，等离子体处理被充分执行，以便对整个硫族化物材料140a 引入至少约5at.G/Q的等离子体物质152。在其他实施例中，约10at.Q/o与 约20化％之间的等离子体物质152被引入到整个硫族化物材料140a上。 此外，等离子体的使用可以允许在整个材料上相对均匀地引入等离子 体物质。例如，在一些实施例中，在硫族化物材料中的等离子体物质 的a"/。产生的变化小于至少约6倍。在其他实施例中，在边缘处，例 如硫族化物材料的暴露的上表面H0b，产生给定at.n/。的等离子体物质 152，以及在远离边缘的中心处，诸如沿着硫族化物材料的中心线140c， 提供at.。/。的至少六分之一的等离子体物质152。将这些实施例与硫族化 物材料140的氢退火相对比。在氢气退火中，扩散限制会防止氢引入 在整个硫族化物材料中，除非充分地升高温度，以便使硫族化物材料 挥发。
现在参照图1C，可以对等离子体处理过的硫族化物材料140a进 行构图，以提供构图的、被等离子体处理过的材料140d，并且第二电 极或上电极160可以形成在硫族化物材料140d上。在其他实施例中， 毯式沉积上电极160,然后将上电极160和等离子体处理过的硫族化物 层140a—起构图以形成图1C的结构。
图2A-2D示出制造根据其他实施例的相变存储器器件的方法以及
12由此制造的器件。具体地，图2A对应于图IA，并且不再进行描述。 然后，如图2B所示，采用传统的回蚀刻和/或化学机械抛光技术来平坦 化孔122内的硫族化物材料140，以形成平坦化的硫族化物材料240。 参照图2C，采用等离子体150对平坦化的硫族化物材料240充分地执 行等离子体处理，以对整个等离子体处理过的硫族化物材料240a引入 等离子体物质152。根据结合上述图1B的描述，可以提供等离子体处 理的参数以及物质的分布。最后，参照图2D，上电极或第二电极160 形成在等离子体处理过的硫族化物材料240a上。上电极160可以与孔 中的等离子体处理过的硫族化物材料240a相一致或可以是更大或更小 的面积。在一些实施例中，上电极160也可以延伸到孔122中。
图3A-3C是制造根据不同的其他实施例的相变存储器器件的方法 以及由此制造的相变存储器器件的横截面图。图3A对应于图1A，并 且不再重复对其的描述。然后，如图3B所示，可以形成上电极或第二 电极，并且可以对上电极和硫族化物层140进行构图以形成构图的上 电极160和构图的硫族化物材料340。注意图3B中，暴露出构图的硫 族化物材料340的侧壁340b。然后，参照图3C,使用等离子体152进 行等离子体处理，以对整个构图的硫族化物材料340引入等离子体物 质152，并且由此产生等离子体处理过的硫族化物材料340a。等离子体 处理的参数以及等离子体物质152的分布可以按照上面描述的那样来 提供。
注意图3C中，等离子体150通过其暴露的侧壁340b被引入到构 图的硫族化物材料340中。然而，等离子体150具有充足的能量以便 将等离子体物质152引入到整个等离子体处理过的硫族化物材料340a 中，以便对整个等离子体处理过的硫族化物材料340a引入至少约5at.% 的等离子体物质152，以便对整个等离子体处理过的硫族化物材料340a 引入在约10at.c/。与约20at.c/。之间的等离子体物质152，以便构图的硫族 化物材料340a中的等离子体物质152的at.。/。产生的变化小于约6倍， 和/或以便在硫族化物材料的边缘(侧壁)340b处引入给定at.。/。的等离
13子体物质，以及在硫族化物材料的中心340c处引入给定仏％的至少六分之一的等离子体物质。明显的对比，在氢退火中，几乎没有氢将渗
透在图3B的构图的硫族化物层340内，尤其是在远离暴露的侧壁340b、其中心340c附近。
因此，上面结合图1A-3C所描述的本发明的实施例采用氢等离子体和/或卤素等离子体对硫族化物材料进行等离子体处理。氢等离子体包括氢本身，氘(D2)和/或氚(H3)。卤素等离子体包括元素周期表的VII族和VIIA族中的任何非金属元素，包括氟(F)，氯(Cl)，溴(Br)，碘(I)和/或砹(At)，包括双原子形式以及它们的其他形式。
图4A-4B图示出根据不同实施例的作为等离子体功率(图4A)和工艺温度(图4B)函数的电阻漂移系数"d"。图4A示出在约25W与约50W之间的等离子体功率可以提供比未处理的硫族化物层(图4A中表示为"Ref，)低很多的d值。图4B示出在在约20(TC与约35(TC之间的、相对低的工艺温度下可以获得d的可接受的减少。
图5A-5B图示出根据本发明不同实施例的电阻漂移未受控制(图5A)以及材料的电阻漂移受到控制(图5B)的多电平相变存储器器件的电阻分布变化。此外，如所显出的，与图5A相比，图5B中示出的电阻漂移的大幅减少。
图6A-6C是制造根据其他另外的实施例的相变存储器器件的方法以及由此形成的器件的横截面图。图6A-6C示出使用退火或氢和/或卤素的等离子体对整个硫族化物材料原位引入物质。更具体地，图6A-6C示出顺序形成硫族化物材料层，以薄层642 (图6A)为开始，进行到较厚层644(图6B)，并且以甚至更厚膜646(图6C)结束。如图6A-6C所示，在生长过程中，通过暴露在热退火和/或氢和/或卤素的等离子体中来进行生长时，物质640 (氢和/或卤素)连续地被引入到整个硫族化物材料中。因而，在6A-6C中，箭头650表示在使用化学气相沉积、原子气相沉积、等离子体和/或其他类似工艺形成硫族化物层642、 644、646时，在卤素气氛中原位进行的等离子体处理、在氢气氛中原位进行的等离子体处理、在卤素气氛中原位进行的热处理(退火)或在氢气氛中原位进行的热处理(退火)。注意，图6A-6C为了简明而仅示出在原位生长硫族化物材料过程中3个有代表性的过程。也应理解，可以使用图1A-1C、 2A-2D或3A-3C中的任何实施例来形成硫族化物材料和上电极。
图7A和7B是制造根据其他实施例的相变存储器器件的方法以及由此制造的器件的横截面图。图7A对应于图1A，并且不再对其进行描述。图7B示出执行卤素热退火以便在硫族化物层740中引入卤素742。卣素742可以引入到整个层740中或可以仅引入到层740的一部分中。也应该理解，可以使用图1A-1C、 2A-2D或3A-3C的任何实施例来形成硫族化物材料和上电极。
图8是根据在此描述的任何实施例的存储器器件830与控制器810、输入/输出器件820和/或无线接口 840结合、并由总线850互连的框图，以提供电子器件800。电子器件800可以包括个人数字助理(PDA)、膝上型计算机、平板型计算机、移动电话、数字音乐播放器和/或配置为通过无线环境传送或接收信息的其他电子器件。
结合上面的描述以及附图，在这里公开了很多不同的实施例。应当理解的是，逐字描述及图示所有这些实施例的组合以及子组合是不恰当地重复以及模糊的。因此，包括附图的本说明书应解释为在此描述的所有实施例的、制造和使用它们的方式和工艺的组合以及子组合构成了完整的书面描述，并且将支持根据其组合和子组合的权利要求。
在附图和说明书中，公开了本发明的一些实施例，并且尽管使用了特定的术语，但它们用于一般的且描述性的含义，并且不是为了限制的目的，下面的权利要求将阐述本发明的范围。
权利要求
1.一种制造相变存储器器件的方法，包括在衬底上形成第一电极；在所述第一电极上形成硫族化物材料；对所述硫族化物材料充分地进行等离子体处理，以对整个所述硫族化物材料引入等离子体物质；在所述硫族化物材料上形成第二电极。
2. 根据权利要求1所述的方法其中在所述第一电极上形成硫族化物材料包括在所述第一电极上形成其中包括孔的绝缘层，以及在所述孔内和所述孔外的绝缘层上形成所述硫族化物材料；以及其中对所述硫族化物材料进行等离子体处理包括对在所述孔内以及所述孔外的绝缘层上的所述硫族化物材料进行等离子体处理。
3. 根据权利要求1所述的方法其中在所述第一电极上形成硫族化物材料包括在所述第一电极上形成其中包括孔的绝缘层、在所述孔内以及所述孔外的绝缘层上形成所述硫族化物材料以及去除所述孔外的所述硫族化物材料；以及其中对所述硫族化物材料进行等离子体处理包括在去除所述孔外的所述硫族化物材料之后，但是在所述硫族化物材料上形成所述第二电极之前，对所述孔内的硫族化物材料进行等离子体处理。
4. 根据权利要求l所述的方法，其中，执行在所述硫族化物材料上形成第二电极以便暴露所述硫族化物材料的侧壁，以及其中在所述硫族化物材料上形成所述第二电极之后，通过所述暴露的侧壁执行等离子体处理所述硫族化物材料。
5. 根据权利要求l所述的方法，其中，对所述硫族化物材料进行等离子体处理包括对所述硫族化物材料充分地进行氢等离子体处理，以对整个所述硫族化物材料引入氢。
6. 根据权利要求1所述的方法，其中，对所述硫族化物材料进行等离子体处理包括对所述硫族化物材料充分地进行囟素等离子体处理，以对整个所述硫族化物材料引入卤素。
7. 根据权利要求1所述的方法，其中，对所述硫族化物材料进行等离子体处理在小于约ioow的等离子体功率下进行。
8. 根据权利要求1所述的方法，其中，对所述硫族化物材料进行等离子体处理在低于约35(TC的温度下进行。
9. 根据权利要求1所述的方法，其中，对所述硫族化物材料进行等离子体处理在约25W与约50W之间的等离子体功率下以及在约20(TC与约35(TC之间的温度下进行。
10. 根据权利要求I所述的方法，其中，对所述硫族化物材料充分地进行等离子体处理，以对整个所述硫族化物材料引入至少约5at.%的等离子体物质。
11. 根据权利要求1所述的方法，其中，对所述硫族化物材料充分地进行等离子体处理，以对整个所述硫族化物材料引入在约10at.%与约20at.^之间的等离子体物质。
12. 根据权利要求1所述的方法，其中，对所述硫族化物材料充分地进行等离子体处理，以在所述硫族化物材料的边緣处引入给定at.Q/0的等离子体物质，以及在所述硫族化物材料的中心处引入给定".％的至少1/6的等离子体物质。
13. 根据权利要求1所述的方法，其中，对所述硫族化物材料充分地进行等离子体处理，以使所述硫族化物材料中的等离子体物质的化％产生少于约6倍的变化。
14. 一种相变存储器器件，包括衬底；第一电极，在所述衬底上；硫族化物材料，在所述第一电极上，整个所述硫族化物材料具有氢和/或卤素；以及第二电极，在所述硫族化物材料上。
15. 根据权利要求14所述的器件，其中，整个所述硫族化物材料具有至少约5化％的氢和/或卤素。
16. 根据权利要求14所述的器件，其中，整个所述硫族化物材料具有在约10at.n/。与约20a"/。之间的氢和/或卤素。
17. 根据权利要求14所述的器件，其中，所述硫族化物材料在其边缘处具有给定at.%的氢和/或卤素并且在其中心处具有所述给定at /o的至少1/6的氢和/或卤素。
18. 根据权利要求M所述的器件，其中，在所述硫族化物材料中，所述硫族化物材料的氢和/或卤素的at.Q/。的变化小于约6倍。
19. 根据权利要求14所述的器件，与控制器、输入/输出器件和/或无线接口结合以提供电子器件。
20. 根据权利要求19所述的器件，其中，所述电子器件包括个人数字助理、膝上型计算机、平板型计算机、移动电话和/或数字音乐播放器。
全文摘要
本发明提供一种制造相变存储器器件的等离子体处理方法以及由此制造的存储器器件。相变存储器器件可以通过以下步骤来制造在衬底上形成第一电极以及在该第一电极上形成硫族化物材料。对硫族化物材料充分地进行等离子体处理，以对整个该硫族化物材料引入等离子体物质。第二电极形成在该硫族化物材料上。对相关器件也进行了描述。
文档编号H01L45/00GK101667622SQ20091020572
公开日2010年3月10日 申请日期2009年8月31日 优先权日2008年8月29日
发明者安东浩, 朴美林, 金荣国 申请人:三星电子株式会社