大功率led封装结构的制作方法

文档序号:6958774阅读:147来源:国知局
专利名称:大功率led封装结构的制作方法
技术领域
本发明属于半导体器件技术领域,涉及一种大功率LED封装结构。
背景技术
目前LED应用到照明领域,LED作为一种直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件,具有工作电压低,耗电量小,发光效率高,发光响应时间极短,光色纯,产品本身以及其制作过程均无污染,抗冲击,耐振动,性能定可靠,重量轻,体积小,成本低等一系列优点,被广泛认为为21世纪最优质的光源,可是LED的封装结构的散热设计以及光率的合理应用已经成为现在最关注虎的问题,特别在高温湿度的情况下,在LED长时间的正常工作, LED芯片温度的升高,LED的发光强度、亮度会相应地减弱,一旦温度超过一定的高度,LED 就会损坏,因此,现有的产品结构的散热能力严重制约着LED的可靠性及发光效率;再加上现有的好多LED封装结构都采用在基板上设有封装镜,其透镜的原材料选用硅胶、PC、亚克力等塑料材质经模压而成,这类材质的出光率低,也很难满足大的需求,都会影响着LED的实际使用。

发明内容
本发明的目的是提供一种大功率LED封装结构,解决了现有技术中存在LED封装结构中的散热以及出光率低的问题。本发明所采用的技术方案是,一种大功率LED封装结构,包括基板、AuSruLED发光芯片、封装镜、电极引脚、塑料支架、金属导热电极、金属连接体、散热件,所说的基板上通过 AuSn固定有LED发光芯片,以及设置在LED发光芯片上方的封装镜。其中所述的LED发光芯片连接有电极引脚;其中塑料支架位于基板的下方;其中塑料支架下方设有LED金属导热电极和位于LED金属导热电极方的金属连接体,以及设置的金属连接体下方的散热件。其中封装镜将LED发光芯片包覆。其中所述的封装镜采用玻璃材质做成。进一步所述的封装镜可以是透镜或棱镜或反射镜。进一步的AuSn2温度的多少要根据金和锡的比例来定。进一步的电极引脚一端通过导线与LED发光芯片连接。进一步的金属连接体的材料是铜、铝或者合金。进一步的金属连接体和散热件是通过销连接。本发明的有益效果是提供了一种大功率LED封装结构,是基于目前现有LED封装结构以及封装材质在实际使用过程中的遇到的状况而产生的,通过LED封装结构和封装材质的改进,提升了产品的光的输出率和LED封装结构的散热效率,利用金属散热和各类玻璃的高透过率、高折射率、可塑性好等特性,不但提升产品的可靠性及稳定性,更加大幅度提高大功率LED封装在各种条件下的效果及亮度,从而使大功率LED封装结构这一节能、环保、低碳的绿色能源能够在更大的范围内得到应用。


图1是本发明大功率LED封装结构的结构示意图。图中,1.基板,2.,3. LED发光芯片,4.封装镜,5.电极引脚,6.塑料支架,7.金属导热电极,8.金属连接体,9.散热件,10.导线。
具体实施例方式下面结合附图和具体实施方式
对本发明进行详细说明。本发明公开了一种LED大功率封装结构,如图1所示,包括基板1、AuSn2LED发光芯片3、封装镜4、电极引脚5、塑料支架6、金属导热电极7、金属连接体8、散热件9、,所说的基板1上通过AuSn2固定有LED发光芯片3,以及设置在LED发光芯片3上方的封装镜4。其中的LED发光芯片3连接有电极引脚5 ;其中塑料支架6位于基板1的下方;另外塑料支架6下方设有LED金属导热电极7和位于LED金属导热电极7下方的金属连接体8,以及设置的金属连接体8下方的散热件9。进步一说的封装镜4将LED发光芯片3包覆。其中封装镜4采用玻璃材质做成。其中的封装镜4可以是透镜或棱镜或反射镜。进一步的AuSn2温度的多少要根据金和锡的比例来定。进一步电极引脚5 —端通过导线10与LED发光芯片3连接。进一步金属连接体8的材料是铜、铝、或者合金。其中的金属连接体8和散热件9是通过销连接。本发明的一种LED封装结构工作原理是由LED发光芯片发出的热经过一方面可以通过AuSn来散热,另一方面由塑料支架6传到金属导热电极7,在经过金属导热电极7传送到金属连接体8,最后由金属连接体8传送到散热件9散热,采用金属材料如铜、铝、合金等散热好的材料散热,这样LED发光芯片长时间工作也不会担心发热而损坏,同时使用了玻璃材质的封装镜4,利用金属散热和各类玻璃的高透过率、高折射率、可塑性好等特性, 不但提升产品的可靠性及稳定性,更加大幅度提高大功率LED封装在各种条件下的效果及亮度,从而使大功率LED封装结构这一节能、环保、低碳的绿色能源能够在更大的范围内得到应用。
权利要求
1.一种大功率LED封装结构,包括基板(l)、AuSn(2)LED发光芯片(3)、封装镜、电极引脚(5)、塑料支架(6)、金属导热电极(7)、金属连接体(8)、散热件(9)、,其特征在于所述的基板⑴上通过AuSn (2)固定有LED发光芯片(3),以及设置在LED发光芯片(3)上方的封装镜⑷。所述的LED发光芯片(3)连接有电极引脚(5);所述塑料支架(6)位于基板(1)的下方;所述塑料支架(6)下方设有LED金属导热电极(7)和位于LED金属导热电极(7)下方的金属连接体(8),以及设置的金属连接体(8)下方的散热件(9)。
2.根据权利要求1所述的大功率LED封装结构,其特征在于所述的封装镜(4)将LED 发光芯片(3)包覆。
3.根据权利要求1所述的大功率LED封装结构,其特征在于所述的封装镜(4)采用玻璃材质做成。
4.根据权利要求1所述的大功率LED封装结构,其特征在于所述的封装镜(4)可以是透镜或棱镜或反射镜。
5.根据权利要求1所述的大功率LED封装结构,其特征在于所述的AuSn(2)温度的多少要根据金和锡的比例来定。
6.根据权利要求1所述的大功率LED封装结构,其特征在于所述的电极引脚(5)— 端通过导线(10)与LED发光芯片(3)连接。
7.根据权利要求1所述的大功率LED封装结构,其特征在于所述的金属连接体(8)的材料是铜、铝、或者合金。
8.根据权利要求1所述的大功率LED封装结构,其特征在于所述的金属连接体(8)和散热件⑶)是通过销连接。
全文摘要
本发明公开了一种大功率LED封装结构,包括基板、AuSn、LED发光芯片、封装镜、电极引脚、塑料支架、金属导热电极、金属连接体、散热件、,所说的基板上通过AuSn固定有LED发光芯片,以及设置在LED发光芯片上方的封装镜。通过对LED封装结构和封装材料的改变,提升了产品的光的输出率和LED封装结构的散热效率,同时也提高了LED封装结构的可靠性、稳定性和在各种条件下的效果及亮度,从而使大功率LED封装结构这一节能、环保、低碳的绿色能源能够在更大的范围内得到应用。
文档编号H01L33/58GK102569591SQ20101058542
公开日2012年7月11日 申请日期2010年12月9日 优先权日2010年12月9日
发明者薛向令, 解晓锋, 郑健 申请人:西安新大良电子科技有限公司
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