专利名称：一种陶瓷复合基板的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及用于微电子领域的陶瓷复合基板。
背景技术：
随着微电子技术的不断进步，低温共烧陶瓷基板由于布线层数高、布线导体方阻 小、介电常数低、烧结温度低、具有良好的高频特性和高速传输特性等优点而成为一种理想 的MCM用基板。但由于普通低温共烧陶瓷基板导热性差，热导率一般为2 3w/m · k，当电 路中存在功率元器件时，很容易引起模块内温度升高，引起或加快元器件的失效。现有解决 低温共烧陶瓷等陶瓷基板散热的方法主要是通过AuSn共晶焊焊接一金属热沉板。AuSn焊 接的方法需要在LTCC表面进行厚膜金层金属化或电镀，这不仅增加了工艺的复杂性，而且 由于采用了厚膜Au层和AuSn焊料等Au系材料而大大提高了成本，且工作温度只能小于 400°C，工作温度不高。
实用新型内容本实用新型针对现有陶瓷基板的不足，提供了一种不仅具有普通陶瓷基板多层布 线等特性，而且具有金属基板高导热性、高强度的陶瓷金属复合基板。本实用新型是通过以下技术方案实现的一种陶瓷复合基板，包括有陶瓷基板本体，所述的陶瓷基板本体层粘接有一层金 属基片。一种陶瓷复合基板，在所述陶瓷基板本体与金属基片之间设有用于将两者结合固 定在一起的过渡层。一种陶瓷复合基板，所述的金属基片的材质为CuMoCu。本实用新型将陶瓷基板与金属结合于一起，做成陶瓷金属复合基板，该基板不仅 具有低温共烧陶瓷基板的多层布线等特性，而且具有金属基板高导热性、高强度的特性。解 决了普通低温共烧陶瓷基板导热性差、强度低等的不足，提高了低温共烧陶瓷基板性能，可 扩大低温共烧陶瓷基板的应用领域，并且这种陶瓷金属复合基板的生产加工成本低。
附图为陶瓷基板复合层纵剖结构示意图。
具体实施方式
本实用新型陶瓷复合基板，包括有陶瓷基板本体1，陶瓷基板本体层1粘接有一层 金属基片3。陶瓷基板本体1与金属基片3之间设有用于将两者结合固定在一起的过渡层 2。金属基片3的材质为CuMoCu。过渡层2材料由玻璃粉料、有机载体组成。玻璃粉料由 B203、SiO2, A1203、PbO熔制而成，有机载体为乙基纤维素和松油醇的混合物。本实用新型将 陶瓷基板1与金属基片3结合于一起，做成陶瓷金属复合基板，该基板不仅具有低温共烧陶
3瓷基板的多层布线等特性，而且具有金属基板高导热性、高强度的特性。
权利要求一种陶瓷复合基板，包括有陶瓷基板本体，其特征在于所述的陶瓷基板本体层粘接有一层金属基片。
2.根据权利要求1所述的一种陶瓷复合基板，其特征在于在所述陶瓷基板本体与金属 基片之间设有用于将两者结合固定在一起的过渡层。
3.根据权利要求1所述的一种陶瓷复合基板，其特征在于所述的金属基片的材质为 CuMoCuο
专利摘要本实用新型涉及一种陶瓷复合基板，陶瓷基板本体层通过过渡层粘接有一层金属基片，金属基片的材质为CuMoCu。本实用新型提供了一种不仅具有普通陶瓷基板多层布线等特性，而且具有金属基板高导热性、高强度的陶瓷金属复合基板。
文档编号H01L23/14GK201673901SQ20102020129
公开日2010年12月15日 申请日期2010年5月20日 优先权日2010年5月20日
发明者李建辉, 沐方清, 王正义 申请人:中国电子科技集团公司第四十三研究所