专利名称：于半导体基板上制造贯穿互连线的方法
技术领域：
本发明是关于半导体元件的制造，尤有关于在半导体基板上制造贯穿互连线的晶片级的方法。
背景技术：
半导体基板有时需要贯穿基板(自其前侧至背侧)的电气互连线。此类型的贯穿互连线有时被称为贯穿硅晶介层孔(through silicon via, TSV)。例如，如发光二极管 (LED)显示器的光电系统可包括半导体基板，用以安装及制作发光二极管(LED)的电气连接部。该LED显示器可包括数百至数千的发光二极管阵列，其在基板中需要数百至数千的贯穿互连线。随着半导体基变得更小及更复杂，将难以使用现有的制造技术制作贯穿互连线。一种贯穿互连线的类型包括自该基板前侧延伸至背侧的电气绝缘的贯穿介层孔， 其被电气传导金属填满或以电气传导金属为内衬。制造此类型贯穿互连线的问题是难以用金属填满该贯穿介层孔，或用金属作为该贯穿介层孔的内衬，特别是紧密间距的小介层孔。 现有的制造技术是使用离子气相沉积法(PVD)及蒸发涂层法，以金属填满该贯穿介层孔， 或用金属作为该贯穿介层孔的内衬。然而，这些技术会产生不佳的阶梯覆盖及金属中的空穴，降低该贯穿互连线的传导性且增加其电阻率。鉴于前述，本技艺需要改良的制造方法，用以在半导体基板上制作贯穿互连线。然而，前述相关技艺的例子及随其的相关限制旨在说明并不意欲穷举。在研读具体说明及研究图式后，该相关技艺的其它限制对本领域技术人员将显而易见。
发明内容
于半导体基板上制造贯穿互连线的方法包括以下步骤在该基板的第一侧上形成部分贯穿该基板的介层孔、在该第一侧上及该介层孔中形成电气绝缘层、在该绝缘层上形成电气传导层，该电气传导层至少部分地作为该介层孔的内衬、在该介层孔中的传导层上形成第一接触部、且接着自该基板的第二侧开始薄化该基板，至少达该介层孔中的绝缘层。 该方法也包括在该基板的第二侧上形成与该第一接触部电气接触的第二接触部的步骤。该方法所形成的互连元件包括半导体基板及多个该基板中的贯穿互连线。每一贯穿互连线包括贯穿该半导体基板的介层孔、该介层孔内的前侧接触部、及与该前侧接触部电气接触的背侧接触部。
在图面的参考图式中说明示范实施例。意味着本文所揭露的实施例及图式将被视为具说明性而非限制性。图IA-图IL是概要的横剖面视图，其说明于半导体基板上制造贯穿互连线的方法的步骤。
图2A-图2E相当于图IH-图IL的概要横剖面视图，其说明图IA-图IL的方法的替代步骤，取代图IH-图1L。图3A-图3C相当于图IJ-图IL的概要横剖面视图，其说明图IA-图IL的方法的替代步骤，取代图IJ-图1L。图4A-图4C相当于图IJ-图IL的概要横剖面视图，其说明图IA-图IL的方法的替代步骤，取代图IJ-图1L。图5相当于图IL的概要横剖面视图，其说明替代实施例的贯穿互连线。图6概要的横剖面视图，其说明制作图5的贯穿互连线用的回焊炉。
具体实施例方式如本文所用的，“半导体元件”意味着包括半导体基板的电子元件。“晶片级”意味着在半导体晶片上所进行的处理。“晶片尺度”意味着具有大约与半导体晶片的外形相同的外形。参照图IA-图1L，说明在半导体基板32上制造贯穿互连线30 (图1L)的方法的步骤。尽管为了说明目的而依特定顺序显示该方法的步骤，但可以不同的顺序执行该方法。 起初，如图IA所示，提供半导体基板32。半导体基板32包括前侧40及背侧42。在随后的请求项中，前侧40有时被称为“第一侧”，且背侧42有时被称为“第二侧”。如图IA所示，半导体基板32可包括半导体晶片36，其具有50_450mm的标准直径 D，及约50-1000 μ m的完整厚度Tl。半导体晶片36容许用以执行晶片级方法的标准晶片制造设备，且产生晶片尺度的互连元件38 (图1L)。例如，直径150mm的晶片具有约675μπι 的完整厚度(Tl)，直径200mm的晶片具有约725 μ m的完整厚度(Tl)，及直径300mm的晶片具有约775μπι的完整厚度(Tl)。在此说明实施例中，半导体晶片36及半导体基板32都包括硅晶(Si)。然而，半导体晶片36及半导体基板32可包括另一材料，如6仏8、5比、六例、 Α1203、或蓝宝石。接着，如图IB所示，可在半导体基板32的前侧40上形成硬式遮层34。硬式遮层 34可包括现有的硬式遮层材料，如Si3N4、Si02、Al203、Ta205、或TiO2,可使用ALD、CVD、PECVD、 PVD或蒸发涂层法沉积之。也可使用氧化或氮化法(如使用湿氧或干氧(如H20、02、03、 NOx)的Si基板热氧化)在半导体基板32上成长硬式遮层34。硬式遮层34的代表厚度可为100-10，000 A。硬式遮层34也可包括多层的不同材料。在此说明实施例中，硬式遮层34 可包括或SiN4。或者，如图IB的虚线所指，在形成硬式遮层34同时，也可在背侧 42上形成背侧硬式遮层34A。接着，如图IC所示，可在半导体基板32的前侧40上形成光阻层，且可使用微影法形成光罩44，其具有所需尺寸及形状的开口部46的图形。如图ID所示，使用适当的湿式或干式刻蚀法，开口部46可用以在硬式遮层34中刻蚀对应的开口部48。例如，对于SW2 硬式遮层34，以湿式刻蚀剂(如HF酸)执行该刻蚀法，或以氟或氯刻蚀物种(如CF4 = O2或 CHF3:02)执行干式刻蚀法。开口部46可具有任一所需尺寸及形状，如带有1-2000 μ m的尺寸(如直径dl)的圆形、矩形、方形、或椭圆形。也如图ID所示，在形成开口部46后，使用适当的剥除法移除光罩44。接着，如图IE所示，可使用硬式遮层34与合适的处理(如湿式或干式刻蚀)执行介层孔形成步骤，以在半导体基板32中形成介层孔50。可终止该介层孔形成步骤，以在前侧40上形成部分贯穿半导体基板32的介层孔50，其具有代表性的1-500 μ m(自前侧40表面算起)的深度X。例如，可使用湿式刻蚀剂(如K0H(44%)或TMAH(25%)的溶液)所执行的晶体图像刻蚀法(crystalgraphic etch process)而形成介层孔50，此湿式刻蚀剂可用以刻蚀 <100>Si (约 1 μ m/min)，同时刻蚀 Si3N4 ( < 1 A /min)与 SiO2 ( < 20 A /min)，而以更慢的速率(即<100>Si的1/100)刻蚀<lll>Si。可使用HF、HNO3、CH3COOH与H2O的溶液执行等向刻蚀法。如图IE所说明的，将以晶体图像刻蚀法优先地刻蚀介层孔50，其中介层孔50的侧壁倾斜而与水平(即与前侧40的面平行的线)成53. 7度。此外，介层孔50 可包括具有所需直径d2 (如1-500 μ m)的平坦底表面66，该直径取决于硬式遮层34中的开口部48的尺寸及刻蚀时间。可使用干式刻蚀法(如BOSCH刻蚀)，而非湿式刻蚀，形成介层孔50。也如图IE所示，如果未执行晶体图像刻蚀法，则介层孔50A可具有深度χ、宽度 d3且与半导体基板32的前侧40大致垂直的侧壁。接着，如图IF所示，显示移除硬式遮层34的选用步骤。可使用合适之法(如刻蚀或剥除法)及使用湿式或干式刻蚀剂，移除硬式遮层34。在此步骤之后，半导体基板32在前侧40上包括多个介层孔50，其仅部分贯穿基板32而延伸至深度x(图1E)。接着，如图IG所示，可执行绝缘层形成步骤，以在半导体基板32的前侧40上及介层孔50的侧壁上形成电气绝缘的绝缘层52。绝缘层52最好具有薄厚度(如100 A至 Iym),以使介层孔50保持开放。绝缘层52可包括电气绝缘材料，如氧化物(如SiO2)或氮化物(如Si3N4)，使用合适的沉积法(如CVD、PECVD、或ALD)在适当的位置成长或沉积之。 其它适合的介电层包括使用合适之法所沉积的A1203、Ta2O5与氧化钛。可使用蒸汽或干氧化法热成长Si02。作为另一种选择，绝缘层52可包括聚合物材料，如聚酰亚胺，使用合适之法(如经由喷嘴的沉积或电泳)在前侧40上或介层孔50中沉积之。作为另一种选择，绝缘层52可包括聚合物，如聚对二甲苯基，使用CVD在前侧40上或介层孔50中气相沉积之。接着，如图IH所示，可执行传导层形成步骤，以在绝缘层52上形成电气传导的金属层54。金属层M可包括使用溅镀、PVD、CVD、蒸发涂层法或无电化学沉积所沉积的单一层的高传导性金属，如Ti、Ta、Cu、W、TiW、Hf、Ag、Au、或Ni。然而，金属层54可包括多层金属堆迭，而非单一层金属，如由传导层与接合层(如Cu/Ni)组成的双金属堆迭，或如Ta/TaN/ Cu/Ni/Au及这些金属的合金的多层。可使用合适的沉积法(即添加法)形成金属层M，如 PVD、无电沉积、电镀或经由遮罩(未显示)的PVD。作为另一例，通过金属层的毯覆式沉积， 接着经遮罩刻蚀(即消去法)而形成金属层M。因介层孔50的深宽比，金属层M的阶梯覆盖通常将少于100%。在说明实施例中，可执行传导层形成步骤，以形成厚度不会完全填满介层孔50的金属层M。特别是，金属层M作为介层孔50的侧壁的衬底，而非填满介层孔50。接着，如图II所示，可执行前侧接触部形成步骤，以在介层孔50中及基板32的邻接所述介层孔的前侧40上形成前侧接触部56。在随后的请求项中，前侧接触部56有时被称为“第一接触部”。前侧接触部56可包括利用介层孔50中流动性金属的沉积，而在金属层M上所形成的金属(如焊料、镍)、球体、凸块或接脚。例如，可沉积或经遮罩而网版印刷如焊料或金属胶的流动性金属，以填满介层孔50且形成作为金属凸块的前侧接触部56。也可使用辉球法(ball bonding process)或销状凸块法(stud bumping process)形成前侧接触部56。也可使用二步骤法形成前侧接触部56，其中用沉积或网版印刷填满介层孔50， 接着凸块(或球体)形成步骤。也可使用许多其它的技术，以形成前侧接触部56。例如，焊料凸块接合法(solder bump bonding, SBB)使用改良的打线机的焊线，直接将焊球置在接合垫上。打线机的相互摩擦动作会使焊球与接合垫接合。在凸块上方切断焊线，将该凸块留在接合垫上，再将该凸块回焊。焊料凸块接合法是一连串的处理，以高达每秒8个的速率产生一个个的凸块。其优点是较印刷凸块允许更紧密的间距。另一技术是焊料喷流法(solder jetting)，其通过控制熔化焊料的液滴流而将焊料凸块置于Ni-Au凸块底层金属(under bump metallization, UBM)上。作为另一例，需求模式的喷流系统使用压电或电阻式加热，以与喷墨印表机大致相同的方式形成液滴。机械定位指挥该液滴的放置。连续模式的喷流系统使用连续的焊料液滴流，以带电液滴的静电偏折而控制放置。在说明实施例中，前侧接触部56包括如焊料(如SnPd、SnAg、SnCu、SnAgCu、 NiSnAgCu、AuSn)的粘合金属所形成的金属凸块。金属层M可包括如铜的金属，其吸引且提供填满介层孔50用的粘着力。前侧接触部56的直径的代表范围可为1-1000 μ m。接着，如图IJ所示，可自背侧42执行薄化步骤，使基板32变薄且形成具有薄背侧42T的薄半导体基板32T。该薄化步骤可终止在绝缘层52处。然而，最好执行该薄化步骤，以移除介层孔50的底表面的绝缘层52，及使介层孔50中的金属层M曝露。可使用以机械平坦化设备(如研磨机)所执行的机械平坦化法执行该薄化步骤。此类型的机械平坦化法有时被称为干式抛光法。一种合适的机械平坦化设备是由Okamoto所制，且设计成型号no.VG502。也可使用化学机械研磨(CMP)设备执行该薄化步骤。合适的化学机械研磨 (CMP)设备是来自如ffestech、SEZ、离子抛光系统、及TRUSI的制造商所市售的。也可使用回蚀法执行该薄化步骤，如单独执行湿式刻蚀法、干式刻蚀法或离子刻蚀法，或与机械平坦化法结合。也可使用多步骤法执行该薄化步骤，如背研磨，接着软抛光步骤，然后是CMP及清洁步骤。作为另一选择，可使用抛光步骤以裸露绝缘层52，可刻蚀绝缘层52以裸露金属层54。可如所需地选择薄基板32T的厚度T2 (图1J)，以35 μ m至300 μ m具代表性。薄背侧42T具有平滑、抛光的表面且缺乏特征部。如图3A所示，随着薄化步骤在介层孔50中的前侧接触部56内的终止，薄半导体基板32T的厚度T3将比厚度T2(图1J)至少少了已移除的金属层讨的厚度。接着，如图IK所示，可执行背侧绝缘层形成步骤，以在薄背侧42Τ上形成电气绝缘的背侧绝缘层58，其具有与介层孔50中的裸露金属层M对齐的开口部60。如示，背侧绝缘层58可完全覆盖介层孔50的侧壁上的裸露绝缘层52，或可仅部分地覆盖裸露绝缘层52。 背侧绝缘层58可包括电气绝缘材料，如使用合适之法所形成的氧化物(如SiO2)、氮化物 (Si3N4)、或聚合物(如聚酰亚胺、聚对二甲苯基)，实质如同先前对前侧绝缘层52的描述。接着，如图IL所示，可执行背侧接触部形成步骤，以在薄背侧42Τ上，及与介层孔 50中的裸露金属层M对齐的开口部60中形成背侧接触部62。在随后的请求项中，背侧接触部62有时被称为“第二接触部”。背侧接触部62可包括使用金属化法(如沉积或经遮罩而网版印刷)在介层孔50中的裸露金属层讨上所形成的金属、或焊料、球体、凸块或接脚， 实质如同先前对前侧接触部56的描述。也可使用销状凸块法或焊球法形成背侧接触部62，实质如同先前对前侧接触部56的描述。在说明实施例中，背侧接触部62包括如焊料(如 SnPd、SnAg、SnCu、SnAgCu、NiSnAgCu、AuSn)的粘合金属所形成的金属凸块。背侧接触部62 的直径的代表范围可为60-950 μ m。如图IL所示，每一贯穿互连线30包括贯穿薄半导体基板32T的介层孔50、介层孔 50内的前侧接触部56、及与前侧接触部56电气接触的背侧接触部62。此外，介层孔50内的金属层M使前侧接触部56与背侧接触部62电气连接。参照图2A-图2E，说明该方法的替代步骤。图2A实质相似于先前图IH所示及所述的传导层形成步骤。然而，在此实施例中，金属层M在介层孔50中不具有100%的阶梯覆盖，以在介层孔50中形成阶梯式金属层68。如图2B所示，前端接触部形成步骤形成前端接触部56A，其填满介层孔50并与阶梯式金属层M电气接触，但在基板32的前侧40上形成凹面垫而非作为前侧接触部56的隆起凸块(图II)。可使用回焊处理制作前端接触部 56A，其中使用回焊炉(reflow oven) 70使流动性金属回流至介层孔50中而带有凹面形状 (图6)。或者，通过以化学或机械抛光自隆起的前侧接触部56中移除过剩材料而制作前端接触部56A，实质如同先前对薄化步骤的描述。图2C说明形成薄半导体基板32T的薄化步骤，实质如同先前在图IJ中所示及所述的。图2D说明形成背侧绝缘层58的背侧绝缘层形成步骤，实质如同先前在图IK中所示及所述的。图2E说明形成背侧接触部62的背侧接触部形成步骤，实质如同先前在图IL中所示及所述的。如图2E所示，贯穿互连线30A实质相似于先前所述的贯穿互连线30 (图1L)，但带有具凹面而非凸块的前端接触部56A。参照图3A-图3C，说明该方法的替代步骤。图3A显示实质相似于先前在图IJ中所示及所述的薄化步骤。然而，在此实施例中，可在至少部分接触到介层孔50中前侧接触部56的材料时终止该薄化步骤。如图:3B所示，随着该薄化步骤在介层孔50中的前侧接触部56终止，背侧绝缘层58也可覆盖介层孔50中的部分金属层54，同时至少使前侧接触部 56的一部分裸露。如图3C所示，随着该薄化步骤在介层孔50中的前侧接触部56终止，每一贯穿互连线30B实质相似于先前所述的贯穿互连线30 (图1L)，但已移除介层孔50的底表面66 (图1E)上的金属层M。参照图4A-图4C，说明该方法的替代步骤。图4A显示实质相似于先前在图2C中所示及所述的薄化步骤。然而，在此实施例中，可在至少部分接触到介层孔50中前端接触部56A的材料时终止该薄化步骤。如图4B所示，随着该薄化步骤在介层孔50中的前端接触部56A终止，背侧绝缘层58也可覆盖介层孔50中的部分阶梯式金属层68，同时至少使前端接触部56A的一部分裸露。如图4C所示，随着该薄化步骤在介层孔50中的前端接触部 56A终止，每一贯穿互连线30C实质相似于先前所述的贯穿互连线30A(图2E)，但已移除介层孔50的底表面66 (图1E)上的阶梯式金属层68。如图5所示，贯穿互连线30D可实质相似于先前所述的贯穿互连线30C(图4C)。 然而，贯穿互连线30D包括背侧接触部62A，其包括衬垫，而非如背侧接触部62的凸块(图 4C)。可在回焊炉70中使用回焊处理制作背侧接触部62A(图6)，实质如同先前对前端接触部56A (图2B)的描述。或者，通过以化学或机械抛光自隆起的背侧接触部62 (图4C)中移除过剩材料而制作背侧接触部62A，实质如同先前对前端接触部56A(图2B)的描述。因此，本揭露描述制作半导体基板的贯穿互连线的改善方法及改善的晶片尺度互连元件。尽管上文已讨论若干示范实施态样及实施例，本领域技术人员将认可特定的修正、置换、添加及其次组合。因此意味着接下来的附加请求项及此后所介绍的请求项被解释为包括落入其精神及范畴的所有修正、置换、添加及其次组合。
权利要求
1.一种于一半导体基板上制造一贯穿互连线的方法，包括 在该基板的第一侧中形成部分贯穿该基板的一介层孔； 在该第一侧上及该介层孔中形成一电气绝缘层；在该绝缘层上形成一传导层，该传导层至少部分地作为该介层孔的内衬； 在该基板的该第一侧上形成第一接触部，该第一接触部包括填满该介层孔并与该传导层电气接触的流动性金属；及薄化该基板的第二侧，至少达该绝缘层。
2.如权利要求1所述的于一半导体基板上制造一贯穿互连线的方法，更包括在该基板的该第二侧上形成与该第一接触部电气接触的第二接触部。
3.如权利要求1所述的于一半导体基板上制造一贯穿互连线的方法，其中该传导层包括一金属层，且该第一接触部包括一凸块或一衬垫。
4.如权利要求1所述的于一半导体基板上制造一贯穿互连线的方法，其中该薄化步骤包括选自于研磨、化学机械研磨、及刻蚀组成的群体中的一方法。
5.如权利要求1所述的于一半导体基板上制造一贯穿互连线的方法，其中该形成该第一接触部的步骤包括经由一遮罩沉积焊料或金属胶。
6.如权利要求1所述的于一半导体基板上制造一贯穿互连线的方法，其中该形成该第一接触部的步骤包括一焊料凸块接合法或一焊料喷流法。
7.如权利要求1所述的于一半导体基板上制造一贯穿互连线的方法，其中该形成该第一接触部的步骤包括一二步骤处理，其中通过该流动性金属的沉积而填满该介层孔，接着进行凸块或球体形成步骤。
8.如权利要求1所述的于一半导体基板上制造一贯穿互连线的方法，其中该形成该第一接触部的步骤包括使用一回焊炉使该流动性金属回流至该介层孔中。
9.如权利要求1所述的于一半导体基板上制造一贯穿互连线的方法，其中该介层孔包括一底表面，且执行该薄化步骤，以移除该底表面上至少一部分的该传导层。
10.如权利要求1所述的于一半导体基板上制造一贯穿互连线的方法，其中该介层孔包括一底表面，且执行该薄化步骤，使该传导层的至少一部分留在该底表面上。
11.一种于一半导体基板上制造一贯穿互连线的方法，包括 提供具有第一侧与第二侧的该半导体基板；在该第一侧中形成一介层孔，该介层孔在基板中具有侧壁及一底表面； 在该第一侧、该介层孔的该侧壁及该底表面上形成一电气绝缘层； 在该绝缘层上形成一电气传导层；在该介层孔中形成第一接触部，该第一接触部与该传导层电气接触；及自该第二侧开始薄化该基板，至少达该介层孔的该底表面上的绝缘层。
12.如权利要求11所述的于一半导体基板上制造一贯穿互连线的方法，更包括在该第二侧上形成与第一金属凸块电气接触的第二接触部。
13.如权利要求12所述的于一半导体基板上制造一贯穿互连线的方法，其中该第一接触部与该第二接触部包括金属凸块。
14.如权利要求12所述的于一半导体基板上制造一贯穿互连线的方法，其中该第一接触部与该第二接触部包括衬垫。
15.如权利要求11所述的于一半导体基板上制造一贯穿互连线的方法，其中该形成该第一接触部的步骤包括选自于经由一遮罩的沉积、销状隆起球体接合法与焊料喷流法组成的群体中的一方法。
16.如权利要求11所述的于一半导体基板上制造一贯穿互连线的方法，其中该形成该介层孔的步骤包括晶体图像刻蚀法，且该介层孔具有斜的侧壁。
17.如权利要求11所述的于一半导体基板上制造一贯穿互连线的方法，其中该薄化步骤包括选自于研磨、化学机械研磨、及刻蚀组成的群体中的一方法。
18.—种于一半导体基板上制造多个贯穿互连线的方法，包括 提供具有第一侧与第二侧的半导体晶片；在该第一侧中形成具有多个开口部的一硬式遮层； 刻蚀多个与所述开口部对齐且部分贯穿该基板的介层孔； 在该第一侧上与所述介层孔中形成一电气绝缘层； 在该绝缘层上形成一金属层，该金属层至少部分地作为所述介层孔的内衬； 在该第一侧上形成多个第一接触部，所述第一接触部填满所述介层孔，且与作为所述介层孔的内衬的金属层电气接触；及自该第二侧开始薄化该晶片，以裸露所述介层孔中的金属层或第一接触部。
19.如权利要求18所述的于一半导体基板上制造多个贯穿互连线的方法，更包括在该第二侧上形成多个与所述第一接触部电气连接的第二接触部。
20.如权利要求18所述的于一半导体基板上制造多个贯穿互连线的方法，其中所述第一接触部包括所述介层孔中所沉积的焊料或金属胶。
21.如权利要求18所述的于一半导体基板上制造多个贯穿互连线的方法，其中形成所述第一接触部的步骤包括使用一回焊炉使所述第一接触部的金属回流至所述介层孔中。
22.如权利要求18所述的于一半导体基板上制造多个贯穿互连线的方法，其中形成所述第一接触部的步骤包括一焊料凸块接合法或一焊料喷流法。
23.如权利要求18所述的于一半导体基板上制造多个贯穿互连线的方法，其中形成所述第一接触部的步骤包括一二步骤处理，其中通过一流动性金属的沉积而填满所述介层孔，接着进行凸块或球体形成步骤。
24.—种互连元件，包括一薄半导体基板，具有第一侧与第二侧； 一介层孔，自该第一侧贯穿该薄半导体基板至该第二侧； 第一电气绝缘层，位在该第一侧上与该介层孔中； 一金属层，位在该第一电气绝缘层上，至少部分地作为该介层孔的内衬； 第一接触部，包括第一侧上与该介层孔内的第一金属凸块，该第一金属凸块与该金属层电气接触；第二电气绝缘层，位在该第二侧上；及第二接触部，包括在该第二电气绝缘层上的第二金属凸块，该第二金属凸块与该介层孔中的该第一接触部电气接触。
25.如权利要求24所述的互连元件，其中该第一金属凸块与该第二金属凸块包括焊料。
26.如权利要求M所述的互连元件，其中该介层孔包括侧壁与一底表面，且凸块底层金属层位于该侧壁与该底表面上。
27.如权利要求M所述的互连元件，其中该介层孔包括侧壁与一底表面，且凸块底层金属层所述该侧壁上但不在该底表面上。
全文摘要
于半导体基板上制造贯穿互连线的方法，该方法包括以下步骤在该基板的第一侧上形成部分贯穿该基板的介层孔、在该第一侧上及该介层孔中形成电气绝缘层、形成电气传导层，该电气传导层至少部分地作为该介层孔的内衬、在该介层孔中的传导层上中形成第一接触部、及自第二侧开始薄化该基板，至少达该介层孔中的绝缘层。该方法也包括在该基板的第二侧上形成与该第一接触部电气接触的第二接触部的步骤。在半导体晶片上执行此方法，以形成晶片尺度的互连元件。此外，该互连元件可用以构成如发光二极管系统的半导体系统。
文档编号H01L23/52GK102165587SQ201080002713
公开日2011年8月24日 申请日期2010年8月18日 优先权日2009年8月24日
发明者朱振甫 申请人:旭明光电股份有限公司