专利名称：半导体晶片接合体的制造方法、半导体晶片接合体和半导体装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体晶片接合体的制造方法、半导体晶片接合体以及半导体装置。
背景技术：
目前已知有一种半导体装置，是以CMOS传感器、CXD传感器等为代表的半导体装置，其包含具有受光部的半导体基板；设置在半导体基板上且以包围受光部的方式形成的隔片；以及通过该隔片接合于半导体基板上的透明基板。上述半导体装置，通常采用包括下列工序的制造方法来制造在设置有多个受光部的半导体晶片上，粘贴电子射线固化性的粘接膜(隔片形成层)的工序；通过掩模对该粘接膜有选择性地照射电子射线，对粘接膜进行曝光的工序；对已曝光的粘接膜进行显影以形成隔片的工序；将透明基板接合于所形成的隔片上的工序；以及切割所得到的半导体晶片与透明基板的接合体的工序(例如，参照专利文献1)。但是，对以往的方法而言，在曝光的工序中，由于粘接膜的粘接面处于露出状态， 所以尘埃等杂质容易附着于粘接膜的表面上，并且一旦杂质附着在粘接膜的表面，则难以去除。其结果是，所附着的杂质妨碍粘接膜的曝光，很难以充分的尺寸精度形成隔片。并且，在曝光的工序中，还存在掩模粘附于粘接膜上的问题。为了防止此类掩模的粘附，也考虑过加大粘接膜与掩模的距离，但若加大粘接膜与掩模的距离，则通过照射在粘接膜上的曝光用光所形成的图像发生模糊现象，导致曝光部分和未曝光部分的界线不清楚或者不稳定，难以以充分的尺寸精度形成隔片。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开2008-91399号公报
发明内容
发明要解决的课题本发明的目的在于，提供一种在曝光时可防止掩模或杂质附着于隔片形成层表面上，且可制造具有尺寸精度优良的隔片的半导体晶片接合体的半导体晶片接合体的制造方法；本发明的目的还在于，提供可靠性优良的半导体晶片接合体和半导体装置。解决课题的方法上述目的可通过下列(1) (14)所述的本发明技术方案来实现。(1) 一种半导体晶片接合体的制造方法，用于制造具有半导体晶片、设置在该半导体晶片的功能面侧的透明基板、以及设置在前述半导体晶片与前述透明基板之间的隔片的半导体晶片接合体，其特征在于，包括隔片形成用膜准备工序，准备具有片状支承基材和设置在该支承基材上的具有粘接性的隔片形成层的隔片形成用膜；
粘贴工序，将前述隔片形成用膜的前述隔片形成层粘贴于前述半导体晶片的功能面上；曝光工序，在前述隔片形成用膜的前述支承基材侧设置掩模，并使用该掩模以使曝光用光透过前述支承基材的方式，有选择性地对前述隔片形成层中应成为前述隔片的部位进行曝光；支承基材去除工序，在前述曝光后去除前述支承基材；显影工序，对曝光的前述隔片形成层进行显影并在前述半导体晶片上形成前述隔片；以及接合工序，将前述透明基板接合于前述隔片的与前述半导体晶片侧相反侧的面上。(2) 一种半导体晶片接合体的制造方法，用于制造具有半导体晶片、设置在该半导体晶片的功能面侧的透明基板、以及设置在前述半导体晶片与前述透明基板之间的隔片的半导体晶片接合体，其特征在于，包括隔片形成用膜准备工序，准备具有片状支承基材和设置在该支承基材上的具有粘接性的隔片形成层的隔片形成用膜；粘贴工序，将前述隔片形成用膜的前述隔片形成层粘贴于前述透明基板上；曝光工序，在前述隔片形成用膜的前述支承基材侧设置掩模，并使用该掩模以使曝光用光透过前述支承基材的方式，有选择性地对前述隔片形成层中应成为前述隔片的部位进行曝光；支承基材去除工序，在前述曝光后去除前述支承基材；显影工序，对曝光后的前述隔片形成层进行显影并在前述透明基板上形成前述隔片；以及接合工序，将前述半导体晶片的功能面接合于前述隔片的与前述透明基板侧相反侧的面上。(3)如上述(1)所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在前述曝光工序中， 以与前述支承基材相对置的方式设置前述掩模时，通过对准设置在前述半导体晶片上的校准标记与设置在前述掩模上的校准标记，从而进行前述掩模的定位。(4)如上述( 所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在前述曝光工序中， 以与前述支承基材相对置的方式设置前述掩模时，通过对准设置在前述透明基板上的校准标记和设置在前述掩模上的校准标记，从而进行前述掩模的定位。(5)如上述(1)至中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述支承基材的可见光透过率为30 100%。(6)如上述(1)至(5)中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述隔片形成层的可见光透过率为30 100%。(7)如上述(1)至㈩)中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述曝光工序中曝光用光对前述支承基材的透过率为50 100%。(8)如上述(1)至(7)中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述支承基材的平均厚度为15 50 μ m。(9)如上述(1)至(8)中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述曝光工序中前述掩模与前述支承基材的距离为0 1000 μ m。(10)如上述⑴至(9)中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述隔片形成层是由包含碱溶性树脂、热固性树脂和光聚合引发剂的材料来构成。(11)如上述(10)所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述碱溶性树脂为 (甲基)丙烯酸改性酚醛树脂。(12)如上述(10)或者(11)所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述热固性树脂是环氧树脂。(13) 一种半导体晶片接合体，其特征在于，通过上述(1)至(12)中任一项所述的方法来制造。(14) 一种半导体装置，其特征在于，通过将上述(1 所述的半导体晶片接合体在对应于前述隔片的位置进行切割、单片化来获得。
图1是表示本发明的半导体装置的一个实例的剖面图。图2是表示本发明的半导体晶片接合体的一个实例的纵向剖面图。图3是表示本发明的半导体晶片接合体的一个实例的平面图。图4是表示本发明的半导体装置(半导体晶片接合体)的制造方法的一个实例的工序图。图5是表示本发明的半导体装置(半导体晶片接合体)的制造方法的一个实例的工序图。
具体实施例方式下面，详细说明本发明。<半导体装置(图像传感器)>首先，在说明本发明的半导体晶片接合体的制造方法之前，说明通过本发明的半导体晶片接合体所制造的半导体装置。图1是表示本发明的半导体装置的一个实例的纵向剖面图。此外，在下面的说明中，将图1中的上侧称为“上”、下侧称为“下”。如图1所示，半导体装置(受光装置)100，包含基底基板101、以与基底基板101 对置的方式配置的透明基板102、在基底基板101上形成的受光部103、在受光部103的边缘部形成的隔片104、以及在基底基板101的下面形成的焊锡凸块106。基底基板101是半导体基板，在该半导体基板上设置有未图示的电路(后述半导体晶片所具有的单独电路)。在基底基板101上，设置有几乎横贯其整个面的受光部103。受光部103，例如，为从基底基板101侧依次层叠受光元件和微透镜阵列的构成。透明基板102是以与基底基板101对置的方式被配置，其平面尺寸与基底基板101 的平面尺寸大致相同。透明基板102，例如由丙烯酸树脂基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂 (PET)基板、玻璃基板等来构成。受光部103所具有的微透镜阵列和透明基板102在它们的边缘部直接与隔片104粘接，隔片104是用于粘接基底基板101和透明基板102。并且，该隔片104在受光部103 (微透镜阵列)与透明基板102之间形成空隙部105。该隔片104，以包围该受光部103的中心部的方式配置在受光部103的边缘部，因此，在受光部103中，由隔片104所包围的部分作为实质上的受光部而发挥功能。此外，作为受光部103所具有的受光元件，例如，可以举出(XD(Charge Coupled Device，电荷華禹合器件)、CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)等，在该受光元件中，由受光部103所接受的光转换为电信号。焊锡凸块106具有导电性，在基底基板101的下面，与设置于该基底基板101的布线进行电连接。由此，在受光部103由光转换成的电信号，传递至焊锡凸块106。<半导体晶片接合体>接着，说明半导体晶片接合体。图2是表示本发明的半导体晶片接合体的一个实例的纵向剖面图，图3是表示本发明的半导体晶片接合体的一个实例的平面图。如图2所示，半导体晶片接合体1000是由依次层叠半导体晶片101'、隔片104' 和透明基板102'而成的层叠体来构成。半导体晶片101'，是通过经历如后述的单片化工序而成为如上所述的半导体装置100的基底基板101的基板。另外，在半导体晶片101'的功能面设置有多个单独电路(未图示)。另外，在半导体晶片101'的功能面上，在每个上述单独电路中各形成有如上所述的受光部103。如图3所示，隔片104'呈格子状并以包围半导体晶片101'上的各单独电路(受光部103)的方式形成。另外，隔片104'在半导体晶片101'与透明基板102'之间形成多个空隙部105。即，由隔片104'所包围的区域成为空隙部105。该隔片104'，是通过经历如后述的单片化工序而成为如上所述的半导体装置 100的隔片104的部件。透明基板102'是通过隔片104'与半导体晶片101'接合。该透明基板102'，是通过经历如后述的单片化工序而成为如上所述的半导体装置100的透明基板102的部件。通过如后述地使这种半导体晶片接合体1000单片化，可以获得多个半导体装置 100。<半导体装置(半导体晶片接合体)的制造方法>接着，说明本发明的半导体装置(半导体晶片接合体)制造方法的优选实施方式。图4和图5是表示本发明的半导体装置(半导体晶片接合体)的制造方法的优选实施方式的工序图。首先，准备隔片形成用膜1。如图4(a)所示，隔片形成用膜1包含支承基材11和设置在支承基材11上的隔片形成层12。支承基材11是片状基材，具有支承隔片形成层12的功能。该支承基材11是由具有光透过性的材料来构成。如此，通过由具有光透过性的材料来构成，可在如后述的半导体装置的制造中，在隔片形成层12上附着支承基材11的状态下，对隔片形成层12进行曝光。优选支承基材11的可见光透过率为30 100%，更优选为50 100%。由此，在后述的曝光工序中，可以更加确实地对隔片形成层12进行曝光。并且，可以确实地进行后述掩模20的校准标记与半导体晶片101'(透明基板102')的校准标记的对准。另外，在后述曝光工序中曝光用光(i线(365nm))对支承基材11的透过率优选为 50 100%，更优选为65 100%。由此，可以更确实地对隔片形成层12进行曝光。作为构成这种支承基材11的材料，例如，可以举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、 聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)等。其中，从光透过性和断裂强度的平衡性优良的观点出发，优选使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。隔片形成层12，是对半导体晶片的表面具有粘接性并且粘接于半导体晶片的层。 对于构成隔片形成层12的树脂组合物，在后面进行详述。隔片形成层12的可见光透过率优选为30 100%，更优选为50 100%。由此， 在后述的曝光工序中，在隔片形成层12的厚度方向更确实地进行曝光。并且，可以确实地进行后述掩模20的校准标记和半导体晶片101'(透明基板102')的校准标记的对准。在此，可以通过下述方法测定支承基材11和隔片形成层12的可见光透过率。采用透过率测定装置(UV-160A，(株)岛津制作所社制造)，并且，支承基材以所用支承基材的厚度、隔片形成层则以50 μ m，在测定波长为600nm条件下测定透过率。另一方面，准备在功能面上形成有多个受光部103和微透镜阵列(未图示)的半导体晶片101'(参照图4(b))。接着，如图4(c)所示，将半导体晶片101'的功能面与隔片形成用膜1的隔片形成层12 (粘接面)进行粘合(层叠工序)。由此，获得粘贴有隔片形成用膜1的半导体晶片 101'。接着，对隔片形成层12照射光(紫外线)来进行曝光(曝光工序)。此时，如图4(d)所示，采用在与应该成为隔片104的部分所对应的位置上具有光透过部201的掩模20。光透过部201具有光透过性部位，透过该光透过部201的光照射于隔片形成层12。然后，有选择性地对隔片形成层112中得到光照射的部分进行曝光。由此， 在隔片形成层12中，得到光照射的部分发生光固化。另外，对隔片形成层12的曝光而言，如图4(d)所示，是在隔片形成层12上附有支承基材11的状态下进行，并基于透过支承基材11的曝光用光来进行。然而，在以往的半导体装置的制造方法中，在曝光工序中，由于隔片形成层的粘接面处于露出状态，所以尘埃等杂质容易附着于隔片形成层的表面上，并且一旦杂质附着，则难以去除。其结果是，所附着的杂质妨碍隔片形成层的曝光，难于以充分的尺寸精度形成隔片。另外，在曝光工序中，存在掩模粘附于隔片形成层上的问题。为了防止这种掩模的粘附，虽然也考虑过加大隔片形成层与掩模之间的距离，但若加大隔片形成层与掩模的距离， 则由照射在隔片形成层上曝光用光所形成的图像出现模糊，曝光部分和未曝光部分的界线变得不清楚或者不稳定，难于以充分的尺寸精度来形成隔片。与此相比，在本发明中，由于在如上所述的曝光工序中，在隔片形成层上附着有支承基材的状态下进行曝光，因此，该支承基材发挥了作为隔片形成层的保护层的功能，可有效防止尘埃等杂质附着于隔片形成层的表面上。另外，即使在杂质附着于支承基材上的情况下，也可以容易去除。另外，在设置掩模时，也可以防止掩模粘附于隔片形成层的现象，可使掩模与隔片形成层的距离更小。其结果是，可以防止通过照射在隔片形成层的曝光用光所形成的图像变模糊的现象，可以使曝光部和未曝光部的界线变得鲜明(sharp)。其结果是，能够以充分的尺寸精度来形成隔片，能够以与设计相近的形状来形成由隔片104'所包围的空隙部105。由此，可以获得可靠性高的半导体装置。对支承基材11与掩模20的距离而言，优选支承基材11与掩模20相互之间的间距为0 2000 μ m,更优选为0 1000 μ m。由此，可以使通过掩模20所形成的曝光用光的图像变得更加鲜明，能够以充分的尺寸精度形成隔片104。特别优选以支承基材11和掩模20相接触的状态进行曝光。若为这种构成，则隔片形成层12与掩模20的距离就成为支承基材11的厚度，因此，可使隔片形成层12与掩模 20的距离保持固定。其结果是，可以对隔片形成层12的应该曝光的部位进行均勻曝光，可以更有效地形成尺寸精度优良的隔片104'。如此地，当在支承基材11和掩模20相接触的状态下进行曝光时，通过适当选择支承基材11的厚度，可以自由并且准确地设定隔片形成层12与掩模20的距离，并且可以进一步减小隔片形成层12和掩模20的距离。若考虑上述情形，则支承基材11的平均厚度，例如，优选为15 50 μ m，更优选为 25 50 μ m。若支承基材11的平均厚度低于前述下限值，则有时难以获得作为支承基材所必要的强度。另外，若支承基材11的平均厚度超过前述上限值，则根据支承基材11的光透过率的值，为了使曝光用光确实地照射隔片形成层12，有时不得不增大光的照射能量。另外，在本实施方式中，如图4(d)所示，在半导体晶片101'上的边缘部附近，设置有校准标记1011。另外，同样地，如图4(d)所示，在掩模20中，设置有对准用的校准标记202。在本曝光工序中，通过对准上述半导体晶片101'的校准标记1011与掩模20的校准标记202，进行掩模20对半导体晶片101'的定位。由此，能够以高的位置精度形成隔片 104'，可进一步提高所形成的半导体装置100的可靠性。此外，在曝光后，可以对隔片形成层12以40 80°C左右的温度实施加热处理(曝光后加热工序(PEB工序))。通过实施这种加热处理，可以进一步提高曝光工序中光固化的部位(隔片104')与半导体晶片101'的粘附性，可以有效防止在后述的显影工序中光固化部位发生并不希望的剥离现象。上述加热处理的温度只要在上述范围即可，但更优选为50 70V。由此，在后述的显影工序中，可以更有效地防止光固化部位发生并不希望的剥离。接着，如图4(e)所示，去除支承基材11 (支承基材去除工序)。接着，如图4(f)所示，通过使用碱性水溶液使隔片形成层12显影，去除隔片形成层12中未固化的部分，光固化部位作为格子状的隔片104'而残留(显影工序)。换言之， 形成在半导体晶片与透明基板之间成为多个空隙部的部位105'接着，如图5(g)所示，使所形成的隔片104'的上面与透明基板102'进行接合 (接合工序)。由此，获得依次层叠半导体晶片101'、隔片104'以及透明基板102'而成的半导体晶片接合体1000 (本发明的半导体晶片接合体)。
隔片104'和透明基板102'的接合，例如，可以在所形成的隔片104'的上面与透明基板102'粘贴后，通过实施热压接来进行。优选上述热压接在80 180°C的温度范围之内进行。由此，可使所形成的隔片104 的形状成为良好。接着，如图5(h)所示，对半导体晶片101'的与透明基板102接合面的相反侧的下侧面(背面)111进行研削(背研工序)。该下侧面111，例如，通过研削装置(研磨机)具有的研削盘进行研削。通过上述下侧面111的研削，半导体晶片101'的厚度，虽然根据半导体装置100 所适用的电子设备的不同而不同，但通常设定为100 600 μ m左右，当用于更小型的电子设备中时，设定为50 μ m左右。接着，对所研削的半导体晶片101'的下面(背面)111实施加工(背面加工工序)。作为上述加工，例如，可以举出对下面111形成布线，或者连接如图5 (i)所示的焊锡凸块106等。接着，通过以对应于半导体晶片101'上所形成的单独电路、即与隔片104具有的各空隙部105对应的方式，使半导体晶片接合体1000单片化，获得多个半导体装置100 (切割(单片化)工序)。换言之，通过在对应于隔片104'的位置对半导体晶片接合体1000 进行切割、单片化来获得多个半导体装置100。对半导体晶片接合体1000的单片化而言，例如，可通过如下所述地进行首先，如图5(j)所示，从半导体晶片101'侧，采用切割锯(dicing saw)，以对应于形成有隔片104 的位置的方式，插入切口 21后，从透明基板102'侧，也采用切割锯与切口 21对应地插入切口来实施。通过经历如上所述的工序，可以制造半导体装置100。如此，使半导体晶片接合体1000单片化而一次得到多个半导体装置100，从而可以大量生产半导体装置100，可以实现生产能力效率化。此外，例如通过焊锡凸块106，将半导体装置100搭载于具有图案化布线的支承基板上，并由此使支承基板所具有的布线与在基底基板101下面所形成的布线通过焊锡凸块 106进行电连接。另外，半导体装置100能够以搭载于前述支承基板的状态下，广泛应用于诸如移动电话、数码相机、摄像机、小型相机等电子设备中。此外，在本实施方式中，说明了实施隔片形成层12的曝光后进行加热的PEB工序的情况，但可以根据构成隔片形成层12的树脂组合物的种类来省略这些工序。此外，在上述说明中，说明了在半导体晶片101'上形成隔片形成层12后进行曝光、显影，然后将隔片104'和透明基板102'接合的情况，但并不限于此，也可以是下述情况在透明基板102'上形成隔片形成层12后进行曝光、显影，然后，将隔片104'和半导体晶片101'接合。在上述情况下，优选为透明基板102'上设置有校准标记，在曝光工序中，以与支承基材11相对置的方式设置掩模20时，通过对准透明基板102'上所设置的校准标记和掩模20上所设置的校准标记202，进行掩模20的定位。由此，能够以高的位置精度形成隔片104'，可以进一步提高所形成的半导体装置100的可靠性。
<构成隔片形成层12的树脂组合物>接着，说明构成隔片形成层12的树脂组合物的优选实施方式。隔片形成层12，是具有光固化性、碱性显影性和热固化性的层，由包含碱溶性树脂、热固性树脂和光聚合引发剂的材料(树脂组合物)来构成。下面，详述该树脂组合物的各构成材料。(碱溶性树脂)构成隔片形成层12的树脂组合物含有碱溶性树脂。由此，隔片形成层12具有碱性显影性。作为碱溶性树脂，例如，可以举出甲酚型、苯酚型、双酚A型、双酚F型、邻苯二酚型、间苯二酚型、邻苯三酚型等酚醛清漆树脂，苯酚芳烷基树脂，羟基苯乙烯树脂，甲基丙烯酸树脂、甲基丙烯酸酯树脂等的丙烯酸类树脂，含有羟基和羧基等的环状烯烃类树脂，聚酰胺系树脂(具体而言，可以举出具有聚苯并噁唑结构和聚酰亚胺结构中的至少一者并且在主链或侧链上具有羟基、羧基、醚基或酯基的树脂，具有聚苯并噁唑前驱体结构的树脂， 具有聚酰亚胺前驱体结构的树脂，具有聚酰胺酸酯结构的树脂等)等，可使用它们中的一种或者两种以上的组合。在这些碱溶性树脂中，优选使用包含有助于碱性显影的碱溶性基和双键这两者的碱溶性树脂。作为碱溶性基，例如，可以举出羟基、羧基等。该碱溶性基，可有助于碱性显影并且可有助于热固化反应。另外，碱溶性树脂通过具有双键，可有助于光固化反应。作为上述具有碱溶性基和双键的树脂，例如，可以举出通过光和热这两者可发生固化的固化性树脂，具体而言，例如，可以举出具有丙烯酰基、甲基丙烯酰基和乙烯基等光反应基的热固性树脂，或者具有酚羟基、醇羟基、羧基、酸酐基等热反应基的光固性树脂等。此外，作为具有热反应基的光固性树脂，也可以是进一步包含环氧基、氨基、氰酸酯基等其它热反应基。作为如此构成的光固性树脂，具体而言，可以举出(甲基)丙烯酸改性酚醛树脂，含有(甲基)丙烯酰基的丙烯酸聚合物和含有羧基的(环氧基)丙烯酸酯等。另外，也可以是诸如含有羧基的丙烯酸树脂之类的热塑性树脂。在如上所述的具有碱溶性基和双键的树脂(通过光和热这两者可发生固化的固化性树脂)中，优选使用(甲基)丙烯酸改性酚醛树脂。若使用(甲基)丙烯酸改性酚醛树脂，由于含有碱溶性基，因此，在通过显影处理去除未反应的树脂时，作为显影液可以使用对环境负担少的碱液，以取代通常所用的有机溶剂。并且，通过含有双键，该双键有助于固化反应，作为其结果，可以提高树脂组合物的耐热性。另外，通过使用(甲基)丙烯酸改性酚醛树脂，可以确实减小半导体晶片接合体1000的翘曲程度，从该观点出发，也优选使用(甲基)丙烯酸改性酚醛树脂。作为(甲基)丙烯酸改性酚醛树脂，例如，可以举出由双酚类所具有的羟基与具有环氧基和(甲基)丙烯酰基的化合物的环氧基发生反应而获得的(甲基)丙烯酰基改性双酚树脂。具体而言，作为上述(甲基)丙烯酰基改性双酚树脂，例如，可以举出下述化学式 1所示的化合物。化学式1:
权利要求
1.一种半导体晶片接合体的制造方法，用于制造具有半导体晶片、设置在该半导体晶片的功能面侧的透明基板以及设置在所述半导体晶片与所述透明基板之间的隔片的半导体晶片接合体，其特征在于，包括隔片形成用膜准备工序，准备包含片状支承基材和设置在该支承基材上的具有粘接性的隔片形成层的隔片形成用膜；粘贴工序，将所述隔片形成用膜的所述隔片形成层粘贴于所述半导体晶片的功能面上；曝光工序，在所述隔片形成用膜的所述支承基材侧设置掩模，并使用该掩模以使曝光用光透过所述支承基材的方式，有选择性地对所述隔片形成层中应成为所述隔片的部位进行曝光；支承基材去除工序，在所述曝光后去除所述支承基材；显影工序，对曝光后的所述隔片形成层进行显影，在所述半导体晶片上形成所述隔片；以及接合工序，将所述透明基板接合于所述隔片的与所述半导体晶片侧相反侧的面上。
2.一种半导体晶片接合体的制造方法，用于制造具有半导体晶片、设置在该半导体晶片的功能面侧的透明基板以及设置在所述半导体晶片与所述透明基板之间的隔片的半导体晶片接合体，其特征在于，包括隔片形成用膜准备工序，准备包含片状支承基材和设置在该支承基材上的具有粘接性的隔片形成层的隔片形成用膜；粘贴工序，将所述隔片形成用膜的所述隔片形成层粘贴于所述透明基板上； 曝光工序，在所述隔片形成用膜的所述支承基材侧设置掩模，并使用该掩模以使曝光用光透过所述支承基材的方式，有选择性地对所述隔片形成层中应成为所述隔片的部位进行曝光；支承基材去除工序，在所述曝光后去除所述支承基材；显影工序，对曝光后的所述隔片形成层进行显影，在所述透明基板上形成所述隔片；以及接合工序，将所述半导体晶片的功能面接合于所述隔片的与所述透明基板侧相反侧的面上。
3.如权利要求1所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在所述曝光工序中，以与所述支承基材相对置的方式设置所述掩模时，通过对准设置在所述半导体晶片上的校准标记与设置在所述掩模上的校准标记，从而进行所述掩模的定位。
4.如权利要求2所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在所述曝光工序中，以与所述支承基材相对置的方式设置所述掩模时，通过对准设置在所述透明基板上的校准标记和设置在所述掩模上的校准标记，从而进行所述掩模的定位。
5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述支承基材的可见光透过率为30 100%。
6.如权利要求1至5中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述隔片形成层的可见光透过率为30 100%。
7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述曝光工序中曝光用光对所述支承基材的透过率为50 100%。
8.如权利要求1至7中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述支承基材的平均厚度为15 50 μ m。
9.如权利要求1至8中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述曝光工序中所述掩模与所述支承基材的距离为O 1000 μ m。
10.如权利要求1至9中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述隔片形成层由包含碱溶性树脂、热固性树脂和光聚合引发剂的材料来构成。
11.如权利要求10所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述碱溶性树脂为(甲基)丙烯酸改性酚醛树脂。
12.如权利要求10或者11所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述热固性树脂为环氧树脂。
13.一种半导体晶片接合体，其特征在于，采用权利要求1至12中任一项所述的方法来制造。
14.一种半导体装置，其特征在于，通过将权利要求13所述的半导体晶片接合体在对应于所述隔片的位置进行切割、单片化来获得。
全文摘要
本发明的半导体晶片接合体的制造方法，其特征在于，包括准备具有支承基材和隔片形成层的隔片形成用膜的工序；将隔片形成用膜的隔片形成层粘贴于半导体晶片上的工序；在隔片形成用膜的支承基材侧设置掩模，并使用掩模以使曝光用光透过支承基材的方式，有选择性地对隔片形成层进行曝光的工序；去除支承基材的工序；对隔片形成层进行显影，在半导体晶片上形成隔片的工序；以及将透明基板接合于隔片的与半导体晶片相反的面上的工序。
文档编号H01L23/02GK102326250SQ201080008948
公开日2012年1月18日 申请日期2010年2月15日 优先权日2009年2月23日
发明者佐藤敏宽, 出岛裕久, 川田政和, 白石史广, 米山正洋, 高桥丰诚 申请人:住友电木株式会社