专利名称：1w大功率led封装结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及LED领域，尤其是一种IW大功率LED封装结构。
背景技术：
发光二极管作为绿色、节能光源，在过去几年中得到大力的发展，其配套的发光二极管封装结构也在不断的更新换代，性能也得到了飞跃式的发展。目前国内市场上传统的 IW封装形式如图1所示，其封装结构存在如材料使用量大、浪费大、封装良率低、自动化生产程度不高等缺陷，并且一直无法得到有效改进；但因其支架供货充足、价格低、封装工艺要求低等优点的存在，仍在市场上占有较大份额；虽然这几年也出现了许多新结构，但因为这些新结构在价格、性能、应用过程中的匹配性等问题，没能成为市场主流的封装形式，从而使得此类发光二极管封装结构无法突破，对此类发光二极管封装结构的发展产生了莫大的制约，并且对发光二极管应用厂商自动化生产也存在一定影响。近年来随着LED照明的普及，LED灯具厂家的生产规模逐渐扩大，相应的生产模式逐渐从传统的人工组装模式转型为机械化自动组装，但是传统的大功率发光二极管在自动化生产时容易出现品质异常，且产能效率也跟不上需求，极大的制约着现代化企业的发展， 同时造成很大的材料浪费。目前国外如图1所示的传统的IW封装结构已经基本被淘汰。因此开发应用方便、 密集型的新结构大功率发光二级管来代替传统的封装形式成了当前国内LED封装企业有待解决的问题。
发明内容本实用新型要解决上述现有技术的缺点，提供一种可以提高发光二极管封装优良率，提高发光二极管生产效率，便于大规模自动化生产的IW大功率LED封装结构。本实用新型解决其技术问题采用的技术方案这种IW大功率LED封装结构，包括由金属基座、塑胶构件和导电片组成的支架，导电片封装于塑胶构件内，其两端构成电极连接端与引脚导电端，金属基座位于支架中间位置，其上下表面暴露于塑胶构件之外，金属基座上表面固定有大功率发光二级管芯片，芯片的电极与导电片上的电极连接端通过导线连接，芯片表面设有透明胶涂层，支架及芯片上方设有用树脂或硅胶材料封装的半球形 LENS (即透镜)。作为优选，所述透明胶涂层内混有荧光粉，以做发白光的二极管需要。作为优选，金属基座上表面与芯片通过导热性能良好的粘接剂连接。作为优选，金属基座采用具有高导热系数的金属或合金材料制成。作为优选，金属基座采用银、铜或铝制成。 作为优选，塑胶构件采用PPA、PA9T或LCP材料制成，以上材料均为耐高温塑料，具有耐高温、结构稳定、吸水性低的优点。 作为优选，导线采用金线、银线或导电好、延展性好的合金线制成。[0013]作为优选，透明胶涂层采用硅树脂、硅橡胶或环氧树脂制成，这些材料透光率高、 密封性好、性能稳定。本实用新型有益的效果是本实用新型的整个封装过程可实现全自动化生产，大大提高产品的稳定性，其结构决定了支架的密集型分布，可大大提高生产效率，符合现代化企业的生产需求。
图1是传统的IW大功率发光二极管封装结构示意图；图2是本实用新型的结构示意图；图3是本实用新型的俯视图；图4是本实用新型中所使用支架的俯视图；图5是本实用新型中所使用支架的仰视图；图6是本实用新型大功率发光二极管封装工艺示意图(固晶、键合图)；图7是本实用新型封装半球形LENS工艺示意图；附图标记说明芯片1，导线2，半球形LENS3，粘接剂4，金属基座5，导电片6，电极连接端7，引脚导电端8，塑胶构件9，透明胶涂层10。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步说明实施例如图2-5所示，IW大功率LED封装结构，其支架由金属基座5、塑胶构件9 和导电片6组成，导电片6封装于塑胶构件9内，其两端构成电极连接端7与引脚导电端8。 金属基座5的上下表面暴露于外，不被塑胶构件9包裹，其上表面平整光滑，且经过镀银处理，大功率发光二极管芯片1用导热性能良好的粘接剂4固定于金属基座5的上表面中心位置，芯片1上电极通过导线2连接在导电片6上的电极连接端7，连接方式如图6所示，接着用高精密点胶机或者喷胶机将混有荧光粉的胶水涂覆于芯片1表面，形成一个透明胶涂层10，最后将整板支架装入自动注胶机模具中，如图7所示，用树脂或硅胶类材料封装出一半球形LENS3即可完成。大功率发光二极管工作时产生的热量通过固定芯片1的粘接剂4 传递给金属基座5，再由金属基座5传递给灯具的散热器。其中，金属基座材料可以为银、铜、铝等具有高导热系数之金属或合金材料；塑胶材料可以为PPA、PA9T、LCP等耐高温、结构稳定、吸水性低的材料；所用导线可以为金线、银线、或具导电好、延展性好等优点的合金线；所用胶水可以为硅树脂、硅橡胶、或环氧树脂等透光率高、密封性好、性能稳定之胶材。除上述实施例外，本实用新型还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案，均落在本实用新型要求的保护范围。
权利要求1.一种IW大功率LED封装结构，包括由金属基座(5)、塑胶构件(9)和导电片(6)组成的支架，其特征是导电片(6)封装于塑胶构件(9)内，其两端构成电极连接端(7)与引脚导电端(8)，金属基座(5)位于支架中间位置，其上下表面暴露于塑胶构件(9)之外，金属基座(5)上表面固定有大功率发光二级管芯片(1)，芯片(1)的电极与导电片(6)上的电极连接端(7)通过导线(2)连接，芯片(1)表面设有透明胶涂层(10)，支架及芯片(1)上方设有用树脂或硅胶材料封装构成半球形LENS (3)。
2.根据权利要求1所述的IW大功率LED封装结构，其特征是金属基座(5)上表面与芯片(1)通过导热性能良好的粘接剂(4)连接。
3.根据权利要求1所述的IW大功率LED封装结构，其特征是所述金属基座(5)采用具有高导热系数的金属或合金材料制成。
4.根据权利要求4所述的IW大功率LED封装结构，其特征是所述金属基座(5)采用银、铜或铝制成。
5.根据权利要求1所述的IW大功率LED封装结构，其特征是所述塑胶构件(9)采用 PPA、PA9T或LCP材料制成。
6.根据权利要求1所述的IW大功率LED封装结构，其特征是所述导线(2)采用金线、 银线或导电好、延展性好的合金线制成。
7.根据权利要求1所述的IW大功率LED封装结构，其特征是所述透明胶涂层(10)采用硅树脂、硅橡胶或环氧树脂制成。
专利摘要本实用新型涉及一种1W大功率LED封装结构，包括由金属基座、塑胶构件和导电片组成的支架，导电片封装于塑胶构件内，其两端构成电极连接端与引脚导电端，金属基座位于支架中间位置，其上下表面暴露于塑胶构件之外，金属基座上表面固定有大功率发光二级管芯片，芯片的电极与导电片上的电极连接端通过导线连接，芯片表面设有透明胶涂层，支架及芯片上方设有用树脂或硅胶材料封装的半球形LENS。本实用新型有益的效果是本实用新型的整个封装过程可实现全自动化生产，大大提高产品的稳定性，其结构决定了支架的密集型分布，可大大提高生产效率，符合现代化企业的生产需求。
文档编号H01L33/56GK202308038SQ201120388940
公开日2012年7月4日 申请日期2011年10月13日 优先权日2011年10月13日
发明者杨军 申请人:杭州友旺科技有限公司