一种有机半导体材料、制备方法和电致发光器件的制作方法
【专利摘要】本发明提供了一种有机半导体材料，所述有机半导体材料的化学式如下所示：该有机半导体材料含有蒽唑和蒽，其中，蒽唑具有较好的刚性、平面性及良好的电子传输性能，热稳定性能良好，蒽具有很高的荧光量子产率。因此本发明有机半导体材料具有较好电子传输性能和热稳定性能。本发明还提供了该有机半导体材料的制备方法，以及包含该有机半导体材料的电致发光器件。
【专利说明】—种有机半导体材料、制备方法和电致发光器件
【技术领域】
[0001]本发明属于光电材料领域，具体涉及一种有机半导体材料、制备方法和电致发光器件。
【背景技术】
[0002]第一次报道有机发光二极管(0LED)以来，无论是小分子还是聚合物发光二极管，都取得了巨大的发展。其潜在的应用是全彩色平板显示器和固态白光照明。在三基色中，红光和绿光二极管都已经接近实际应用的要求，但蓝光材料由于带隙较宽，以及较低的最高占据轨道(HOMO)能级，因此存在较大的载流子注入能垒；同时，由于发射能量高、不稳定、易发生能量转移而引起发射色不纯，所以发展相对缓慢。研发高效率、高稳定性能的蓝光发射材料，仍然是个难题。
【发明内容】
[0003]为解决上述问题，本发明提供了一种有机半导体材料，该有机半导体材料含有蒽唑和蒽，其中，蒽唑具有较好的刚性、平面性及良好的电子传输性能，热稳定性能良好，蒽具有很高的荧光量子产率。因此本发明有机半导体材料具有较好电子传输性能和热稳定性能。本发明有机半导体材料为磷光主体材料提供了新的可选择的品种。本发明还提供了该有机半导体材料的制备方法，以及包含该有机半导体材料的电致发光器件。
[0004]一方面，本发明提供了一种有机半导体材料，所述有机半导体材料的化学式如下
所示:
[0005]
【权利要求】
1.一种有机半导体材料，其特征在于，所述有机半导体材料的化学式如下所示:
2.一种有机半导体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤:提供化合物Α
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述有机钯为双三苯基膦二氯化钯、四三苯基膦钯、醋酸钯或三二亚苄基丙酮二钯，所述有机膦配体为三叔丁基膦、三邻甲苯基膦或2-双环己基磷-2’，6’ - 二甲氧基联苯。
4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述分离提纯过程具体为减压除去粗产物中的溶剂，加入二氯甲烷萃取，合并有机相，有机相用无水硫酸镁干燥，过滤后的滤液用旋转蒸发除去溶剂，用石油醚和乙酸乙酯作淋洗液，硅胶柱层析提纯。
5.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述有机钯催化剂与化合物A的摩尔比为 1:20~1:100。
6.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂包括甲苯、N，N-二甲基甲酰胺、四氢呋喃和乙二醇二甲醚中的至少一种，所述无机碱为碳酸钠、碳酸钾和碳酸氢钠中的一种。
7.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述Suzuki耦合反应的反应温度为70。。~120°C，反应时间为12小时~48小时。
8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述有机钯与所述有机膦配体的摩尔比为1:4~1:8。
9.一种电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的具有阳极的衬底、发光层以及阴极层，所述发光层为如下所示的有机半导体材料:
10.如权利要求9所述的电致发光器件，其特征在于，所述发光层的厚度为20nm~40nm。
【文档编号】H01L51/54GK103626758SQ201210296491
【公开日】2014年3月12日 申请日期:2012年8月20日 优先权日:2012年8月20日
【发明者】周明杰, 王平, 张振华, 黄辉 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司