晶片附接设备的制作方法

文档序号:7149075阅读:96来源:国知局
专利名称:晶片附接设备的制作方法
技术领域
从晶圆分离的晶片被附接到封装件衬底以执行用于形成半导体封装件的封装处理。
背景技术
通过使用力敏纸可以可视地确定夹持器的耦接故障、损坏和倾斜度、以及夹持器的长度和角度方面的变化。然而,难以确定是否发生故障以及建立用于确定是否发生故障的标准。此外,力敏纸技术的执行成本高并且耗时。

发明内容
存在提高晶片附接设备的准确度的需要。更具体地,本发明的实施例涉及半导体封装件制造设备并涉及用于将晶片附接到衬底的确定夹持器是处于倾斜状态还是非倾斜状态的晶片附接设备。例如,本发明的实施例涉及包括压力传感器的晶片附接设备。通过将负载传感器插入到夹持器中或者将压力传感器定位在晶片支架上以测量从夹持器施加到晶片的负载来确定夹持器是否倾斜。本发明的实施例可以通过提供一种晶片附接设备来实现,该晶片附接设备包括:台;夹持器部件,其是可移动的以对所述台施加负载;负载测量部件,其布置在所述夹持器部件与所述台之间,并且测量所述夹持器部件与所述台之间的负载,所述负载测量部件划分成多个负载测量区域,并且所述负载测量部件分别测量所述多个负载测量区域内的负载;以及控制器部件,其基于由所述负载测量部件测量的所述多个负载测量区域内的负载,来确定所述夹持器部件是处于倾斜状态下还是处于非倾斜状态下。所述负载测量部件可以包括:基座部件,其具有根据所述多个负载测量区域内的负载的可变电阻;布置在所述基座部件上的一个或多个第一电极;以及布置在所述基座部件上以与所述一个或多个第一电极对应的一个或多个第二电极。所述多个负载测量区域的每一个可以包括对应地布置的所述一个或多个第一电极中的至少一个和所述一个或多个第二电极中的至少一个。所述一个或多个第一电极中的一个可以被布置为对应于所述一个或多个第二电极中的一个。所述一个或多个第一电极中的一个可以被布置为对应于多个第二电极。所述一个或多个第一电极可以被布置在所述一个或多个第二电极的周围。所述一个或多个第二电极可以被布置在所述一个或多个第一电极的周围。所述多个负载测量区域的每一个可以包括被布置为与所述一个或多个第一电极中的单个第一电极对应的多个第二电极。所述一个或多个第一电极可以是具有一体式结构的单个第一电极。所述单个第一电极可以被布置在所述一个或多个第二电极的周围并且围绕所述一个或多个第二电极。所述单个第一电极可以被布置在所述一个或多个第二电极之间。基准电压可以被施加到所述一个或多个第一电极。测量电压可以被施加到所述一个或多个第二电极。所述控制器部件可以将在所述多个负载测量区域内测量的负载相互比较。所述负载测量部件可以插入所述夹持器部件中的沟槽中。本发明的实施例还可以通过提供一种晶片附接设备来实现,所述晶片附接设备包括:台;夹持器部件,其是可移动的以对所述台施加负载;负载测量部件,其布置在所述台上,并且测量所述夹持器部件与所述台之间的负载,所述负载测量部件划分成多个负载测量区域,并且所述负载测量部件分别测量所述多个负载测量区域内的负载;以及控制器部件,其基于由所述负载测量部件测量的所述多个负载测量区域内的负载,来确定所述夹持器部件是处于倾斜状态下还是处于非倾斜状态下。本发明的实施例还可以通过提供一种晶片附接设备来实现,所述晶片附接设备包括:台;夹持器部件,其能够对所述台施加负载;负载测量部件,其容纳于所述夹持器部件内,并且测量所述夹持器部件与所述台之间的负载,所述负载测量部件划分成多个负载测量区域,以使得所述负载测量部件测量所述多个负载测量区域的每一个内的负载;以及控制器部件,其基于在所述多个负载测量区域的每一个内测量的负载,来确定所述夹持器部件是处于倾斜状态下还是处于非倾斜状态下。所述多个负载测量区域的每一个可以通过至少一个电极单独地连接到所述控制器部件。所述多个负载测量区域的每一个可以包括第一电极和第二电极。所述第一电极可以延伸通过所述多个负载测量区域中的两个或多个,并且可以通过第一电线连接到所述控制器部件。所述第二电极的整体可以处在所述多个负载测量区域的一个中并且可以通过第二电线连接到所述控制器部件。所述第一电极可以与所述第二电极隔开布置,并且所述第一电极可以至少部分地包围所述第二电极。当在所述多个负载测量区域的每一个中测量的负载在预定范围内时,所述控制器部件可以确定所述夹持器部件处于非倾斜状态下。


通过参照附图详细描述示例实施例,本发明的各特征将会对本领域技术人员变得明了,附图中:图1示出根据一个示例实施例的晶片附接设备的示意图;图2和图3示出根据各示例实施例的图1的晶片附接设备的负载测量部件的平面图;图4和图5示出用于描述根据一个示例实施例的由图2的负载测量部件测量的负载的图表;图6至图14示出根据各示例实施例的通过修改图1的负载测量部件而得到的负载测量部件的截面图;图15示出根据一个示例实施例的晶片附接设备的示意图;以及图16示出根据一个示例实施例的图15的晶片附接设备的负载测量部件的平面图。
具体实施例方式现在将参照附图在下文中详尽地描述示例实施例;不过,可以以不同形式实施这些示例实施例,并不应当看作局限于本文所述的这些实施例。相反,提供这些实施例是使得本公开透彻和完整,并且将示例实施方式完全传达给本领域技术人员。在附图中,为描述清楚起见夸大了层和区域的尺寸。相同附图标记一直指代相同元件。将会理解,当一个元件(比如层、区域或衬底)被称为“在另一元件上”、“连接到”或“耦接到”另一元件时,它可以直接在其他元件上、直接连接或耦接到其他元件,也可以存在中间的元件。相反,当一个元件被称为“直接在另一元件或层上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件或层时,则不存在中间元件或层。相同附图标记一直指代相同元件。如本文所使用的那样,术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项目的任何和所有组合。将会理解,尽管本文可以使用术语第一、第二等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分,然而这些元件、部件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区分开。因此,下文讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可以称为第二元件、部件、区域、层或部分,而不脱离示例实施例的教导。为便于描述,本文可以使用空间相对术语以描述附图中示出的一个元件或特征与其他(多个)元件或(多个)特征之间的关系。将会理解,空间相对术语意在包括使用或操作中的装置的除了附图所示方位以外的不同方位。例如,如果附图中的装置被翻转,则描述为在其他元件或特征“下方”的元件将位于其他元件或特征的“上方”。因此,示例术语“上方”可以包括上方和下方两种方位。该装置还可以是其他的方位(旋转90度或位于其他方位),并相应地解释本文使用的空间相对描述词。本文使用的术语仅为了描述具体实施例,并不意在限制示例实施例。如本文所使用的那样,单数形式“一”、“一个”、“该”意在同时包括复数形式,除非上下文有清楚的相反指示。还应当理解,在本说明书中使用的术语“包括”和/或“包含”指定了存在所述特征、步骤、操作、元件和/或部件,但不排除存在或添加一个或多个其他特征、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组。本文参照作为示例实施例的示意性图示(和中间结构)的截面图描述了示例实施例。这样,可以预见例如由于制造技术和/或容差而产生的对所示形状的变形。因此,示例实施例不应被解释为局限于本文所示的区域的具体形状,而是可以包括例如由于制造而产生的形状上的偏差。除非另有定义,否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)都具有与示例实施例所属的领域中的一个普通技术人员的通常理解相同的含义。还将理解,诸如那些在常用词典中定义的术语应当解释为具有与它们在相关技术背景中的含义一致的含义,并且不应解释为理想化或过于正式化的意义,除非本文明确地进行了这种定义。图1是根据一个示例实施例的晶片附接设备100的示意图。参考图1,晶片附接设备100可以包括夹持器部件110、负载测量部件120、和吸附部件130。在晶片附接设备100中可以包括控制器部件140、轴部件150、装配头部件160、和主体部件170。可以布置台180以支持晶片附接设备100内的晶片。上述部件可以由例如不锈钢、铝等金属形成。晶片附接设备100可以将半导体晶片190从晶圆分离,并且可以将半导体晶片190压在布置于台180上的封装件衬底192上,以将半导体晶片190附接到封装件衬底192。可以对准晶片附接设备100的各部件以使得可以将半导体晶片190附接到封装件衬底192而不会倾斜或仅轻微地倾斜,例如基本上平行于封装件衬底192。晶片附接设备100可以包括耦接到主体部件170的装配头部件160和耦接到装配头部件160的轴部件150。主体部件170可以包括移动部件(未示出),并且可以通过该移动部件来水平和/或垂直地移动装配头部件160。夹持器部件110可以与装配头部件160相对地耦接到轴部件150。夹持器部件110可以根据装配头部件160的移动而水平和/或垂直地移动。夹持器部件110可以移动以便向台180施加负载。因此,位于台180上的半导体晶片190可以通过对其所施加的压力而附接到封装件衬底192。夹持器部件110可以包括面对台180的凹槽112。负载测量部件120和/或吸附部件130可以插入凹槽112中。例如,负载测量部件120和吸附部件130的上部可以容纳于夹持器部件110的凹槽112中。负载测量部件120可以测量夹持器部件110与台180之间的负载。负载测量部件120可以分成多个负载测量区域。可以在各个负载测量区域中独立地测量负载。将参照图2至图5描述负载测量部件120。吸附部件130可以附接到和/或吸附半导体晶片190以将半导体晶片190与晶圆(未示出)分离,并随后将半导体晶片190移动到台180上。吸附部件130可以通过利用例如真空来附接到和/或吸附半导体晶片190。吸附部件130可以包括诸如金属之类的刚性材料或诸如聚合体或橡胶之类的柔性材料。控制器部件140可以电连接到负载测量部件120,并且可以基于夹持器部件110与台180之间的负载(由负载测量部件120对该负载进行测量)来确定夹持器部件110是否倾斜,例如是否处于倾斜状态。例如,负载测量部件120可以包括多个负载测量区域,并且控制器部件140可以比较由负载测量部件120在各负载测量区域中分别测量的负载。另夕卜,如果一个或多个所确定的负载在预定范围之外,则可以确定发生了晶片附接故障,因此可以确定夹持器部件110是倾斜的。可以使用显示装置来指示该确定。当确定夹持器部件110倾斜时,可以执行校正处理,例如可以使夹持器部件110对准。图2和图3是根据示例实施例的图1的晶片附接设备100的负载测量部件120的平面图。在图3中,可以注意到没有示出第一电线128和第二电线129。参照图2,负载测量部件120可以包括基座部件122、一个或多个第一电极124、和一个或多个第二电极126。第一电极124可以与第二电极126分隔开。基座部件122可以包括其电阻根据所施加的负载而变化的材料,例如,该材料可以是碳膜。第一电极124可以布置在基座部件122的第一部分上。第二电极126可以布置在基座部件122的第二部分上以对应于第一电极124的位置。例如,每个第一电极124可以部分地包围至少一个第二电极126。参照图2,第一电极124可以具有在基座部件122上沿第一方向延长的基本部分以及从基本部分的相对端延伸的两个凸出部分。两个凸出部分可以在基座部件122上沿第二方向延长,第二方向可以基本垂直于第一方向。至少一个第二电极126可以与第一电极124分隔开,并且平行于第一电极124的两个凸出部分布置。例如,两个第二电极126可以完全布置在第一电极124的两个凸出部分之间。第一电极124可以经由第一电线128电连接到控制器部件140,并且第二电极126可以经由第二电线129电连接到控制器部件140。可以对第一电极124施加基准电压,可以对第二电极126施加测量电压。例如,可以对第一电极124施加OV电压,可以对第二电极126施加正电压或负电压。因此,可以对区域121 (即在第一电极124与第二电极126之间的和/或直接在它们之间的区域)的电信号值进行测量。电信号值可以是电阻值并且/或者可以涉及由夹持器部件110 (参见图1)施加到台180 (参见图1)的负载。例如,负载测量部件120可以是测压元件(load cell)。例如,当夹持器部件110 (参见图1)从台180 (参见图1)分隔开时,可以在第一电极124与第二电极126之间的区域121中测量预定基准电阻值。随后,当夹持器部件110(参见图1)在台180 (参见图1)上施加负载时,可以在第一电极124与第二电极126之间的区域121中测量电阻值。基准电阻值与测量的电阻值之间的差与负载相关,例如与夹持器部件110施加到台180上的负载相关。参考图3,负载测量部件120可以分成多个负载测量区域,例如分成负载测量区域
1、I1、III和IV。负载测量部件120可以分成具有均匀的面积的负载测量区域1、I1、III和IV。图3示出了四个区域,即示出了负载测量区域1、I1、III和IV。然而,图3是用于说明具体实施例的目的的,因此实施例不限于图3。例如,实施例可以包括多于四个负载测量区域、不同布置的负载测量区域等。负载测量部件120可以在负载测量区域1、I1、III和IV中分别测量负载,例如,仅测量该负载测量区域内的负载。由于负载测量区域1、I1、III和IV可以具有均匀的面积,因此总负载可以均匀地分布在负载测量区域1、I1、III和IV当中。例如,当假定总负载为100%时,每一个为总负载的大约25%的四个负载可以分别施加到负载测量区域1、I1、III和IV。因此,半导体晶片190可以没有严重倾斜,例如,可以是基本上平坦的以便基本上平行于封装件衬底192,并且可以安装在台180上。另外,可以确定夹持器部件110处于非倾斜状态,从而其对半导体晶片190施加基本上均勻的负载。负载测量区域1、I1、III和IV中的每一个包括相互对应地布置的第一电极124和第二电极126。根据本实施例,第一电极124在负载测量区域1、I1、III和IV当中的两个区域上延伸,例如,以便由负载测量区域1、I1、III和IV中的两个或更多个共享第一电极124。第二电极126中的每一个可以分别布置在负载测量区域1、I1、III和IV的一个中,例如,以使得负载测量区域1、I1、III和IV中的每一个包括完整的一个第二电极126。换句话说,第二电极126中的每一个完全位于负载测量区域1、I1、III和IV中的一个之内。第一电极124中的一个可以布置为对应于多个第二电极126。例如,第一电极124中的一个可以布置为对应于两个第二电极126。另外,第一电极124可以布置在第二电极126周围。例如,第二电极126可以布置在各第一电极124之间。图4和图5是用于描述根据不例实施例的由图2的负载测量部件120测量的负载的图表。图4和图5示出由负载测量部件120在负载测量区域1、I1、III和IV中测量的负载。如果假定总负载为100%,则当对负载测量区域1、I1、III和IV施加均匀的负载时,对负载测量区域1、I1、III和IV中的每一个施加了约为总负载的25%的负载。不过,恒定容差是允许的,并可以由图4和图5中的±AF表不。在图4中,从负载测量区域1、I1、III和IV中的每一个测量的负载具有包含于25%土 AF之内的值。这表明半导体晶片190在安装到台180上时略微倾斜。由于测量的负载包含于可允许范围中,因此确定没有发生晶片附接故障。此外,可以确定夹持器部件110处于非倾斜状态下,从而可以不调节夹持器部件110。可以以各种方式改变可允许范围。在图5中,从负载测量区域1、II和III的每一个测量的负载具有包含于25%土 AF之内的值,但从负载测量区域IV测量的负载具有25%土 Λ F之外的值。这表明半导体晶片190在安装到台180上时严重倾斜。由于测量的负载在可允许范围之外,因此确定发生了晶片附接故障。此外,可以确定夹持器部件110处于倾斜状态下,从而可以调节夹持器部件110并且/或者应当调节夹持器部件110的倾斜度以调整半导体晶片190的倾斜度。图6至图14是根据其他各种示例实施例的通过修改图1的负载测量部件120得到的负载测量部件 120a、120b、120c、120d、120e、120f、120g、120h 和 120 的截面图。参照图6,负载测量部件120a包括对应地布置的第一电极124和第二电极126a。第一电极124可以在负载测量区域1、I1、III和IV当中的两个区域上延伸。例如,第一电极124中的每一个可以在负载测量区域1、I1、III和IV中的每一个中具有一部分基本部分和一个凸出部分。在负载测量区域1、I1、III和IV中的每一个上可以布置两个第二电极126a。两个第二电极126a可以布置在负载测量区域1、I1、III和IV当中的一个区域中。因此,四个第二电极126a可以完全布置在一个第一电极124的各凸出部分之间。

可以通过对在第一电极124与两个第二电极126a之间测量的负载取平均值来得到平均负载。第一电极124可以布置在第二电极126a周围。例如,第二电极126a可以布置在各第一电极124之间。参照图7,负载测量部件120b包括对应地布置的第一电极124b和第二电极126b。根据本实施例,可以在负载测量区域1、I1、III和IV中的每一个中布置单个第一电极124b和单个第二电极126b。第一电极124b可以布置在第二电极126b周围。例如,第二电极126b可以相对于负载测量区域I和IV以及相对于负载测量区域II和III布置在各第一电极124b之间。参照图8,负载测量部件120c包括对应地布置的第一电极124c和第二电极126c。根据本实施例,可以在负载测量区域1、I1、III和IV中的每一个中布置单个第一电极124c和单个第二电极126c。第二电极126c可以布置在第一电极124c周围。例如,第一电极124c可以相对于负载测量区域I和IV以及相对于负载测量区域II和III布置在各第二电极126c之间。参照图9,负载测量部件120d包括对应地布置的第一电极124d和第二电极126d。根据本实施例,第一电极124d作为单个第一电极124d在负载测量区域1、I1、III和IV上延伸。此外,在负载测量区域1、I1、III和IV中的每一个中布置单个第二电极126d。第一电极124d可以是将每个第二电极126d包围于其中的一体式连续结构。例如,第一电极124d可以布置在第二电极126d周围。参照图10,负载测量部件120e包括对应地布置的第一电极124e和第二电极126e。根据本实施例,第一电极124e在所有负载测量区域1、I1、III和IV上延伸,并布置在负载测量区域1、I1、III和IV的中央部分。在负载测量区域1、I1、III和IV中的每一个中布置单个第二电极126e。第一电极124e可以是一体式连续结构。第二电极126e的端部可以例如沿水平方向与第一电极124e的端部对准。第二电极126e可以布置在第一电极124e的周围。例如,第一电极124e可以布置在各第二电极126e之间。参照图11,负载测量部件120f包括对应地布置的第一电极124f和第二电极126f。根据本实施例,多个第一电极124f在负载测量区域1、I1、III和IV当中的两个上延伸并被布置在负载测量区域1、I1、III和IV的中央部分,并且在负载测量区域1、I1、III和IV中的每一个中布置单个第二电极126f。第二电极126f可以布置在第一电极124f的周围。例如,第一电极124f可以布置在各第二电极126f之间。第二电极126f的端部可以例如沿水平方向与第一电极124f的端部对准。参照图12,负载测量部件120g包括对应地布置的第一电极124g和第二电极126g。根据本实施例,第一电极124g在负载测量区域1、I1、III和IV上延伸,并且被布置在负载测量区域1、I1、III和IV的中央部分。第一电极124g的三角形部分可以处在负载测量区域1、I1、III和IV中的每一个中。可以在负载测量区域1、I1、III和IV中的每一个中布置单个第二电极126g。第二电极126g可以布置在负载测量区域1、I1、III和IV中的每一个内的对角线处。第二电极126g可以布置在第一电极124g的周围,例如,每个第二电极126g可以基本上平行于第一电极124g的不同侧。例如,第一电极124g可以布置在负载测量区域1、
I1、III和IV中的每一个中的第二电极126g之间。可以关于第一电极124g对角地布置各第二电极126g。参照图13,负载测量部件120h可以分成两个区域,即负载测量区域I和II。负载测量部件120h可以包括对应地布置的第一电极124h和第二电极126h。根据本实施例,在负载测量区域I和II中的每一个中布置单个第一电极124h和单个第二电极126h。在该情况下,可以在两个区域中测量各自的负载,以测量夹持器部件110 (参见图1)在左和右的方向上的倾斜程度。另外,通过将第一电极124h和第二电极126h旋转90度而得到的布置属于该示例实施例的技术特征。参照图14,负载测量部件120i可以划分成八个区域,S卩,负载测量区域1、I1、II1、IV、V、V1、VII和VIII。负载测量部件120i包括对应地布置的第一电极124i和第二电极126i。根据本实施例,单个第一电极124i布置为在负载测量区域1、I1、II1、IV、V、V1、VII和VIII中的两个区域上延伸,并且第二电极126i中的一个被布置在负载测量区域1、I1、
II1、IV、V、V1、VII和VIII中的每一个中。在该情况下,可以在负载测量区域1、I1、II1、
IV、V、V1、VII和VIII中测量各自的负载,以测量夹持器部件110(参见图1)在八个方向上的倾斜程度。可以将每个第一电极124i和第二电极126i布置为平行于负载测量区域1、
I1、II1、IV、V、V1、VII 和 VIII 的划分方向。图15是根据另一不例实施例的晶片附接设备200的不意图。图16是根据另一不例实施例的图15的晶片附接设备200的负载测量部件220的平面图。
参照图15,晶片附接设备200包括夹持器部件210、负载测量部件220、控制器部件240、装配头部件260、主体部件270和台280。上述部件可以由例如不锈钢、铝等金属形成。晶片附接设备200可以是倒装芯片接合设备。晶片附接设备200可以支持来自晶圆的半导体晶片(未示出),并且可以将半导体晶片压在布置于台280上的封装件衬底(未示出)上,以将半导体晶片附接到封装件衬底。可以对准晶片附接设备200的各部件(例如在非倾斜状态下),使得半导体晶片可以附接到封装件衬底而不会倾斜或不会严重倾斜。晶片附接设备200可以包括耦接到主体部件270的装配头部件260和耦接到装配头部件260的夹持器部件210。主体部件270可以包括移动部件(未示出),并且可以经由该移动部件来水平和/或垂直地移动装配头部件260。

夹持器部件210可以根据装配头部件260的移动而水平和/或垂直地移动。夹持器部件210可以移动以便向台280施加负载。负载量部件220可以布置在台280上,并且可以测量夹持器部件210与台280之间的负载。负载测量部件220可以划分成多个负载测量区域。负载测量部件220可以在多个负载测量区域中分别测量负载。根据各示例实施例,负载测量部件220可以对应于负载测量部件 120、120a、120b、120c、120d、120e、120f、120g、120h、和 120 中的一个。控制器部件240可以电连接到负载测量部件220,并且可以基于由负载测量部件220测量的夹持器部件210与台280之间的负载来确定夹持器部件210是否倾斜。参照图16,可以通过耦接部件252和254将负载测量部件220布置在台280上。负载测量部件220可以经由电缆227电连接到控制器部件240 (参见图15)。电缆227可以包括图2中所示的第一电线128和第二电线129。电缆227可以由电缆耦接部件256布置在台280上。总结并回顾:可以通过避免倾斜(例如避免使用处于倾斜状态下的晶片附接设备)的方式将半导体晶片附接到封装件衬底。对于薄的晶圆,可能发生晶圆翘曲,而晶片更容易倾斜,例如,在晶片附接处理期间晶片关于印刷电路板(PCB)处于非对准关系。为了得到基本上平行于PCB从而关于PCB充分地水平的晶片,可以校正晶片附接设备的夹持器的倾斜度。本文已经公开了示例实施例,并且,尽管采用了具体术语,然而仅以一般和描述性的意义来使用和解释这些术语而不是出于限制的目的。在一些实例中,随着本申请的提交,本领域普通技术人员将会明了,联系具体实施例而描述的特征、特性和/或部件可以单独使用或者也可以与联系其他实施例而描述的特征、特性和/或部件相结合地使用,除非另有具体指示。因此,本领域技术人员将理解,可以在不脱离所附权利要求记载的本发明的精神和范围的情况下作出各种形式和细节上的改变。
权利要求
1.一种晶片附接设备,包括: 台; 夹持器部件,其是可移动的以对所述台施加负载; 负载测量部件,其布置在所述夹持器部件与所述台之间,并且测量所述夹持器部件与所述台之间的负载,所述负载测量部件划分成多个负载测量区域,并且所述负载测量部件分别测量所述多个负载测量区域内的负载;以及 控制器部件,其基于由所述负载测量部件测量的所述多个负载测量区域内的负载,来确定所述夹持器部件是处于倾斜状态下还是处于非倾斜状态下。
2.权利要求1的晶片附接设备,其中所述负载测量部件包括: 基座部件,其具有根据所述多个负载测量区域内的负载的可变电阻; 布置在所述基座部件上的一个或多个第一电极;以及 布置在所述基座部件上以与所述一个或多个第一电极对应的一个或多个第二电极。
3.权利要求2的晶片附接设备,其中所述多个负载测量区域的每一个包括对应地布置的所述一个或多个第一电极中的至少一个和所述一个或多个第二电极中的至少一个。
4.权利要求2的晶片附接设备,其中所述一个或多个第一电极中的一个被布置为对应于所述一个或多个第二电极中的一个。
5.权利要求2的晶片附接设备,其中所述一个或多个第一电极中的一个被布置为对应于多个第二电极。
6.权利要求2的晶片附接设备,其中所述一个或多个第一电极被布置在所述一个或多个第二电极的周围。
7.权利要求2的晶片附接设备,其中所述一个或多个第二电极被布置在所述一个或多个第一电极的周围。
8.权利要求2的晶片附接设备,其中所述多个负载测量区域的每一个包括被布置为与所述一个或多个第一电极中的单个第一电极对应的多个第二电极。
9.权利要求2的晶片附接设备,其中所述一个或多个第一电极是具有一体式结构的单个第一电极。
10.权利要求9的晶片附接设备,其中所述单个第一电极被布置在所述一个或多个第二电极的周围并且围绕所述一个或多个第二电极。
11.权利要求9的晶片附接设备,其中所述单个第一电极被布置在所述一个或多个第二电极之间。
12.权利要求2的晶片附接设备,其中: 基准电压被施加到所述一个或多个第一电极;并且 测量电压被施加到所述一个或多个第二电极。
13.权利要求1的晶片附接设备,其中所述控制器部件将在所述多个负载测量区域内测量的负载相互比较。
14.权利要求1的晶片附接设备,其中所述负载测量部件插入所述夹持器部件中的沟槽中。
15.一种晶片附接设备,包括: 台;夹持器部件,其是可移动的以对所述台施加负载; 负载测量部件,其布置在所述台上,并且测量所述夹持器部件与所述台之间的负载,所述负载测量部件划分成多个负载测量区域,并且所述负载测量部件分别测量所述多个负载测量区域内的负载;以及 控制器部件,其基于由所述负载测量部件测量的所述多个负载测量区域内的负载,来确定所述夹持器部件是处于倾斜状态下还是处于非倾斜状态下。
16.一种晶片附接设备,包括: 台; 夹持器部件,其能够对所述台施加负载; 负载测量部件,其容纳于所述夹持器部件内,并且测量所述夹持器部件与所述台之间的负载,所述负载测量部件划分成多个负载测量区域,以使得所述负载测量部件测量所述多个负载测量区域的每一个内的负载;以及 控制器部件,其基于在所述多个负载测量区域的每一个内测量的负载,来确定所述夹持器部件是处于倾斜状态下还是处于非倾斜状态下。
17.权利要求16的晶片附接设备,其中所述多个负载测量区域的每一个通过至少一个电极单独地连接到所述控制器部件。
18.权利要求16的晶片附接设备,其中所述多个负载测量区域的每一个包括第一电极和第二电极,所述第一电极延伸通过所述多个负载测量区域中的两个或多个,并且通过第一电线连接到所述控制器部件,所述第二电极的整体处在所述多个负载测量区域中的一个中并且通过第二电线连接到所述控制器部件。
19.权利要求18的晶片附接设备,其中所述第一电极与所述第二电极隔开布置,并且所述第一电极至少部分地包围所述第二电极。
20.权利要求16的晶片附接设备,其中当在所述多个负载测量区域的每一个中测量的负载在预定范围内时,所述控制器部件确定所述夹持器部件处于非倾斜状态下。
全文摘要
一种晶片附接设备,包括台;夹持器部件,其是可移动的以对所述台施加负载;负载测量部件,其布置在所述夹持器部件与所述台之间,并且测量所述夹持器部件与所述台之间的负载,所述负载测量部件划分成多个负载测量区域,并且所述负载测量部件分别测量所述多个负载测量区域内的负载;以及控制器部件,其基于由所述负载测量部件测量的所述多个负载测量区域内的负载,来确定所述夹持器部件是处于倾斜状态下还是处于非倾斜状态下。
文档编号H01L21/67GK103187342SQ201210575149
公开日2013年7月3日 申请日期2012年12月26日 优先权日2011年12月27日
发明者金民, 朴渊默, 徐基锡, 韩泳洪 申请人:三星电子株式会社
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