有机电致发光器件的制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：对导电阳极基底进行表面预处理；在所述导电阳极基底上依次蒸镀形成空穴注入层和空穴传输层；通过递增工艺和递减工艺同时进行在所述空穴传输层上蒸镀形成发光层；以及在所述发光层上依次蒸镀形成电子传输层、电子注入层和阴极层。这种有机电致发光器件的制备方法，递增工艺中客体材料与主体材料的质量比自先蒸镀的部分至最后蒸镀的部分梯次提高，递减工艺中客体材料与主体材料的质量比自先蒸镀的部分至最后蒸镀的部分梯次降低，通过主体材料和客体材料的渐进式混合，提高了主客体的能量转换效率。
【专利说明】有机电致发光器件的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及有机电致发光领域，尤其涉及一种有机电致发光器件的制备方法。
【背景技术】
[0002]有机电致发光器件(OLED)具有一些独特的优点:(I)OLED属于扩散型面光源，不需要像发光二极管(LED) —样通过额外的导光系统来获得大面积的白光光源；(2)由于有机发光材料的多样性，OLED照明可根据需要设计所需颜色的光，目前无论是小分子0LED，还是聚合物有机发光二极管(PLED)都已获得了包含白光光谱在内的所有颜色的光；(3)OLED可在多种衬底如玻璃、陶瓷、金属、塑料等材料上制作，这使得设计照明光源时更加自由；(4)采用制作OLED显示的方式制作OLED照明面板，可在照明的同时显示信息；(5)0LED在照明系统中还可被用作可控色，允许使用者根据个人需要调节灯光氛围。
[0003]有机电致发光器件的发光效率一直是评价有机电致发光器件性能的重要指标。传统的有机电致发光器件的发光层的材料通常是均匀掺杂了客体材料的主体材料，由于主客体的能量转换效率相对较低，导致传统的有机电致发光器件的发光效率较差。
【发明内容】
[0004]基于此，有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件的制备方法。
[0005]一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤:
[0006]对导电阳极基底进行表面预处理；
[0007]在所述导电阳极基底上依次蒸镀形成空穴注入层和空穴传输层；
[0008]通过递增工艺和递减工艺同时进行在所述空穴传输层上蒸镀形成发光层，其中，所述递增工艺的材料为掺杂有客体材料的主体材料且所述递增工艺中所述客体材料与所述主体材料的质量比自先蒸镀的部分至最后蒸镀的部分梯次提高，所述递减工艺的材料为掺杂有所述客体材料的所述主体材料且所述递减工艺中所述客体材料与所述主体材料的质量比自先蒸镀的部分至最后蒸镀的部分梯次降低，所述递增工艺中所述客体材料与所述主体材料的质量比为0.1?10:100，所述递减工艺中所述客体材料与所述主体材料的质量比为0.1?10:100 ;以及
[0009]在所述发光层上依次蒸镀形成电子传输层、电子注入层和阴极层。
[0010]在一个实施例中，所述在所述空穴传输层上蒸镀形成发光层的步骤为:
[0011]通过第一递增工艺和第一递减工艺同时进行在所述空穴传输层上蒸镀形成第一发光层;
[0012]通过第二递增工艺和第二递减工艺同时进行在所述第一发光层上蒸镀形成第二发光层;
[0013]通过第三递增工艺和第三递减工艺同时进行在所述第二发光层上蒸镀形成第三发光层;
[0014]通过第四递增工艺和第四递减工艺同时进行在所述第三发光层上蒸镀形成第四发光层;
[0015]通过第五递增工艺和第五递减工艺同时进行在所述第四发光层上蒸镀形成第五发光层，其中，所述第一发光层、所述第二发光层、所述第三发光层、所述第四发光层和所述第五发光层组成所述发光层，所述第一递增工艺、所述第二递增工艺、所述第三递增工艺、所述第四递增工艺和所述第五递增工艺组成所述递增工艺且所述第一递增工艺、所述第二递增工艺、所述第三递增工艺、所述第四递增工艺和所述第五递增工艺中所述客体材料与所述主体材料的质量比梯次提高，所述第一递减工艺、所述第二递减工艺、所述第三递减工艺、所述第四递减工艺和所述第五递减工艺组成所述递减工艺且所述第一递减工艺、所述第二递减工艺、所述第三递减工艺、所述第四递减工艺和所述第五递减工艺中所述客体材料与所述主体材料的质量比梯次降低。
[0016]在一个实施例中，所述第一递增工艺中所述客体材料与所述主体材料的质量比与所述第五递减工艺中的所述客体材料与所述主体材料的质量比相等；
[0017]所述第五递增工艺中所述客体材料与所述主体材料的质量比与所述第一递减中的所述客体材料与所述主体材料的质量比相等；
[0018]并且所述第二递增工艺中的所述客体材料与所述主体材料的质量比是所述第一递增工艺中的所述客体材料与所述主体材料的质量比的两倍。
[0019]在一个实施例中，所述客体材料为三(2-苯基吡啶)合铱、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡唆)铱或三[2-(对甲苯基)吡啶]合铱；
[0020]所述主体材料为2，2’-(1,3-苯基)二 [5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4_恶二唑]、2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲、2，8_ 二 (二苯膦氧基)二苯并[b，d]噻吩、4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉或N-芳基苯并咪唑。
[0021]在一个实施例中，所述发光层的厚度为1nm?30nm。
[0022]在一个实施例中，所述第一发光层、所述第二发光层、所述第三发光层、所述第四发光层和所述第五发光层的厚度均相等。
[0023]在一个实施例中，所述空穴注入层的材料为掺杂有金属氧化物的空穴传输材料；
[0024]所述金属氧化物为MoO3、WO3、V2O5或ReO3 ；
[0025]所述空穴传输材料为N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -联苯_4，4’ - 二胺、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’-二(9-咔唑)联苯、N，N’- 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺或1，1- 二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷；
[0026]所述金属氧化物与所述空穴传输材料的质量比为25?35:100 ；
[0027]所述空穴注入层的厚度为1nm?15nm。
[0028]在一个实施例中，所述空穴传输层的材料为N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)-1, I’ -联苯-4，4’ - 二胺、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’ - 二(9-咔唑)联苯、N, N’-二(3-甲基苯基)-N, N’-二苯基-4，4’-联苯二胺或 1，1-二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氣基]苯基]环己烧；
[0029]所述空穴传输层的厚度为30nm?50nm。
[0030]在一个实施例中，所述电子传输层的材料为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、4，7_二苯基-1，10-邻菲罗啉、4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；
[0031]所述电子传输层的厚度为1nm?60nm。
[0032]在一个实施例中，所述电子注入层的材料为掺杂有第一盐和第二盐的电子传输材料；
[0033]所述第一盐为LiF、LiN3、Li3N, CsF、CsN3 或 Cs3N ；
[0034]所述第二盐为Li2SO4' Na2SO4' K2SO4' Rb2SO4 或 Cs2SO4 ；
[0035]所述电子传输材料为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉、4，7_ 二苯基-1，10-邻菲罗啉、4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；
[0036]所述第一盐与所述电子传输材料的质量比为25?35:100 ；
[0037]所述第二盐与所述电子传输材料的质量比为6?25:100 ;
[0038]所述电子注入层的厚度为15nm?45nm。
[0039]这种有机电致发光器件的制备方法，通过递增工艺和递减工艺在空穴传输层上蒸镀形成发光层，递增工艺的材料为掺杂有客体材料的主体材料且递增工艺中客体材料与主体材料的质量比自先蒸镀的部分至最后蒸镀的部分梯次提高，递减工艺的材料为掺杂有客体材料的主体材料且递减工艺中客体材料与主体材料的质量比自先蒸镀的部分至最后蒸镀的部分梯次降低，通过主体材料和客体材料的渐进式混合，提高了主客体的能量转换效率。相对于传统的有机电致发光器件，这种有机电致发光器件的发光效率较高。
【专利附图】
【附图说明】
[0040]图1为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图；
[0041]图2为如图1所示的有机电致发光器件的制备方法制备得到的有机电致发光器件的结构不意图；
[0042]图3为如图2所示的有机电致发光器件的一实施例的发光层的结构示意图；
[0043]图4为如图3所示的发光层的制备方法的流程图。
【具体实施方式】
[0044]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
[0045]结合图1和图2，一实施方式的有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤:
[0046]S10、对导电阳极基底10进行表面预处理。
[0047]导电阳极基底10可以为铟锡氧化物玻璃(ΙΤ0)、铝锌氧化物玻璃(AZO)或铟锌氧化物玻璃(ΙΖ0)。在一个较优的实施例中，导电阳极基底10为铟锡氧化物玻璃(ΙΤ0)。
[0048]阳极导电基底10的导电层的厚度可以为80nm?150nm。
[0049]表面预处理的操作可以为:依次对导电阳极基底10进行洗洁精清洗、去离子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，得到洁净的导电阳极基底10。接着对洁净的导电阳极基底10的导电层进行表面活化处理，增加导电阳极基底10的导电层的含氧量和功函数。
[0050]上述清洗均重复三次，每次清洗时间为5min，间隔时间为5min。同时，上述清洗均采用超声波清洗机进行。
[0051 ] 表面活化处理可以为采用紫外-臭氧(UV-ozone )对清洗干燥后的阳极进行处理30?50分钟。
[0052]S20、在导电阳极基底10上依次蒸镀形成空穴注入层20和空穴传输层30。
[0053]显然，空穴注入层20形成在导电阳极基底10的导电层上。
[0054]本实施方式中，在真空度为lX10_5Pa?lX10_3Pa，蒸发速度为0.lA?lA/s的条件下，在导电阳极基底10的导电层上蒸镀形成空穴注入层20。
[0055]空穴注入层20的材料可以为掺杂有金属氧化物的空穴传输材料。
[0056]金属氧化物可以为Mo03、WO3J2O5或ReO3。
[0057]空穴传输材料可以为N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -联苯_4，4’ - 二胺(NPB)、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4，- 二(9-咔唑)联苯(CBP)、N，N，- 二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(TPD)或 1，1-二 [4_[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)。
[0058]金属氧化物与空穴传输材料的质量比为25?35:100。
[0059]空穴注入层20的厚度可以为1nm?15nm。
[0060]本实施方式中，在真空度为lX10_5Pa?I X 10_3Pa，蒸发速度为0.lA?2A/s的条件下，在空穴注入层20上蒸镀形成空穴传输层30。
[0061]空穴传输层30的材料可以为N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1，I’ -联苯-4,4’- 二胺(咿8)、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’- 二(9-咔唑)联苯(CBP)、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(TPD)或 1，1-二[4-[N, N1-二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)。
[0062]空穴传输层30的厚度可以为30nm?50nm。
[0063]S30、通过递增工艺和递减工艺同时进行在空穴传输层30上蒸镀形成发光层40。
[0064]本实施方式中，在真空度为lX10_5Pa?lX10_3Pa，蒸发速度为0.1A?lA/s的条件下，通过递增工艺和递减工艺在空穴传输层30上蒸镀形成发光层40。
[0065]递增工艺的材料为掺杂有客体材料的主体材料且递增工艺中客体材料与主体材料的质量比自先蒸镀的部分至最后蒸镀的部分梯次提高。
[0066]递减工艺的材料为掺杂有客体材料的主体材料且递减工艺中客体材料与主体材料的质量比自先蒸镀的部分至最后蒸镀的部分梯次降低。
[0067]递增工艺中客体材料与主体材料的质量比为0.1?10:100。
[0068]递减工艺中客体材料与主体材料的质量比为0.1?10:100。
[0069]客体材料可以为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir (ppy) 3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir (ppy) 2 (acac))或三[2_(对甲苯基)批]合铱(Ir (mppy) 3)。
[0070]主体材料可以为2，2’-(1,3-苯基)二 [5-(4-叔丁基苯基)_1，3，4_恶二唑](0XD-7)、2，9- 二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲(BCP)、2，8- 二 (二苯膦氧基)二苯并[b, d]噻吩(P015)、4，7- 二苯基-1, 10-菲罗啉(Bphen)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)。
[0071]发光层40的厚度可以为1nm?30nm。
[0072]结合图3，在一个具体的实施例中，发光层40由依次层叠的第一发光层41、第二发光层43、第三发光层45、第四发光层47和第五发光层49组成，并且第一发光层41层叠于空穴传输层30上。
[0073]本实施例中，第一发光层41、第二发光层43、第三发光层45、第四发光层47和第五发光层49的厚度均相同。
[0074]具体的，结合图4，发光层40的制备方法，包括如下步骤:
[0075]S310、通过第一递增工艺和第一递减工艺同时进行在空穴传输层30上蒸镀形成第一发光层41。
[0076]S320、通过第二递增工艺和第二递减工艺同时进行在第一发光层41上蒸镀形成第二发光层43。
[0077]S330、通过第三递增工艺和第三递减工艺同时进行在第二发光层43上蒸镀形成第三发光层45。
[0078]S340、通过第四递增工艺和第四递减工艺同时进行在第三发光层45上蒸镀形成第四发光层47。
[0079]S350、通过第五递增工艺和第五递减工艺同时进行在第四发光层47上蒸镀形成第五发光层49。
[0080]第一递增工艺、第二递增工艺、第三递增工艺、第四递增工艺和第五递增工艺组成递增工艺且第一递增工艺、第二递增工艺、第三递增工艺、第四递增工艺和第五递增工艺中客体材料与主体材料的质量比梯次提高。
[0081]第一递减工艺、第二递减工艺、第三递减工艺、第四递减工艺和第五递减工艺组成递减工艺且第一递减工艺、第二递减工艺、第三递减工艺、第四递减工艺和第五递减工艺中客体材料与主体材料的质量比梯次降低。
[0082]本实施例中，第一发光层41、第二发光层43、第三发光层45、第四发光层47和第五发光层49共五层结构组成发光层40。在其他实施例中，还可以由二层结构、三层结构、四层结构、六层结构、七层结构等等组成发光层40。
[0083]本实施例中，第一递增工艺中客体材料与主体材料的质量比与第五递减工艺中的客体材料与主体材料的质量比相等，第五递增工艺中客体材料与主体材料的质量比与第一递减工艺中的客体材料与主体材料的质量比相等，第二递增工艺中客体材料与主体材料的质量比是第一递减工艺中的客体材料与主体材料的质量比的两倍。也就是说，本实施例中，记第一递增工艺中客体材料与主体材料的质量比与第五递减工艺中的客体材料与主体材料的质量比相等均为a，又由于是梯次提高或降低，则第二递增工艺中客体材料与主体材料的质量比与第四递减工艺中的客体材料与主体材料的质量比相等均为2a，第三递增工艺中客体材料与主体材料的质量比与第三递减工艺中的客体材料与主体材料的质量比相等均为3a，第四递增工艺中客体材料与主体材料的质量比与第二递减工艺中的客体材料与主体材料的质量比相等均为4a，第五递增工艺中客体材料与主体材料的质量比与第一递减工艺中的客体材料与主体材料的质量比相等均为5a。
[0084]在其他的实施例中，第一递增工艺中客体材料与主体材料的质量比与第五递减工艺中的客体材料与主体材料的质量比也可以不相等，第五递增工艺中客体材料与主体材料的质量比与第一递减工艺中的客体材料与主体材料的质量比也可以不相等，第二递增工艺中客体材料与主体材料的质量比也可以不是第一递减工艺中的客体材料与主体材料的质量比的两倍。
[0085]S40、在发光层40上依次蒸镀形成电子传输层50、电子注入层60和阴极层70。
[0086]本实施方式中，在真空度I X 10_5Pa?I X 10?,蒸发速度0.1 A、.2A/s的条件下，在发光层40上蒸镀形成电子传输层50。
[0087]电子传输层50的材料可以为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、4，7_ 二苯基-1，10-邻菲罗啉(BCP)、4_联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝(BAlq)、8_羟基喹啉铝(Alq3)、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)_4_苯基-4H-1，2，4_三唑(TAZ)或
I,3, 5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)。
[0088]电子传输层50的可以厚度为1nm?60nm。
[0089]本实施方式中，在真空度I X KT5Pa?I X 10?,蒸发速度0.lA~2A/s的条件下，在电子传输层50上蒸镀形成电子注入层60。
[0090]电子注入层60的材料可以为掺杂有第一盐和第二盐的电子传输材料。
[0091]第一盐可以为LiF、LiN3、Li3N, CsF、CsN3 或 Cs3N。
[0092]第二盐可以Li2S04、Na2SO4, K2SO4, Rb2SO4 或 Cs2S04。
[0093]电子传输材料可以为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、4，7_ 二苯基-1，10-邻菲罗啉(BCP)、4_联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝(BAlq)、8_羟基喹啉铝(Alq3)、3-(联苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)或I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)。
[0094]第一盐与电子传输材料的质量比为25?35:100。
[0095]第二盐与电子传输材料的质量比为6?25:100。
[0096]电子注入层60的厚度可以为15nm?45nm。
[0097]本实施方式中，在真空度I X 1-5Pa?I X 10?,蒸发速度0.lA~5A/s的条件下，
在电子注入层60上蒸镀形成阴极层70。
[0098]阴极层70的材料可以为银(Ag)、铝(Al)或金(Au)。
[0099]阴极层70的厚度可以为50nm?200nm。
[0100]这种有机电致发光器件的制备方法，通过递增工艺和递减工艺在空穴传输层30上蒸镀形成发光层40，递增工艺的材料为掺杂有客体材料的主体材料且递增工艺中客体材料与主体材料的质量比自先蒸镀的部分至最后蒸镀的部分梯次提高，递减工艺的材料为掺杂有客体材料的主体材料且递减工艺中客体材料与主体材料的质量比自先蒸镀的部分至最后蒸镀的部分梯次降低，通过主体材料和客体材料的渐进式混合，提高了主客体的能量转换效率。相对于传统的有机电致发光器件，这种有机电致发光器件的发光效率较高。
[0101]以下为具体实施例和对比例部分，实施例中使用的测试与制备设备包括:高真空镀膜系统(沈阳科学仪器研制中心有限公司)，美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度。
[0102]实施例1
[0103]一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。制备步骤为:
[0104]提供导电层厚度为10nm的ITO玻璃，并依次对ITO玻璃进行洗洁精清洗、去离子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，上述清洗均重复三次，每次清洗时间为5min，间隔时间为5min。接着对清洗过的ITO玻璃的ITO层进行表面活化处理，增加ITO层的含氧量和功函数。
[0105]在真空度为1父10-%1，蒸发速度0.5人/5的条件下，在ITO玻璃的ITO层上蒸镀形成空穴注入层。空穴注入层的材料为掺杂了 MoO3的NPB，MoO3与NPB的质量比为30:100，空穴注入层的厚度为12.5nm。
[0106]在真空度为lX10_5Pa，蒸发速度ΙΑ/S的条件下，在空穴注入层上蒸镀形成空穴传输层。空穴传输层的材料为NPB，空穴传输层的厚度为40nm。
[0107]在真空度为I X 10?,蒸发速度lA/s的条件下，通过第一递增工艺和第一递减工艺同时进行在空穴传输层上蒸镀形成第一发光层，通过第二递增工艺和第二递减工艺同时进行在第一发光层上蒸镀形成第二发光层，通过第三递增工艺和第三递减工艺同时进行在第二发光层上蒸镀形成第三发光层，通过第四递增工艺和第四递减工艺同时进行在第三发光层上蒸镀形成第四发光层，通过第五递增工艺和第五递减工艺同时进行在第四发光层上蒸镀形成第五发光层。第一递增工艺的材料为掺杂了 Ir (ppy) 3的0XD-7, 11"化口7)3与0XD-7的质量比为2:100 ;第二递增工艺的材料为掺杂了 Ir(ppy)3的0XD-7，Ir(ppy)3与0XD-7的质量比为4:100 ;第三递增工艺的材料为掺杂了 Ir(ppy)3的0XD-7，Ir(ppy)3与0XD-7的质量比为6:100 ;第四递增工艺的材料为掺杂了 Ir(ppy)3的0XD-7，Ir(ppy)3与0XD-7的质量比为8:100 ;第五递增工艺的材料为掺杂了 Ir(ppy)3的0XD-7，Ir(ppy)3与0XD-7的质量比为10:100。第一递减工艺的材料为掺杂了 Ir(ppy)3的0XD-7，Ir(ppy)3与0XD-7的质量比为10:100 ;第二递减工艺的材料为掺杂了 Ir(ppy)d^ 0XD-7，Ir(ppy)3与0XD-7的质量比为8:100 ;第三递减工艺的材料为掺杂了 Ir(ppy)3的0XD-7，Ir(ppy)3与0XD-7的质量比为6:100 ;第四递减工艺的材料为掺杂了 Ir(ppy)3的0XD-7，Ir(ppy)3与0XD-7的质量比为4:100 ;第五递减工艺的材料为掺杂了 Ir(ppy)3的0XD-7，Ir(ppy)3与0XD-7的质量比为2:100o第一发光层、第二发光层、第三发光层、第四发光层和第五发光层组成发光层，第一发光层、第二发光层、第三发光层、第四发光层和第五发光层的厚度均相同，并且发光层的总厚度为30nm。
[0108]在真空度为I X 10?,蒸发速度Ws的条件下，在第五发光层上蒸镀形成电子传输层。电子传输层的材料为Bphen,电子传输层的厚度为35nm。
[0109]在真空度为lX10_5Pa，蒸发速度1A/S的条件下，在电子传输层上蒸镀形成电子注入层。电子注入层的材料为掺杂有LiF和Li2SO4的Bphen，LiF和Bphen的质量比为30:100，Li2SO4和Bphen的质量比为15:100，电子注入层的厚度为35nm。
[0110]在真空度为1\10_午&，蒸发速度31/5的条件下，在电子注入层上蒸镀形成阴极层。阴极层的材料为Ag,阴极层的厚度为125nm。
[0111]实施例2
[0112]一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。制备步骤为:
[0113]提供导电层厚度为10nm的ITO玻璃，并依次对ITO玻璃进行洗洁精清洗、去离子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，上述清洗均重复三次，每次清洗时间为5min，间隔时间为5min。接着对清洗过的ITO玻璃的ITO层进行表面活化处理，增加ITO层的含氧量和功函数。
[0114]在真空度为5父10_午&，蒸发速度0丄4/3的条件下，在ITO玻璃的ITO层上蒸镀形成空穴注入层。空穴注入层的材料为掺杂了 WO3的TCTA，WO3与TCTA的质量比为25:100，空穴注入层的厚度为10nm。
[0115]在真空度为5 X 1-5Pa,蒸发速度0.lA/s的条件下，在空穴注入层上蒸镀形成空穴传输层。空穴传输层的材料为TCTA,空穴传输层的厚度为30nm。
[0116]在真空度为1父10_午&，蒸发速度0.8人/5的条件下，通过第一递增工艺和第一递减工艺同时进行在空穴传输层上蒸镀形成第一发光层，通过第二递增工艺和第二递减工艺同时进行在第一发光层上蒸镀形成第二发光层，通过第三递增工艺和第三递减工艺同时进行在第二发光层上蒸镀形成第三发光层，通过第四递增工艺和第四递减工艺同时进行在第三发光层上蒸镀形成第四发光层，通过第五递增工艺和第五递减工艺同时进行在第四发光层上蒸镀形成第五发光层。第一递增工艺的材料为掺杂了 Ir (ppy) 2 (acac)的BCP，Ir (ppy)2 (acac)与BCP的质量比为1.6:100 ;第二递增工艺的材料为掺杂了Ir (ppy) 2 (acac)的 BCP, Ir (ppy) 2 (acac)与 BCP 的质量比为 3.2:100 ;第三递增工艺的材料为掺杂了 Ir (ppy) 2 (acac)的 BCP, Ir (ppy) 2 (acac)与 BCP 的质量比为 4.8:100 ?’第四递增工艺的材料为掺杂了 Ir (ppy)2 (acac)的BCP, Ir (ppy)2 (acac)与BCP的质量比为6.4:100 ;第五递增工艺的材料为掺杂了 Ir (ppy) 2 (acac)的BCP, Ir (ppy) 2 (acac)与BCP的质量比为8:100。第一递减工艺的材料为掺杂了 Ir(ppy)2(acac)的BCP，Ir (ppy) 2 (acac)与BCP的质量比为8:100 ;第二递减工艺的材料为掺杂了 Ir (ppy) 2 (acac)的BCP，Ir (ppy)2 (acac)与BCP的质量比为6.4:100 ;第三递减工艺的材料为掺杂了Ir (ppy) 2 (acac)的BCP, Ir (ppy) 2 (acac)与BCP的质量比为4.8:100 ;第四递减工艺的材料为掺杂了 Ir (ppy)2 (acac)的 BCP, Ir (ppy)2 (acac)与 BCP 的质量比为 3.2:100 ;第五递减工艺的材料为掺杂了 Ir (ppy)2 (acac)的BCP, Ir (ppy) 2 (acac)与BCP的质量比为1.6:100。第一发光层、第二发光层、第三发光层、第四发光层和第五发光层组成发光层，第一发光层、第二发光层、第三发光层、第四发光层和第五发光层的厚度均相同，并且发光层的总厚度为27nm。
[0117]在真空度为5 X 10?,蒸发速度0.1 Α/S的条件下，在第五发光层上蒸镀形成电子传输层。电子传输层的材料为BCP,电子传输层的厚度为10nm。
[0118]在真空度为5\10_午&，蒸发速度0.1人/5的条件下，在电子传输层上蒸镀形成电子注入层。电子注入层的材料为掺杂有LiNjP Na2SOJ^BCP, LiNjP BCP的质量比为25:100，Na2SO4和BCP的质量比为25:100，电子注入层的厚度为45nm。
[0119]在真空度为5 X 10?,蒸发速度0.1 Λ/s的条件下，在电子注入层上蒸镀形成阴极层。阴极层的材料为Al,阴极层的厚度为50nm。
[0120]实施例3
[0121]一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。制备步骤为:
[0122]提供导电层厚度为10nm的ITO玻璃，并依次对ITO玻璃进行洗洁精清洗、去离子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，上述清洗均重复三次，每次清洗时间为5min，间隔时间为5min。接着对清洗过的ITO玻璃的ITO层进行表面活化处理，增加ITO层的含氧量和功函数。
[0123]在真空度为5X10_5Pa，蒸发速度lA/s的条件下，在ITO玻璃的ITO层上蒸镀形成空穴注入层。空穴注入层的材料为掺杂了 V2O5的CBP，V205和CBP的质量比为35:100，空穴注入层的厚度为15nm。
[0124]在真空度为5父10_午&，蒸发速度2人/8的条件下，在空穴注入层上蒸镀形成空穴传输层。空穴传输层的材料为CBP，空穴传输层的厚度为50nm。
[0125]在真空度为1\10_午&，蒸发速度0.5人/5的条件下，通过第一递增工艺和第一递减工艺同时进行在空穴传输层上蒸镀形成第一发光层，通过第二递增工艺和第二递减工艺同时进行在第一发光层上蒸镀形成第二发光层，通过第三递增工艺和第三递减工艺同时进行在第二发光层上蒸镀形成第三发光层，通过第四递增工艺和第四递减工艺同时进行在第三发光层上蒸镀形成第四发光层，通过第五递增工艺和第五递减工艺同时进行在第四发光层上蒸镀形成第五发光层。第一递增工艺的材料为掺杂了 Ir (mppy) 3的P015, 11'(11^^7)3和P015的质量比为1.2:100 ;第二递增工艺的材料为掺杂了 Ir(Hippy)3的P015，Ir (mppy)3和P015的质量比为2.4:100 ;第三递增工艺的材料为掺杂了 11'(1^?7)3的？015，11'(111--7)3和P015的质量比为3.6:100 ;第四递增工艺的材料为掺杂了 Ir (mppy)3的P015，Ir (mppy)3和P015的质量比为4.8:100 ;第五递增工艺的材料为掺杂了 11'(1^?7)3的？015，11'(111--7)3和P015的质量比为6:100o第一递减工艺的材料为掺杂了 Ir (mppy) 3的P015，Ir(Hippy)3和P015的质量比为6:100 ;第二递减工艺的材料为掺杂了 Ir (mppy) 3的P015，Ir(Hippy)3和P015的质量比为4.8:100 ;第三递减工艺的材料为掺杂了 11'(1^?7)3的？015，11'(1^?7)3和P015的质量比为3.6:100 ;第四递减工艺的材料为掺杂了 Ir (mppy)3的P015，Ir (mppy)3和P015的质量比为2.4:100 ;第五递减工艺的材料为掺杂了 11'(1^?7)3的？015，11'(111--7)3和P015的质量比为1.2:100。第一发光层、第二发光层、第三发光层、第四发光层和第五发光层组成发光层，第一发光层、第二发光层、第三发光层、第四发光层和第五发光层的厚度均相同，并且发光层的总厚度为24nm。
[0126]在真空度为5父10_中&，蒸发速度2人/8的条件下，在第五发光层上蒸镀形成电子传输层。电子传输层的材料为BAlq,电子传输层的厚度为60nm。
[0127]在真空度为5父10_中&，蒸发速度2人/5的条件下，在电子传输层上蒸镀形成电子注入层。电子注入层的材料为掺杂有Li3N和K2SO4的BAlq，Li3N和BAlq的质量比为35:100，K2SO4和BAlq的质量比为6:100，电子注入层的厚度为15nm。
[0128]在真空度为5X 10_5Pa，蒸发速度5A/s的条件下，在电子注入层上蒸镀形成阴极层。阴极层的材料为Au，阴极层的厚度为200nm。
[0129]实施例4
[0130]一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。制备步骤为:
[0131]提供导电层厚度为10nm的ITO玻璃，并依次对ITO玻璃进行洗洁精清洗、去离子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，上述清洗均重复三次，每次清洗时间为5min，间隔时间为5min。接着对清洗过的ITO玻璃的ITO层进行表面活化处理，增加ITO层的含氧量和功函数。
[0132]在真空度为5父10_%1，蒸发速度0.5人/5的条件下，在ITO玻璃的ITO层上蒸镀形成空穴注入层。空穴注入层的材料为掺杂了 ReO3的TPD，ReO3与TPD的质量比为30:100，空穴注入层的厚度为13nm。
[0133]在真空度为5X 10_5Pa，蒸发速度lA/s的条件下，在空穴注入层上蒸镀形成空穴传输层。空穴传输层的材料为TPD，空穴传输层的厚度为40nm。
[0134]在真空度为I X 10_5Pa，蒸发速度0.5 A/S的条件下，通过第一递增工艺和第一递减工艺同时进行在空穴传输层上蒸镀形成第一发光层，通过第二递增工艺和第二递减工艺同时进行在第一发光层上蒸镀形成第二发光层，通过第三递增工艺和第三递减工艺同时进行在第二发光层上蒸镀形成第三发光层，通过第四递增工艺和第四递减工艺同时进行在第三发光层上蒸镀形成第四发光层，通过第五递增工艺和第五递减工艺同时进行在第四发光层上蒸镀形成第五发光层。第一递增工艺的材料为掺杂了 Ir (ppy) 3的Bphen, 11"化口7)3与Bphen的质量比为0.8:100 ;第二递增工艺的材料为掺杂了 Ir (ppy) 3的Bphen, Ir (ppy) 3与Bphen的质量比为1.6:100 ;第三递增工艺的材料为掺杂了 Ir (ppy) 3的Bphen, Ir (ppy) 3与Bphen的质量比为2.4:100 ;第四递增工艺的材料为掺杂了 Ir (ppy)3的Bphen, Ir (ppy) 3与Bphen的质量比为3.2:100 ;第五递增工艺的材料为掺杂了 Ir (ppy) 3的Bphen, Ir (ppy) 3与Bphen的质量比为4:100。第一递减工艺的材料为掺杂了 Ir (ppy) 3的Bphen, Ir (ppy) 3与Bphen的质量比为4:100 ;第二递减工艺的材料为掺杂了 Ir (ppy) 3的Bphen, Ir (ppy) 3与Bphen的质量比为3.2:100 ;第三递减工艺的材料为掺杂了 Ir (ppy) 3的Bphen, Ir (ppy) 3与Bphen的质量比为2.4:100 ;第四递减工艺的材料为掺杂了 Ir (ppy)3的Bphen, Ir (ppy) 3与Bphen的质量比为1.6:100 ;第五递减工艺的材料为掺杂了 Ir (ppy) 3的Bphen, Ir (ppy) 3与Bphen的质量比为0.8:100。第一发光层、第二发光层、第三发光层、第四发光层和第五发光层组成发光层，第一发光层、第二发光层、第三发光层、第四发光层和第五发光层的厚度均相同，并且发光层的总厚度为24nm。
[0135]在真空度为5 X 10?,蒸发速度Ws的条件下，在第五发光层上蒸镀形成电子传输层。电子传输层的材料为Alq3,电子传输层的厚度为30nm。
[0136]在真空度为5 X 10?,蒸发速度I A/s的条件下，在电子传输层上蒸镀形成电子注入层。电子注入层的材料为掺杂有CsF和Rb2SO4的Alq3, CsF和Alq3的质量比为30:100，Rb2SO4和Alq3的质量比为10:100,电子注入层的厚度为30nm。
[0137]在真空度为5X10_5Pa，蒸发速度2A/S的条件下，在电子注入层上蒸镀形成阴极层。阴极层的材料为Ag,阴极层的厚度为lOOnm。
[0138]实施例5
[0139]一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。制备步骤为:
[0140]提供导电层厚度为10nm的ITO玻璃，并依次对ITO玻璃进行洗洁精清洗、去离子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，上述清洗均重复三次，每次清洗时间为5min，间隔时间为5min。接着对清洗过的ITO玻璃的ITO层进行表面活化处理，增加ITO层的含氧量和功函数。
[0141]在真空度为I X 10_5Pa，蒸发速度0.2人/s的条件下，在ITO玻璃的ITO层上蒸镀形成空穴注入层。空穴注入层的材料为掺杂了 MoO3的TAPC，Mo03与TAPC的质量比为25:100，空穴注入层的厚度为10nm。
[0142]在真空度为5父10_午&，蒸发速度1人/8的条件下，在空穴注入层上蒸镀形成空穴传输层。空穴传输层的材料为TAPC，空穴传输层的厚度为40nm。
[0143]在真空度为1父10、&，蒸发速度0.4人/5的条件下，通过第一递增工艺和第一递减工艺同时进行在空穴传输层上蒸镀形成第一发光层，通过第二递增工艺和第二递减工艺同时进行在第一发光层上蒸镀形成第二发光层，通过第三递增工艺和第三递减工艺同时进行在第二发光层上蒸镀形成第三发光层，通过第四递增工艺和第四递减工艺同时进行在第三发光层上蒸镀形成第四发光层，通过第五递增工艺和第五递减工艺同时进行在第四发光层上蒸镀形成第五发光层。第一递增工艺的材料为掺杂了 Ir (ppy) 2 (acac)的TPBI，Ir (ppy)2 (acac)和TPBI的质量比为0.4:100 ;第二递增工艺的材料为掺杂了Ir (ppy) 2 (acac)的 TPBI, Ir (ppy) 2 (acac)和 TPBI 的质量比为 0.8:100 ;第三递增工艺的材料为掺杂了 Ir (ppy)2 (acac)的 TPB I, Ir (ppy) 2 (acac)和 TPBI 的质量比为 1.2:100;第四递增工艺的材料为掺杂了 Ir (ppy)2 (acac)的TPBI，Ir (ppy)2 (acac)和TPBI的质量比为1.6:100 ;第五递增工艺的材料为掺杂了 Ir (ppy)2 (acac)的TPB I, Ir (ppy) 2 (acac)和TPBI的质量比为2:100。第一递减工艺的材料为掺杂了 Ir(ppy)2(acac)的TPBI，Ir (ppy)2 (acac)和TPBI的质量比为2:100 ;第二递减工艺的材料为掺杂了 Ir (ppy) 2 (acac)的TPBI，Ir (ppy)2 (acac)和TPBI的质量比为1.6:100 ;第三递减工艺的材料为掺杂了Ir (ppy) 2 (acac)的TPBI, Ir (ppy) 2 (acac)和TPBI的质量比为1.2:100 ;第四递减工艺的材料为掺杂了 Ir (ppy)2(acac)的 TPBI, Ir (ppy)2(acac)和 TPBI 的质量比为 0.8:100 ;第五递减工艺的材料为掺杂了 Ir (ppy)2 (acac)的TPBI，Ir (ppy) 2 (acac)和TPBI的质量比为0.4:100。第一发光层、第二发光层、第三发光层、第四发光层和第五发光层组成发光层,第一发光层、第二发光层、第三发光层、第四发光层和第五发光层的厚度均相同，并且发光层的总厚度为20nm。
[0144]在真空度为5 X 10?,蒸发速度I A/s的条件下，在第五发光层上蒸镀形成电子传输层。电子传输层的材料为TAZ,电子传输层的厚度为50nm。
[0145]在真空度为5\10_午&，蒸发速度1人&的条件下，在电子传输层上蒸镀形成电子注入层。电子注入层的材料为掺杂有CsNjP Cs2SOd^TAZ, CsNjP TAZ的质量比为30:100，Cs2SO4和TAZ的质量比为10:100,电子注入层的厚度为30nm。
[0146]在真空度为5X10_5Pa，蒸发速度2A/S的条件下，在电子注入层上蒸镀形成阴极层。阴极层的材料为Al，阴极层的厚度为lOOnm。
[0147]实施例6
[0148]—种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。制备步骤为:
[0149]提供导电层厚度为10nm的ITO玻璃，并依次对ITO玻璃进行洗洁精清洗、去离子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，上述清洗均重复三次，每次清洗时间为5min，间隔时间为5min。接着对清洗过的ITO玻璃的ITO层进行表面活化处理，增加ITO层的含氧量和功函数。
[0150]在真空度为1父10_^1，蒸发速度0.31/8的条件下，在ITO玻璃的ITO层上蒸镀形成空穴注入层。空穴注入层的材料为掺杂了 WO3的NPB，WO3和NPB的质量比为30:100，空穴注入层的厚度为12nm。
[0151]在真空度为lX10_3Pa，蒸发速度lA/s的条件下，在空穴注入层上蒸镀形成空穴传输层。空穴传输层的材料为NPB，空穴传输层的厚度为40nm。
[0152]在真空度为1父10_^1，蒸发速度0.1人/8的条件下，通过第一递增工艺和第一递减工艺同时进行在空穴传输层上蒸镀形成第一发光层，通过第二递增工艺和第二递减工艺同时进行在第一发光层上蒸镀形成第二发光层，通过第三递增工艺和第三递减工艺同时进行在第二发光层上蒸镀形成第三发光层，通过第四递增工艺和第四递减工艺同时进行在第三发光层上蒸镀形成第四发光层，通过第五递增工艺和第五递减工艺同时进行在第四发光层上蒸镀形成第五发光层。第一递增工艺的材料为掺杂了 Ir (mppy) 3的0XD-7,Ir(Hippy)3和0XD-7的质量比为0.1:100 ;第二递增工艺的材料为掺杂了 Ir(Hippy)3的0XD-7，Ir(Hippy)3和0XD-7的质量比为0.2:100 ;第三递增工艺的材料为掺杂了 Ir(Hippy)3的0XD-7，Ir (mppy) 3和0XD-7的质量比为0.3:100 ;第四递增工艺的材料为掺杂了Ir(Hippy)J^ 0XD-7，Ir (Hippy)3和0XD-7的质量比为0.4:100 ;第五递增工艺的材料为掺杂了 Ir(Hippy)3的0XD-7，Ir (Hippy)3和0XD-7的质量比为0.5:100。第一递减工艺的材料为掺杂了 Ir(Hippy)J^ 0XD-7，Ir (Hippy)3和0XD-7的质量比为0.5:100 ;第二递减工艺的材料为掺杂了 Ir(Hippy)J^ 0XD-7，Ir (Hippy)3和0XD-7的质量比为0.4:100 ;第三递减工艺的材料为掺杂了 Ir(Hippy)3的(《0-7，Ir (mppy) 3和0XD-7的质量比为0.3:100 ;第四递减工艺的材料为掺杂了 Ir(Hippy)J^ 0XD-7，Ir (Hippy)3和0XD-7的质量比为0.2:100 ;第五递减工艺的材料为掺杂了 Ir(Hippy)3的0XD-7，Ir(Hippy)3和0XD-7的质量比为0.1:100。第一发光层、第二发光层、第三发光层、第四发光层和第五发光层组成发光层，第一发光层、第二发光层、第三发光层、第四发光层和第五发光层的厚度均相同，并且发光层的总厚度为10nm。
[0153]在真空度为I X 10?,蒸发速度IA/S的条件下，在第五发光层上蒸镀形成电子传输层。电子传输层的材料为TPBI,电子传输层的厚度为30nm。
[0154]在真空度为I X 10?,蒸发速度I A/s的条件下，在电子传输层上蒸镀形成电子注入层。电子注入层的材料为掺杂有Cs3N和Cs2SOJ^ TPBI,Cs3N和TPBI的质量比为30:100，Cs2SO4和TPBI的质量比为10:100,电子注入层的厚度为30nm。
[0155]在真空度为lX10_3Pa，蒸发速度2人/S的条件下，在电子注入层上蒸镀形成阴极层。阴极层的材料为Al，阴极层的厚度为lOOnm。
[0156]对比例
[0157]—种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。制备步骤为:
[0158]提供导电层厚度为10nm的ITO玻璃，并依次对ITO玻璃进行洗洁精清洗、去离子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，上述清洗均重复三次，每次清洗时间为5min，间隔时间为5min。接着对清洗过的ITO玻璃的ITO层进行表面活化处理，增加ITO层的含氧量和功函数。
[0159]在真空度为5父10-午&，蒸发速度0.51/8的条件下，在ITO玻璃的ITO层上蒸镀形成空穴注入层。空穴注入层的材料为掺杂了 V2O5的CBP，V205和CBP的质量比为30:100，空穴注入层的厚度为12nm。
[0160]在真空度为5X10_5Pa，蒸发速度lA/s的条件下，在空穴注入层上蒸镀形成空穴传输层。空穴传输层的材料为TCTA,空穴传输层的厚度为40nm。
[0161]在真空度为5父10_中&，蒸发速度0.5力3的条件下，在空穴传输层上蒸镀形成发光层。发光层的材料为掺杂了 Ir (ppy) 3的0XD-7，Ir (ppy) 3和0XD-7的质量比为8:100，发光层的厚度为20nm。
[0162]在真空度为5X10_5Pa，蒸发速度1A/S的条件下，在发光层上蒸镀形成电子传输层。电子传输层的材料为Bphen,电子传输层的厚度为40nm。
[0163]在真空度为5 X 10?,蒸发速度Ws的条件下，在电子传输层上蒸镀形成电子注入层。电子注入层的材料为掺杂有Cs3N的Bphen，Cs3N和Bphen的质量比为28:100，电子注入层的厚度为32.5nm。
[0164]在真空度为5X10_5Pa，蒸发速度2A/S的条件下，在电子注入层上蒸镀形成阴极层。阴极层的材料为Al，阴极层的厚度为138nm。
[0165]采用亮度计CS-100A (对准样品发光面)和数字源表Keithley2400 (接入样品电极)同步测量，对实施例1?6和对比例制得的有机电致发光器件进行流明效率测试试验，通过编程控制和计算可得出如下表所示的测试结果:
[0166]
I实施例1 I实施例2~I实施例3~I实施例4~I实施例5~I实施例6~I对比例效率(lm/W)~227& 21.720.319.7ΤθΤ?18.012.8
[0167]由上表可以看出实施例1?实施例6制备得到的有机电致发光器件的流明效率明显高于对比例制备得到的有机电致发光器件的流明效率，大约提高了 0.4倍以上。
[0168]以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【权利要求】
1.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: 对导电阳极基底进行表面预处理； 在所述导电阳极基底上依次蒸镀形成空穴注入层和空穴传输层； 通过递增工艺和递减工艺同时进行在所述空穴传输层上蒸镀形成发光层，其中，所述递增工艺的材料为掺杂有客体材料的主体材料且所述递增工艺中所述客体材料与所述主体材料的质量比自先蒸镀的部分至最后蒸镀的部分梯次提高，所述递减工艺的材料为掺杂有所述客体材料的所述主体材料且所述递减工艺中所述客体材料与所述主体材料的质量比自先蒸镀的部分至最后蒸镀的部分梯次降低，所述递增工艺中所述客体材料与所述主体材料的质量比为0.1?10:100，所述递减工艺中所述客体材料与所述主体材料的质量比为0.1 ?10:100 ;以及 在所述发光层上依次蒸镀形成电子传输层、电子注入层和阴极层。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述在所述空穴传输层上蒸镀形成发光层的步骤为: 通过第一递增工艺和第一递减工艺同时进行在所述空穴传输层上蒸镀形成第一发光层； 通过第二递增工艺和第二递减工艺同时进行在所述第一发光层上蒸镀形成第二发光层； 通过第三递增工艺和第三递减工艺同时进行在所述第二发光层上蒸镀形成第三发光层； 通过第四递增工艺和第四递减工艺同时进行在所述第三发光层上蒸镀形成第四发光层； 通过第五递增工艺和第五递减工艺同时进行在所述第四发光层上蒸镀形成第五发光层，其中，所述第一发光层、所述第二发光层、所述第三发光层、所述第四发光层和所述第五发光层组成所述发光层，所述第一递增工艺、所述第二递增工艺、所述第三递增工艺、所述第四递增工艺和所述第五递增工艺组成所述递增工艺且所述第一递增工艺、所述第二递增工艺、所述第三递增工艺、所述第四递增工艺和所述第五递增工艺中所述客体材料与所述主体材料的质量比梯次提高，所述第一递减工艺、所述第二递减工艺、所述第三递减工艺、所述第四递减工艺和所述第五递减工艺组成所述递减工艺且所述第一递减工艺、所述第二递减工艺、所述第三递减工艺、所述第四递减工艺和所述第五递减工艺中所述客体材料与所述主体材料的质量比梯次降低。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一递增工艺中所述客体材料与所述主体材料的质量比与所述第五递减工艺中的所述客体材料与所述主体材料的质量比相等； 所述第五递增工艺中所述客体材料与所述主体材料的质量比与所述第一递减中的所述客体材料与所述主体材料的质量比相等； 并且所述第二递增工艺中的所述客体材料与所述主体材料的质量比是所述第一递增工艺中的所述客体材料与所述主体材料的质量比的两倍。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述客体材料为三(2-苯基吡啶)合铱、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱或三[2-(对甲苯基)吡啶]合 铱； 所述主体材料为2，2’ - (1，3-苯基)二 [5- (4-叔丁基苯基)-1，3，4-恶二唑]、2，9- 二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲、2，8-二 (二苯膦氧基)二苯并[b，d]噻吩、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉或N-芳基苯并咪唑。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光层的厚度为1nm?30nm。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一发光层、所述第二发光层、所述第三发光层、所述第四发光层和所述第五发光层的厚度均相等。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层的材料为掺杂有金属氧化物的空穴传输材料； 所述金属氧化物为MoO3、WO3、V2O5或ReO3 ； 所述空穴传输材料为N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1，I’ -联苯-4，4’ - 二胺、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’-二(9-咔唑)联苯、N，N’- 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺或1，1- 二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷； 所述金属氧化物与所述空穴传输材料的质量比为25?35:100 ； 所述空穴注入层的厚度为1nm?15nm。
8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层的材料为N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-联苯-4，4’ - 二胺、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’ - 二(9-咔唑)联苯、N, N’ - 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺或1，1- 二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烧； 所述空穴传输层的厚度为30nm?50nm。
9.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电子传输层的材料为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、4，7-二苯基-1，10-邻菲罗啉、4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯； 所述电子传输层的厚度为1nm?60nm。
10.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电子注入层的材料为掺杂有第一盐和第二盐的电子传输材料； 所述第一盐为 LiF、LiN3、Li3N, CsF、CsN3 或 Cs3N ；
所述第二盐为 Li2S04、Na2SO4, K2SO4, Rb2SO4 或 Cs2SO4 ； 所述电子传输材料为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉、4，7- 二苯基-1，10-邻菲罗啉、4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯； 所述第一盐与所述电子传输材料的质量比为25?35:100 ； 所述第二盐与所述电子传输材料的质量比为6?25:100 ； 所述电子注入层的厚度为15nm?45nm。
【文档编号】H01L51/56GK104183793SQ201310192492
【公开日】2014年12月3日 申请日期:2013年5月22日 优先权日:2013年5月22日
【发明者】周明杰, 钟铁涛, 王平, 张娟娟 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司