一种有机电致发光器件及其制备方法
【专利摘要】本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和封装层，封装层包括有机阻挡层和无机阻挡层，有机阻挡层的材料为酞菁铜、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺和4，7－二苯基-1，10-邻菲罗啉中的至少一种；无机阻挡层的材料包括金属单质和金属氧化物，金属单质占质量分数为10～30%。该有机电致发光器件封装层致密性高，可有效减少氧和水汽对器件的侵蚀，显著提高器件寿命。本发明还提供了该有机电致发光器件的制备方法。
【专利说明】一种有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机电致发光器件，具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光器件（0LED)是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典 型结构是在透明阳极和金属阴极之间夹有多层有机材料薄膜(空穴注入层、空穴传输层、发 光层、电子输送层和电子注入层)，当电极间施加一定的电压后，发光层就会发光。近年来， 有机电致发光器件由于本身制作成本低、响应时间短、发光亮度高、宽视角、低驱动电压以 及节能环保等特点已经在全色显示、背光源和照明等领域受到了广泛关注，并被认为是最 有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。
[0003] 目前，有机电致发光器件存在寿命较短的问题，这主要是因为有机材料薄膜很疏 松，易被空气中的水汽和氧气等成分渗入后迅速发生老化。因此，有机电致发光器件进入实 际使用之前必须进行封装，封装的好坏直接关系到有机电致发光器件的寿命。
[0004] 传统技术中采用玻璃盖或金属盖进行封装，其边沿用紫外聚合树脂密封，但这种 方法中使用的玻璃盖或金属盖体积往往较大，增加了器件的重量，并且该方法不能应用于 柔性有机电致放光器件的封装。
【发明内容】
[0005] 为克服上述现有技术的缺陷，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方 法。该有机电致发光器件在阴极表面设置有封装层，包括依次层叠设置的有机阻挡层和无 机阻挡层，可有效地减少水、氧等活性物质对器件的侵蚀，从而显著地提高有机电致发光器 件的寿命。其制备方法工艺简单，材料廉价易得，适于工业化生产。
[0006] -方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、 空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和封装层，所述封装层包 括依次层叠设置的有机阻挡层和无机阻挡层，所述有机阻挡层的材料包括酞菁铜（CuPc)、 N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -联苯-4, 4' -二胺（NPB)、8_ 羟基喹啉铝（Alq3)、 4,4'，4' 三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)和4,7 -二苯基一 1，10 - 邻菲罗啉（BCP)中的至少一种；
[0007] 所述无机阻挡层的材料包括金属单质和金属氧化物，所述金属单质所占质量分数 为10?30%，所述金属单质为铜（Cu)、铝（A1)、铟（In)、金（Au)、镍（Ni)和银（Ag)中的一种 或几种；所述金属氧化物为氧化钨（W03)、氧化铬（Cr03)、氧化钥（M〇03)、二氧化锰（Mn0 2)、 二氧化铼（Re02)和三氧化铼（Re03)中的一种或几种。
[0008] 优选地，所述有机阻挡层的厚度为200nm?300nm。
[0009] 优选地，所述无机阻挡层的厚度为100nm?150nm。
[0010] 优选地，所述有机阻挡层和无机阻挡层依次交替设置4?6层。
[0011] 本发明封装层包括有机阻挡层和无机阻挡层，其中，有机阻挡层的材料包括酞菁 铜（CuPc)、N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -联苯-4, 4' -二胺（NPB)、8-羟基喹啉铝 (Alq3)、4, 4'，4' ' -三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)或4, 7 -二苯基一 1，10 -邻菲罗啉（BCP);无机阻挡层中的金属单质为铜（Cu)、铝（A1)、铟（In)、金（Au)、镍 (Ni)和银(Ag)中的一种或几种；金属氧化物为氧化钨（W03)、氧化铬（Cr03)、氧化钥（M〇0 3)、 二氧化锰（Mn02)、二氧化铼（Re02)和三氧化铼（Re03)中的一种或几种。有机阻挡层与器件 制成一体，不需破坏真空，同时作为衬底和缓解应力作用；单质和氧化物制作同样不需破坏 真空，均能采用蒸镀方式制作，金属本身阻挡性高，加入金属氧化物的目的是缓解层内的应 力，防止龟裂现象出现。从而本发明有机阻挡层和无机阻挡层的结合使封装层具有优良的 封装效果，延长了水氧渗透路径，有效阻挡了外界水汽、氧对器件的侵蚀，提高了器件的使 用寿命。
[0012] 优选地，阳极导电基板包括阳极导电层和基板，其基板可以为玻璃基板或有机薄 膜基板，阳极导电层的材质可以为导电氧化物，如，氧化铟锡（IT0)、掺铝氧化锌（AZ0)、掺 铟氧化锌（IZ0)或掺氟氧化锌（FT0)，这些导电氧化物被制备在玻璃基板上，简称IT0玻璃、 AZ0玻璃、IZ0玻璃、FT0玻璃。阳极导电基板可以自制，也可以市购获得。
[0013] 本发明对所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层的材质 不作特殊限定，采用行业内常用材料均可。
[0014] 优选地，所述空穴注入层的材料包括N，N'_二苯基-N，N'-二（1-萘基）-1，r-联 苯-4, 4' -二胺（NPB)及掺杂在所述N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -联苯-4, 4' -二 胺中的M〇03，所述M〇03的掺杂质量分数为30% ;所述空穴传输层的材料为4, 4'，4' ' -三(咔 唑-9-基)三苯胺（TCTA);所述发光层的材料包括1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基） 苯（TPBI)和掺杂在所述1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯中的三（2-苯基吡啶） 合铱（Ir(ppy)3)，所述三（2-苯基吡啶)合铱的掺杂质量分数为5% ;所述电子传输层的材料 为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen);所述电子注入层的材料包括4, 7-二苯基-1，10-菲 罗啉和掺杂在所述4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉中的CsN3，所述CsN3的掺杂质量分数为30%。
[0015] 阴极可以为非透明金属阴极(铝、银、金等)，也可以为透明阴极(介质层夹杂金属 层形成的介质层/金属层/介质层结构等)。
[0016] 本发明对所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极 的厚度不作特殊限定。
[0017] 本发明有机电致发光器件的封装层采用有机阻挡层和无机阻挡层依次交替叠层 设置在阴极表面，整个封装层能有效阻挡外界水汽和氧气对有机电致发光器件的侵蚀，从 而延长器件寿命。
[0018] 另一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
[0019] (1)提供洁净阳极导电基板，在阳极导电基板上依次真空蒸镀制备空穴注入层、空 穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；
[0020] (2)在所述阴极上制备封装层，得到有机电致发光器件；其中，所述封装层包括有 机阻挡层和无机阻挡层，具体制备方法如下：采用真空蒸发的方式在所述阴极表面依次沉 积有机阻挡层和无机阻挡层，真空蒸发过程中的真空度为1 X l(T5Pa?1 X l(T3Pa，蒸发速度 为0_5A ~ 5A/s;
[0021] 所述有机阻挡层的材料包括酞菁铜（CuPc)、N，N'_二苯基-N，N'-二（1-萘 基）_1，1'-联苯-4,4'_ 二胺（NPB)、8-羟基喹啉铝（Alq3)、4,4'，4''_三（N-3-甲基苯 基-N-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)和4,7 -二苯基一 1，10 -邻菲罗啉（BCP)中的至少 一种；
[0022] 所述无机阻挡层的材料包括金属单质和金属氧化物，所述金属单质所占质量分数 为10?30%，所述金属单质为铜（Cu)、铝（A1)、铟（In)、金（Au)、镍（Ni)和银（Ag)中的一种 或几种；所述金属氧化物为氧化钨（W03)、氧化铬（Cr03)、氧化钥（M〇03)、二氧化锰（Mn0 2)、 二氧化铼（Re02)和三氧化铼（Re03)中的一种或几种。
[0023] 优选地，所述有机阻挡层的厚度为200nm?300nm。
[0024] 优选地，所述无机阻挡层的厚度为100nm?150nm。
[0025] 优选地，所述有机阻挡层和无机阻挡层依次交替设置4?6层。
[0026] 优选地，阳极导电基板包括阳极导电层和基板，其基板可以为玻璃基板或有机薄 膜基板，阳极导电层的材质可以为导电氧化物，如，氧化铟锡（IT0)、掺铝氧化锌（AZ0)、掺 铟氧化锌（IZ0)或掺氟氧化锌（FT0)，这些导电氧化物被制备在玻璃基板上，简称IT0玻璃、 AZ0玻璃、IZ0玻璃、FT0玻璃。阳极导电基板可以自制，也可以市购获得。
[0027] 所述阳极基板通常进行如下清洁操作：依次进行丙酮清洗、乙醇清洗、去离子水清 洗、乙醇清洗，均用超声波清洗机进行清洗，单项洗涤清洗5分钟，然后用氮气吹干，烘箱烤 干待用；再对洗净后的基板进行表面活化处理，以增加导电表面层的含氧量，提高导电层表 面的功函数。
[0028] 本发明对所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层的材质 不作特殊限定，采用行业内常用材料均可。
[0029] 优选地，所述空穴注入层的材料包括N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -联 苯-4, 4' -二胺（NPB)及掺杂在所述N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -联苯-4, 4' -二 胺中的M〇03，所述M〇03的掺杂质量分数为30% ;所述空穴传输层的材料为4, 4'，4' ' -三(咔 唑-9-基)三苯胺（TCTA);所述发光层的材料包括1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基） 苯（TPBI)和掺杂在所述1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯中的三（2-苯基吡啶） 合铱（Ir(ppy)3)，所述三（2-苯基吡啶)合铱的掺杂质量分数为5% ;所述电子传输层的材料 为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen);所述电子注入层的材料包括4, 7-二苯基-1，10-菲 罗啉和掺杂在所述4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉中的CsN3，所述CsN3的掺杂质量分数为30%。
[0030] 阴极可以为非透明金属阴极(铝、银、金等)，也可以为透明阴极(介质层夹杂金属 层形成的介质层/金属层/介质层结构等)。
[0031] 所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极通过真空 蒸镀制备，制备厚度不作特殊限定。优选地，所述真空蒸镀过程中的真空度为IX l(T5Pa? 1 X 10_3Pa，蒸发速度为 〇. 1A ~ 5 A/S。
[0032] 该制备方法制得了多层材料层交替设置的封装结构，制备方法简便，采用的封装 材料比较廉价，易于大面积制备，该方法尤其适用于封装柔性有机电致发光器件。
[0033] 本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法具有以下有益效果：
[0034] (1)本发明有机电致发光器件的封装层包括交替叠层设置的有机阻挡层和无机阻 挡层，封装层结构致密，阻挡能力强，从而有效阻挡了外界水汽和氧气对有机电致发光器件 的侵蚀，提高了有机电致发光器件的寿命；
[0035] (2)本发明有机电致发光器件的防水性能（WVTR)达到10_4g/m 2 寿命达3500 小时以上（T70@1000cd/m2 :即起始亮度为1000cd/m2,亮度衰减到70%所用的时间）；
[0036] (3)本发明制备方法适用于制备以导电玻璃为阳极基板的有机电致发光器件，也 适用于制备以塑料或金属为阳极基底的柔性有机电致发光器件；且制备方法工艺简单，易 大面积制备，适于工业化大规模使用。
【专利附图】
【附图说明】
[0037] 图1是本发明实施例1制得的有机电致发光器件的结构示意图。
【具体实施方式】
[0038] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本发明保护的范围。
[0039] 实施例1
[0040] 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
[0041] (1)取IT0玻璃基板，依次进行丙酮清洗、乙醇清洗、去离子水清洗、乙醇清洗，均 用超声波清洗机进行清洗，单项洗涤清洗5分钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干待用，再对洗 净后的IT0玻璃基板进行表面活化处理，以增加IT0玻璃基板表面层的含氧量，提高IT0玻 璃基板表面的功函数；IT0厚度100nm ;
[0042] (2)采用真空蒸镀的方式在清洁干燥并经过表面活化处理后的IT0玻璃基板上依 次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层与阴极，其中：
[0043] 空穴注入层的材料包括NPB以及掺杂在NPB中的M〇03, M〇03的掺杂质量分数为 30%，，蒸镀时的真空度为3 X 10_5Pa，蒸发速度为〇. 1A/S,蒸镀厚度为l〇nm ;
[0044] 空穴传输层的材料为4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)，蒸镀时的真空度 3Xl(T5Pa，蒸发速度为0.1A/S，蒸镀厚度为30nm;
[0045] 发光层的材料包括1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)和掺杂 在TPBI中的三（2-苯基吡啶）合铱（Ir(ppy)3)，Ir(ppy)3的掺杂质量分数为5%;真空蒸镀 时的真空度为3 X l(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S,蒸镀厚度为20nm ;
[0046] 电子传输层的材料为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)，真空蒸镀时的真空度 3 X l(T5Pa，蒸发速度为〇. 1A/S，蒸镀厚度为l〇nm ;
[0047] 电子注入层的材料包括4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)和掺杂在Bphen中的 CsN3, CsN3的掺杂质量分数为30%，真空蒸镀时的真空度为3Xl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S， 蒸镀厚度为20nm ;
[0048] 金属阴极的材质为金属铝（A1)，蒸镀厚度为lOOnm，真空蒸镀时的真空度为 3父1〇-%，蒸发速度为5义8。
[0049] (3)在阴极上制备封装层，得到有机电致发光器件，其中，封装层包括有机阻挡层 和无机阻挡层，具体制备方法如下：
[0050] 通过真空蒸发的方式在阴极表面沉积厚度为250nm的有机阻挡层，材料为CuPc， 制备过程的真空度为1 X l(T3Pa，蒸发速度为2 A /S;
[0051] 再采用真空蒸发的方式在有机阻挡层表面制备厚度为120nm的无机阻挡层，无机 阻挡层的材质为Ag和Re03形成的混合材料，A1所占质量分数为15% ;真空蒸发过程中，真 空度为lXl(T3Pa，蒸发速率为2A/S。
[0052] 本实施例中，有机阻挡层和无机阻挡层交替制备4层。
[0053] 图1是本发明实施例1制得的有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示，本 实施例有机电致发光器件，依次包括IT0玻璃基板1、空穴注入层2、空穴传输层3、发光层 4、电子传输层5、电子注入层6、金属阴极7和封装层8。封装层8依次包括四层单层厚度为 250nm的有机阻挡层81、83、85、87,四层单层厚度为120nm的无机阻挡层82、84、86、88。
[0054] 采用水蒸汽透过率测试仪测量该有机电致发光器件的水蒸汽透过率，测得该有机 电致发光器件的水蒸汽透过率（WVTR，g/m2 ? day)为8. 8X 10_4g/m2 ? day，在I70@1000cd/m2的发光条件下测试该有机电致发光器件的寿命为3500小时。
[0055] 实施例2
[0056] -种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
[0057] ( 1)在IT0玻璃基板上制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注 入层和阴极，制备方法同实施例一；
[0058] (3)在阴极上制备封装层，得到有机电致发光器件，其中，封装层包括有机阻挡层 和无机阻挡层，具体制备方法如下：
[0059] 通过真空蒸发的方式在阴极表面沉积厚度为250nm的有机阻挡层，材料为NPB，制 备过程的真空度为5 X l(T5Pa，蒸发速度为2 A /S;
[0060] 再采用真空蒸发的方式在有机阻挡层表面制备厚度为150nm的无机阻挡层， 无机阻挡层的材料包括A1和Cr03, A1所占质量分数为30% ;真空蒸发过程中，真空度为 1父1〇-%，蒸发速率为1人/8。
[0061] 本实施例中，有机阻挡层和无机阻挡层交替制备6层。
[0062] 本实施例制备的有机电致发光器件的水蒸汽透过率（WVTR，g/m2 ? day)为 6. 9X 10_4g/m2 ? day，在I70@1000cd/m2的发光条件下测试的寿命为3644小时。
[0063] 实施例3
[0064] 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
[0065] ( 1)在IT0玻璃基板上制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注 入层和阴极，制备方法同实施例一；
[0066] (3)在阴极上制备封装层，得到有机电致发光器件，其中，封装层包括有机阻挡层 和无机阻挡层，具体制备方法如下：
[0067] 通过真空蒸发的方式在阴极表面沉积厚度为200nm的有机阻挡层，材料为Alq3， 制备过程的真空度为5 X l(T5Pa，蒸发速度为〇.5A /S;
[0068] 再采用真空蒸发的方式在有机阻挡层表面制备厚度为100nm的无机阻挡层， 无机阻挡层的材料包括In和M〇03, In所占质量分数为10% ;真空蒸发过程中，真空度为 1 X 10_5Pa，蒸发速率为0.5A/S。
[0069] 本实施例中，有机阻挡层和无机阻挡层交替制备6层。
[0070] 本实施例制备的有机电致发光器件的水蒸汽透过率（WVTR，g/m2 ? day)为 7. 3X l(T4g/m2 ? day，在I70@1000cd/m2的发光条件下测试的寿命为3612小时。
[0071] 实施例4
[0072] -种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
[0073] ( 1)在IT0玻璃基板上制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注 入层和阴极，制备方法同实施例一；
[0074] (3)在阴极上制备封装层，得到有机电致发光器件，其中，封装层包括有机阻挡层 和无机阻挡层，具体制备方法如下：
[0075] 通过真空蒸发的方式在阴极表面沉积厚度为250nm的有机阻挡层，材料为 m-MTDATA，制备过程的真空度为5 X l(T5Pa，蒸发速度为2A /S;
[0076] 再采用真空蒸发的方式在有机阻挡层表面制备厚度为120nm的无机阻挡层， 无机阻挡层的材料包括Au和Mn02, Au所占质量分数为20%;真空蒸发过程中，真空度为 lX10_4Pa，蒸发速率为2A/S。
[0077] 本实施例中，有机阻挡层和无机阻挡层交替制备5层。
[0078] 本实施例制备的有机电致发光器件的水蒸汽透过率（WVTR，g/m2 ? day)为 7. 8X 10_4g/m2 ? day，在I70@1000cd/m2的发光条件下测试的寿命为3574小时。
[0079] 实施例5
[0080] 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
[0081] (1)在IT0玻璃基板上制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注 入层和阴极，制备方法同实施例一；
[0082] (3)在阴极上制备封装层，得到有机电致发光器件，其中，封装层包括有机阻挡层 和无机阻挡层，具体制备方法如下：
[0083] 通过真空蒸发的方式在阴极表面沉积厚度为250nm的有机阻挡层，材料为BCP，制 备过程的真空度为5 X l(T5Pa，蒸发速度为1A/S;
[0084] 再采用真空蒸发的方式在有机阻挡层表面制备厚度为130nm的无机阻挡层， 无机阻挡层的材料包括Ni和Re02, Ni所占质量分数为15% ;真空蒸发过程中，真空度为 lXl(T4Pa，蒸发速度为3A/S。
[0085] 本实施例中，有机阻挡层和无机阻挡层交替制备5层。
[0086] 本实施例制备的有机电致发光器件的水蒸汽透过率（WVTR，g/m2 ? day)为 8. 2X 10_4g/m2 ? day，在I70@1000cd/m2的发光条件下测试的寿命为3540小时。
[0087] 实施例6
[0088] 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
[0089] ( 1)在IT0玻璃基板上制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注 入层和阴极，制备方法同实施例一；
[0090] (3)在阴极上制备封装层，得到有机电致发光器件，其中，封装层包括有机阻挡层 和无机阻挡层，具体制备方法如下：
[0091] 通过真空蒸发的方式在阴极表面沉积厚度为300nm的有机阻挡层，材料为CuPc， 制备过程的真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为5A/S;
[0092] 再采用真空蒸发的方式在有机阻挡层表面制备厚度为150nm的无机阻挡层， 无机阻挡层的材料包括Cu和W03, Cu所占质量分数为20% ;真空蒸发过程中，真空度为 lX10_5Pa，蒸发速度为5A/S。
[0093] 本实施例中，有机阻挡层和无机阻挡层交替制备6层。
[0094] 本实施例制备的有机电致发光器件的水蒸汽透过率（WVTR，g/m2 ? day)为 6. 4X 10_4g/m2 ? day，在I70@1000cd/m2的发光条件下测试的寿命为3673小时。
[0095] 以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员 来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为 本发明的保护范围。
【权利要求】
1. 一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输 层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和封装层，其特征在于，所述封装层包括依次 层叠设置的有机阻挡层和无机阻挡层，所述有机阻挡层的材料包括酞菁铜、Ν，Ν' -二苯 基4州'-二（1-萘基）-1，1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4'，4''-三（^3-甲基 苯基-N-苯基氨基）三苯胺和4, 7-二苯基-1，10-邻菲罗啉中的至少一种； 所述无机阻挡层的材料包括金属单质和金属氧化物，所述金属单质所占质量分数为 10?30%，所述金属单质为铜、铝、铟、金、镍和银中的一种或几种；所述金属氧化物为氧化 鹤、氧化铬、氧化钥、二氧化猛、二氧化铼和三氧化铼中的一种或几种。
2. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层的厚度为 200nm ?300nm。
3. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述无机阻挡层的厚度为 IOOnm ?150nm〇
4. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层和无机阻挡 层依次交替设置4?6层。
5. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料包 括Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -联苯-4, 4' -二胺及掺杂在所述Ν，Ν' -二苯 基-Ν，Ν'-二（1-萘基）-1，Γ-联苯-4, 4'-二胺中的MoO3，所述MoO3的掺杂质量分数为 30% ;所述空穴传输层的材料为4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺；所述发光层的材料包 括1，3, 5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯和掺杂在所述1，3, 5-三（1-苯基-IH-苯 并咪唑-2-基）苯中的三（2-苯基吡陡）合铱，所述三（2-苯基吡陡）合铱的掺杂质量分数 为5% ;所述电子传输层的材料为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉；所述电子注入层的材料包括 4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉和掺杂在所述4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉中的CsN3，所述CsN3 的掺杂质量分数为30%。
6. -种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： (1) 提供洁净阳极导电基板，在阳极导电基板上依次真空蒸镀制备空穴注入层、空穴传 输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极； (2) 在所述阴极上制备封装层，得到有机电致发光器件；其中，所述封装层包括有机阻 挡层和无机阻挡层，具体制备方法如下：采用真空蒸发的方式在所述阴极表面依次沉积有 机阻挡层和无机阻挡层，真空蒸发过程中的真空度为I X KT5Pa?I X KT3Pa,蒸发速度为 0.5Α- 5A/s; 所述有机阻挡层的材料包括酞菁铜、Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -联 苯-4, 4' -二胺、8-羟基喹啉铝、4, 4'，4' ' -三（Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺和4， 7-二苯基-1，10-邻菲罗啉中的至少一种； 所述无机阻挡层的材料包括金属单质和金属氧化物，所述金属单质所占质量分数为 10?30%，所述金属单质为铜、铝、铟、金、镍和银中的一种或几种；所述金属氧化物为氧化 鹤、氧化铬、氧化钥、二氧化猛、二氧化铼和三氧化铼中的一种或几种。
7. 如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述有机阻挡层 的厚度为200nm?300nm。
8. 如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述无机阻挡层 的厚度为IOOnm?150nm。
9. 如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述有机阻挡层 和无机阻挡层依次交替设置4?6层。
10. 如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴注入 层的材料包括Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -联苯-4, 4' -二胺及掺杂在所述 Ν，Ν' -二苯基-Ν，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -联苯-4, 4' -二胺中的MoO3，所述MoO3的掺杂质 量分数为30% ;所述空穴传输层的材料为4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺；所述发光层 的材料包括1，3, 5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯和掺杂在所述1，3, 5-三（1-苯 基-IH-苯并咪唑-2-基）苯中的三（2-苯基吡啶)合铱，所述三（2-苯基吡啶)合铱的掺杂 质量分数为5% ;所述电子传输层的材料为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉；所述电子注入层的 材料包括4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉和掺杂在所述4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉中的CsN3, 所述CsN3的掺杂质量分数为30%。
【文档编号】H01L51/54GK104518131SQ201310449355
【公开日】2015年4月15日 申请日期:2013年9月27日 优先权日:2013年9月27日
【发明者】周明杰, 钟铁涛, 王平, 张振华 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司