技术总结
本发明提供一种用于等离子刻蚀设备的上盖，所述上盖包括导电的壳体，其中，所述上盖还包括分隔板，所述分隔板与所述壳体围成空腔，所述分隔板包括彼此相连的介质窗部和导电板部，所述介质窗部环绕所述导电板部设置，平面线圈设置在介质窗部上并位于所述空腔中。本发明还提供一种等离子刻蚀设备。在利用所述等离子刻蚀设备对晶片进行等离子刻蚀时，所述导电板部与下平板电极相对，因此，可以减小下平板电极的射频功率直接以电场的形式传输到腔室主体中时的阻抗，提高了射频功率的传输效率，增强了晶片表面的电场强度，提高了离子对晶片的轰击作用。
技术研发人员：李宗兴;
受保护的技术使用者：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司;
文档号码：201410824996
技术研发日：2014.12.26
技术公布日：2016.07.20