技术总结
本发明提供一种MOSFET器件的制作方法，其特征在于，包括：在基底上形成掩膜层；以掩膜层为掩膜，对基底进行刻蚀，同时形成第一沟槽和第二沟槽；在第一沟槽中形成第一填充层，且在第一填充层上形成遮挡层；以遮挡层和掩膜层为掩膜，对第二沟槽进行刻蚀，以使第二沟槽的深度增大到预设深度，形成第三沟槽；在第三沟槽中形成第二填充层。根据本发明的MOSFET器件的制作方法，通过同时形成第一沟槽和第二沟槽，接着仅对第二沟槽进行刻蚀以形成第三沟槽，进而形成了深槽和浅槽，能够避免形成深槽和浅槽时光刻对准偏差对于MOSFET器件的影响，优化MOSFET器件的制作工艺，简化流程，降低成本。
技术研发人员：赵圣哲
受保护的技术使用者：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
文档号码：201510128889
技术研发日：2015.03.23
技术公布日：2016.11.23