技术总结
一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有伪栅，所述伪栅两侧的半导体衬底内形成有源区和漏区；在所述半导体衬底上形成层间介质层，所述层间介质层的表面与伪栅的顶部表面齐平；去除所述伪栅，形成暴露出半导体衬底表面的凹槽；在所述层间介质层上形成第一应力层，且所述第一应力层填充满凹槽，所述第一应力层对凹槽底部的半导体衬底施加第一应力；去除所述第一应力层，所述凹槽底部的半导体衬底材料记忆部分第一应力；在所述凹槽的侧壁和底部表面上形成栅介质层；在所述栅介质层和层间介质层表面上形成金属栅电极，所述金属栅电极填充满凹槽。本发明的方法提高了晶体管沟道区载流子的迁移率。
技术研发人员：赵猛
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
文档号码：201510131246
技术研发日：2015.03.24
技术公布日：2016.11.23