技术总结
一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，形成硬掩膜层，所述硬掩膜层为长条状；形成横跨硬掩膜层伪栅结构，包括伪栅极和第一侧墙、第二侧墙；在半导体衬底上形成表面与伪栅结构表面齐平的介质层；去除伪栅极，形成第一凹槽；以硬掩膜层为掩膜刻蚀半导体衬底，形成第一子鳍部；在第一凹槽内形成第一金属栅结构；去除第一侧墙，形成第二凹槽；以硬掩膜层为掩膜刻蚀半导体衬底，形成第二子鳍部；在第二凹槽内形成第二金属栅结构；去除第二侧墙，形成第三凹槽；以硬掩膜层为掩膜刻蚀半导体衬底，形成第三子鳍部；在第三凹槽内形成第三金属栅结构。上述方法可以提高形成的鳍式场效应晶体管的性能。
技术研发人员：张海洋;张城龙
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
文档号码：201510149625
技术研发日：2015.03.31
技术公布日：2016.11.23