1.一种VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：
在基底上形成掩膜层；
以所述掩膜层为掩膜，进行离子注入，形成高浓度的JFET的沟道区；
在所述JFET的沟道区上形成氧化层；
在所述氧化层上形成栅极；
去除所述掩膜层；
以所述栅极为掩膜，进行离子注入，形成体区。
2.根据权利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，在所述氧化层上形成栅极包括：
在所述掩膜层和所述氧化层上通过沉积方式形成栅极材料层；
采用化学机械抛光方式去除所述掩膜层高于所述氧化层上的所述栅极材料层的部分，形成所述栅极，所述掩膜层的顶部与所述栅极的顶部齐平。
3.根据权利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，在所述JFET的沟道区上形成氧化层包括：
采用热氧化方式在所述JFET的沟道区上形成所述氧化层。
4.根据权利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，去除所述掩膜层包括:
采用湿法方式去除所述掩膜层。
5.根据权利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述基底包括N型衬底和形成在所述N型衬底上的N型外延层。
6.根据权利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述在基底上形成掩膜层包括：
在所述基底上沉积形成掩膜层；
刻蚀所述掩膜层，以形成具有图案的所述掩膜层。
7.根据权利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，在所述形成体区之后，还包括：
对所述基底进行离子注入，在所述栅极的两侧且在所述体区中形成源区；
在所述栅极上形成介质层，所述介质层的宽度大于所述栅极的宽度；
在所述体区和所述介质层上形成所述金属层。