1.一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置包括具有第一线圈的第一半导体芯片、具有第二线圈的第二半导体芯片以及介于所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间的绝缘片材，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片经由所述绝缘片材堆叠，所述第一线圈和所述第二线圈彼此磁耦合，所述方法包括以下步骤：
(a)设置所述第一半导体芯片；
(b)设置所述第二半导体芯片；以及
(c)将所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片经由所述绝缘片材堆叠，以便使所述第一线圈和所述第二线圈彼此磁耦合；
其中，所述步骤(a)包括以下步骤：
(a1)在第一半导体衬底上，形成具有一个或多个布线层并且包括所述第一线圈的第一布线结构；
(a2)在所述第一布线结构上，形成第一绝缘膜；以及
(a3)将所述第一绝缘膜的上表面平坦化，
其中，所述步骤(b)包括以下步骤：
(b1)在第二半导体衬底上，形成具有一个或多个布线层并且包括所述第二线圈的第二布线结构；
(b2)在所述第二布线结构上，形成第二绝缘膜；以及
(b3)将所述第二绝缘膜的上表面平坦化，并且
其中，在所述步骤(c)中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片经由所述绝缘片材堆叠，并且使所述第一半导体芯片的所述第一绝缘膜和所述第二半导体芯片的所述第二绝缘膜彼此面对。
2.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，
其中，所述步骤(a3)包括以下步骤：
(a4)在所述第一绝缘膜上，形成第一掩膜层；以及
(a5)使用所述第一掩膜层作为蚀刻掩膜，对所述第一绝缘膜进行回蚀，并且
其中，所述步骤(b3)包括以下步骤：
(b4)在所述第二绝缘膜上，形成第二掩膜层；以及
(b5)使用所述第二掩膜层作为蚀刻掩膜，对所述第二绝缘膜进行蚀刻。
3.根据权利要求2所述的制造半导体装置的方法，
其中，通过执行所述步骤(a5)，提高所述第一绝缘膜的上表面的平坦性，并且
其中，通过执行所述步骤(b5)，提高所述第二绝缘膜的上表面的平坦性。
4.根据权利要求2所述的制造半导体装置的方法，
其中，所述第一绝缘膜包括第一树脂膜，
其中，在所述步骤(a5)中，对所述第一树脂膜进行回蚀，
其中，所述第二绝缘膜包括第二树脂膜，并且
其中，在所述步骤(b5)中，对所述第二树脂膜进行回蚀，
5.根据权利要求4所述的制造半导体装置的方法，
其中，所述第一树脂膜和所述第二树脂膜中的每一个由聚酰亚胺制成。
6.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，
其中，在所述步骤(a3)中，所述第一绝缘膜的上表面被抛光以被平坦化，并且
其中，在所述步骤(b3)中，所述第二绝缘膜的上表面被抛光以被平坦化。
7.根据权利要求6所述的制造半导体装置的方法，
其中，在所述步骤(a3)中，通过CMP方法将所述第一绝缘膜的上表面抛光，并且
其中，在所述步骤(b3)中，通过CMP方法将所述第二绝缘膜的上表面抛光。
8.根据权利要求6所述的制造半导体装置的方法，
其中，所述第一绝缘膜包括第一二氧化硅膜，
其中，在所述步骤(a3)中，将所述第一二氧化硅膜抛光，
其中，所述第二绝缘膜包括第二二氧化硅膜，并且
其中，在所述步骤(b3)中，将所述第二二氧化硅膜抛光。
9.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，
其中，所述第一绝缘膜是所述第一半导体芯片的最上层中的膜，并且
其中，所述第二绝缘膜是所述第二半导体芯片的最上层中的膜。
10.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，
其中，所述步骤(c)包括以下步骤：
(c1)将所述第一半导体芯片安装在芯片安装部上；以及
(c2)将所述第二半导体芯片经由所述绝缘片材安装在所述第一半导体芯片上，以将所述第二半导体芯片堆叠在所述第一半导体芯片上，并且使所述第一半导体芯片的所述第一绝缘膜和所述第二半导体芯片的所述第二绝缘膜彼此面对。
11.根据权利要求10所述的制造半导体装置的方法，
其中，所述第一半导体芯片具有多个第一焊盘，
其中，所述第二半导体芯片具有多个第二焊盘，
所述方法进一步包括以下步骤：
(d)在所述步骤(c)之后，将多个第一外部端子经由多个第一导电耦合构件电耦合到所述第一半导体芯片的所述第一焊盘，并且将多个第二外部端子经由多个第二导电耦合构件电耦合到所述第二半导体芯片的所述第二焊盘。
12.根据权利要求11所述的制造半导体装置的方法，所述方法进一步包括以下步骤：
(e)在所述步骤(d)之后，形成密封部，所述密封部密封所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片、所述绝缘片材、所述芯片安装部、所述第一导电耦合构件、所述第二导电耦合构件、所述第一外部端子和所述第二外部端子。