技术总结
本发明涉及一种制造半导体装置的方法。通过防止彼此面对的两个半导体芯片之间的介电击穿，实现半导体装置的可靠性提高。在制造第一半导体芯片和第二半导体芯片期间，执行将绝缘膜的上表面平坦化的过程。然后，第一半导体芯片和第二半导体芯片经由绝缘片材堆叠，并且使第一半导体芯片和第二半导体芯片相应的绝缘膜彼此面对，使得第一半导体芯片和第二半导体芯片相应的线圈彼此磁耦合。
技术研发人员：内田慎一;藏本贵文;黄俐昭;
受保护的技术使用者：瑞萨电子株式会社;
技术研发日：2015.12.03
技术公布日：2016.07.13