技术总结
本发明提供一种半导体元件及绝缘层形成用组成物，所述半导体元件具有半导体层、及与该半导体层相邻的绝缘层，在所述半导体元件中，所述绝缘层由高分子化合物的交联物形成，该高分子化合物具有以下述通式(IA)表示的重复单元(IA)和以下述通式(IB)表示的重复单元(IB)。通式(IA)中，R1a表示氢原子、卤原子或烷基。L1a及L2a分别独立地表示单键或连结基。X表示交联性基。m2a表示1～5的整数，当m2a为2以上时，m2a个X可以彼此相同也可以互不相同。m1a表示1～5的整数，当m1a为2以上时，m1a个(‑L2a‑(X)m2a)可以彼此相同也可以互不相同。通式(IB)中，R1b表示氢原子、卤原子或烷基。L1b表示单键或连结基，Ar1b表示芳香族环。m1b表示1～5的整数。
技术研发人员：永田裕三;泷泽裕雄;土村智孝;鹤田拓也
受保护的技术使用者：富士胶片株式会社
文档号码：201580016286
技术研发日：2015.03.23
技术公布日：2016.11.16