1.一种制造半导体器件的方法，包括：
在衬底上形成介电层；
形成具有第一栅极导体和在所述第一栅极导体与所述介电层之间的栅极介电结构的栅极堆叠；
在所述栅极堆叠的侧壁处形成栅极间介电结构；以及
形成与所述栅极间介电结构相邻且在所述介电层上的L形第二栅极导体。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述L形第二栅极导体包括：
在所述栅极堆叠和所述栅极间介电结构上形成多晶硅(“poly”)层；
在所述多晶硅层上形成氧化物层；
选择性地蚀刻所述氧化物层以在所述多晶硅层的与所述栅极间介电结构相邻的部分上形成氧化物间隔区；以及
使用所述氧化物间隔区作为掩膜来蚀刻所述多晶硅层。
3.根据权利要求2所述的方法，还包括去除所述氧化物间隔区。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述栅极介电结构包括形成氮化物和氧化物介电膜的两个或更多个交替层。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述介电层包括形成氧化物层。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述栅极间介电结构包括形成两个或更多个交替的氧化物和氮化物介电膜。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括形成所述第一栅极导体作为分栅存储单元的存储栅极。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括形成所述L形第二栅极导体作为分栅存储单元的选择栅极。
9.一种半导体器件，包括：
衬底；
在所述衬底上的介电层；
栅极堆叠，所述栅极堆叠具有第一栅极导体和在所述第一栅极导体与所述介电层之间的栅极介电结构；
在所述栅极堆叠的侧壁处的栅极间介电结构；以及
邻近所述栅极间介电结构且在所述介电层上的L形第二栅极导体。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述栅极介电结构包括氮化物和氧化物介电膜的两个或更多个交替层。
11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述介电层包括氧化物层。
12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述栅极间介电结构包括氧化物和氮化物介电膜的两个或更多个交替层。
13.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一栅极导体构成分栅存储单元的存储栅极。
14.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述L形第二栅极导体构成分栅存储单元的选择栅极。