1.一种半导体封装结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供封装基材，所述封装基材包括介电层与连接所述介电层的金属层；
图案化所述金属层，以形成图案化线路层，所述图案化线路层包括多个彼此分离的线路；
形成第一封装胶体于所述介电层上，并使所述第一封装胶体填充于所述多个线路之间，以形成预铸模导线层；
移除部分所述介电层，以形成多个开口，其中所述多个开口暴露出部分所述预铸模导线层；
配置第一芯片于所述介电层或所述预铸模导线层上，并使所述第一芯片通过所述多个开口电性连接所述预铸模导线层；以及
形成第二封装胶体于所述介电层上，并使所述第二封装胶体包覆所述第一芯片。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，所述第一芯片配置于所述介电层上，并且以多条导线通过所述多个开口电性接合于所述预铸模导线层。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，所述第一芯片配置于所述介电层上，并且以多个凸块通过所述多个开口覆晶接合于所述预铸模导线层。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，所述第一芯片配置于所述预铸模导线层上，并且位于所述介电层的其中一所述开口内，所述第一芯片以多条导线通过其他所述多个开口电性接合于所述预铸模导线层。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，所述第一芯片配置于所述预铸模导线层上，并且位于所述介电层的其中一所述开口内，所述第一芯片以多个凸块覆晶接合于所述预铸模导线层。
6.根据权利要求5所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，还包括：
在形成所述第二封装胶体于所述介电层上之前，配置第二芯片于所述介电层上，所述第二芯片位于所述第一芯片的上方，且通过其他所述多个开口 电性连接所述预铸模导线层。
7.根据权利要求6所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，还包括：使所述第二封装胶体包覆所述第二芯片。
8.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
预铸模导线层，包括图案化线路层与第一封装胶体，所述图案化线路层包括多个彼此分离的线路，所述第一封装胶体填充于所述多个线路之间；
介电层，连接所述预铸模导线层且具有多个开口，其中所述多个开口暴露出部分所述预铸模导线层；
第一芯片，配置于所述介电层或所述预铸模导线层上，且通过所述多个开口电性连接所述预铸模导线层；以及
第二封装胶体，配置于所述介电层上，且包覆所述第一芯片。
9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一芯片配置于所述介电层上，并且以多条导线通过所述多个开口电性接合于所述预铸模导线层。
10.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一芯片配置于所述介电层上，并且以多个凸块通过所述多个开口覆晶接合于所述预铸模导线层。
11.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一芯片配置于所述预铸模导线层上，并且位于所述介电层的其中一所述开口内，所述第一芯片以多条导线通过其他所述多个开口电性接合于所述预铸模导线层。
12.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一芯片配置于所述预铸模导线层上，并且位于所述介电层的其中一所述开口内，所述第一芯片以多个凸块覆晶接合于所述预铸模导线层。
13.根据权利要求12所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
第二芯片，配置于所述介电层上，所述第二芯片位于所述第一芯片的上方，且通过其他所述多个开口电性连接所述预铸模导线层。
14.根据权利要求13所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二封装胶体包覆所述第二芯片。