技术特征：
技术总结
本发明公开了一种形成半导体图形的方法，包含在光阻层上使用光罩进行微缩影工艺，其中光罩具有多个第一开孔与多个第二开孔分别位于光罩的第一区域与第二区域，其中光罩的第二区域位于光罩的边缘以及第一区域之间，且每个第一开孔的尺寸大于每个第二开孔的尺寸，其中微缩影工艺是经由第一开孔与第二开孔分别在光阻层上形成第一主要特征以及虚设特征；在光阻层中填入缩孔材料，让缩孔材料进入第一主要特征与虚设特征中，以在每个第一主要特征中分别形成第二主要特征，并封闭虚设特征；以及，使用具有第二主要特征的光阻层蚀刻基底。此种方法可使基底的每个特征的电性特性更趋一致性。
技术研发人员：周国耀
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2016.07.21
技术公布日：2017.10.20