技术总结
鳍式场效应晶体管(FinFET)包括衬底、设置在衬底上的多个绝缘体、栅极堆叠件和应变材料。该衬底包括至少一个半导体鳍并且半导体鳍包括分布在其中的至少一个调制部分。该绝缘体夹着该半导体鳍。该栅极堆叠件设置在部分半导体鳍上方和部分绝缘体上方。应变材料覆盖了由栅极堆叠件显露的部分半导体鳍。此外，提供了用于制造FinFET的方法。
技术研发人员：张哲诚;林志翰
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201610784601
技术研发日：2016.08.31
技术公布日：2017.05.24