1.一种QLED空穴注入层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一含有底电极的衬底；
在所述衬底的底电极面沉积金属氧化物，得到金属氧化物薄膜；
将沉积有金属氧化物薄膜的衬底置于可密闭的加热炉中，在还原气氛下进行退火处理，得到含氢化还原氧化物的空穴注入层，其中，
所述还原气氛为惰性气体和含氢元素的还原气体组成的混合气体，且以所述混合气体的总体积为100％计，所述含氢元素的还原气体的体积百分比为0.5-10％。
2.如权利要求1所述的QLED空穴注入层的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度为150-600℃，退火时间为30-90min。
3.如权利要求1所述的QLED空穴注入层的制备方法，其特征在于，所述含氢元素的还原气体为H2、NH3、CH4中的至少一种。
4.如权利要求1所述的QLED空穴注入层的制备方法，其特征在于，所述惰性气体为N2、Ar中的至少一种。
5.如权利要求1所述的QLED空穴注入层的制备方法，其特征在于，所述混合气氛为H2和N2组成的混合气体。
6.如权利要求1所述的QLED空穴注入层的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物为过渡金属氧化物，包括氧化钼、氧化钨、氧化钒、氧化铜、氧化铼、氧化铬、氧化钌。
7.如权利要求1-6任一项所述的QLED空穴注入层的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物薄膜通过下述方法制备获得：
配置金属氧化物的前驱体溶液，将所述前驱体溶液通过溶液加工方法沉积在所述衬底的底电极面，形成金属氧化物薄膜；或
提供金属氧化物粉末，通过真空沉积法将所述金属氧化物粉末沉积在所述衬底的底电极面，形成金属氧化物薄膜。
8.如权利要求1-6任一项所述的QLED空穴注入层的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物薄膜的厚度为5-40nm。
9.一种QLED的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
按照权利要求1-8任一项所述方法制备沉积有底电极和空穴注入层的衬底；
在所述空穴注入层上依次沉积空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极，得到QLED。
10.一种QLED，其特征在于，由权利要求9所述的QLED的制备方法制备获得，包括依次层叠设置的衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极，其中，所述空穴注入层为含有氢化还原金属氧化物的空穴注入层。