技术总结
本发明提供了一种QLED空穴注入层的制备方法，包括以下步骤：提供一含有底电极的衬底；在所述衬底的底电极面沉积金属氧化物，得到金属氧化物薄膜；将沉积有金属氧化物薄膜的衬底置于可密闭的加热炉中，在还原气氛下进行退火处理，得到含氢化还原氧化物的空穴注入层，其中，所述还原气氛为惰性气体和含氢元素的还原气体组成的混合气体，且以所述混合气体的总体积为100％计，所述含氢元素的还原气体的体积百分比为0.5‑10％。
技术研发人员：王宇;曹蔚然;杨一行;钱磊
受保护的技术使用者：TCL集团股份有限公司
文档号码：201610814007
技术研发日：2016.09.09
技术公布日：2016.12.21