技术总结
一种多栅极元件，包含设置于基板上的源极/漏极特征。源极/漏极特征包含第一纳米线、设置于第一纳米线上的第二纳米线、设置于第一纳米线及第二纳米线上的包覆层以及自第一纳米线延伸至第二纳米线的间隔层。元件亦包含直接设置于源极/漏极特征上的导电特征，以使得导电特征实体接触包覆层及间隔层。
技术研发人员：江国诚;黄靖方;卡罗司·迪亚兹;王志豪;谢文兴;梁英强
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201610937203
技术研发日：2016.10.25
技术公布日：2017.06.09