1.一种槽型栅功率场效应晶体管，其特征在于，包括：
衬底、外延层、栅极结构、位于所述外延层表面的第一阱区和位于所述第一阱区表面的第二阱区，其中，所述栅极结构包括：槽型栅极和包围所述槽型栅极的栅氧化层；其中，所述衬底、所述外延层和所述第二阱区的掺杂类型均为第一掺杂类型；所述第一阱区的掺杂类型为第二掺杂类型；所述第二阱区与源极导通连接，所述衬底与漏极导通连接；
其中，沿垂直于所述衬底表面的方向，所述第二阱区与所述外延层之间被所述栅极结构填充，以减少所述第二阱区远离所述外延层表面一侧的寄生电阻。
2.如权利要求1所述的槽型栅功率场效应晶体管，其特征在于，沿所述外延层表面至所述衬底的方向，所述栅极结构的宽度增加，以填充所述第二阱区与所述外延层之间的区域。
3.如权利要求2所述的槽型栅功率场效应晶体管，其特征在于，沿所述外延层表面至所述衬底的方向，所述栅极结构中的槽型栅极的宽度增加。
4.如权利要求2所述的槽型栅功率场效应晶体管，其特征在于，沿所述外延层表面至所述衬底的方向，在距所述外延层表面第一深度的位置，所述栅极结构的宽度增加。
5.如权利要求4所述的槽型栅功率场效应晶体管，其特征在于，所述第一深度为所述第二阱区的深度。
6.如权利要求5所述的槽型栅功率场效应晶体管，其特征在于，沿所述外延层表面至所述衬底的方向，在与所述外延层表面距离所述第一深度的位置，所述栅极结构的宽度增加量大于等于所述第二阱区宽度的两倍，以完全填充所述第二阱区与所述外延层之间的区域。
7.如权利要求1-6任一所述的槽型栅功率场效应晶体管，其特征在于：
所述第一掺杂类型为N型，所述第二掺杂类型为P型；或
所述第一掺杂类型为P型，所述第二掺杂类型为N型。