1.一种准各向同性磁芯膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤1：将靶材A与靶材B装入溅射室内，将基片放置于基片架上，所述基片架与靶材水平面成α角；
步骤2：将基片架移动至靶材A的位置，采用溅射法在基片上溅射第一磁性薄膜层，然后将基片架移动至靶材B的位置，采用溅射法在第一磁性薄膜层上溅射绝缘层；
步骤3：将基片架移动至靶材A的位置，并且将基片架旋转180度，此时，基片架与靶材水平面的夹角仍然为α，采用溅射法形成第二磁性薄膜层，即可得到第一磁性薄膜/绝缘层/第二磁性薄膜的三明治结构；
步骤4：将基片架移动至靶材B的位置，采用溅射法形成隔离层；
步骤5：将基片架旋转90度，然后重复步骤2、步骤3的过程，即可得到下一个三明治结构；
步骤6：多次重复步骤2至步骤5的操作，即可得到多个三明治结构形成的三明治结构/隔离层/三明治结构的磁芯膜。
2.根据权利要求1所述的准各向同性磁芯膜的制备方法，其特征在于，步骤1所述靶材A为NiFe、FeCo、CoNb、FeCoHf、FeCoZr、FeCoAl、FeCoTi、FeCoTa、CoFeB、CoZrTa合金或者非晶金属靶材或者Fe、Co、NiFe、FeCo与SiO2、Al2O3、HfO2、ZrO2、TiO2组成的复合靶材，所述靶材B为SiO2、Al2O3、HfO2、ZrO2或TiO2绝缘靶材。
3.根据权利要求1所述的准各向同性磁芯膜的制备方法，其特征在于，步骤1所述α角可根据实际需求的各向异性场的大小进行调节，具体为10～55度。
4.根据权利要求1所述的准各向同性磁芯膜的制备方法，其特征在于，步骤2所述第一磁性薄膜为NiFe、FeCo、CoNb、FeCoHf、FeCoZr、FeCoAl、FeCoTi、FeCoTa、CoFeB、CoZrTa合金薄膜或者非晶金属薄膜或者Fe、Co、NiFe、FeCo与SiO2、Al2O3、HfO2、ZrO2、TiO2、Ta2O5组成的复合薄膜，其厚度为100～300nm；步骤3所述第二磁性薄膜为NiFe、FeCo、CoNb、FeCoHf、FeCoZr、FeCoAl、FeCoTi、FeCoTa、CoFeB、CoZrTa合金薄膜或者非晶金属薄膜或者Fe、Co、NiFe、FeCo与SiO2、Al2O3、HfO2、ZrO2、TiO2组成的复合薄膜，其厚度为100～300nm。
5.根据权利要求1所述的准各向同性磁芯膜的制备方法，其特征在于，步骤2所述绝缘层为SiO2、Al2O3、HfO2、ZrO2、TiO2或Ta2O5，其厚度为1～10nm。
6.根据权利要求1所述的准各向同性磁芯膜的制备方法，其特征在于，步骤4所述隔离层为SiO2、Al2O3、HfO2、ZrO2、TiO2、Ta2O5或Si3N4，其厚度为20nm以上。