技术总结
一种准各向同性磁芯膜的制备方法，涉及高频磁性器件特别是片上集成电感类器件中磁性薄膜的制备领域。本发明将基片倾斜，使基片与靶材呈一定角度进行溅射，形成了倾斜柱状结构，引入了单轴各向异性场；本发明磁性薄膜/绝缘层/磁性薄膜三明治结构中，上下两层磁性薄膜为易轴方向相反的倾斜柱状结构，以产生合适的层间交换耦合作用，抵消由于不同长宽比带来的形状各向异性场，使得总的有效各向异性场仅取决于倾斜溅射诱导的各向异性场；本发明磁芯膜由多个三明治结构堆叠形成，相邻三明治结构中磁性薄膜的易轴相互垂直，且通过厚度为20nm以上的隔离层隔离层间交换耦合作用，从而使得磁芯膜各个方向上都有相近的有效各向异性场和较高的磁导率。
技术研发人员：白飞明;黄海明;钟智勇;张怀武
受保护的技术使用者：电子科技大学
文档号码：201611176435
技术研发日：2016.12.19
技术公布日：2017.03.15